JPH0811711B2 - 透明導電膜用スパッタリングターゲットの製造方法 - Google Patents
透明導電膜用スパッタリングターゲットの製造方法Info
- Publication number
- JPH0811711B2 JPH0811711B2 JP63117137A JP11713788A JPH0811711B2 JP H0811711 B2 JPH0811711 B2 JP H0811711B2 JP 63117137 A JP63117137 A JP 63117137A JP 11713788 A JP11713788 A JP 11713788A JP H0811711 B2 JPH0811711 B2 JP H0811711B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ito
- target
- conductive film
- transparent conductive
- sputtering target
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明はLEディスプレイ，液晶ディスプレイ面発熱
体，タッチパネルなどの透明導電膜をスパッタリング法
で形成する際に用いられるスパッタリングターゲットに
関するものである。
体，タッチパネルなどの透明導電膜をスパッタリング法
で形成する際に用いられるスパッタリングターゲットに
関するものである。
（従来の技術） 近年、薄膜化技術の発達に伴い表示素子分野などでは
透明導電膜が利用されてきている。現在、透明導電膜の
材質として酸化インジウム−酸化スズ（以下、ITOとい
う）が安定性，高光透過性など理由から多く用いられて
いる。また、ITOからなる透明導電膜の作製方法として
は蒸着法，インジウム−スズメタルターゲットを用いた
反応性スパッタ法,ITOターゲットを用いたスパッタリン
グ法が知られており、特に成膜コントロールの容易さか
らITOターゲットを用いたスパッタリング法が主流とな
っている。
透明導電膜が利用されてきている。現在、透明導電膜の
材質として酸化インジウム−酸化スズ（以下、ITOとい
う）が安定性，高光透過性など理由から多く用いられて
いる。また、ITOからなる透明導電膜の作製方法として
は蒸着法，インジウム−スズメタルターゲットを用いた
反応性スパッタ法,ITOターゲットを用いたスパッタリン
グ法が知られており、特に成膜コントロールの容易さか
らITOターゲットを用いたスパッタリング法が主流とな
っている。
従来ITOターゲットは、ITO粉末を金型プレス法により
成型して得た成型体を焼成することにより得られてい
る。しかしながら、酸化インジウム及び酸化スズは1400
〜1450℃程度の温度から昇華するため、ITOターゲット
の製造時の焼成温度は1300〜1450℃に限定されてしま
い、また酸化インジウム及び酸化スズは難焼結性である
ことから、得られるITOターゲットの相対密度は70％未
満と低くなるという問題点がある。通常、相対密度の低
いターゲットは抵抗率が高い、抗折力が弱い熱伝導率が
低いため、この様なターゲットを用いてスパッタリング
を行った場合、異常放電が発生し、得られるITO透明導
電膜に悪影響を及ぼす。
成型して得た成型体を焼成することにより得られてい
る。しかしながら、酸化インジウム及び酸化スズは1400
〜1450℃程度の温度から昇華するため、ITOターゲット
の製造時の焼成温度は1300〜1450℃に限定されてしま
い、また酸化インジウム及び酸化スズは難焼結性である
ことから、得られるITOターゲットの相対密度は70％未
満と低くなるという問題点がある。通常、相対密度の低
いターゲットは抵抗率が高い、抗折力が弱い熱伝導率が
低いため、この様なターゲットを用いてスパッタリング
を行った場合、異常放電が発生し、得られるITO透明導
電膜に悪影響を及ぼす。
（発明が解決しようとする問題点） 本発明の目的は、相対密度の高いITOスパッタリング
ターゲットの製造方法を提供することにある。
ターゲットの製造方法を提供することにある。
（問題を解決するための手段） 本発明者らは上記問題点を解決するために鋭意検討を
行った結果、ITO成型体を冷間静水圧プレスにより圧密
化した後、焼成を行えば相対密度の高いターゲットが得
られることを見出だし本発明を完成するに至った。すな
わち本発明は、酸化インジウム−酸化スズを含有する粉
末を泥漿鋳込み成型により予備成型して得られた成形体
を冷間静水圧プレスにより圧密化し、次いで焼成するこ
とを特徴とする透明導電膜用スパッタリングターゲット
の製造方法である。
行った結果、ITO成型体を冷間静水圧プレスにより圧密
化した後、焼成を行えば相対密度の高いターゲットが得
られることを見出だし本発明を完成するに至った。すな
わち本発明は、酸化インジウム−酸化スズを含有する粉
末を泥漿鋳込み成型により予備成型して得られた成形体
を冷間静水圧プレスにより圧密化し、次いで焼成するこ
とを特徴とする透明導電膜用スパッタリングターゲット
の製造方法である。
本発明において用いられるITO粉末は市販の酸化イン
ジウム粉末と酸化スズ粉末を混合する方法や共沈法など
によって得ることができるが、通常酸化インジウムを70
重量％以上含有するITO粉末が用いられる。更に、スパ
ッタ後に得られる透明導電膜の導電性，光透過性を向上
させるためにこれらITO粉末に第三成分を添加した粉末
を用いても何ら差支えない。
ジウム粉末と酸化スズ粉末を混合する方法や共沈法など
