JPH0262283A - 光情報記録媒体 - Google Patents
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/244—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only
- G11B7/246—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing dyes
- G11B7/247—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing dyes methine or polymethine dyes
Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、有機色素薄膜を有し、レーザー光線によって
状態変化を生せしめることにより、記録、再生あるいは
消去を行なうヒートモードの光学的情報記録媒体に関す
る。
状態変化を生せしめることにより、記録、再生あるいは
消去を行なうヒートモードの光学的情報記録媒体に関す
る。
レーザー光線の照射を受けて変質する物質を基板上に担
持して記録層とし、該記録層の変質の様子を記録層の反
射率の変化として読み取る方式の記録媒体が知られてい
る。近年この様な記録層として有機色素を用いることが
行なわれているが、読゛み取りに必要な高反射率と記録
に必要な高吸収率とを同一波長において実現することは
容易なことではなかったため、これらの媒体の反射率は
20〜30%程度にとどまっていた。その理由の一つは
、単一の色素からなる色素膜の反射率は、一般に、該色
素膜の吸収極大波長より長波長側に現れるため、記録及
び読み取りに用いるレーザー光の波長を色素膜の反射率
の極大波長と一致させると、その波長における吸収率が
低くなり、逆にレーザー光の波長を色素膜の吸収極大波
長に合わせるとその波長における色素膜の反射率が低く
なるからである。他の理由は、ある特定の波長において
高反射率を有する色素と、その波長において高吸収率を
有する色素とを混合して用いると、多くの場合反射率の
低下が起こってしまうからである。したがって情報の記
録及び読み取りに用いるレーザー光線の波長において反
射率と吸収率とをともに高い値に設定し得る光情報記録
媒体が求められていた。
持して記録層とし、該記録層の変質の様子を記録層の反
射率の変化として読み取る方式の記録媒体が知られてい
る。近年この様な記録層として有機色素を用いることが
行なわれているが、読゛み取りに必要な高反射率と記録
に必要な高吸収率とを同一波長において実現することは
容易なことではなかったため、これらの媒体の反射率は
20〜30%程度にとどまっていた。その理由の一つは
、単一の色素からなる色素膜の反射率は、一般に、該色
素膜の吸収極大波長より長波長側に現れるため、記録及
び読み取りに用いるレーザー光の波長を色素膜の反射率
の極大波長と一致させると、その波長における吸収率が
低くなり、逆にレーザー光の波長を色素膜の吸収極大波
長に合わせるとその波長における色素膜の反射率が低く
なるからである。他の理由は、ある特定の波長において
高反射率を有する色素と、その波長において高吸収率を
有する色素とを混合して用いると、多くの場合反射率の
低下が起こってしまうからである。したがって情報の記
録及び読み取りに用いるレーザー光線の波長において反
射率と吸収率とをともに高い値に設定し得る光情報記録
媒体が求められていた。
したがって本発明の目的は、情報の読み取り及び記録に
用いるレーザー光線に対して、反射率が高く、しかも記
録に充分なほど高い吸収率を有する新規な構成の光情報
記録媒体を提供することである。
用いるレーザー光線に対して、反射率が高く、しかも記
録に充分なほど高い吸収率を有する新規な構成の光情報
記録媒体を提供することである。
本発明者は種々検討の結果、驚(べきことに、一般式(
I)で表わされる色素は他の色素と混合しても十分高い
反射率を示す色素薄膜を与えることを見出し本発明を完
成した。
I)で表わされる色素は他の色素と混合しても十分高い
反射率を示す色素薄膜を与えることを見出し本発明を完
成した。
すなわち、本発明の目的は、少なくとも1種の下記一般
式(I)で表わされる色素と、少なくとも1種の下記−
形式(II)で表わされる色素とを同一基板上に担持せ
しめたことを特徴とする、レーザー光線を用いて記録、
再生、あるいは消去を行なうための光情報記録媒体によ
って達成された。
式(I)で表わされる色素と、少なくとも1種の下記−
形式(II)で表わされる色素とを同一基板上に担持せ
しめたことを特徴とする、レーザー光線を用いて記録、
