JPH01289224A - 薄膜磁気ヘッド用基板及びその製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッド用基板及びその製造方法Info
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- JPH01289224A JPH01289224A JP11972488A JP11972488A JPH01289224A JP H01289224 A JPH01289224 A JP H01289224A JP 11972488 A JP11972488 A JP 11972488A JP 11972488 A JP11972488 A JP 11972488A JP H01289224 A JPH01289224 A JP H01289224A
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 49
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 26
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 5
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 19
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 14
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 10
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims abstract description 10
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims abstract description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 28
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 15
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 abstract description 15
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 abstract description 15
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract description 14
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract description 14
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract description 14
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract description 14
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract description 14
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract description 14
- 229910018605 Ni—Zn Inorganic materials 0.000 abstract description 11
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 3
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 229910000889 permalloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N ceric oxide Chemical compound O=[Ce]=O CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000422 cerium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005355 lead glass Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 229910000702 sendust Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
利用産業分野
この発明は、薄膜磁気ヘッド用基板、特に磁気抵抗素子
用または垂直記録用薄膜磁気ヘッド基板及びその製造方
法に係り、基板表面に存在する微小孔内に、Ａｌ２Ｏ３
またはＳｉＯ２あるいはガラスを充填して、被着する磁
性薄膜の剥離を防止した薄膜磁気ヘッド用基板及びその
製造方法に関する。
用または垂直記録用薄膜磁気ヘッド基板及びその製造方
法に係り、基板表面に存在する微小孔内に、Ａｌ２Ｏ３
またはＳｉＯ２あるいはガラスを充填して、被着する磁
性薄膜の剥離を防止した薄膜磁気ヘッド用基板及びその
製造方法に関する。
背景技術
磁気抵抗素子（ＭＲ）用薄膜磁気ヘッド基板または垂直
記録用薄膜磁気ヘッド基板には、一般に、電気抵抗が１
０７Ω−ｃｍ以上の高い特性を有するＮｉ−Ｚｎフェラ
イト基板が用いられている。
記録用薄膜磁気ヘッド基板には、一般に、電気抵抗が１
０７Ω−ｃｍ以上の高い特性を有するＮｉ−Ｚｎフェラ
イト基板が用いられている。
かかるフェライト基板表面に、所要の磁性薄膜等が積層
被着されて、薄膜磁気ヘッドとなすが、基板表面に直接
被着する磁性薄膜の剥離が懸念されている。
被着されて、薄膜磁気ヘッドとなすが、基板表面に直接
被着する磁性薄膜の剥離が懸念されている。
従来、前記Ｎｉ−Ｚｎフェライト基板は、研摩により表
面粗度１００Ａ以下にするが、発明者の測定によれば、
前記基板には結晶粒内または粒間に大きさ０．５μｍ〜
１０μｍの１〜２ケ１粒内のボア、または大きさ１０〜
２５μｍの３ヶ／ｍｍ２程度のボイド等の微小孔が存在
する。
面粗度１００Ａ以下にするが、発明者の測定によれば、
前記基板には結晶粒内または粒間に大きさ０．５μｍ〜
１０μｍの１〜２ケ１粒内のボア、または大きさ１０〜
２５μｍの３ヶ／ｍｍ２程度のボイド等の微小孔が存在
する。
そのため、前記微小孔を有する前記基板表面に、パーマ
ロイ等のＭＲ用磁性薄膜を２００〜５００人厚みで被着
しても、磁性薄膜の電磁特性の劣化を招来すると共に、
基板より磁性薄膜が剥離し易くなるものと考えられる。
ロイ等のＭＲ用磁性薄膜を２００〜５００人厚みで被着
しても、磁性薄膜の電磁特性の劣化を招来すると共に、
基板より磁性薄膜が剥離し易くなるものと考えられる。
発明の目的
この発明は、Ｎｉ−Ｚｎフェライト基板表面に存在する
微小孔に起因すると考えられる磁性薄膜の電磁特性の劣
化及び磁性薄膜の剥離を防止したことを特徴とする薄膜
磁気ヘッド用基板とその製造方法の提供を目的としてい
る。
微小孔に起因すると考えられる磁性薄膜の電磁特性の劣
化及び磁性薄膜の剥離を防止したことを特徴とする薄膜
磁気ヘッド用基板とその製造方法の提供を目的としてい
る。
発明の概要
この発明は、Ｎｉ−Ｚｎフェライト基板上に被着する磁
性薄膜の電磁特性の劣化を防止すると共に、磁性薄膜が
基板よりの剥離発生を防止するため、基板のＮｉ−Ｚｎ
フェライトの表面性状について種々検討した結果、基板
表面に存在する微小孔内に、Ａｌ２Ｏ３またはＳｉＯ２
あるいはガラスを充填することにより、上記問題を解消
できることを知見したものである。
性薄膜の電磁特性の劣化を防止すると共に、磁性薄膜が
基板よりの剥離発生を防止するため、基板のＮｉ−Ｚｎ
フェライトの表面性状について種々検討した結果、基板
表面に存在する微小孔内に、Ａｌ２Ｏ３またはＳｉＯ２
あるいはガラスを充填することにより、上記問題を解消
できることを知見したものである。
すなわち、この発明は、
基板表面の結晶粒内または粒間に０．５μｍ−１０μｍ
大の１〜２ケ存在するボア、あるいは１０〜２５μｍ大
の３ヶ／ｍｍ２程度存在するボイド等の微小孔を有し、
表面粗度１００Ａ以下のＮｉ−Ｚｎフェライトの基板表
面に、 Ａｌ２Ｏ３またはＳｉＯ２あるいはガラスを、スパッタ
ーリング法またはスピンコーティング法により、２〜１
０μｍ厚みに被着した後、前記被着膜をメカノケミカル
研摩処理にて除去することにより、 表面粗度を１００Å以下となし、 表面に存在する０、５〜２５μｍ大の微小孔内に、Ａｌ
２Ｏ３またはＳｉＯ２あるいはガラスを充填した薄膜磁
気ヘッド用基板を得ることを要旨とするもので、 表面粗度１００Å以下のＮｉ−Ｚｎフェライト基板表面
に存在する大きさ０．５〜２５１ｍの微小孔内に、Ａｌ
２Ｏ３、ＳｉＯ２またはガラスを充填した構成とするこ
とにより、 基板上に被着する磁性膜の電磁特性の劣化を防止すると
共に、磁性膜のＮｉ−Ｚｎフェライトの基板よりの剥離
発生を防止した磁気抵抗素子用または垂直記録用薄膜磁
気ヘッド基板を得ることができる。
大の１〜２ケ存在するボア、あるいは１０〜２５μｍ大
の３ヶ／ｍｍ２程度存在するボイド等の微小孔を有し、
表面粗度１００Ａ以下のＮｉ−Ｚｎフェライトの基板表
面に、 Ａｌ２Ｏ３またはＳｉＯ２あるいはガラスを、スパッタ
ーリング法またはスピンコーティング法により、２〜１
０μｍ厚みに被着した後、前記被着膜をメカノケミカル
研摩処理にて除去することにより、 表面粗度を１００Å以下となし、 表面に存在する０、５〜２５μｍ大の微小孔内に、Ａｌ
２Ｏ３またはＳｉＯ２あるいはガラスを充填した薄膜磁
気ヘッド用基板を得ることを要旨とするもので、 表面粗度１００Å以下のＮｉ−Ｚｎフェライト基板表面
に存在する大きさ０．５〜２５１ｍの微小孔内に、Ａｌ
２Ｏ３、ＳｉＯ２またはガラスを充填した構成とするこ
とにより、 基板上に被着する磁性膜の電磁特性の劣化を防止すると
共に、磁性膜のＮｉ−Ｚｎフェライトの基板よりの剥離
発生を防止した磁気抵抗素子用または垂直記録用薄膜磁
気ヘッド基板を得ることができる。
発明の構成
この発明は、Ｎｉ−Ｚｎフェライト基板表面の微小孔に
、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２またはガラスを充填するするこ
とを特徴とするが、これは、充填材となるＡｌ２Ｏ３、
ＳｉＯ２またはガラスが基板のＮｉ−Ｚｎフェライトと
硬度が近似し、密着性が良好なため、被着充填後に基板
表面をメカノケミカル研摩する際に、基板面と充填材面
間に段差を生ずることなく、平滑面が得られるためであ
り、均一な平滑面を有する磁性薄膜を得るために有効な
ためである。
、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２またはガラスを充填するするこ
とを特徴とするが、これは、充填材となるＡｌ２Ｏ３、
ＳｉＯ２またはガラスが基板のＮｉ−Ｚｎフェライトと
硬度が近似し、密着性が良好なため、被着充填後に基板
表面をメカノケミカル研摩する際に、基板面と充填材面
間に段差を生ずることなく、平滑面が得られるためであ
り、均一な平滑面を有する磁性薄膜を得るために有効な
ためである。
この発明において、充填材のＡｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２の純
度は高純度のものが好ましい。
度は高純度のものが好ましい。
また、充填材のガラスは、ソーダ石灰系ガラス、ソーダ
バリウム系ガラス、ホウケイ酸系ガラス等の高融点ガラ
スのみならず、高鉛系ガラス等の低融点ガラスも使用で
きる。
バリウム系ガラス、ホウケイ酸系ガラス等の高融点ガラ
スのみならず、高鉛系ガラス等の低融点ガラスも使用で
きる。
この発明において、基板の表面粗度を１００Å以下に限
定した理由は、１００人を超えると、磁性薄膜の電磁特
性の劣化を招来するので好ましくないためである。
定した理由は、１００人を超えると、磁性薄膜の電磁特
性の劣化を招来するので好ましくないためである。
この発明において、基板表面にＡｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２ま
たはガラス被膜を形成する方法には、量産性や被膜の付
着力の点からスパッターリング法またはスピンコーティ
ング法が好ましい。
たはガラス被膜を形成する方法には、量産性や被膜の付
着力の点からスパッターリング法またはスピンコーティ
ング法が好ましい。
また、基板表面へのＡｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２またはガラス
の被着厚を、２〜１０μｍに限定した理由は、２μｍ未
満では微小孔の充填が不十分で好ましくなく、また１０
μｍを超えると微小孔はなくなるがメカノケミカル研摩
に長時間を要するので好ましくないためである。
の被着厚を、２〜１０μｍに限定した理由は、２μｍ未
満では微小孔の充填が不十分で好ましくなく、また１０
μｍを超えると微小孔はなくなるがメカノケミカル研摩
に長時間を要するので好ましくないためである。
また、この発明において、基板表面の被着膜を除去する
方法としては、研摩後の基板表面に無歪層を形成すると
共に、１００Å以下の表面粗度を得るために有効なメカ
ノケミカル研摩処理がよい。
方法としては、研摩後の基板表面に無歪層を形成すると
共に、１００Å以下の表面粗度を得るために有効なメカ
ノケミカル研摩処理がよい。
メカノケミカル研摩処理としては、粒径０．１μｍ以下
のＳｉＯ２、ＭｇＯ，ＣｅＯ２、Ｆｅ２Ｏ３、ＴｉＯ２
のうち少なくとも１種からなる微細粉末を、純水中に０
．５〜２０ｖｏ１％懸濁させた懸濁液を用い、該懸濁液
中で所要材質のポリラシャ−にて加圧回転して研摩する
処理法がよい。
のＳｉＯ２、ＭｇＯ，ＣｅＯ２、Ｆｅ２Ｏ３、ＴｉＯ２
のうち少なくとも１種からなる微細粉末を、純水中に０
．５〜２０ｖｏ１％懸濁させた懸濁液を用い、該懸濁液
中で所要材質のポリラシャ−にて加圧回転して研摩する
処理法がよい。
実施例
実施例
長さ５０．８ｍｍＸ幅５０．８ｍｍｘ厚み４ｍｍ寸法の
Ｎｉ−Ｚｎフェライト板を、平均粒度１μｍのダイヤモ
ンド砥粒にて研摩して表面粗度０．０５μｍに仕上げた
結果、前記フェライト板表面には、大きさ１．５μｍの
ボアが１〜２ケｌ結晶粒内、また大きさ１５μｍのボイ
ドが２ケ／ｍｍ２存在していた。
Ｎｉ−Ｚｎフェライト板を、平均粒度１μｍのダイヤモ
ンド砥粒にて研摩して表面粗度０．０５μｍに仕上げた
結果、前記フェライト板表面には、大きさ１．５μｍの
ボアが１〜２ケｌ結晶粒内、また大きさ１５μｍのボイ
ドが２ケ／ｍｍ２存在していた。
前記基板用フェライト板表面に、
Ａｒ圧２０Ｘ１０’Ｔｏｒｒ、電圧５ｋＷ、なるスパッ
ター条件にて、Ａｌ２Ｏ３を５μｍ厚被着した。
ター条件にて、Ａｌ２Ｏ３を５μｍ厚被着した。
得られたＡｌ２Ｏ３被着膜を、平均粒度０．０２□のＭ
ｇＯ微粉を純水中に５ｖｏ１％懸濁させた懸濁水にて、
ポリラシャ−として硬質クロスを使用し、加圧力０．５
ｋｇ／ｍｍ２、回転数４Ｏｒμｍの条件でメカノケミカ
ル研摩して、前記被着膜を除去した。
ｇＯ微粉を純水中に５ｖｏ１％懸濁させた懸濁水にて、
ポリラシャ−として硬質クロスを使用し、加圧力０．５
ｋｇ／ｍｍ２、回転数４Ｏｒμｍの条件でメカノケミカ
ル研摩して、前記被着膜を除去した。
その結果、得られた基板表面に存在する微小孔内には、
Ａｌ２Ｏ３が充填されており、かつ基板の表面粗度は２
５Å以下であった。
Ａｌ２Ｏ３が充填されており、かつ基板の表面粗度は２
５Å以下であった。
ついで得られた基板表面に、スパッタリング法によりパ
ーマロイ膜を被着後、周波数 （Ｆ）１〜２０ＭＨｚでの電磁特性しフを測定し、その
結果を第１表に表す。
ーマロイ膜を被着後、周波数 （Ｆ）１〜２０ＭＨｚでの電磁特性しフを測定し、その
結果を第１表に表す。
また、磁性膜のＮｉ−Ｚｎフェライトの基板よりの剥離
は、皆無であった。
は、皆無であった。
比較例
比較のために、上記の実施例と同一材質、寸法のＮｉ−
Ｚｎフェライト板を用い、フェライト板表面の微小孔に
、Ａｌ２Ｏ３を充填しない以外は実施例と同一条件にて
センダスト膜を被着した基板を得た。実施例と同様の測
定による電磁特性の結果を第１表に表す。
Ｚｎフェライト板を用い、フェライト板表面の微小孔に
、Ａｌ２Ｏ３を充填しない以外は実施例と同一条件にて
センダスト膜を被着した基板を得た。実施例と同様の測
定による電磁特性の結果を第１表に表す。
また、実施例と同様の剥離試験では、磁性膜がＮｉ−Ｚ
ｎフェライトの基板より剥離した。
ｎフェライトの基板より剥離した。
第１表
上記本発明の実施例では、微小孔にＡｌ２Ｏ３を充填し
た場合であるが、微小孔にＳｉＯ２、ガラスを充填した
場合でも、Ｎｉ−Ｚｎフェライト基板に被着する磁性薄
膜の電磁特性の特性劣化防止は、Ａｌ２Ｏ３の場合と同
様の結果が得られた。
た場合であるが、微小孔にＳｉＯ２、ガラスを充填した
場合でも、Ｎｉ−Ｚｎフェライト基板に被着する磁性薄
膜の電磁特性の特性劣化防止は、Ａｌ２Ｏ３の場合と同
様の結果が得られた。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 表面粗度１００Å以下のＮｉ−Ｚｎフェライト基板表面
に存在する大きさ０．５〜２５μｍの微小孔内に、Ａｌ
＿２Ｏ＿３、ＳｉＯ＿２またはガラスを充填してなるこ
とを特徴とする薄膜磁気ヘッド用基板。 ２ 表面に微小孔を有する表面粗度２００Å以下のＮｉ−Ｚ
ｎフェライト基板表面に、 Ａｌ＿２Ｏ＿３またはＳｉＯ＿２あるいはガラスを、ス
パッターリング法またはスピンコーティング法により２
〜１０μｍ厚みに被着した後、 前記被着膜をメカノケミカル研摩処理にて除去し、 表面粗度を１００Å以下となし、 基板表面に存在する０．５〜２５μｍ大の微小孔内に、
Ａｌ＿２Ｏ＿３またはＳｉＯ＿２あるいはガラスを充填
することを特徴とする薄膜磁気ヘッド用基板の製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11972488A JPH01289224A (ja) | 1988-05-17 | 1988-05-17 | 薄膜磁気ヘッド用基板及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11972488A JPH01289224A (ja) | 1988-05-17 | 1988-05-17 | 薄膜磁気ヘッド用基板及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01289224A true JPH01289224A (ja) | 1989-11-21 |
Family
ID=14768553
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11972488A Pending JPH01289224A (ja) | 1988-05-17 | 1988-05-17 | 薄膜磁気ヘッド用基板及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01289224A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| BE1006925A3 (nl) * | 1993-03-22 | 1995-01-24 | Koninkl Philips Electronics Nv | Werkwijze voor het vervaardigen van een dunnefilm magneetkop en magneetkop vervaardigd volgens de werkwijze. |
| US5483735A (en) * | 1993-03-22 | 1996-01-16 | U.S. Philips Corporation | Method of manufacturing a thin-film magnetic head |
| US5531016A (en) * | 1993-03-22 | 1996-07-02 | U.S. Philips Corporation | Method of manufacturing a thin-film magnetic head |
| EP0617410A3 (en) * | 1993-03-22 | 1996-12-11 | Koninkl Philips Electronics Nv | Manufacturing method of a thin film magnetic head and magnetic head produced thereafter. |
Citations (3)
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| JPS5921008A (ja) * | 1983-02-18 | 1984-02-02 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | 複合基板 |
| JPS61111512A (ja) * | 1984-11-06 | 1986-05-29 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | 薄膜ヘツド基板用Ｎｉ−Ｚｎフエライト |
-
1988
- 1988-05-17 JP JP11972488A patent/JPH01289224A/ja active Pending
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