によって得ることができるが、通常酸化インジウムを70
重量％以上含有するITO粉末が用いられる。更に、スパ
ッタ後に得られる透明導電膜の導電性，光透過性を向上
させるためにこれらITO粉末に第三成分を添加した粉末
を用いても何ら差支えない。
予備成型の方法はITO粉末と溶媒，分散剤及びバイン
ダーを混合して得られたスラリーを、例えばセッコウ型
などの吸水性のある多孔質成形型に、常圧あるいは加圧
下で鋳込み成型する鋳込み成型法などの採用することが
できる。鋳込み成型法により所望形状、大きさのターゲ
ットを得ることができるので好ましい。また、鋳込み成
型法により予備成型を行う場合、スラリーを得るための
溶媒としては通常水が用いられ、分散剤としては例えば
ポリカルボン酸系のものなどが、バインダーとしてはア
クリルエマルジョン系のものなどが用いられるが、これ
らに限定はされない。また、このときのスラリー濃度と
しては75〜83％である。スラリー濃度が70％未満である
場合、ターゲットの作製中に割れが生じ易くなるおそれ
がある。
ダーを混合して得られたスラリーを、例えばセッコウ型
などの吸水性のある多孔質成形型に、常圧あるいは加圧
下で鋳込み成型する鋳込み成型法などの採用することが
できる。鋳込み成型法により所望形状、大きさのターゲ
ットを得ることができるので好ましい。また、鋳込み成
型法により予備成型を行う場合、スラリーを得るための
溶媒としては通常水が用いられ、分散剤としては例えば
ポリカルボン酸系のものなどが、バインダーとしてはア
クリルエマルジョン系のものなどが用いられるが、これ
らに限定はされない。また、このときのスラリー濃度と
しては75〜83％である。スラリー濃度が70％未満である
場合、ターゲットの作製中に割れが生じ易くなるおそれ
がある。
上記予備成型により得られたITO成型体を冷間静水圧
プレスにより圧密化し、焼成を行うことにより相対密度
の大きいITOターゲットが得られる。
プレスにより圧密化し、焼成を行うことにより相対密度
の大きいITOターゲットが得られる。
冷間静水圧プレスは３〜5ton/cm2で行う。該冷間静水
圧プレスを施すことにより、あらかじめITO成型体は圧
密化し、密度が大きくなるので、これを焼成することに
より相対密度の大きいITOターゲットを得ることができ
る。加圧が1ton/cm2未満の場合、焼成を行い得られるタ
ーゲットの相対密度が顕著に向上しないおそれがある。
また焼成は、1300〜1450℃で１時間以上行うことが好ま
しい。
圧プレスを施すことにより、あらかじめITO成型体は圧
密化し、密度が大きくなるので、これを焼成することに
より相対密度の大きいITOターゲットを得ることができ
る。加圧が1ton/cm2未満の場合、焼成を行い得られるタ
ーゲットの相対密度が顕著に向上しないおそれがある。
また焼成は、1300〜1450℃で１時間以上行うことが好ま
しい。
以上の方法により得られたITOターゲットは相対密度
が70％以上と高いものとなり、ターゲット特性も良好な
ものとなる。
が70％以上と高いものとなり、ターゲット特性も良好な
ものとなる。
（実施例） 以下、実施例により本発明を更に詳しく説明するが、
本発明は何らこれらに限定されるものではない。
本発明は何らこれらに限定されるものではない。
実施例１ 市販の酸化インジウム粉末2250g、酸化スズ粉末250
g、ポリカルボン酸系分散剤（固形分40％）56.25g、ア
クリルエマルジョン系バインダー（固形分40％）56.25g
及び純水569gを10ナイロン製ポット中で直径15mmの鉄
芯入り樹脂ボールを用いて回転ボールミルにより16時間
混合し、スラリー濃度80％のITO粉末スラリーを得た。
g、ポリカルボン酸系分散剤（固形分40％）56.25g、ア
クリルエマルジョン系バインダー（固形分40％）56.25g
及び純水569gを10ナイロン製ポット中で直径15mmの鉄
芯入り樹脂ボールを用いて回転ボールミルにより16時間
混合し、スラリー濃度80％のITO粉末スラリーを得た。
得られたスラリーを充分脱泡した後、内寸法160×480
×10tのセッコウ型を用いた加圧鋳込み成型により予備
成型を行い、ITO成型体を得た。
×10tのセッコウ型を用いた加圧鋳込み成型により予備
成型を行い、ITO成型体を得た。
その後、得られた成型体を冷間静水圧プレスにて5ton
/cm2の圧力で圧密化し、脱バインダーを行い、1350℃で
５時間焼成しITO焼結体を得、これを放電加工及び平面
研削で加工し、127×381×6tのITOターゲットを得た。
/cm2の圧力で圧密化し、脱バインダーを行い、1350℃で
５時間焼成しITO焼結体を得、これを放電加工及び平面
研削で加工し、127×381×6tのITOターゲットを得た。
得られたターゲットの相対密度は76.8％であった。ま
た、ターゲットの抵抗率，抗折力及び熱伝導率を測定し
た。その結果を表１に示す。
た、ターゲットの抵抗率，抗折力及び熱伝導率を測定し
た。その結果を表１に示す。
比較例 市販の酸化インジウム粉末4950gと酸化スズ粉末550
g、ポリカルボン酸系分散剤（固形分40％）100g、アク
リルエマルジョン系バインダー（固形分40％）100gおよ
び純水2885gを10ナイロン製ポットで直径15mmの鉄心
入れ樹脂ボールを用いて回転ボールミルにより16時間混
合し、スラリー濃度65％のITO粉末スラリーを得た。
g、ポリカルボン酸系分散剤（固形分40％）100g、アク
リルエマルジョン系バインダー（固形分40％）100gおよ