再生、あるいは消去を行なうための光情報記録媒体によ
って達成された。
一般式(1)
〔ただし、zlおよびZ2は、アルキル基、アリール基
またはアルケニル基を表わし、これらは互いに同一でも
異なっていても、あるいはZlと22とが互いに連結し
て環を形成しても良く、Qは、NまたはC−Rb (R
’は水素原子、アルキル基またはアリール基)を表わし
、R1、R2およびR3は、アルキル ル基またはアルケニル基を表わし、互いに同一でも異な
っていても、あるいはこれらの少なくとも一つの基がL
と連結して環を形成しても良(、X,−は陰イオンを表
わし、 GはN−R3と連結して5または6員環を形成するため
の基を表わし、そして Lは1、3、5又は7個のメチン基または置換メチン基
が共役二重結合を形成するように連結されて形成される
三価の基を表わす〕 −形式(II) AIおよびA″は独立に水素原子または置換基を表わし
、 Z3は5員の複素環を形成するのに必要な原子団を表わ
し、 R7−R10は独立に水素原子または置換基を表わし、 R11は置換基を表わすか、またはZ3と共に6員複素
環を形成してもよく、 nは0、1または2を表わし、 X!−は陰イオンを表わす。
またはアルケニル基を表わし、これらは互いに同一でも
異なっていても、あるいはZlと22とが互いに連結し
て環を形成しても良く、Qは、NまたはC−Rb (R
’は水素原子、アルキル基またはアリール基)を表わし
、R1、R2およびR3は、アルキル ル基またはアルケニル基を表わし、互いに同一でも異な
っていても、あるいはこれらの少なくとも一つの基がL
と連結して環を形成しても良(、X,−は陰イオンを表
わし、 GはN−R3と連結して5または6員環を形成するため
の基を表わし、そして Lは1、3、5又は7個のメチン基または置換メチン基
が共役二重結合を形成するように連結されて形成される
三価の基を表わす〕 −形式(II) AIおよびA″は独立に水素原子または置換基を表わし
、 Z3は5員の複素環を形成するのに必要な原子団を表わ
し、 R7−R10は独立に水素原子または置換基を表わし、 R11は置換基を表わすか、またはZ3と共に6員複素
環を形成してもよく、 nは0、1または2を表わし、 X!−は陰イオンを表わす。
上記−形式(I)において、zlおよびZ2は、互いに
連結して形成されたベンゼン環、ナフタレン環、置換基
を有するベンゼン環または置換基を有するナフタレン環
であり、Qは、NまたはC−Hであり、GがN−R”と
連結して形成される5または6員環がイミダゾキノキサ
リン環、キノリン環、ベンゾチアゾール環、ベンゾイミ
ダゾール環またはイミダゾキノリン環であることが好ま
しい。
連結して形成されたベンゼン環、ナフタレン環、置換基
を有するベンゼン環または置換基を有するナフタレン環
であり、Qは、NまたはC−Hであり、GがN−R”と
連結して形成される5または6員環がイミダゾキノキサ
リン環、キノリン環、ベンゾチアゾール環、ベンゾイミ
ダゾール環またはイミダゾキノリン環であることが好ま
しい。
上記−形式CI)で表わされる化合物のうち好ましいも
のは下記−形式(Ia)で表わされる化合物である。
のは下記−形式(Ia)で表わされる化合物である。
一般式(Ia):
(式中R4、R4′、RsおよびR S /は7)L/
キル基、アルケニル基又はアリール基を表わし、これら
は互いに同一でも異なっていても良く、Llは1、3、
5もしくは7個の置換されていても良いメチン基が共役
二重結合により連結されて生じる三価の基を表わし、z
,z’は芳香族環を完成するための原子群を表わし、X
l−は陰イオンを表わす〕 上記−形式(Ia)においてz,z’、Ll、R 4
、RS 、 R4 L 、R5 /はそれぞれさらに置
換基を有していてもよい。
キル基、アルケニル基又はアリール基を表わし、これら
は互いに同一でも異なっていても良く、Llは1、3、
5もしくは7個の置換されていても良いメチン基が共役
二重結合により連結されて生じる三価の基を表わし、z
,z’は芳香族環を完成するための原子群を表わし、X
l−は陰イオンを表わす〕 上記−形式(Ia)においてz,z’、Ll、R 4
、RS 、 R4 L 、R5 /はそれぞれさらに置
換基を有していてもよい。
これらの基の置換基のうち好ましいものはC.Hans
chらによって提唱されている疎水性パラメータ、π、
が−0.5ないし15の範囲の値のものである.なお、
疎水性パラメータは次の文献に従って算出することがで
きる。
chらによって提唱されている疎水性パラメータ、π、
が−0.5ないし15の範囲の値のものである.なお、
疎水性パラメータは次の文献に従って算出することがで
きる。
1) C.Hanschら、J.Med.Chem.
