JPH06659B2 - 透明導電膜用スパッタリングターゲットの製造法 - Google Patents
透明導電膜用スパッタリングターゲットの製造法Info
- Publication number
- JPH06659B2 JPH06659B2 JP63117136A JP11713688A JPH06659B2 JP H06659 B2 JPH06659 B2 JP H06659B2 JP 63117136 A JP63117136 A JP 63117136A JP 11713688 A JP11713688 A JP 11713688A JP H06659 B2 JPH06659 B2 JP H06659B2
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- JP
- Japan
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- ito
- target
- conductive film
- transparent conductive
- slurry
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明はＥＬディスプレイ、液晶ディスプレイ面発熱
体、タッチパネルなどの透明導電膜をスパッタリング法
で形成する際に用いられるスパッタリングターゲットの
製造法に関するものである。
体、タッチパネルなどの透明導電膜をスパッタリング法
で形成する際に用いられるスパッタリングターゲットの
製造法に関するものである。
（従来の技術） 近年、薄膜化技術の発達に伴い表示素子分野などでは透
明導電膜が利用されてきている。現在、透明導電膜の材
質として酸化インジウム−酸化スズ（以下、ＩＴＯとい
う）が安定性、高光透過性など理由から多く用いられて
いる。また、ＩＴＯからなる透明導電膜の作製方法とし
ては蒸着法、インジウム−スズメタルターゲットを用い
た反応性スパッタ法、ＩＴＯターゲットを用いたスパッ
タリング法が知られており、特に成膜コントロールの容
易さからＩＴＯターゲットを用いたスパッタリング法が
主流となっている。またスパッタリング装置の大型化に
伴い、ターゲットの大型化が要求されている。
明導電膜が利用されてきている。現在、透明導電膜の材
質として酸化インジウム−酸化スズ（以下、ＩＴＯとい
う）が安定性、高光透過性など理由から多く用いられて
いる。また、ＩＴＯからなる透明導電膜の作製方法とし
ては蒸着法、インジウム−スズメタルターゲットを用い
た反応性スパッタ法、ＩＴＯターゲットを用いたスパッ
タリング法が知られており、特に成膜コントロールの容
易さからＩＴＯターゲットを用いたスパッタリング法が
主流となっている。またスパッタリング装置の大型化に
伴い、ターゲットの大型化が要求されている。
従来ＩＴＯターゲットは、ＩＴＯ粉末を金型プレス成型
法によりＩＴＯ成型体を得た後、該成型体を焼成するこ
とにより得られているが、金型プレス成型法では均一に
プレスを行ないＩＴＯ成型体を得ることが困難であり、
ターゲットの大型化を行なった場合、得られるターゲッ
トに反りや割れが生じてしまうので、いくつかのターゲ
ット片を金型プレス成型法で得、これを接合し、用いて
いるのが現状である。しかしながらこの様な方法では、
高価な金型を形状が異なる度に作製する必要があり、ま
た得られる大型のターゲットも接合部が原因でスパッタ
リング中に異常放電が生ずるという問題点がある。
法によりＩＴＯ成型体を得た後、該成型体を焼成するこ
とにより得られているが、金型プレス成型法では均一に
プレスを行ないＩＴＯ成型体を得ることが困難であり、
ターゲットの大型化を行なった場合、得られるターゲッ
トに反りや割れが生じてしまうので、いくつかのターゲ
ット片を金型プレス成型法で得、これを接合し、用いて
いるのが現状である。しかしながらこの様な方法では、
高価な金型を形状が異なる度に作製する必要があり、ま
た得られる大型のターゲットも接合部が原因でスパッタ
リング中に異常放電が生ずるという問題点がある。
（発明が解決しようとする問題点） 本発明の目的は、大型のＩＴＯスパッタリングターゲッ
トの製造法を提供することにある。
トの製造法を提供することにある。
（問題を解決するための手段） 本発明者らは上記問題点を解決するために鋭意検討を行
った結果、泥漿鋳込み成型法を用いることにより簡便に
大型のＩＴＯターゲットが得られることを見出だし本発
明を完成するに至った。すなわち本発明は、酸化インジ
ウム−酸化スズの成型体を、スラリー濃度７０％以上、
成形圧力０．５kg／cm2以上の条件で泥漿鋳込み成型法
により得、該成型体を焼成することを特徴とする透明導
電膜用スパッタリングターゲットの製造法である。
った結果、泥漿鋳込み成型法を用いることにより簡便に
大型のＩＴＯターゲットが得られることを見出だし本発
明を完成するに至った。すなわち本発明は、酸化インジ
ウム−酸化スズの成型体を、スラリー濃度７０％以上、
成形圧力０．５kg／cm2以上の条件で泥漿鋳込み成型法
により得、該成型体を焼成することを特徴とする透明導
電膜用スパッタリングターゲットの製造法である。
本発明における泥漿鋳込み成型法とは、原料粉末に溶
媒、分散剤及びバインダーを混合して得られたスラリー
を、例えばセッコウ型などの吸水性のある多孔質成形型
に常圧あるいは加圧下で注入し、その後溶媒を除去する
ことにより成型する方法である。このとき、多孔質成形
型の大きさ、形状を変えることにより大型で所望の形状
のＩＴＯ成型体を得ることができる。
媒、分散剤及びバインダーを混合して得られたスラリー
を、例えばセッコウ型などの吸水性のある多孔質成形型
に常圧あるいは加圧下で注入し、その後溶媒を除去する
ことにより成型する方法である。このとき、多孔質成形
型の大きさ、形状を変えることにより大型で所望の形状
のＩＴＯ成型体を得ることができる。
本発明ではスラリーを得る際に、溶媒としては通常水が
用いられ、分散剤としては例えばポリカルボン酸系のも
のなどを、バインダーとしては例えばアクリルエマルジ
ョン系のものなどを挙げることができるが、これらに限
定されない。また原料粉末としては混合法、共沈法など
によって得られるＩＴＯ粉末が用いられ、通常酸化イン
ジウムを７０重量％以上含有するＩＴＯ粉末が用いられ
る。更に、得られるターゲットから製膜される透明導電
膜の導電性、透明度を向上させるために酸化インジウ
ム、酸化スズの他に第三成分を添加したＩＴＯ粉末を用
いても何ら差支えない。
用いられ、分散剤としては例えばポリカルボン酸系のも
のなどを、バインダーとしては例えばアクリルエマルジ
ョン系のものなどを挙げることができるが、これらに限
定されない。また原料粉末としては混合法、共沈法など
によって得られるＩＴＯ粉末が用いられ、通常酸化イン
ジウムを７０重量％以上含有するＩＴＯ粉末が用いられ
る。更に、得られるターゲットから製膜される透明導電
膜の導電性、透明度を向上させるために酸化インジウ
ム、酸化スズの他に第三成分を添加したＩＴＯ粉末を用
いても何ら差支えない。
このときのスラリー濃度は７０％以上であることが好ま
しく、更に好ましくは７５〜８０％である。スラリー濃
度が７０％未満の場合、ターゲットの作製中に割れが生
じ易くなる傾向がある。
しく、更に好ましくは７５〜８０％である。スラリー濃
度が７０％未満の場合、ターゲットの作製中に割れが生
じ易くなる傾向がある。
また、成型はスラリーを０．５kg／cm2以上、更に２．
０kg／cm2以上の加圧で成形型に注入する加圧鋳込みを
行なうことが好ましく、これにより得られるターゲット
の密度が高くなり、反りが小さくなる。
０kg／cm2以上の加圧で成形型に注入する加圧鋳込みを
行なうことが好ましく、これにより得られるターゲット
の密度が高くなり、反りが小さくなる。
次いで、上記ＩＴＯ成型体を焼成することにより所望の
大きさ、形状のＩＴＯターゲットが得られる。このとき
焼成温度は１３００〜１４５０℃で１時間以上行うこと
が好ましい。また、焼成を行う前にＩＴＯ成型体に冷間
静水圧プレスなどを施し、ＩＴＯ成型体の圧密化を行え
ば相対密度の大きいＩＴＯターゲットを得ることができ
るので好ましい。
大きさ、形状のＩＴＯターゲットが得られる。このとき
焼成温度は１３００〜１４５０℃で１時間以上行うこと
が好ましい。また、焼成を行う前にＩＴＯ成型体に冷間
静水圧プレスなどを施し、ＩＴＯ成型体の圧密化を行え
ば相対密度の大きいＩＴＯターゲットを得ることができ
るので好ましい。
（実施例） 以下、実施例により本発明を更に詳しく説明するが、本
発明は何らこれらに限定されるものではない。
発明は何らこれらに限定されるものではない。
実施例１ 市販の酸化インジウム粉末４９５０ｇ，酸化スズ粉末５
５０ｇ、ポリカルボン酸系分散剤（固形分４０％）１０
０ｇ、アクリルエマルジョン系バインダー（固形分４０
％）１００ｇ及び純水１７４０ｇを１０ナイロン製ポ
ット中で直径１５mmの鉄芯入り樹脂ボールを用いて回転
ボールミルにより１６時間混合し、スラリー濃度７５％
の泥漿を得た。
５０ｇ、ポリカルボン酸系分散剤（固形分４０％）１０
０ｇ、アクリルエマルジョン系バインダー（固形分４０
％）１００ｇ及び純水１７４０ｇを１０ナイロン製ポ
ット中で直径１５mmの鉄芯入り樹脂ボールを用いて回転
ボールミルにより１６時間混合し、スラリー濃度７５％
の泥漿を得た。
次いで、得られた泥漿を充分脱泡した後、内寸法１８０
×１０８０×１０ｔのセッコウ型に注入し、鋳込み圧力
０．５kg／cm2で鋳込み成型を行いＩＴＯ成型体を得
た。
×１０８０×１０ｔのセッコウ型に注入し、鋳込み圧力
０．５kg／cm2で鋳込み成型を行いＩＴＯ成型体を得
た。
その後、得られた成型体を、脱バインダーを行い、１３
５０℃で３時間焼成し焼結体を得、これを放電加工及び
平面研削で加工し、１５０×９００×６ｔのＩＴＯター
ゲットを得た。得られたターゲットの相対密度は６０％
であった。
５０℃で３時間焼成し焼結体を得、これを放電加工及び
平面研削で加工し、１５０×９００×６ｔのＩＴＯター
ゲットを得た。得られたターゲットの相対密度は６０％
であった。
実施例２ 内寸法１８０×６２０×８ｔのセッコウ型を用いて泥漿
鋳込み成型を行い、更に焼成後得られた焼結体から１５
４×５０８×６ｔのＩＴＯターゲットを得た以外は実施
例１と同様の方法でＩＴＯターゲットを得た。得られた
ターゲットの相対密度は６３％であった。
鋳込み成型を行い、更に焼成後得られた焼結体から１５
４×５０８×６ｔのＩＴＯターゲットを得た以外は実施
例１と同様の方法でＩＴＯターゲットを得た。得られた
ターゲットの相対密度は６３％であった。
比較例１ 市販の酸化インジウム粉末４９５０ｇと酸化スズ粉末５
５０ｇ、ポリカルボン酸系分散剤（固形分４０％）１０
０ｇ、アクリルエマルジョン系バインダー（固形分４０
％）１００ｇおよび純水２８８５ｇを１０ナイロン製
ポットで直径１５mmの鉄心入り樹脂ボールを用いて回転
ボールミルにより１６時間混合し、スラリー濃度６５％
のＩＴＯ粉末スラリーを得た。
５０ｇ、ポリカルボン酸系分散剤（固形分４０％）１０
０ｇ、アクリルエマルジョン系バインダー（固形分４０
％）１００ｇおよび純水２８８５ｇを１０ナイロン製
ポットで直径１５mmの鉄心入り樹脂ボールを用いて回転
ボールミルにより１６時間混合し、スラリー濃度６５％
のＩＴＯ粉末スラリーを得た。
該スラリーを十分脱泡した後、内寸１８０mm×１０８０
mm×１０mmのセッコウ型を用い、鋳込み圧力０．５kg／
cm2で加圧鋳込み成型により予備成型を行い、ＩＴＯの
成型体を作成したが、成型強度が弱く、鋳型から脱型す
る際にクラックが入った。
mm×１０mmのセッコウ型を用い、鋳込み圧力０．５kg／
cm2で加圧鋳込み成型により予備成型を行い、ＩＴＯの
成型体を作成したが、成型強度が弱く、鋳型から脱型す
る際にクラックが入った。
比較例２ 市販の酸化インジウム粉末４９５０ｇと酸化スズ粉末５
５０ｇ、ポリカルボン酸分散剤（固形分４０％）１００
ｇ、アクリルエマルジョン系バインダー（固形分４０
％）１００ｇおよび純水１７４０ｇを１０ナイロン製
ポットで直径１５mmの鉄心入り樹脂ボールを用いて回転
ボールミルにより１６時間混合し、スラリー濃度７５％
のＩＴＯ粉末スラリーを得た。
５０ｇ、ポリカルボン酸分散剤（固形分４０％）１００
ｇ、アクリルエマルジョン系バインダー（固形分４０
％）１００ｇおよび純水１７４０ｇを１０ナイロン製
ポットで直径１５mmの鉄心入り樹脂ボールを用いて回転
ボールミルにより１６時間混合し、スラリー濃度７５％
のＩＴＯ粉末スラリーを得た。
該スラリーを十分脱泡した後、内寸１７０mm×１０８０
mm×１０mmのセッコウ型を用い、鋳込み圧力０．１kg／
cm2で加圧鋳込み成型により予備成型を行い、ＩＴＯの
成型体を作成したが、着肉むらを生じ、ＩＴＯ成型体に
しわ状の微クラックが多く入った。
mm×１０mmのセッコウ型を用い、鋳込み圧力０．１kg／
cm2で加圧鋳込み成型により予備成型を行い、ＩＴＯの
成型体を作成したが、着肉むらを生じ、ＩＴＯ成型体に
しわ状の微クラックが多く入った。
（発明の効果） 以上述べたとおり、本発明によれば大型でかつ任意形状
のＩＴＯターゲットを、簡便に得ることができる。ま
た、大型のターゲットを接合することなしに得ることが
できるので、得られるターゲットには、スパッタリング
時のハンダの染出しあるいはそれに伴う異常放電がなく
なり、良好な膜質の透明導電膜の形成が可能となる。
のＩＴＯターゲットを、簡便に得ることができる。ま
た、大型のターゲットを接合することなしに得ることが
できるので、得られるターゲットには、スパッタリング
時のハンダの染出しあるいはそれに伴う異常放電がなく
なり、良好な膜質の透明導電膜の形成が可能となる。
Claims (1)
- 【請求項１】酸化インジウム−酸化スズを含有する成型
体をスラリー濃度７０％以上、成形圧力０．５kg／cm2
以上の条件にて泥漿鋳込み成型法により得、該成型体を
焼成することを特徴とする透明導電膜用スパッタリング
ターゲットの製造法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63117136A JPH06659B2 (ja) | 1988-05-16 | 1988-05-16 | 透明導電膜用スパッタリングターゲットの製造法 |
| DE68924095T DE68924095T2 (de) | 1988-05-16 | 1989-05-12 | Verfahren zur Herstellung eines Sputtertargets zur Erzeugung einer elektrisch leitenden, durchsichtigen Schicht. |
| EP89108558A EP0342537B1 (en) | 1988-05-16 | 1989-05-12 | Process for the manufacture of a sputtering target for producing electroconductive transparent films |
| CA000599638A CA1337809C (en) | 1988-05-16 | 1989-05-15 | Sputtering target for producing electroconductive transparent films and process for manufacture thereof |
| KR1019890006539A KR940003786B1 (ko) | 1988-05-16 | 1989-05-16 | 투명도전막용 스퍼터링 타게트의 제조 방법 |
| US07/352,473 US5160675A (en) | 1988-05-16 | 1989-05-16 | Sputtering target for producing electroconductive transparent films and process for manufacture thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63117136A JPH06659B2 (ja) | 1988-05-16 | 1988-05-16 | 透明導電膜用スパッタリングターゲットの製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01290550A JPH01290550A (ja) | 1989-11-22 |
| JPH06659B2 true JPH06659B2 (ja) | 1994-01-05 |
Family
ID=14704343
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63117136A Expired - Fee Related JPH06659B2 (ja) | 1988-05-16 | 1988-05-16 | 透明導電膜用スパッタリングターゲットの製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06659B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002322560A (ja) * | 2001-04-24 | 2002-11-08 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2459917B (en) | 2008-05-12 | 2013-02-27 | Sinito Shenzhen Optoelectrical Advanced Materials Company Ltd | A process for the manufacture of a high density ITO sputtering target |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5730645B2 (ja) * | 1973-05-17 | 1982-06-30 | ||
| JPS5782170A (en) * | 1980-11-11 | 1982-05-22 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Ceramic material mud casting formation |
| JPS61158403A (ja) * | 1984-12-28 | 1986-07-18 | 京セラ株式会社 | セラミツク成形方法 |
| JPS6212009A (ja) * | 1985-07-09 | 1987-01-21 | 昭和電工株式会社 | 酸化インジウム系低抵抗透明薄膜の形成方法 |
| JPS6340756A (ja) * | 1986-08-07 | 1988-02-22 | 旭硝子株式会社 | 錫を含む物理蒸着用酸化インジウム焼結体 |
-
1988
- 1988-05-16 JP JP63117136A patent/JPH06659B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002322560A (ja) * | 2001-04-24 | 2002-11-08 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01290550A (ja) | 1989-11-22 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |