JPH01291988A - 光情報記録媒体 - Google Patents
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41M—PRINTING, DUPLICATING, MARKING, OR COPYING PROCESSES; COLOUR PRINTING
- B41M5/00—Duplicating or marking methods; Sheet materials for use therein
- B41M5/26—Thermography ; Marking by high energetic means, e.g. laser otherwise than by burning, and characterised by the material used
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
-
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/244—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、有機色素薄膜を有し、高密度エネルギービー
ムによって状態変化を生ぜしめることにより記録再生を
行なうヒートモードの光情報記録媒体に関する。
ムによって状態変化を生ぜしめることにより記録再生を
行なうヒートモードの光情報記録媒体に関する。
従来、回転している円盤状の情報記録媒体にレーザービ
ームを照射して情報の記録及び再生を行なう情報記録媒
体が知られている。このような記録媒体の記録層として
は低融点金属と誘電体を用いるものなどが提案されてい
る。しかしこれらは保存性が悪い、分離能が低い、記録
密度が低い、製造コストが高いなどの欠点があった。近
年、比較的長波長の光で物性変化し得る色素薄膜を記録
層に用いることが提案され、また、実施されてはいるが
、一般に長波長に吸収帯を有する色素は熱および光に対
する安定性が低いなどの問題点があり、必ずしも長期に
わたって安定して満足すべき記録特性を有する記録層が
開発されていないのが現状である。また半導体レーザー
を用いて記録、再生を行なう場合に、レーザー波長依存
性が小さいことが重要であり、このような特性をもった
光情報記録媒体が求められていた。
ームを照射して情報の記録及び再生を行なう情報記録媒
体が知られている。このような記録媒体の記録層として
は低融点金属と誘電体を用いるものなどが提案されてい
る。しかしこれらは保存性が悪い、分離能が低い、記録
密度が低い、製造コストが高いなどの欠点があった。近
年、比較的長波長の光で物性変化し得る色素薄膜を記録
層に用いることが提案され、また、実施されてはいるが
、一般に長波長に吸収帯を有する色素は熱および光に対
する安定性が低いなどの問題点があり、必ずしも長期に
わたって安定して満足すべき記録特性を有する記録層が
開発されていないのが現状である。また半導体レーザー
を用いて記録、再生を行なう場合に、レーザー波長依存
性が小さいことが重要であり、このような特性をもった
光情報記録媒体が求められていた。
したがって本発明の目的は、十分な記録特性と保存安定
性を有する色素記録層を有する光情報記録媒体を提供す
ることである。本発明の他の目的はレーザー光の波長依
存性の小さい光情報記録媒体を提供することである。
性を有する色素記録層を有する光情報記録媒体を提供す
ることである。本発明の他の目的はレーザー光の波長依
存性の小さい光情報記録媒体を提供することである。
本発明の目的は、レーザー光線によって記録、再生、あ
るいは消去を行なうための光情報記録媒体であって、基
板上に、下記一般式(I)で表わされる非対称シアニン
色素を担持せしめたことを特徴とする光情報記録媒体に
よって達成された。
るいは消去を行なうための光情報記録媒体であって、基
板上に、下記一般式(I)で表わされる非対称シアニン
色素を担持せしめたことを特徴とする光情報記録媒体に
よって達成された。
一般式(I)
〔ただし、zlおよびZ2は、アルキル基、アリール基
、アルケニル基または置換基を有するこれらの基を表わ
し、これらは互いに同一でも異なっていても良く、ある
いはZlとZ2とが互いに連結して環を形成しても良(
、 Qは、NまたはC−R’(R’は水素原子、アルキル基
またはアリール基)を表わし、 R1,R1,R3は互いに同一でも異なっていてもよく
、アルキル基、了り−ル基、アルケニル基または置換基
を有するこれらの基を表わし、あるいはLと連結して環
を形成しても良く、 X−は陰イオンを表わし、 CはN−R3と連結してオキサゾール環、イミダゾール
環、チアゾール環、セレナゾール環、テルラゾール環、
ピリジン環、またはこれらの環にベンゼン環、ナフタレ
ン環、ピリジン環、キノリン環、キノキサリン環が縮環
して形成されるヘテロ環を完成するための原子団を表わ
し、 Lはメチン基または3個、5個または7個のメチン基も
しくは置換メチン基が共役二重結合を形成するように連
結されて形成される三価の基を表わす。
、アルケニル基または置換基を有するこれらの基を表わ
し、これらは互いに同一でも異なっていても良く、ある
いはZlとZ2とが互いに連結して環を形成しても良(
、 Qは、NまたはC−R’(R’は水素原子、アルキル基
またはアリール基)を表わし、 R1,R1,R3は互いに同一でも異なっていてもよく
、アルキル基、了り−ル基、アルケニル基または置換基
を有するこれらの基を表わし、あるいはLと連結して環
を形成しても良く、 X−は陰イオンを表わし、 CはN−R3と連結してオキサゾール環、イミダゾール
環、チアゾール環、セレナゾール環、テルラゾール環、
ピリジン環、またはこれらの環にベンゼン環、ナフタレ
ン環、ピリジン環、キノリン環、キノキサリン環が縮環
して形成されるヘテロ環を完成するための原子団を表わ
し、 Lはメチン基または3個、5個または7個のメチン基も
しくは置換メチン基が共役二重結合を形成するように連
結されて形成される三価の基を表わす。
ただし、Lの両端のへテロ環は互いに異なり非対称のシ
アニン色素を形成する。〕 上記一般式(I)において、Zlおよびz2は、互いに
連結して形成されたベンゼン環、ナフタレン環、置換基
を有するベンゼン環または置換基を有するナフタレン環
であり、Qは、NまたはC−Hであり、GがN−R’と
連結して形成される5または6員環がイミダゾキノキサ
リン環、キノリン環、ベンゾチアゾール環、ベンゾイミ
ダゾール環またはイミダゾキノリン環であることが好ま
しい。
アニン色素を形成する。〕 上記一般式(I)において、Zlおよびz2は、互いに
連結して形成されたベンゼン環、ナフタレン環、置換基