、第16巻、1207頁(1973年刊) 2) C.Hanschら、同誌、第20巻、304
頁(1 9 7 7年刊) R’ 、R”、RSまたはR5′で表わされる基として
好ましいものは、置換もしくは無置換のフェニル基、置
換もしくは無置換の低級アルキル基(炭素原子数1ない
し8)または置換もしくは無置換の低級アルケニル基(
炭素原子数2ないし8)であり、さらに上述のC,Ha
nschらによって提唱されている疎水性パラメータ、
π、が−0,5ないし15の範囲の値の置換基を有して
いてもよい。
、第16巻、1207頁(1973年刊) 2) C.Hanschら、同誌、第20巻、304
頁(1 9 7 7年刊) R’ 、R”、RSまたはR5′で表わされる基として
好ましいものは、置換もしくは無置換のフェニル基、置
換もしくは無置換の低級アルキル基(炭素原子数1ない
し8)または置換もしくは無置換の低級アルケニル基(
炭素原子数2ないし8)であり、さらに上述のC,Ha
nschらによって提唱されている疎水性パラメータ、
π、が−0,5ないし15の範囲の値の置換基を有して
いてもよい。
R4、R4’ 、R5もしくはR5/が置換基を有する
場合において特に好ましい置換基は、ハロゲン原子(F
% ClBr、■)、置換もしくは無置換のフェニル
基(例えばフェニル、m−クロロフェニル、p−メチル
フェニルなど)、アルキルチオ基(例えばメチルチオ、
ブチルチオなど)、置換もしくは無置換のフェニルチオ
基(例えばフェニルチオ、p−クロロフヱニルチオ、m
−メチルフェニルなど)である。
場合において特に好ましい置換基は、ハロゲン原子(F
% ClBr、■)、置換もしくは無置換のフェニル
基(例えばフェニル、m−クロロフェニル、p−メチル
フェニルなど)、アルキルチオ基(例えばメチルチオ、
ブチルチオなど)、置換もしくは無置換のフェニルチオ
基(例えばフェニルチオ、p−クロロフヱニルチオ、m
−メチルフェニルなど)である。
R’ 、R”、R’またはRS′で表わされる基のうち
特に好ましいものは、炭素原子数2ないし8の無置換ア
ルキル基または炭素原子数2ないし8の無置換アルケニ
ル基であり、その中でもR4R41、R5及びRS l
が同一のものが最も好ましい。
特に好ましいものは、炭素原子数2ないし8の無置換ア
ルキル基または炭素原子数2ないし8の無置換アルケニ
ル基であり、その中でもR4R41、R5及びRS l
が同一のものが最も好ましい。
z、z’で表わされる原子群の例としては、ベンゼン環
、ナフタレン環、アンスラセン環を完成するための原子
群が挙げられ、好ましいものはベンゼン環、ナフタレン
環を完成するための原子群。
、ナフタレン環、アンスラセン環を完成するための原子
群が挙げられ、好ましいものはベンゼン環、ナフタレン
環を完成するための原子群。
であり、さらにR’ 、R”、R’及びR% J上の置
換基として述べた置換基を有していてもよい。
換基として述べた置換基を有していてもよい。
z、z’が置換基を有する場合において、特に好ましい
置換基は、ハロゲン原子(F、C1,Br、■)、置換
もしくは無置換のフェニル基(例えばフェニル、m−ク
ロロフェニル、p−メチルフェニルなど)、アルキルチ
オ基(例えばメチルチオ、ブチルチオなど)、置換もし
くは無置換のフェニルチオ基(例えばフェニルチオ、p
−クロロフヱニルチオ、m−メチルフェニルチオなど)
、置換もしくは無置換のアルキル基(例えばメチル、ト
リフルオロメチル、tert−アミルなど)、シアノ基
、アルコキシカルボニル基(例えばプロポキシカルボニ
ル、ブトキシカルボニル、ベンジルオキシカルボニル、
デシルオキシカルボニル、2−エチルへキシルオキシカ
ルボニルなど)、アルキルもしくはアリールスルホニル
基(例えばブタンスルホニル、フェニルスルホニル、オ
クタンスルホニルなど)である。
置換基は、ハロゲン原子(F、C1,Br、■)、置換
もしくは無置換のフェニル基(例えばフェニル、m−ク
ロロフェニル、p−メチルフェニルなど)、アルキルチ
オ基(例えばメチルチオ、ブチルチオなど)、置換もし
くは無置換のフェニルチオ基(例えばフェニルチオ、p
−クロロフヱニルチオ、m−メチルフェニルチオなど)
、置換もしくは無置換のアルキル基(例えばメチル、ト
リフルオロメチル、tert−アミルなど)、シアノ基
、アルコキシカルボニル基(例えばプロポキシカルボニ
ル、ブトキシカルボニル、ベンジルオキシカルボニル、
デシルオキシカルボニル、2−エチルへキシルオキシカ
ルボニルなど)、アルキルもしくはアリールスルホニル
基(例えばブタンスルホニル、フェニルスルホニル、オ
クタンスルホニルなど)である。
z、z’で表わされる原子群のうち特に好ましいものは
、ハメットのシグマ定数が−0,2ないし+0.7であ
るような比較的電子供与性が弱い置換基を有するベンゼ
ン環を形成するだめの原子群であり、その中でもF、(
1、Br、■などのハロゲン原子で置換されたベンゼン
環を形成するための原子群が好ましい。
、ハメットのシグマ定数が−0,2ないし+0.7であ
るような比較的電子供与性が弱い置換基を有するベンゼ
ン環を形成するだめの原子群であり、その中でもF、(
1、Br、■などのハロゲン原子で置換されたベンゼン
環を形成するための原子群が好ましい。
Llで表わされる三価の基は置換もしくは無置換のメチ
ン基、または3.5、もしくは7個の置換もしくは無置
換のメチン基が共役二重結合により連結されて生じる連
結基を表わすが、特に−形式(a)ないしく1)で表わ
されるものが好ましい。
ン基、または3.5、もしくは7個の置換もしくは無置
換のメチン基が共役二重結合により連結されて生じる連
結基を表わすが、特に−形式(a)ないしく1)で表わ
されるものが好ましい。
−形式(a)
−C=
一般式(b)
−CI−1= CH−C−CH−CH=一般式(cl
一般式fd)
一般式fa)
−形式(II
一般式(gl
−CH=C−CH冨CH−CH=
一般式(hl
−CH=CH−CH=C−CH=CH−CH=一般式(
1) %式% 一般式fa)ないしく11においてYは水素原子または
1価の基を表わす。この場合、1価の基としては、メチ
ル基などの低級アルキル基、1換もしくは無置換フェニ
ル基、ベンジル基などのアラルキル基、メトキシ基など
の低級アルコキシ基、ジメチルアミノ基、ジフェニルア
ミノ基、メチルフェニルアミノ基、モルフォリノ基、イ
ミダゾリジノ基、エトキシ力ルポニルピベラジノ基など
のジ置換アミノ基、アセトキシ基などのアルキルカルボ
ニルオキシ基、メチルチオ基などのアルキルチオ基、シ
アノ基、ニトロ基、F、C1、Brなどのハロゲン原子
などであることが好ましい。
1) %式% 一般式fa)ないしく11においてYは水素原子または
1価の基を表わす。この場合、1価の基としては、メチ
ル基などの低級アルキル基、1換もしくは無置換フェニ
ル基、ベンジル基などのアラルキル基、メトキシ基など
の低級アルコキシ基、ジメチルアミノ基、ジフェニルア
ミノ基、メチルフェニルアミノ基、モルフォリノ基、イ
ミダゾリジノ基、エトキシ力ルポニルピベラジノ基など
のジ置換アミノ基、アセトキシ基などのアルキルカルボ
ニルオキシ基、メチルチオ基などのアルキルチオ基、シ
アノ基、ニトロ基、F、C1、Brなどのハロゲン原子
などであることが好ましい。
なおLLで表わされる連結基のうち特に好ましいものは
(Ill)、(b)、fh)、(1)で表わされるもの
である。
(Ill)、(b)、fh)、(1)で表わされるもの
である。
xl−で表わされる陰イオンは、陽イオン部分の電荷を
中和するのに必要な数の陰電荷を供給するためのもので
あって、1価もしくは2価のイオンである。
中和するのに必要な数の陰電荷を供給するためのもので
あって、1価もしくは2価のイオンである。
X、−で表わされる陰イオンの例としては、C7!−B
y” I−などのハロゲンイオン、so、”−1H
3O,−1CHffOS Ch−などのアルキル硫酸イ
オン、パラトルエンスルホン酸イオン、ナフタレン−1
,5−ジスルホン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、
トリフルオロメタンスルホン酸イオン、オクタンスルホ
ン酸イオンなどのスルホン酸イオン、酢酸イオン、p−
クロロ安息香酸イオン、トリフルオロ酢酸イオン、シュ
ウ酸イオン、コハク酸イオンなどのカルボン酸イオン、
PFh−B F a\ CZO,−1■04−、タング
ステン酸イオン、タングストリン酸イオンなどのへテロ
ポリ酸イオン、H,PO4−、NO,−、ピクリン酸イ
オンなどのフェノラートイオンなどが挙げられる。
y” I−などのハロゲンイオン、so、”−1H
3O,−1CHffOS Ch−などのアルキル硫酸イ
オン、パラトルエンスルホン酸イオン、ナフタレン−1
,5−ジスルホン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、
トリフルオロメタンスルホン酸イオン、オクタンスルホ
ン酸イオンなどのスルホン酸イオン、酢酸イオン、p−
クロロ安息香酸イオン、トリフルオロ酢酸イオン、シュ
ウ酸イオン、コハク酸イオンなどのカルボン酸イオン、
PFh−B F a\ CZO,−1■04−、タング
ステン酸イオン、タングストリン酸イオンなどのへテロ
ポリ酸イオン、H,PO4−、NO,−、ピクリン酸イ
オンなどのフェノラートイオンなどが挙げられる。
X、−で表わされる陰イオンとして好ましいものは、C
7!−、Br−T−、CHsO3O3−Cz Hs O
S O:l−、パラトルエンスルホン酸イオン、p−ク
ロロベンゼンスルホン酸イオン、メタンスルホン酸イオ
ン、ブタンスルホン酸イオン、ナフタレン−1,5−ジ
スルホン酸イオン、トリフルオロメタンスルホン酸イオ
ンなどのパーフルオロスルホン酸イオン、PF6− 、
BFa−1CI104−などであり、特に好ましいもの
は、トリフルオロメタンスルホン酸イオン、PFt、−
1C104−であり、この中でも、爆発の心配が無い点
でトリフルオロメタンスルホン酸イオンとPF、−とが
最も好ましい。
7!−、Br−T−、CHsO3O3−Cz Hs O
S O:l−、パラトルエンスルホン酸イオン、p−ク
ロロベンゼンスルホン酸イオン、メタンスルホン酸イオ
ン、ブタンスルホン酸イオン、ナフタレン−1,5−ジ
スルホン酸イオン、トリフルオロメタンスルホン酸イオ
ンなどのパーフルオロスルホン酸イオン、PF6− 、
BFa−1CI104−などであり、特に好ましいもの
は、トリフルオロメタンスルホン酸イオン、PFt、−
1C104−であり、この中でも、爆発の心配が無い点
でトリフルオロメタンスルホン酸イオンとPF、−とが
最も好ましい。
次に本発明の一般式(1)で表わされる色素の具体例を
挙げるが、本発明はこれらのみに限定されるものではな
い。
挙げるが、本発明はこれらのみに限定されるものではな
い。
本発明の一般式N)で表わされる化合物はたとえば大有
機化学(朝食書店)含窒素化合物1432ページなどの
底置に記載された方法を参考にして合成することができ
る。すなわち 一般式(A) (式中、Z’ 、Z” 、Q、R’ 、R”は一般式(
I)における定義と同じ基を表わし、X′−は陰イオン
を表わす。) で表わされる四級塩を1.1,3.3−テトラメトキシ
プロパンあるいはグルタコンアルデヒドなどのジアルデ
ヒドや、1.7−ジアザ−1,7−ジフェニル−1,3
,5−へブタトルエンなどのポリメチン源と縮合させる
ことによって合成することができる。とくにイミダゾ(
4,5−b)キノキサリン骨格を有する色素の合成法は
、米国特許3,431.111号に記載されている方法
を参考にして合成することができる。
機化学(朝食書店)含窒素化合物1432ページなどの
底置に記載された方法を参考にして合成することができ
る。すなわち 一般式(A) (式中、Z’ 、Z” 、Q、R’ 、R”は一般式(
I)における定義と同じ基を表わし、X′−は陰イオン
を表わす。) で表わされる四級塩を1.1,3.3−テトラメトキシ
プロパンあるいはグルタコンアルデヒドなどのジアルデ
ヒドや、1.7−ジアザ−1,7−ジフェニル−1,3
,5−へブタトルエンなどのポリメチン源と縮合させる
ことによって合成することができる。とくにイミダゾ(
4,5−b)キノキサリン骨格を有する色素の合成法は
、米国特許3,431.111号に記載されている方法
を参考にして合成することができる。
本発明において使用される一般式(n)で表わされる化
合物のうち特に好ましい化合物は下記−形式(Iff)
で表わされる。
合物のうち特に好ましい化合物は下記−形式(Iff)
で表わされる。
一般式(I[I)
式中、AIおよびA2はそれぞれ独立に水素原子、ハロ
ゲン原子、置換もしくは無置換のアルコキシ基、置換も
しくは無置換のアリールオキシ基、シアノ基、置換もし
くは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアリー
ル基、又は置換もしくは無置換のアラルキル基を表わし