び純水2885gを10ナイロン製ポットで直径15mmの鉄心
入れ樹脂ボールを用いて回転ボールミルにより16時間混
合し、スラリー濃度65％のITO粉末スラリーを得た。
該スラリーを用いて実施例１と同様の条件で加圧鋳込
み成型を行ったところ、得られたITO予備成形体にはク
ラックが入った。
み成型を行ったところ、得られたITO予備成形体にはク
ラックが入った。
このクラックが入ったITO予備成形体が冷間静水圧プ
レスにて5ton/cm2の圧力で圧密化し、脱バインダーを行
い、1350℃で５時間焼成したところ、焼結体は割れてし
まい目的とするターゲットを得ることができなかった。
レスにて5ton/cm2の圧力で圧密化し、脱バインダーを行
い、1350℃で５時間焼成したところ、焼結体は割れてし
まい目的とするターゲットを得ることができなかった。
（発明の効果） 以上述べたとおり、本発明によれば相対密度70％を越
えるITOターゲットを得ることができ、このターゲット
は抵抗率，抗折力及び熱伝導率にすぐれたものであり、
スパッタリング時に放電の安定性が良好となる。更に密
度が高いので、スパッタレートが高くなり、成膜の生産
性が高くなる。
えるITOターゲットを得ることができ、このターゲット
は抵抗率，抗折力及び熱伝導率にすぐれたものであり、
スパッタリング時に放電の安定性が良好となる。更に密
度が高いので、スパッタレートが高くなり、成膜の生産
性が高くなる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭62−12009（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−65760（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−278004（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−136210（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−175620（ＪＰ，Ａ) 特開 昭50−89408（ＪＰ，Ａ) 素木洋一著「セラミックス製造プロセス ▲Ｉ▼」（1978年10月10日技報堂出版発 行）Ｐ．175−180，197，198
Claims (1)
- 【請求項１】酸化インジウムを70重量％以上含有する、
酸化インジウム−酸化スズ含有粉末をスラリー濃度75〜
83％にて泥漿鋳込みにより予備成して得られた成型体
を、３〜5ton/cm2の冷間静水圧プレスにより圧密化し、
次いで焼成することを特徴とする透明導電膜用スパッタ
リングターゲットの製造方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63117137A JPH0811711B2 (ja) | 1988-05-16 | 1988-05-16 | 透明導電膜用スパッタリングターゲットの製造方法 |
| DE68924095T DE68924095T2 (de) | 1988-05-16 | 1989-05-12 | Verfahren zur Herstellung eines Sputtertargets zur Erzeugung einer elektrisch leitenden, durchsichtigen Schicht. |
| EP89108558A EP0342537B1 (en) | 1988-05-16 | 1989-05-12 | Process for the manufacture of a sputtering target for producing electroconductive transparent films |
| CA000599638A CA1337809C (en) | 1988-05-16 | 1989-05-15 | Sputtering target for producing electroconductive transparent films and process for manufacture thereof |
| KR1019890006539A KR940003786B1 (ko) | 1988-05-16 | 1989-05-16 | 투명도전막용 스퍼터링 타게트의 제조 방법 |
| US07/352,473 US5160675A (en) | 1988-05-16 | 1989-05-16 | Sputtering target for producing electroconductive transparent films and process for manufacture thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63117137A JPH0811711B2 (ja) | 1988-05-16 | 1988-05-16 | 透明導電膜用スパッタリングターゲットの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01290551A JPH01290551A (ja) | 1989-11-22 |
| JPH0811711B2 true JPH0811711B2 (ja) | 1996-02-07 |
Family
ID=14704369