を有するベンゼン環または置換基を有するナフタレン環
であり、Qは、NまたはC−Hであり、GがN−R’と
連結して形成される5または6員環がイミダゾキノキサ
リン環、キノリン環、ベンゾチアゾール環、ベンゾイミ
ダゾール環またはイミダゾキノリン環であることが好ま
しい。
そして上記一般式(I)で表わされる色素は、特に下記
の一般式(I−A)を有することが好ましい。
の一般式(I−A)を有することが好ましい。
〔ただし、R1,R6,R?、 R11はアルキル基、
アルケニル基又はアリール基を表わし、これらは互いに
同一でも異なっていても良、C1Llはメチン基又は、
3.5.もしくは7個のメチン基が共役二重結合により
連結されて生じる三価の基を表わし、ZおよびZ′は芳
香族環を完成するための原子群を表わし、X−は陰イオ
ンを表わす、ただしR5,R&。
アルケニル基又はアリール基を表わし、これらは互いに
同一でも異なっていても良、C1Llはメチン基又は、
3.5.もしくは7個のメチン基が共役二重結合により
連結されて生じる三価の基を表わし、ZおよびZ′は芳
香族環を完成するための原子群を表わし、X−は陰イオ
ンを表わす、ただしR5,R&。
Zの組合せとR’、 R’、 Z ’の組合せは同一で
はない。〕 上記−形式(IA)においてR’、 R″ at、 R
e、ZおよびZ′は、さらに置換基を有していてもよい
、これらの置換基のうち好ましいものは、C0Hans
chらによって提唱されている疎水性パラメータ、π、
が−0,5ないし15の範囲の値のものである。なお、
疎水性パラメータは次の文献に従って算出することがで
きる。
はない。〕 上記−形式(IA)においてR’、 R″ at、 R
e、ZおよびZ′は、さらに置換基を有していてもよい
、これらの置換基のうち好ましいものは、C0Hans
chらによって提唱されている疎水性パラメータ、π、
が−0,5ないし15の範囲の値のものである。なお、
疎水性パラメータは次の文献に従って算出することがで
きる。
l ) C,Hanschら、J、Msd、Chea
+、 、第16巻、1207頁(I973年刊)、 2) C,Hanschら、同誌、第20巻、304
頁(I977年刊) R5ないしR8で表わされる基として好ましいものは、
置換もしくは無置換のフェニル基、置換もしくは無置換
の低級アルキル基(炭素原子数は1〜8)または置換も
しくは無置換の低級アルケニル基(炭素原子数は2〜8
)であり、さらに上述のC,Hanschらによって提
唱されている疎水性パラメータ、π、が−1,0ないし
15の範囲の値の置換基を有していてもよい。RS 、
R8が置換基を有する場合において特に好ましい置換
基は、ハロゲン原子(F、Cε、Br、0、置換もしく
は無置換のフェニル基(m−クロロフェニル、p−メチ
ルフェニルなど)、アルキルチオ基(例えばメチルチオ
、ブチルチオなど)、置換もしくは無置換のフェニルチ
オ基(例えばフェニルチオ、p−クロロフェニルチオ、
m−メチルフェニルチオなど)である。
+、 、第16巻、1207頁(I973年刊)、 2) C,Hanschら、同誌、第20巻、304
頁(I977年刊) R5ないしR8で表わされる基として好ましいものは、
置換もしくは無置換のフェニル基、置換もしくは無置換
の低級アルキル基(炭素原子数は1〜8)または置換も
しくは無置換の低級アルケニル基(炭素原子数は2〜8
)であり、さらに上述のC,Hanschらによって提
唱されている疎水性パラメータ、π、が−1,0ないし
15の範囲の値の置換基を有していてもよい。RS 、
R8が置換基を有する場合において特に好ましい置換
基は、ハロゲン原子(F、Cε、Br、0、置換もしく
は無置換のフェニル基(m−クロロフェニル、p−メチ
ルフェニルなど)、アルキルチオ基(例えばメチルチオ
、ブチルチオなど)、置換もしくは無置換のフェニルチ
オ基(例えばフェニルチオ、p−クロロフェニルチオ、
m−メチルフェニルチオなど)である。
RジないしR1+で表わされる基のうち特に好ましいも
のは、炭素原子数が2〜8の無置換アルキル基または炭
素原子数が2〜8の無置換アルケニル基であり、その中
でもR8へR8が同一のものが最も好ましい。
のは、炭素原子数が2〜8の無置換アルキル基または炭
素原子数が2〜8の無置換アルケニル基であり、その中
でもR8へR8が同一のものが最も好ましい。
ZもしくはZ′で表わされる原子群の例としては、ベン
ゼン環、ナフタレン環、アンスラセン環を完成するため
の原子群が挙げられ、好ましいものはベンゼン環、ナフ
タレン環を完成するための原子群であり、さらにRS
、 Ra上の置換基として述べた置換基を有してもよい
。ZもしくはZ′が置換基を有する場合において、特に
好ましい置換基は、ハロゲン原子(F、 C1l、 B
r、 I)、置換もしくは無置換のフェニル基(例え
ば、フェニル、m−クロロフェニル、p−メチルフェニ
ルなど)、アルキルチオ基(例えばメチルチオ、ブチル
チオなど)、置換もしくは無置換のフェニルチオ基(例
えばフェニルチオ、p−クロロフェニルチオ、m−メチ
ルフェニルチオなど)、置換もしくは無置換のアルキル
基(例えばメチル、トリフルオロメチル、ter t−
アミルなど)、シアノ基、アルコキシカルボニル基(例
えばプロポキシカルボニル、ブトキシカルボニル、ベン
ジルオキシカルボニル、デシルオキシカルボニル、2−
エチルへキシルオキシカルボニルなど)、アルキルもし
くはアリールスルホニル基(例えばブタンスルホニル、
フェニルスルホニル、オクタンスルホニルなど)である
。
ゼン環、ナフタレン環、アンスラセン環を完成するため
の原子群が挙げられ、好ましいものはベンゼン環、ナフ
タレン環を完成するための原子群であり、さらにRS
、 Ra上の置換基として述べた置換基を有してもよい
。ZもしくはZ′が置換基を有する場合において、特に
好ましい置換基は、ハロゲン原子(F、 C1l、 B
r、 I)、置換もしくは無置換のフェニル基(例え
ば、フェニル、m−クロロフェニル、p−メチルフェニ
ルなど)、アルキルチオ基(例えばメチルチオ、ブチル
チオなど)、置換もしくは無置換のフェニルチオ基(例
えばフェニルチオ、p−クロロフェニルチオ、m−メチ
ルフェニルチオなど)、置換もしくは無置換のアルキル
基(例えばメチル、トリフルオロメチル、ter t−
アミルなど)、シアノ基、アルコキシカルボニル基(例
えばプロポキシカルボニル、ブトキシカルボニル、ベン
ジルオキシカルボニル、デシルオキシカルボニル、2−
エチルへキシルオキシカルボニルなど)、アルキルもし
くはアリールスルホニル基(例えばブタンスルホニル、
フェニルスルホニル、オクタンスルホニルなど)である
。
ZもしくはZ′で表わされる原子群のうち特に好ましい
ものは、ハメットのシグマ定数が−0,2ないし+0.
7であるような比較的電子供与性が弱い置換基を有する
ベンゼン環を形成するための原子群であり、その中でも
F、C1,1などのハロゲン原子で置換されたベンゼン
環を形成するための原子群が好ましい。
ものは、ハメットのシグマ定数が−0,2ないし+0.
7であるような比較的電子供与性が弱い置換基を有する
ベンゼン環を形成するための原子群であり、その中でも
F、C1,1などのハロゲン原子で置換されたベンゼン
環を形成するための原子群が好ましい。
Ll (一般式(I)におけるLも同様)で表わされる
三価の基は置換もしくは無置換のメチン基、または3.
5もしくは7個の置換もしくは無置換のメチン基が共役
二重結合により連結されて生じる三価の基を表わすが、
特に−形式(a)〜(i)で表わされるものが好ましい
。
三価の基は置換もしくは無置換のメチン基、または3.
5もしくは7個の置換もしくは無置換のメチン基が共役
二重結合により連結されて生じる三価の基を表わすが、
特に−形式(a)〜(i)で表わされるものが好ましい
。
(a)
−C=
曝
■
(b)
−CII=CIl−C=CH−CH=
■
(d)
(e)
(f)
(g)
−CH=C−CII=C1l−CH−
■
(h)
−Cl = CH−CH= C−CH= CI −CH
=(i) −CH= C−CH= 一般式(a)〜(i)においてYは水素原子または1価
の基を表わす。この場合、1価の基としでは、メチル基
などの低級アルキル基、置換もしくは無置換フェニル基
、ベンジル基などのアラルキル基、メトキシ基などの低
級アルコキシ基、ジメチルアミノ基、ジフェニルアミノ
基、メチルフェニルアミノ基、モルフォリノ基、イミダ
ゾリジノ基、エトキシカルボニルピペラジノ基などのジ
置換アミノ基、アセトキシ基などのアルキルカルボニル
オキシ基、メチルチオ基などのアルキルチオ基、シアノ
基、ニトロ基、F、C1,Brなどのハロゲン原子など
であることが好ましい。
=(i) −CH= C−CH= 一般式(a)〜(i)においてYは水素原子または1価
の基を表わす。この場合、1価の基としでは、メチル基
などの低級アルキル基、置換もしくは無置換フェニル基
、ベンジル基などのアラルキル基、メトキシ基などの低
級アルコキシ基、ジメチルアミノ基、ジフェニルアミノ
基、メチルフェニルアミノ基、モルフォリノ基、イミダ
ゾリジノ基、エトキシカルボニルピペラジノ基などのジ
置換アミノ基、アセトキシ基などのアルキルカルボニル
オキシ基、メチルチオ基などのアルキルチオ基、シアノ
基、ニトロ基、F、C1,Brなどのハロゲン原子など
であることが好ましい。
なおLlで表わされる三価の基のうち特に好ましいもの
はジもしくはトリカルボシアニン色素を形成するのに必
要な三価の基であって、より具体的には一般式(b)、
(c)、 (d)、 (e)。
はジもしくはトリカルボシアニン色素を形成するのに必
要な三価の基であって、より具体的には一般式(b)、
(c)、 (d)、 (e)。
(f)、 <g)および(h)で表わされるものであ
る。そして、高反射率を得る上で最も好ましいものは一
般式(b)で表わされる三価の基である。
る。そして、高反射率を得る上で最も好ましいものは一
般式(b)で表わされる三価の基である。
X−で表わされる陰イオンは、陽イオン部分の電荷を中
和するのに必要な数の陰電荷を供給するためのものであ
って、−価もしくは二価のイオンである。
和するのに必要な数の陰電荷を供給するためのものであ
って、−価もしくは二価のイオンである。
X−で表わされる陰イオンの例としては、C1−1Or
”、 I−などのハロゲンイオン、SO4”LH5O
4−。
”、 I−などのハロゲンイオン、SO4”LH5O
4−。
CB、OSO!−などのアルキル硫酸イオン、パラトル
エンスルホン酸イオン、ナフタレン−1,5−ジスルホ
ン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、トリフルオロメ
タンスルホン酸イオン、オクタンスルホン酸イオンなど
のスルホン酸イオン、酢酸イオン、p−クロロ安息香酸
イオン、トリフルオロ酢酸イオン、シュウ酸イオン、コ
ハク酸イオンなどのカルボン酸イオン、PF6−、 B
F4−、 C104−、104−、タングステン酸イオ
ン、タングストリン酸イオンなどのへテロポリ酸イオン
、HzPO;−8N(h−、ピクリン酸イオンなどのフ
ェノラートイオンなどが挙げられる。
エンスルホン酸イオン、ナフタレン−1,5−ジスルホ
ン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、トリフルオロメ
タンスルホン酸イオン、オクタンスルホン酸イオンなど
のスルホン酸イオン、酢酸イオン、p−クロロ安息香酸
イオン、トリフルオロ酢酸イオン、シュウ酸イオン、コ
ハク酸イオンなどのカルボン酸イオン、PF6−、 B
F4−、 C104−、104−、タングステン酸イオ
ン、タングストリン酸イオンなどのへテロポリ酸イオン
、HzPO;−8N(h−、ピクリン酸イオンなどのフ
ェノラートイオンなどが挙げられる。
X−で表わされる陰イオンとして好ましいものは、Cl
−+ Br−、I −+ CH30SO,−、パラト
ルエンスルホン酸イオン、p−クロロベンゼンスルホン
酸イオン、メタンスルホン酸イオン、ブタンスルホン酸
イオン、ナフタレン−1,5−ジスルホン酸イオン、ト
リフルオロメタンスルホン酸イオンなどのパーフルオロ
スルホン酸イオン、PFi、−、BF4−。
−+ Br−、I −+ CH30SO,−、パラト
ルエンスルホン酸イオン、p−クロロベンゼンスルホン
酸イオン、メタンスルホン酸イオン、ブタンスルホン酸
イオン、ナフタレン−1,5−ジスルホン酸イオン、ト
リフルオロメタンスルホン酸イオンなどのパーフルオロ
スルホン酸イオン、PFi、−、BF4−。
ClO4−などであり、特に好ましいものは、トリフル
オロメタンスルホン酸イオン、PF、−、Ci、−であ
り、この中でも、爆発の心配が無い点でトリフルオロメ
タンスルホン酸イオンとPF6−とが最も好ましい。
オロメタンスルホン酸イオン、PF、−、Ci、−であ
り、この中でも、爆発の心配が無い点でトリフルオロメ
タンスルホン酸イオンとPF6−とが最も好ましい。
以下に本発明において用いられる一般式(I)で表わさ
れる化合物の具体例を挙げるが、本発明の範囲はこれら
のみに限定されるものではない。
れる化合物の具体例を挙げるが、本発明の範囲はこれら
のみに限定されるものではない。
CxHs
CxHs PF6−
C113cp3so:l−
CZO,−
しzhs
1−CJq
―
本発明の一般式(I)で表わされる化合物は、例えば米
国特許3,431.111号に記載されているように、
−形式(A)で表わされるイミダゾキノキサリニウム塩
、イミダゾキノリニウム塩などを一般式(B)または(
C)で表わされる化合物と反応させて合成することがで
きる。この時酸性又は塩基性物質を共存させると反応が
促進されることがある。
国特許3,431.111号に記載されているように、
−形式(A)で表わされるイミダゾキノキサリニウム塩
、イミダゾキノリニウム塩などを一般式(B)または(
C)で表わされる化合物と反応させて合成することがで
きる。この時酸性又は塩基性物質を共存させると反応が
促進されることがある。
一般式(A)
璽
RX−
〔式中Z’、Z”、Q、R’、R”、およびXは一般式
(I)中の定義と同義の基を表わす。〕一般般式B) 〔式中G、R″は一般式(I)において定義した基を表
わしHは置換されていてもよい、nは0、!または2で
ある。〕 一般式(C) 〔式中G、R’は一般式(I)において定義した基を表
わし、X′−は陰イオンを表わし、Hは置換されていて
もよい。〕 次に本発明に用いられる一般式(I)で表わされる化合
物の合成法を、合成例を挙げて説明する。
(I)中の定義と同義の基を表わす。〕一般般式B) 〔式中G、R″は一般式(I)において定義した基を表
わしHは置換されていてもよい、nは0、!または2で
ある。〕 一般式(C) 〔式中G、R’は一般式(I)において定義した基を表
わし、X′−は陰イオンを表わし、Hは置換されていて
もよい。〕 次に本発明に用いられる一般式(I)で表わされる化合
物の合成法を、合成例を挙げて説明する。
合成例1.化合物lOの合成
2−(4−アセトアニリドー1,3−ブタジェニル)−
1−エチルベンゾチアゾリウムバラトルエンスルホネー
ト1.3g、1.3−ジイソブチル−2−メチルイミダ
ゾ(4,5−b)キノキサリニウムパラトルエンスルホ
ネーH,2g、エタノール30111、およびトリエチ
ルアミン0.4mlを混ぜ、1時間加熱還流した。反応
液を放冷後、テトラブチルアンモニウムパークロレー)
2.5gをメタノール30tailに溶かして加え、生
じた結晶を濾取し、1.4gの粗結晶を得た。この結晶
をア七ト二トリルから再結晶し0.6gの化合物10を
得た。融点270−272℃ 合成例2.化合物22の合成 2.8gの2−メチル−6−ニトロ−1,3−ジフェニ
ルイミダゾ(4,5−b)キノキサリニウムバラトルエ
ンスルホネート、1.2gの3−エチル−2−ホルミル
メチレン−6−ニドロペンゾチアゾリン、及び20−1
の無水酢酸よりなる混合物を5分間加熱還流した。冷却
後、生じた色素を濾取し、無水酢酸、次いでアセトンで
洗った。この色素をメタノールから再結晶して2gの化
合物22を得た。融点250−252℃(分解)。
1−エチルベンゾチアゾリウムバラトルエンスルホネー
ト1.3g、1.3−ジイソブチル−2−メチルイミダ
ゾ(4,5−b)キノキサリニウムパラトルエンスルホ
ネーH,2g、エタノール30111、およびトリエチ
ルアミン0.4mlを混ぜ、1時間加熱還流した。反応
液を放冷後、テトラブチルアンモニウムパークロレー)
2.5gをメタノール30tailに溶かして加え、生
じた結晶を濾取し、1.4gの粗結晶を得た。この結晶
をア七ト二トリルから再結晶し0.6gの化合物10を
得た。融点270−272℃ 合成例2.化合物22の合成 2.8gの2−メチル−6−ニトロ−1,3−ジフェニ
ルイミダゾ(4,5−b)キノキサリニウムバラトルエ
ンスルホネート、1.2gの3−エチル−2−ホルミル
メチレン−6−ニドロペンゾチアゾリン、及び20−1
の無水酢酸よりなる混合物を5分間加熱還流した。冷却
後、生じた色素を濾取し、無水酢酸、次いでアセトンで
洗った。この色素をメタノールから再結晶して2gの化
合物22を得た。融点250−252℃(分解)。
合成例3.化合物19の合成
2.8gの2−メチル−6−二トロー1,3−ジフェニ
ルイミダゾ(4,5−b)キノキサリニウムバラトルエ
ンスルホネート、1.5gの1.3−ジアリル−2−ホ
ルミルメチレン−2,3−ジヒドロイミダゾ(4,5−
b)キノキサリン、及び20m1の無水酢酸からなる混
合物を5分間加熱還流した。冷却後粗結晶を濾取し、少
量の無水酢酸、次いでアセトンで洗浄した。この結晶を
無水酢酸より再結晶して0.7gの化合物19を得た。
ルイミダゾ(4,5−b)キノキサリニウムバラトルエ
ンスルホネート、1.5gの1.3−ジアリル−2−ホ
ルミルメチレン−2,3−ジヒドロイミダゾ(4,5−
b)キノキサリン、及び20m1の無水酢酸からなる混
合物を5分間加熱還流した。冷却後粗結晶を濾取し、少
量の無水酢酸、次いでアセトンで洗浄した。この結晶を
無水酢酸より再結晶して0.7gの化合物19を得た。
融点180−183℃(分解)。
合成例4.化合物21の合成
2.9gの6.7−ジクロロ−2−メチル−1゜3−ジ
フェニルイミダゾ(4,5−b)キノキサリニウムバラ
トルエンスルホネート、2.3gの2−(2−アセトア
ニリドビニル)−1−エチルキノリニウムパラトルエン
スルホネート、及び30tslO)−無水酢酸よりなる
混合物を室温で2時間、次いで55−60℃で3時間攪
拌した。冷却後、固形部を濾取し、無水酢酸、次いでア
セトンで洗浄した。濾液を合併しエーテルを加え、生じ
た固体を濾取し、エーテル、次いでアセトンで洗った。
フェニルイミダゾ(4,5−b)キノキサリニウムバラ
トルエンスルホネート、2.3gの2−(2−アセトア
ニリドビニル)−1−エチルキノリニウムパラトルエン
スルホネート、及び30tslO)−無水酢酸よりなる
混合物を室温で2時間、次いで55−60℃で3時間攪
拌した。冷却後、固形部を濾取し、無水酢酸、次いでア
セトンで洗浄した。濾液を合併しエーテルを加え、生じ
た固体を濾取し、エーテル、次いでアセトンで洗った。
この固体をエタノールから再結晶して0.3gの化合物
21を得た。融点185−187℃(分解)。
21を得た。融点185−187℃(分解)。
本発明の光記録媒体において、−船人(I)で表わされ
る色素は単独で用いても、2種以上併用してもよく、あ
るいは本発明の色素以外の色素と併用して用いてもよい
。また読取り耐久性向上のため種々の酸化防止剤や一重
項酸素クエンチャーを併用することも有効である。また
、種々の樹脂を併用してもよい。
る色素は単独で用いても、2種以上併用してもよく、あ
るいは本発明の色素以外の色素と併用して用いてもよい
。また読取り耐久性向上のため種々の酸化防止剤や一重
項酸素クエンチャーを併用することも有効である。また
、種々の樹脂を併用してもよい。
あるいは遷移金属イオンを添加してキレートを形成させ
て用いることにより耐久性を増すこともできる。
て用いることにより耐久性を増すこともできる。
本発明の光記録媒体に使用されるクエンチャ−としては
、種々のものを用いることができる。このようなりエン
チャーとしては、再生劣化を低下させ、色素との相溶性
が良好な遷移金属錯体が好ましい、この場合、中心金属
として好ましいものは、Ni、 Co、 C11% P
d−、Ptなどである。
、種々のものを用いることができる。このようなりエン
チャーとしては、再生劣化を低下させ、色素との相溶性
が良好な遷移金属錯体が好ましい、この場合、中心金属
として好ましいものは、Ni、 Co、 C11% P
d−、Ptなどである。
新規なりエンチャーの例としては次の一般式(n)また
は(DI)で示されるものがあげられる。
は(DI)で示されるものがあげられる。
(式中、(CatI)および(Catz)は錯体を中性
ならしめるために必要な陽イオンを示し、M、およびM
8はニッケル、銅、コバルト、パラジウムまたは白金を
示す、nは1または2を示す、)前記−船人(n)また
はCl11)で表わされる化合物において、(CatI
)または(Catz)で表わされる陽イオンのうち無機
陽イオンとしては、アルカリ金属(たとえば、Li、
Na、 Kなど)、アルカリ土類金属(Mg、Ca、
Baなど)もしくはNH4”をあげることができる。
ならしめるために必要な陽イオンを示し、M、およびM
8はニッケル、銅、コバルト、パラジウムまたは白金を
示す、nは1または2を示す、)前記−船人(n)また
はCl11)で表わされる化合物において、(CatI
)または(Catz)で表わされる陽イオンのうち無機
陽イオンとしては、アルカリ金属(たとえば、Li、
Na、 Kなど)、アルカリ土類金属(Mg、Ca、
Baなど)もしくはNH4”をあげることができる。
また有機陽イオンとしては、第四級アンモニウムイオン
または第四級ホスホニウムイオンをあげることができる
。
または第四級ホスホニウムイオンをあげることができる
。
前記−船人(II)または(III)で表わされる化合
物においてM+またはM2を好ましい順に挙げるとニッ
ケル、コバルト、銅、パラジウム、白金の順である。
物においてM+またはM2を好ましい順に挙げるとニッ
ケル、コバルト、銅、パラジウム、白金の順である。
一般式(n)または(I[I)の金属錯体は平面四配位
の立体構造を有する。なお−船人(m)の化合物ではチ
オケトン基が中心金属に関して対称又は非対称にあるか
は一義的に決らないが、本発明では便宜的に一般式(I
II)のように表わす。
の立体構造を有する。なお−船人(m)の化合物ではチ
オケトン基が中心金属に関して対称又は非対称にあるか
は一義的に決らないが、本発明では便宜的に一般式(I
II)のように表わす。
前記−船人(II)または(In)で表わされる化合物
は次のようにして合成することができる。
は次のようにして合成することができる。
−船人(II) (n=2)の化合物は二硫化炭素と
ナトリウムを反応させて得られるジソデイウム−1,3
−ジチオール−2−チオン−4,5−ジチオレートを先
ず、亜鉛錯体とし、これに塩化ベンゾイルを反応させ、
ビスベンゾイルチオ体とする。これをアルカリで分解し
た後、金属塩を反応させて得られる。
ナトリウムを反応させて得られるジソデイウム−1,3
−ジチオール−2−チオン−4,5−ジチオレートを先
ず、亜鉛錯体とし、これに塩化ベンゾイルを反応させ、
ビスベンゾイルチオ体とする。これをアルカリで分解し
た後、金属塩を反応させて得られる。
又、−形式(ff) (n、=1)の化合物は、上で
得られた錯体(n=2)を適当な酸化剤で酸化して得ら
れる。
得られた錯体(n=2)を適当な酸化剤で酸化して得ら
れる。
一般式(m)(n=2)の化合物は、先ず、二硫化炭素
とナトリウムを反応させて得られるジソデイウムー1,
3−ジチオール−2−チオン−4゜5−ジチオレートを
、約130℃に加熱してジソデイウムー1.2−ジチオ
ール−3−チオン−4゜5−ジチオレートに異性化させ
る。これを亜鉛錯体とし、これに塩化ベンゾイルを反応
させ、ビスベンゾイルチオ体とする。これをアルカリで
分解した後、金属塩を反応させて得られる。
とナトリウムを反応させて得られるジソデイウムー1,
3−ジチオール−2−チオン−4゜5−ジチオレートを
、約130℃に加熱してジソデイウムー1.2−ジチオ
ール−3−チオン−4゜5−ジチオレートに異性化させ
る。これを亜鉛錯体とし、これに塩化ベンゾイルを反応
させ、ビスベンゾイルチオ体とする。これをアルカリで
分解した後、金属塩を反応させて得られる。
又、−形式(III) (n=1)は上で得られた錯
体(n −2)を適当な酸化剤で酸化して得られる。
体(n −2)を適当な酸化剤で酸化して得られる。
−形式(n)または(I[I)の化合物を得るための中
間体であるl、3−ジチオール−2−チオン−4,5−
ジチオレートアニオンは、上記の如くNaによる還元法
の他に電気化学的な還元によっても得られる。
間体であるl、3−ジチオール−2−チオン−4,5−
ジチオレートアニオンは、上記の如くNaによる還元法
の他に電気化学的な還元によっても得られる。
前記−形式(n)で表わされる化合物のうち好ましいも
のを例示すれば次の通りである。
のを例示すれば次の通りである。
−、ノー、ノー−ノー、ノ
EI E
悶 悶その
他のクエンチャ−としては、特開昭59−178295
号に記載されている次の化合物が挙げられる。
悶 悶その
他のクエンチャ−としては、特開昭59−178295
号に記載されている次の化合物が挙げられる。
(i)ビスジチオ−α−ジケトン系
Rl 、 R4はアルキル基、アリール基、アリールチ
オ基、アルキルチオ基、まはたシアノ基を表わし、Mは
2価の遷移金属原子を表わす。
オ基、アルキルチオ基、まはたシアノ基を表わし、Mは
2価の遷移金属原子を表わす。
(I1)ビスフエニルジチオール系
R’SR&4よアルキル基またはハロゲン原子を表わし
、Mは2価の遷移金属子を表わす。
、Mは2価の遷移金属子を表わす。
(iii )アセチルアセトナートキレート系(iv)
ジチオカルバミン酸キレート系(v)ビスフェニルチオ
ール系 (vi )チオカテコールキレート系 (vi )サリチルアルデヒドオキシム系(vii>チ
オビスフェルレートキレート系(ix )亜ホスホン酸
キレート系 (x)ベンゾエート系 (xi) ヒンダードアミン系 (xii)遷移金属塩 この他次式で表わされるアミニウム系もしくはジイモニ
ウム系化合物が挙げられ、具体例としては日本化薬株式
会社製IRG−002、I RQ−003、IRG−0
22、IRG−023が挙げられる。
ジチオカルバミン酸キレート系(v)ビスフェニルチオ
ール系 (vi )チオカテコールキレート系 (vi )サリチルアルデヒドオキシム系(vii>チ
オビスフェルレートキレート系(ix )亜ホスホン酸
キレート系 (x)ベンゾエート系 (xi) ヒンダードアミン系 (xii)遷移金属塩 この他次式で表わされるアミニウム系もしくはジイモニ
ウム系化合物が挙げられ、具体例としては日本化薬株式
会社製IRG−002、I RQ−003、IRG−0
22、IRG−023が挙げられる。
Rt
(式中Rはアルキル基又はアリール基を表わす。)本発
明において、前記色素のカチオンと、クエンチャ−のア
ニオンとの結合体を使用することもできる。
明において、前記色素のカチオンと、クエンチャ−のア
ニオンとの結合体を使用することもできる。
クエンチャ−は前記色素1モルあたり、一般に0.05
〜12モル、好ましくはo、 i〜1.2モル使用され
る。
〜12モル、好ましくはo、 i〜1.2モル使用され
る。
クエンチャ−は色素薄膜記録層に含有させることが好ま
しいが、記録層とは別の層に含有させてもよい。本発明
の光記録媒体には、必要により、さらに基板上に下引き
層を、また記録層上に保護層を、また基板上もしくは記
録層上に反射層を設けることができる。
しいが、記録層とは別の層に含有させてもよい。本発明
の光記録媒体には、必要により、さらに基板上に下引き
層を、また記録層上に保護層を、また基板上もしくは記
録層上に反射層を設けることができる。
基板としては既知のものを任意に使用することができる
。その代表的な例にはガラスまたはプラスチックがあり
、プラスチックとしてはアクリル、ポリカーボネート、
ポリスルホン、ポリイミド、非晶質ポリオレフィン、エ
ポキシ樹脂、ポリエステルなどが用いられる。その形状
はディスク状、カード状、シート状、ロールフィルム状
など種々のものが可能である。
。その代表的な例にはガラスまたはプラスチックがあり
、プラスチックとしてはアクリル、ポリカーボネート、
ポリスルホン、ポリイミド、非晶質ポリオレフィン、エ
ポキシ樹脂、ポリエステルなどが用いられる。その形状
はディスク状、カード状、シート状、ロールフィルム状
など種々のものが可能である。
ガラスまたはプラスチック基板には記録時のトラッキン
グを容易にするために案内溝を形成させてもよい。また
ガラスまたはプラスチック基板にはプラスチックバイン
ダーまたは無機酸化物、無機硫化物などの下引き層を設
けてもよい。基板よりも熱伝導率の低い下引き層が好ま
しい。また記録層同士を内側にして2枚の記録媒体を対
向させたいわゆるエアーサンドイッチ構造にすることも
可能である。
グを容易にするために案内溝を形成させてもよい。また
ガラスまたはプラスチック基板にはプラスチックバイン
ダーまたは無機酸化物、無機硫化物などの下引き層を設
けてもよい。基板よりも熱伝導率の低い下引き層が好ま
しい。また記録層同士を内側にして2枚の記録媒体を対
向させたいわゆるエアーサンドイッチ構造にすることも
可能である。
本発明における記録層の形成は、例えば、−形成(I)
で表わされる色素およびクエンチャ−を有機溶剤(例え
ばメタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、
2,2,3.3−テトラフルオロプロパツールなどのフ
ッ素化アルコール類、ジクロロメタン、ジクロロエタン
、アセトンなど)に溶解し、必要に応じて適当なバイン
ダー(例えばPVA、、PVP、ポリビニルブチラール
、ポリカーボネート、ニトロセルロース、ポリビニルホ
ルマール、メチルビニルエーテル、塩素化パラフィン、
無水マレイン酸共重合体、スチレン−ブタジェン共重合
体、キシレン系樹脂)を加え、この溶液を塗布(例えば
スピンコード)することによって行なえるし、又は色素
とクエンチャ−を共蒸着するかあるいは一般式(I)で
表わされる色素を真空蒸着したのち、クエンチャ−を塗
布することによって行なえる。バインダーを使用する場
合には、バインダーの重量は色素重量のo、oi〜2倍
が好ましい。また−形成(I)の色素をいわゆるラング
ミヱアープロジェット法により薄膜として用いることも
できる。
で表わされる色素およびクエンチャ−を有機溶剤(例え
ばメタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、
2,2,3.3−テトラフルオロプロパツールなどのフ
ッ素化アルコール類、ジクロロメタン、ジクロロエタン
、アセトンなど)に溶解し、必要に応じて適当なバイン
ダー(例えばPVA、、PVP、ポリビニルブチラール
、ポリカーボネート、ニトロセルロース、ポリビニルホ
ルマール、メチルビニルエーテル、塩素化パラフィン、
無水マレイン酸共重合体、スチレン−ブタジェン共重合
体、キシレン系樹脂)を加え、この溶液を塗布(例えば
スピンコード)することによって行なえるし、又は色素
とクエンチャ−を共蒸着するかあるいは一般式(I)で
表わされる色素を真空蒸着したのち、クエンチャ−を塗
布することによって行なえる。バインダーを使用する場
合には、バインダーの重量は色素重量のo、oi〜2倍
が好ましい。また−形成(I)の色素をいわゆるラング
ミヱアープロジェット法により薄膜として用いることも
できる。
本発明における記録層は1層又は2層以上設ける。
記録層内又はこれに隣接する層内には、色素の劣化を防
ぐため、酸化防止剤もしくは褪色防止剤を存在させても
よい。
ぐため、酸化防止剤もしくは褪色防止剤を存在させても
よい。
記録層の膜厚は、通常0.018m〜2μm、好ましく
は0.02〜0.8μmの範囲である。
は0.02〜0.8μmの範囲である。
半導体レーザまたはHe −Neレーザなどの反射層を
設ける場合は、基板に反射層を設は次にこの反射層の上
に前述したような方式によって記録層を設けることによ
るか、あるいは基板に記録層を設け、次いでこの上に反
射層を設けるかのいずれかの方法がある。
設ける場合は、基板に反射層を設は次にこの反射層の上
に前述したような方式によって記録層を設けることによ
るか、あるいは基板に記録層を設け、次いでこの上に反
射層を設けるかのいずれかの方法がある。
反射層は蒸着法、スパッタリング法、イオンブレーティ
ング法などの他、次のような方法によって作ることがで
きる。
ング法などの他、次のような方法によって作ることがで
きる。
例えば水溶性樹脂(PVP、PVAなど)に金属塩また
は、金属錯塩を溶解させ、さらに、還元剤を加えた溶液
を基板に塗布し、50℃〜150℃好ましくは60℃〜
100℃で加熱乾燥させることによって形成される。
は、金属錯塩を溶解させ、さらに、還元剤を加えた溶液
を基板に塗布し、50℃〜150℃好ましくは60℃〜
100℃で加熱乾燥させることによって形成される。
樹脂に対する金属塩または金属錯塩の量は重量比で0.
1〜10好ましくは0.5〜1.5である。この際、記
録層の膜厚は金属粒子反射層が0.01〜0.1μmで
ありそして光吸収層が0.01〜1μmの範囲が適当で
ある。
1〜10好ましくは0.5〜1.5である。この際、記
録層の膜厚は金属粒子反射層が0.01〜0.1μmで
ありそして光吸収層が0.01〜1μmの範囲が適当で
ある。
金属塩または金属錯塩としては、硝酸銀、シアン化銀カ
リウム、シアン化金カリウム、銀アンミン錯体、銀シア
ン錯体、金塩または金シアン錯体などを使用できる。還
元剤としてはホルマリン、酒石酸、酒石酸塩、還元剤、
次亜燐酸塩、水素化硼素ナトリウム、ジメチルアミンポ
ランなどを使用できる。還元剤は金属塩または金属錯塩
1モルに対し0.2〜10モル好ましくは0.5〜4モ
ルの範囲で使用できる。
リウム、シアン化金カリウム、銀アンミン錯体、銀シア
ン錯体、金塩または金シアン錯体などを使用できる。還
元剤としてはホルマリン、酒石酸、酒石酸塩、還元剤、
次亜燐酸塩、水素化硼素ナトリウム、ジメチルアミンポ
ランなどを使用できる。還元剤は金属塩または金属錯塩
1モルに対し0.2〜10モル好ましくは0.5〜4モ
ルの範囲で使用できる。
本発明の光記録媒体において、情報の記録はレーザ(例
えば半導体レーザ、He −Neレーザなど)などのス
ポット状の高エネルギービームを基板を通しであるいは
基板と反対側より記録層に照射することにより行われ、
記録層に吸収された光が熱に変換され、記録層にピット
(穴)が形成される。
えば半導体レーザ、He −Neレーザなど)などのス
ポット状の高エネルギービームを基板を通しであるいは
基板と反対側より記録層に照射することにより行われ、
記録層に吸収された光が熱に変換され、記録層にピット
(穴)が形成される。
また情報の読み出しはレーザビームを記録の闇値エネル
ギー以下の低出力で照射し、ピット部とピントが形成さ
れていない部分の反射光量もしくは透過光量の変化を検
出することにより行われる。
ギー以下の低出力で照射し、ピット部とピントが形成さ
れていない部分の反射光量もしくは透過光量の変化を検
出することにより行われる。
以下、実施例を挙げて本発明の詳細な説明するが、本発
明の範囲はこれらのみに限定されるものではない。
明の範囲はこれらのみに限定されるものではない。
実施例1
化合物10を1.2−ジクロロエタンに溶かし表面硬化
した溝付く1.6μピツチ、深さ750人)アクリル基
板に厚さ0.1μmとなるようにスピンナーで塗布し、
乾燥した。同様に比較化合物A、B、又はCを用いて塗
布試料を作成した。
した溝付く1.6μピツチ、深さ750人)アクリル基
板に厚さ0.1μmとなるようにスピンナーで塗布し、
乾燥した。同様に比較化合物A、B、又はCを用いて塗
布試料を作成した。
こうして得られた光記録媒体の反射率は表1に示すとお
りであり、本発明の化合物10を用いた記録媒体は、7
80ns+と830nmの波長の光に対して高い反射率
を示しており、これら2光源のどちらを用いても十分に
再生を行うことができることがわかる。
りであり、本発明の化合物10を用いた記録媒体は、7
80ns+と830nmの波長の光に対して高い反射率
を示しており、これら2光源のどちらを用いても十分に
再生を行うことができることがわかる。
試料1〜4を下記の条件で記録、再生を行なったところ
本発明の化合物10を含む試料1は780nat及び8
3Qna+のどちらの光源を用いた場合にも良好な特性
を示すことが明らかである。(表2参照) 比較化合物A 比較化合物B 比較化合物C CgHs [; l 04−
1;ztls表2 (記録及び再生条件) レーザー :半導体レーザー(GaA j! A
s)レーザーの波長 ニア80nm又は830nmレー
ザーのビーム径:1.6μl 線 速 :5m/s 記録パワー :8mW 記録周波数 :2.5μl2 記録デユーティー:50% 再生パワー :0.4mW 実施例2 表3に示す化合物、−重項酸素クエンチャー及びある場
合にはバインダーをイソプロパノ−ルーブタノール−2
,2,3,3−テトラフルオロプロパツール、あるいは
メチルセロソルブまたはこれらの適当な比率の混合溶媒
に溶解し、射出成形した溝付ポリカーボネート基板(I
,゛6μピッチ、深さ750人)に厚さ0.1μmとな
るようにスピンコードして乾燥した。なお色素とクエン
チャ−との重量比は5:1、バインダを用いる場合には
バインダの重量は色素の115とした。評価条件は下記
のとおりであった。
本発明の化合物10を含む試料1は780nat及び8
3Qna+のどちらの光源を用いた場合にも良好な特性
を示すことが明らかである。(表2参照) 比較化合物A 比較化合物B 比較化合物C CgHs [; l 04−
1;ztls表2 (記録及び再生条件) レーザー :半導体レーザー(GaA j! A
s)レーザーの波長 ニア80nm又は830nmレー
ザーのビーム径:1.6μl 線 速 :5m/s 記録パワー :8mW 記録周波数 :2.5μl2 記録デユーティー:50% 再生パワー :0.4mW 実施例2 表3に示す化合物、−重項酸素クエンチャー及びある場
合にはバインダーをイソプロパノ−ルーブタノール−2
,2,3,3−テトラフルオロプロパツール、あるいは
メチルセロソルブまたはこれらの適当な比率の混合溶媒
に溶解し、射出成形した溝付ポリカーボネート基板(I
,゛6μピッチ、深さ750人)に厚さ0.1μmとな
るようにスピンコードして乾燥した。なお色素とクエン
チャ−との重量比は5:1、バインダを用いる場合には
バインダの重量は色素の115とした。評価条件は下記
のとおりであった。
(評価条件)
レーザー :半導体レーザー(GaA I As
)レーザーの波長 ニア80nm レーザーのビーム径:1.6μl 線 速 :5m/s 記録パワー :8mW 記録周波数 :2.5MHz 記録デユーティー:50% 再生パワー :0.4mW 比較色素A: 比較色素B: 表 3 〔発明の効果〕 本発明の光情報記録媒体は、十分な記録特性を有し、か
つ保存安定性にすぐれている。また、レーザー光の波長
依存性が小さいので、波長の異なるレーザー光を用いて
、同様に記録・再生を行うことができる。
)レーザーの波長 ニア80nm レーザーのビーム径:1.6μl 線 速 :5m/s 記録パワー :8mW 記録周波数 :2.5MHz 記録デユーティー:50% 再生パワー :0.4mW 比較色素A: 比較色素B: 表 3 〔発明の効果〕 本発明の光情報記録媒体は、十分な記録特性を有し、か
つ保存安定性にすぐれている。また、レーザー光の波長
依存性が小さいので、波長の異なるレーザー光を用いて
、同様に記録・再生を行うことができる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 レーザー光線によって記録、再生、あるいは消去を行な
うための光情報記録媒体であって、基板上に、下記一般
式( I )で表わされる非対称シアニン色素を担持せし
めたことを特徴とする光情報記録媒体。 一般式( I ) ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔ただし、Z^1およびZ^2は、アルキル基、アリー
ル基、アルケニル基または置換基を有するこれらの基を
表わし、これらは互いに同一でも異なっていても良く、
あるいはZ^1とZ^2とが互いに連結して環を形成し
ても良く、 Qは、NまたはC−R^4(R^4は水素原子、アルキ
ル基またはアリール基)を表わし、 R^1、R^2、R^3は互いに同一でも異なっていて
もよく、アルキル基、アリール基、アルケニル基または
置換基を有するこれらの基を表わし、あるいはLと連結
して環を形成しても良く、 X^−は陰イオンを表わし、 GはN−R^3と連結してオキサゾール環、イミダゾー
ル環、チアゾール環、セレナゾール環、テルラゾール環
、ピリジン環、またはこれらの環にベンゼン環、ナフタ
レン環、ピリジン環、キノリン環、キノキサリン環が縮
環して形成されるヘテロ環を完成するための原子団を表
わし、 Lはメチン基または3個、5個または7個のメチン基も
しくは置換メチン基が共役二重結合を形成するように連
結されて形成される三価の基を表わす。 ただし、Lの両端のヘテロ環は互いに異なり非対称のシ
アニン色素を形成する。〕
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63123590A JPH01291988A (ja) | 1988-05-20 | 1988-05-20 | 光情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63123590A JPH01291988A (ja) | 1988-05-20 | 1988-05-20 | 光情報記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01291988A true JPH01291988A (ja) | 1989-11-24 |
Family
ID=14864365
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63123590A Pending JPH01291988A (ja) | 1988-05-20 | 1988-05-20 | 光情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01291988A (ja) |
-
1988
- 1988-05-20 JP JP63123590A patent/JPH01291988A/ja active Pending
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