;Y、は、N RI 2(RI2は置換もしくは無置換
のアルキル基、置換もしくは無置換の了り−ル基、又は
置換もしくは無置換のアラルキル基を表わす。)、0、
S −、Se、又はTeを表わし、zSは5員の複素環
を形成するのに必要な原子団を表わし、R? 、R11
、R9およびRIOは置換もしくは無置換のアルキル基
、置換もしくは無置換のアリール基、置換もしくは無置
換のアラルキル基または水素原子を表わし;R”は置換
もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のア
リール基、置換もしくは無置換のアラルキル基、又はZ
Sと結合して6員の複素環を形成するのに必要な原子団
を表わし:nは0.1又は2を表わし;x2−は陰イオ
ンを表わす。ただしXはRマ、RII、R9、R10、
R1、RI2、zS 、AI又はA2上に結合して分子
内塩を形成していてもよい。
ゲン原子、置換もしくは無置換のアルコキシ基、置換も
しくは無置換のアリールオキシ基、シアノ基、置換もし
くは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアリー
ル基、又は置換もしくは無置換のアラルキル基を表わし
;Y、は、N RI 2(RI2は置換もしくは無置換
のアルキル基、置換もしくは無置換の了り−ル基、又は
置換もしくは無置換のアラルキル基を表わす。)、0、
S −、Se、又はTeを表わし、zSは5員の複素環
を形成するのに必要な原子団を表わし、R? 、R11
、R9およびRIOは置換もしくは無置換のアルキル基
、置換もしくは無置換のアリール基、置換もしくは無置
換のアラルキル基または水素原子を表わし;R”は置換
もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のア
リール基、置換もしくは無置換のアラルキル基、又はZ
Sと結合して6員の複素環を形成するのに必要な原子団
を表わし:nは0.1又は2を表わし;x2−は陰イオ
ンを表わす。ただしXはRマ、RII、R9、R10、
R1、RI2、zS 、AI又はA2上に結合して分子
内塩を形成していてもよい。
一般式(III)で表わされる化合物につき、さらに詳
しく説明する。
しく説明する。
A I 、A Zで表わされる基のうち好ましいものは
、水素原子、塩素原子、炭素原子数1ないし20の、置
換もしくは無置換のアルキル基、炭素原子数6ないし2
0の置換もしくは無置換のフェニル基、炭素原子数7な
いし20の置換もしくは無置換のベンジル基、炭素原子
数1ないし20の置換もしくは無置換のアルコキシ基、
炭素原子数6ないし20の置換もしくは無置換のフェノ
キシ基、又は炭素原子数7ないし20の1換もしくは無
置換のベンジルオキシ基であり、これらの置換基として
好ましいものは、ハロゲン原子(F、C1゜Br、I)
、シアノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、エステ
ル基、カルボンアミド基、スルホンアミド基、カルバモ
イル基、スルファモイル基、ウレイド基、スルホニル基
、ヒドロキシ基、スルホ基、またはカルボキシル基であ
り、これらはさらに置換されていてもよい。Al5A!
で表わされる基のうち特に好ましいものは、水素原子、
塩素原子、炭素原子数1ないし6のアルキル基、フェニ
ル基、ベンジル基、炭素原子数1ないし6のアルコキシ
基又はフェノキシ基である。
、水素原子、塩素原子、炭素原子数1ないし20の、置
換もしくは無置換のアルキル基、炭素原子数6ないし2
0の置換もしくは無置換のフェニル基、炭素原子数7な
いし20の置換もしくは無置換のベンジル基、炭素原子
数1ないし20の置換もしくは無置換のアルコキシ基、
炭素原子数6ないし20の置換もしくは無置換のフェノ
キシ基、又は炭素原子数7ないし20の1換もしくは無
置換のベンジルオキシ基であり、これらの置換基として
好ましいものは、ハロゲン原子(F、C1゜Br、I)
、シアノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、エステ
ル基、カルボンアミド基、スルホンアミド基、カルバモ
イル基、スルファモイル基、ウレイド基、スルホニル基
、ヒドロキシ基、スルホ基、またはカルボキシル基であ
り、これらはさらに置換されていてもよい。Al5A!
で表わされる基のうち特に好ましいものは、水素原子、
塩素原子、炭素原子数1ないし6のアルキル基、フェニ
ル基、ベンジル基、炭素原子数1ないし6のアルコキシ
基又はフェノキシ基である。
Y、で表わされる基のうち好ましいものは、0、S、
Se、 Te、および炭素原子数1ないし20のN R
I 2であり、RI2は置換もしくは無置換のアルキル
基、置換もしくは無置換のフェニル基、又は置換もしく
は無置換のベンジル基を表わし、置換基として好ましい
ものはA I 、 A 2で表わされる基の置換基とし
て好ましいものとして上述した基と同じである。
Se、 Te、および炭素原子数1ないし20のN R
I 2であり、RI2は置換もしくは無置換のアルキル
基、置換もしくは無置換のフェニル基、又は置換もしく
は無置換のベンジル基を表わし、置換基として好ましい
ものはA I 、 A 2で表わされる基の置換基とし
て好ましいものとして上述した基と同じである。
Y、で表わされる基のうち特に好ましいものは、0、S
、 Se、 Te、およびR12が炭素原子数1ないし
6のアルキル基、フェニル、ベンジル基であるN RI
Zである。
、 Se、 Te、およびR12が炭素原子数1ないし
6のアルキル基、フェニル、ベンジル基であるN RI
Zである。
zSで表わされる原子団のうち好ましいものは、ベンゾ
もしくはナフトアゾール環を形成するのに必要な原子団
又は−←CH=CH→「であり、これはAI 、 A2
で表わされる基の置換基として好ましいものとして上述
した基で置換されていてもよい。Z5で表わされる原子
団のうち特に好ましいものは→CH=CH→rおよびこ
れにハロゲン原子(F、 Cu2、Br、I)、炭素
原子数1ないし6のアルキル基、フェニル基、炭素原子
数6ないし12の置換フェニル基、炭素原子数1ないし
6のアルコキシ基、炭素原子数6ないし20の置換もし
くは無置換のフェノキシ基、炭素原子数1ないし20の
カルボンアミド基、炭素原子数1ないし20のスルホン
アミド基、炭素原子数1ないし20のウレイド基が置換
した基、又はR目と結合して縮合ピリミジン環を形成し
得る原子団である。
もしくはナフトアゾール環を形成するのに必要な原子団
又は−←CH=CH→「であり、これはAI 、 A2
で表わされる基の置換基として好ましいものとして上述
した基で置換されていてもよい。Z5で表わされる原子
団のうち特に好ましいものは→CH=CH→rおよびこ
れにハロゲン原子(F、 Cu2、Br、I)、炭素
原子数1ないし6のアルキル基、フェニル基、炭素原子
数6ないし12の置換フェニル基、炭素原子数1ないし
6のアルコキシ基、炭素原子数6ないし20の置換もし
くは無置換のフェノキシ基、炭素原子数1ないし20の
カルボンアミド基、炭素原子数1ないし20のスルホン
アミド基、炭素原子数1ないし20のウレイド基が置換
した基、又はR目と結合して縮合ピリミジン環を形成し
得る原子団である。
R7、R@ 、R9およびRIGで表わされる基のうち
好ましいものは炭素原子数1ないし20の置換もしくは
無置換のアルキル基、炭素原子数6ないし20の置換も
しくは無置換のフェニル基、炭素原子数7ないし20の
置換もしくは無置換のベンジル基、又は水素原子であり
、置換基としては、AI、AIで表わされている基の置
換基として好ましいものとして上述した基があげられる
H”rおよびR9で表わされる基として特に好ましい
ものは炭素原子数1ないし12の置換又は無置換のアル
キル基、又は炭素原子数6ないし12の置換又は無置換
のフェニル基である。R8として特に好ましいものは水
素原子、炭素原子数1ないし20のアルキル基、炭素原
子数6ないし20の置換もしくは無置換のフェニル基で
あり、RIGとして特に好ましいものはフェニル基又は
炭素原子数6ないし20の置換フェニル基である。
好ましいものは炭素原子数1ないし20の置換もしくは
無置換のアルキル基、炭素原子数6ないし20の置換も
しくは無置換のフェニル基、炭素原子数7ないし20の
置換もしくは無置換のベンジル基、又は水素原子であり
、置換基としては、AI、AIで表わされている基の置
換基として好ましいものとして上述した基があげられる
H”rおよびR9で表わされる基として特に好ましい
ものは炭素原子数1ないし12の置換又は無置換のアル
キル基、又は炭素原子数6ないし12の置換又は無置換
のフェニル基である。R8として特に好ましいものは水
素原子、炭素原子数1ないし20のアルキル基、炭素原
子数6ないし20の置換もしくは無置換のフェニル基で
あり、RIGとして特に好ましいものはフェニル基又は