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63117137A Expired - Fee Related JPH0811711B2 (ja) | 1988-05-16 | 1988-05-16 | 透明導電膜用スパッタリングターゲットの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0811711B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03207858A (ja) * | 1990-01-08 | 1991-09-11 | Nippon Mining Co Ltd | Ｉｔｏスパッタリングターゲットの製造方法 |
| JPH0779005B2 (ja) * | 1990-06-19 | 1995-08-23 | 住友金属鉱山株式会社 | Ｉｔｏ焼結体及びその製造方法 |
| JP3184977B2 (ja) * | 1990-07-12 | 2001-07-09 | 同和鉱業株式会社 | Ｉｔｏスパッタリングターゲット材の製造方法 |
| GB2459917B (en) | 2008-05-12 | 2013-02-27 | Sinito Shenzhen Optoelectrical Advanced Materials Company Ltd | A process for the manufacture of a high density ITO sputtering target |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6065760A (ja) * | 1983-09-21 | 1985-04-15 | 東ソー株式会社 | 高電気伝導性酸化錫薄膜材料の製造法 |
| JPS6212009A (ja) * | 1985-07-09 | 1987-01-21 | 昭和電工株式会社 | 酸化インジウム系低抵抗透明薄膜の形成方法 |
-
1988
- 1988-05-16 JP JP63117137A patent/JPH0811711B2/ja not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 素木洋一著「セラミックス製造プロセス▲Ｉ▼」（１９７８年１０月１０日技報堂出版発行）Ｐ．１７５−１８０，１９７，１９８ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01290551A (ja) | 1989-11-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR940003786B1 (ko) | 투명도전막용 스퍼터링 타게트의 제조 방법 | |
| JP3777468B2 (ja) | 陰極スパッタリングのためのスパッタ用ターゲットおよび該スパッタ用ターゲットの製法 | |
| CN113105233A (zh) | 一种大尺寸复杂形状高透过率锆酸镧钆透明陶瓷制备方法 | |
| JP7557648B2 (ja) | 酸化物焼結体及びその製造方法並びにスパッタリングターゲット材 | |
| JP3632524B2 (ja) | Ｍｇ含有ＩＴＯスパッタリングターゲットおよびＭｇ含有ＩＴＯ蒸着材の製造方法 | |
| JP2913054B2 (ja) | 円筒形状のｉｔｏターゲットの製造法 | |
| JP3957917B2 (ja) | 薄膜形成用材料 | |
| KR20200008583A (ko) | 산화물 소결체 및 스퍼터링 타깃 | |
| JPH01290551A (ja) | 透明導電膜用スパッタリングターゲットの製造方法 | |
| JPH07243036A (ja) | Ｉｔｏスパッタリングタ−ゲット | |
| JPH0243356A (ja) | 透明導電膜用スパッタリングターゲットの製造方法 | |
| JP4904645B2 (ja) | Ｍｇ含有ＩＴＯスパッタリングターゲットの製造方法 | |
| JPH0881766A (ja) | 酸化インジウム−酸化スズ−粉末混合物を基礎とする、カソードスパッタリング用の部分的に還元されたスパッタターゲットの製法及びそのようにして製造されたターゲット | |
| JP4508079B2 (ja) | スパッタリングターゲットの製造方法 | |
| JP4724330B2 (ja) | 錫−アンチモン酸化物焼結体ターゲット及びその製造方法 | |
| JPH06659B2 (ja) | 透明導電膜用スパッタリングターゲットの製造法 | |
| JPH0794345B2 (ja) | 酸化インジウム‐酸化錫焼結体及びその製造方法 | |
| JP3184977B2 (ja) | Ｉｔｏスパッタリングターゲット材の製造方法 | |
| JP2913053B2 (ja) | 円筒形状のｉｔｏターゲットの製造方法 | |
| JPH01290764A (ja) | 透明導電膜用スパッタリングターゲット | |
| JP2003002749A (ja) | 酸化インジウム粉末およびｉｔｏスパッタリングターゲットの製造方法 | |
| JPH09111444A (ja) | 酸化インジウム−酸化亜鉛系焼結体ターゲットの製造方法 | |
| JP2569774B2 (ja) | インジウム‐スズ酸化物焼結体の製造法 | |
| KR0177881B1 (ko) | Ito 소결체의 제조방법 | |
| JP2002053952A (ja) | スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |