JPH01290764A - 透明導電膜用スパッタリングターゲット - Google Patents
透明導電膜用スパッタリングターゲットInfo
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- JPH01290764A JPH01290764A JP63117138A JP11713888A JPH01290764A JP H01290764 A JPH01290764 A JP H01290764A JP 63117138 A JP63117138 A JP 63117138A JP 11713888 A JP11713888 A JP 11713888A JP H01290764 A JPH01290764 A JP H01290764A
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- Japan
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- transparent conductive
- conductive film
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
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-
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
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- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はＥＬデイスプレィ、液晶デイスプレィ面発熱体
、タッチパネルなどに用いられる透明導電膜をスパッタ
リング法で形成する際に使用されるスパッタリングター
ゲットに関するものである。
、タッチパネルなどに用いられる透明導電膜をスパッタ
リング法で形成する際に使用されるスパッタリングター
ゲットに関するものである。
（従来の技術）
近年、薄膜化技術の発達に伴い表示素子分野などでは透
明導電膜が利用されてきている。現在、透明導電膜の材
質として酸化インジウム−酸化スズ（以下、ＩＴＯとい
う）、酸化スズ−酸化アンチモン、酸化亜鉛などの酸化
物、Ａ−ｕ、Ｐｔ。
明導電膜が利用されてきている。現在、透明導電膜の材
質として酸化インジウム−酸化スズ（以下、ＩＴＯとい
う）、酸化スズ−酸化アンチモン、酸化亜鉛などの酸化
物、Ａ−ｕ、Ｐｔ。
Ａｇなどの金属あるいはカルコゲナイド、ホウ素化ラン
タン、窒化チタンなどの非酸化物系材料などが知られて
いるが、なかでも安定性、高光透過性など理由からＩＴ
Ｏが多く用いられている。また、ＩＴＯからなる透明導
電膜の作製方法としては蒸着法、インジウム−スズメタ
ルターゲット”を用いた反応性スパッタ法、ＩＴＯター
ゲットを用いたスパッタリング法が知られており、特に
成膜コントロールの容易さからＩＴＯターゲットを用い
たスパッタリング法が主流となっている。
タン、窒化チタンなどの非酸化物系材料などが知られて
いるが、なかでも安定性、高光透過性など理由からＩＴ
Ｏが多く用いられている。また、ＩＴＯからなる透明導
電膜の作製方法としては蒸着法、インジウム−スズメタ
ルターゲット”を用いた反応性スパッタ法、ＩＴＯター
ゲットを用いたスパッタリング法が知られており、特に
成膜コントロールの容易さからＩＴＯターゲットを用い
たスパッタリング法が主流となっている。
しかしながらスパッタリング法は、マグネットによって
プラズマを制御しながらターゲットをスパッタするため
に、従来の平板形状を有するＩＴＯターゲットではマグ
ネットの形状に二口゛−ジョンされてしまい、ターゲッ
トの利用効率が２０〜４０％と低くなるという問題点が
ある。
プラズマを制御しながらターゲットをスパッタするため
に、従来の平板形状を有するＩＴＯターゲットではマグ
ネットの形状に二口゛−ジョンされてしまい、ターゲッ
トの利用効率が２０〜４０％と低くなるという問題点が
ある。
更に、使用済みＩＴＯターゲットを回収し、溶解、精製
により再生粉末を得、該粉末を再度ターゲット化するこ
とによりＩＴＯの利用効率を向上させることが行われて
いるが、再生粉末から得たターゲットは品質の点で劣る
という問題点がある。
により再生粉末を得、該粉末を再度ターゲット化するこ
とによりＩＴＯの利用効率を向上させることが行われて
いるが、再生粉末から得たターゲットは品質の点で劣る
という問題点がある。
（発明が解決しようとする問題点）
本発明の目的は、利用効率の優れたＩＴＯスパッタリン
グターゲットを提供することにある。
グターゲットを提供することにある。
（問題を解決するための手段）
本発明者らは上記問題点を解決するために鋭意検討を行
った結果、ＩＴＯスパッタリングターゲットの形状を変
えることによりターゲットの利用効率が向上することを
見出だし本発明を完成するに至った。すなわち本発明は
、酸化インジウム−酸化スズを含有する透明導電膜用ス
パッタリングターゲットにおいて、重量の８０％以上が
スパッタリング時のエロージョンエリア内に存在する形
状であることを特徴とする透明導電膜用スパッタリング
ターゲットである。
った結果、ＩＴＯスパッタリングターゲットの形状を変
えることによりターゲットの利用効率が向上することを
見出だし本発明を完成するに至った。すなわち本発明は
、酸化インジウム−酸化スズを含有する透明導電膜用ス
パッタリングターゲットにおいて、重量の８０％以上が
スパッタリング時のエロージョンエリア内に存在する形
状であることを特徴とする透明導電膜用スパッタリング
ターゲットである。
尚、本発明において二ローションエリアとは平板ターゲ
ットを用いてスパッタリングを行なった時に、ターゲッ
トにおけるスパッタ隼が５％以上の部分と定義する。
ットを用いてスパッタリングを行なった時に、ターゲッ
トにおけるスパッタ隼が５％以上の部分と定義する。
本発明のＩＴＯターゲットは酸化インジウム（Ｉ ｎ
２０ ａ ）と酸化スズ（Ｓ ｎ Ｏ２）を含有するも
のであるが、通常酸化インジウムを７０重量％以上含有
するものである。また、該ターゲットから得られる透明
導電膜の導電性、透明度を向上させるために酸化インジ
ジウム、酸化スズの他に第三成分を含有していても何ら
差支えない。
２０ ａ ）と酸化スズ（Ｓ ｎ Ｏ２）を含有するも
のであるが、通常酸化インジウムを７０重量％以上含有
するものである。また、該ターゲットから得られる透明
導電膜の導電性、透明度を向上させるために酸化インジ
ジウム、酸化スズの他に第三成分を含有していても何ら
差支えない。
また、その形状はターゲットｆｆ２二の８０％以上がス
パッタリング時のエロージョンエリア内に存在するもの
であれば特に限定はしない。例えば、第１図に示すよう
にターゲット断面が四角形、蒲鉾型である環状のもの、
第２図に示すようにスパッタリング時にエロージョンを
受ける度合いに応−じて肉厚が厚くなっている環状ある
いは平面状のものなどを例示す−ることかでき、このう
ち環状のものは利用効率の点で好ましい形状である。
パッタリング時のエロージョンエリア内に存在するもの
であれば特に限定はしない。例えば、第１図に示すよう
にターゲット断面が四角形、蒲鉾型である環状のもの、
第２図に示すようにスパッタリング時にエロージョンを
受ける度合いに応−じて肉厚が厚くなっている環状ある
いは平面状のものなどを例示す−ることかでき、このう
ち環状のものは利用効率の点で好ましい形状である。
また、ターゲットはスパッタリングの際に、冷却を行う
ためハンダなどで冷却用金属板（バッキングプレート）
に接合され用いられるが、ターゲットとバッキングプレ
ートの接合性、ターゲットの冷却効率を向上させるため
、バッキングプレートとの接合面を平面とすることが好
ましい。
ためハンダなどで冷却用金属板（バッキングプレート）
に接合され用いられるが、ターゲットとバッキングプレ
ートの接合性、ターゲットの冷却効率を向上させるため
、バッキングプレートとの接合面を平面とすることが好
ましい。
ターゲットが上記の形状を有することにより、大部分の
ＩＴＯがスパッタリングに供され、ターゲットの利用効
率が向上する。
ＩＴＯがスパッタリングに供され、ターゲットの利用効
率が向上する。
本発明のターゲットは、例えば原料粉末と溶媒。
分散剤及びバインダーを混合して得られるスラリーを、
所望形状の例えばセラコラ型などの吸水性のある多孔質
成形型に、常圧あるいは加圧下にて注入し、その後溶媒
を除去することにより成型する鋳込成型法により、ある
いは原料粉末と熱可塑性樹脂を混合し、該混合物を熱溶
解し、射出成型機にて所望形状の金型に射出して成型す
る射出成型法により成型体を得、該成型体を焼成するこ
とにより得ることができる。このとき、用いられる原料
粉末は所望のターゲット組成と同じ組成の粉末が採用さ
れ、これら粉末は粉末の混合、共沈法などにより得るこ
とができる。また、鋳込成型法により成型を行なう場合
、スラリー゛を得る際の溶媒としては通常水が用いられ
、分散剤としては例えばポリカルボン酸系のものなどを
、バインダーとしては例えばアクリルエマルジョン系の
ものなどを挙げることができるが、これらに限定されな
い。また、焼成は１３００〜１４５０℃で１時間以上行
うことが好ましい。更に焼成を行う前に成型体に冷間静
水圧プレスなどを施し、成型体の圧密化を行えば相対密
度の大きいＩＴＯターゲッ！・を得ることができるので
好ましい。
所望形状の例えばセラコラ型などの吸水性のある多孔質
成形型に、常圧あるいは加圧下にて注入し、その後溶媒
を除去することにより成型する鋳込成型法により、ある
いは原料粉末と熱可塑性樹脂を混合し、該混合物を熱溶
解し、射出成型機にて所望形状の金型に射出して成型す
る射出成型法により成型体を得、該成型体を焼成するこ
とにより得ることができる。このとき、用いられる原料
粉末は所望のターゲット組成と同じ組成の粉末が採用さ
れ、これら粉末は粉末の混合、共沈法などにより得るこ
とができる。また、鋳込成型法により成型を行なう場合
、スラリー゛を得る際の溶媒としては通常水が用いられ
、分散剤としては例えばポリカルボン酸系のものなどを
、バインダーとしては例えばアクリルエマルジョン系の
ものなどを挙げることができるが、これらに限定されな
い。また、焼成は１３００〜１４５０℃で１時間以上行
うことが好ましい。更に焼成を行う前に成型体に冷間静
水圧プレスなどを施し、成型体の圧密化を行えば相対密
度の大きいＩＴＯターゲッ！・を得ることができるので
好ましい。
以上の様に得られたＩＴＯターゲットは、冷却用金属板
にハンダなどで接合してスパッタリングに供され、また
環状のターゲットは、バッキングプレート上で材料の存
在しない部分を組成物焼結体、インジウム系のシートな
どで覆い用いること−により、不純物の混入を避けるこ
とができる。
にハンダなどで接合してスパッタリングに供され、また
環状のターゲットは、バッキングプレート上で材料の存
在しない部分を組成物焼結体、インジウム系のシートな
どで覆い用いること−により、不純物の混入を避けるこ
とができる。
（実施例）
以下、実施例により本発明を更に詳しく説明するが、本
発明はこれらに限定されるものではない。
発明はこれらに限定されるものではない。
実施例１
厚さ８關のアクリル板を第３図Ａに示す形状に加工し、
セラコラ型用マスターとし、セラコラ型を作製した。
セラコラ型用マスターとし、セラコラ型を作製した。
市販の酸化インジウム粉末１１７０ｇ、酸化スズ粉末１
３０Ｆｒ（原料粉末１３００ｇ）、ポリカルボン酸系分
散剤（固形分４０％）２５ｇ、アクリルエマルジョン系
バインダー（固形分４０％）２５９６及び純水４００ｇ
を３ｇナイロン製ポット中で直径１５ｍｍの鉄芯入り樹
脂ボールを用いて回転ボールミルにより１６時間混合し
スラリーを得ｌこ 。
３０Ｆｒ（原料粉末１３００ｇ）、ポリカルボン酸系分
散剤（固形分４０％）２５ｇ、アクリルエマルジョン系
バインダー（固形分４０％）２５９６及び純水４００ｇ
を３ｇナイロン製ポット中で直径１５ｍｍの鉄芯入り樹
脂ボールを用いて回転ボールミルにより１６時間混合し
スラリーを得ｌこ 。
得られたスラリーを充分脱泡した後、常圧にて前記セラ
コラ型に注入し、鋳込み成型を行い成型体を得た。
コラ型に注入し、鋳込み成型を行い成型体を得た。
その後、得られた成型体を冷間静水圧プレスにて３ ｔ
ｏｎ ／ ｃｄの圧力で圧密化し、脱バインダーを行っ
た後、１３５０℃で３時間焼成し焼結体を得、これを放
電加工及び平面研削で加工し、第３図Ｂに示す形状のＩ
ＴＯターゲットを得゛た。
ｏｎ ／ ｃｄの圧力で圧密化し、脱バインダーを行っ
た後、１３５０℃で３時間焼成し焼結体を得、これを放
電加工及び平面研削で加工し、第３図Ｂに示す形状のＩ
ＴＯターゲットを得゛た。
得られたターゲットを用いて表１に示すスパッタリング
装置１条件でスパッタリングテストを行った。このとき
ターゲットはインジウム系ハンダ材を用いてバッキング
プレートにボンディングし、材料のない部分はインジウ
ム系シートにより覆って用いた。その結果、得られたタ
ーゲットの利用効率は５２．０％であった。
装置１条件でスパッタリングテストを行った。このとき
ターゲットはインジウム系ハンダ材を用いてバッキング
プレートにボンディングし、材料のない部分はインジウ
ム系シートにより覆って用いた。その結果、得られたタ
ーゲットの利用効率は５２．０％であった。
実施例２
第４図Ａに示すアクリル板をセラコラ型用マスターとし
て用い、冷間静水圧プレスの圧力を５ｔ ｏ ｎ ／
ｃｄとした以外は実施例１と同様の方法で第４図Ｂに示
す形状のターゲットを得、スパッタリングテストを行っ
た。また、このとき使用した原料、粉末は９００ ｇ、
分散剤２０ｇ、バインダー２０ｇ、水２２０ｇであった
。その結果、得られたターゲットの利用効率は７４，４
％であった。
て用い、冷間静水圧プレスの圧力を５ｔ ｏ ｎ ／
ｃｄとした以外は実施例１と同様の方法で第４図Ｂに示
す形状のターゲットを得、スパッタリングテストを行っ
た。また、このとき使用した原料、粉末は９００ ｇ、
分散剤２０ｇ、バインダー２０ｇ、水２２０ｇであった
。その結果、得られたターゲットの利用効率は７４，４
％であった。
比較例
１６０ Ｘ ４７０ Ｘ ８ ｍｒａ の塩ビ板をセ
ラコラ型用マスク、−とじて用いた以外は実施例１と同
様の方法で、１２７Ｘ３８１Ｘ６＋ｕ＋ｔの平板状ター
ゲットを得、スパッタリングテストを行った。また、こ
のとき使用した原料粉末は２０００ ｇ、分散剤４５ｇ
、バインダー４５ｇ、水６２５ｇであった。
ラコラ型用マスク、−とじて用いた以外は実施例１と同
様の方法で、１２７Ｘ３８１Ｘ６＋ｕ＋ｔの平板状ター
ゲットを得、スパッタリングテストを行った。また、こ
のとき使用した原料粉末は２０００ ｇ、分散剤４５ｇ
、バインダー４５ｇ、水６２５ｇであった。
その結果、得られたターゲラ１の利用効率は２８．０％
であった。
であった。
表１
使用ターゲットサイズ
１２７Ｘ３８１Ｘ６ｍｎｔ
スパッタ方式
ＤＣマグネトロンスパッ・夕
投入Ｐｏｗｅｒ Ｉ Ｋｖ
スパッタ雰囲気
Ａｒ０．８Ｐａ
（発明の効果）
以上述べたとおり、本発明のＩＴＯターゲットによれば
スパッタリング時のターゲットの利用効率が向上する。
スパッタリング時のターゲットの利用効率が向上する。
更にターゲットの作製の際に原料粉末の使用量が少ない
ため、ターゲットのプライスダウン、成膜した透明導電
膜の単位面積当たりの単価を下げることが可能となる。
ため、ターゲットのプライスダウン、成膜した透明導電
膜の単位面積当たりの単価を下げることが可能となる。
第１図及び第２図は本発明のＩＴＯターゲットの形状の
一例を示す図である。 第３図及び第４図は本発明の実施例において用いたセラ
コラ型マスター及び得られたターゲットの形状を示す図
である。
一例を示す図である。 第３図及び第４図は本発明の実施例において用いたセラ
コラ型マスター及び得られたターゲットの形状を示す図
である。
Claims (1)
- （１）酸化インジウム−酸化スズを含有する透明導電膜
用スパッタリングターゲットにおいて、重量の８０％以
上がスパッタリング時のエロージョンエリア内に存在す
る形状であることを特徴とする透明導電膜用スパッタリ
ングターゲット。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63117138A JPH01290764A (ja) | 1988-05-16 | 1988-05-16 | 透明導電膜用スパッタリングターゲット |
| DE68924095T DE68924095T2 (de) | 1988-05-16 | 1989-05-12 | Verfahren zur Herstellung eines Sputtertargets zur Erzeugung einer elektrisch leitenden, durchsichtigen Schicht. |
| EP89108558A EP0342537B1 (en) | 1988-05-16 | 1989-05-12 | Process for the manufacture of a sputtering target for producing electroconductive transparent films |
| CA000599638A CA1337809C (en) | 1988-05-16 | 1989-05-15 | Sputtering target for producing electroconductive transparent films and process for manufacture thereof |
| KR1019890006539A KR940003786B1 (ko) | 1988-05-16 | 1989-05-16 | 투명도전막용 스퍼터링 타게트의 제조 방법 |
| US07/352,473 US5160675A (en) | 1988-05-16 | 1989-05-16 | Sputtering target for producing electroconductive transparent films and process for manufacture thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63117138A JPH01290764A (ja) | 1988-05-16 | 1988-05-16 | 透明導電膜用スパッタリングターゲット |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01290764A true JPH01290764A (ja) | 1989-11-22 |
Family
ID=14704395
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63117138A Pending JPH01290764A (ja) | 1988-05-16 | 1988-05-16 | 透明導電膜用スパッタリングターゲット |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01290764A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8419400B2 (en) | 2005-02-01 | 2013-04-16 | Tosoh Corporation | Sintered body, sputtering target and molding die, and process for producing sintered body employing the same |
| US8778234B2 (en) | 2008-05-12 | 2014-07-15 | Bizesp Limited | Process for the manufacture of a high density ITO sputtering target |
| KR20200037209A (ko) | 2017-08-01 | 2020-04-08 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | 스퍼터링 타깃, 산화물 반도체막의 성막 방법 및 배킹 플레이트 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59136480A (ja) * | 1983-01-10 | 1984-08-06 | メルク・パテント・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング | 陰極スパツタリング用タ−ゲツト |
| JPS6039158A (ja) * | 1983-08-13 | 1985-02-28 | Shinku Yakin Kk | マグネトロン型スパツタリング用タ−ゲツト |
-
1988
- 1988-05-16 JP JP63117138A patent/JPH01290764A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59136480A (ja) * | 1983-01-10 | 1984-08-06 | メルク・パテント・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング | 陰極スパツタリング用タ−ゲツト |
| JPS6039158A (ja) * | 1983-08-13 | 1985-02-28 | Shinku Yakin Kk | マグネトロン型スパツタリング用タ−ゲツト |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8419400B2 (en) | 2005-02-01 | 2013-04-16 | Tosoh Corporation | Sintered body, sputtering target and molding die, and process for producing sintered body employing the same |
| JP2014129231A (ja) * | 2005-02-01 | 2014-07-10 | Tosoh Corp | 焼結体及びスパッタリングターゲット |
| US9920420B2 (en) | 2005-02-01 | 2018-03-20 | Tosoh Corporation | Sintered body, sputtering target and molding die, and process for producing sintered body employing the same |
| US8778234B2 (en) | 2008-05-12 | 2014-07-15 | Bizesp Limited | Process for the manufacture of a high density ITO sputtering target |
| KR20200037209A (ko) | 2017-08-01 | 2020-04-08 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | 스퍼터링 타깃, 산화물 반도체막의 성막 방법 및 배킹 플레이트 |
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