炭素原子数6ないし20の置換フェニル基である。
R1+で表わされる置換基のうち好ましいものは、炭素
原子数1ないし20の置換もしくは無置換のアルキル基
、炭素原子数6ないし20の置換もしくは無置換のフェ
ニル基、又は炭素原子数7ないし20の置換もしくは無
置換のアラルキル基、又はZ5と連結して縮合ピリミジ
ン環を形成するのに必要な原子団である。置換基として
好ましいものは、AI 、A tで表わされる基の置換
基として好ましいものと同じである。
原子数1ないし20の置換もしくは無置換のアルキル基
、炭素原子数6ないし20の置換もしくは無置換のフェ
ニル基、又は炭素原子数7ないし20の置換もしくは無
置換のアラルキル基、又はZ5と連結して縮合ピリミジ
ン環を形成するのに必要な原子団である。置換基として
好ましいものは、AI 、A tで表わされる基の置換
基として好ましいものと同じである。
RI 1で表わされる置換基のうち特に好ましいものは
、炭素原子数1ないし20のアルキル基、炭素原子数2
ないし4のスルホアルキル基、フェニル基、スルホフェ
ニル基、ベンジル基、スルホベンジル基、フェネチル基
、スルホフェネチル基又はZ5と連結して縮合ピリミジ
ン環を形成するのに必要な原子団(−CR’=CRB−
CR7=N−)である。
、炭素原子数1ないし20のアルキル基、炭素原子数2
ないし4のスルホアルキル基、フェニル基、スルホフェ
ニル基、ベンジル基、スルホベンジル基、フェネチル基
、スルホフェネチル基又はZ5と連結して縮合ピリミジ
ン環を形成するのに必要な原子団(−CR’=CRB−
CR7=N−)である。
nの好ましい値は情報記録又は読取りに用いる光の波長
に応じて決まり、例えば700〜900nmの光を用い
る場合にはnは2.600〜850nm、特に660〜
800nmの光を用いる場合にはn−1,500〜65
0nm、特に540〜560nmの光を用いる場合には
n=oであることが好ましい。
に応じて決まり、例えば700〜900nmの光を用い
る場合にはnは2.600〜850nm、特に660〜
800nmの光を用いる場合にはn−1,500〜65
0nm、特に540〜560nmの光を用いる場合には
n=oであることが好ましい。
X2−で表わされる陰イオンとして好ましいものは、ハ
ロゲン化物イオン、硫酸イオン、モノアルキル硫酸イオ
ン、過塩素酸イオン、スルホン酸イオン、炭酸イオン、
硝酸イオン、アセテートイオン、ベンゾエートイオン、
オキザレートイオン、リン酸イオン、テトラフェニルホ
ウ酸イオン、テトラフルオロリン酸イオンが挙げられる
。
ロゲン化物イオン、硫酸イオン、モノアルキル硫酸イオ
ン、過塩素酸イオン、スルホン酸イオン、炭酸イオン、
硝酸イオン、アセテートイオン、ベンゾエートイオン、
オキザレートイオン、リン酸イオン、テトラフェニルホ
ウ酸イオン、テトラフルオロリン酸イオンが挙げられる
。
X2−で表わされる陰イオンとして特に好ましいものは
、臭素イオン、沃素イオン、硫酸イオン、モノアルキル
硫酸イオン、過塩素酸イオン、アルキルスルホン酸イオ
ン、了り−ルスルホン酸イオンである。
、臭素イオン、沃素イオン、硫酸イオン、モノアルキル
硫酸イオン、過塩素酸イオン、アルキルスルホン酸イオ
ン、了り−ルスルホン酸イオンである。
以下に一般式(II)で表わされる化合物の具体例を挙
げるが、本発明はこれらに限定されるものではない。
げるが、本発明はこれらに限定されるものではない。
rl−7
■−5
■−14
■−13
■−16
■−20
■−21
■−19
■−22
■
−形式(II)で表わされる化合物の合成は、例えば、
G、G、 Dyadyushaらの報文(染料と顔料(
Dyes and Pigments)誌、第4巻、1
79頁〜194頁、1983年発行)に記載されており
、種々の誘導体もこの方法に従って合成することができ
る。
G、G、 Dyadyushaらの報文(染料と顔料(
Dyes and Pigments)誌、第4巻、1
79頁〜194頁、1983年発行)に記載されており
、種々の誘導体もこの方法に従って合成することができ
る。
本発明の光記録媒体において、−C式(1)で表わされ
る色素と一般式(n)で表わされる色素の使用割合は、
好ましくは、モル比で100:1〜1;10、さらに好
ましくは20:1〜1:5、最も好ましくは10:1〜
2:1である。それぞれの色素は単独で用いてもζ2種
以上併用してもよく、あるいは本発明の色素以外の色素
と併用して用いてもよい、また読取り耐久性向上のため
種々の酸化防止剤や一重項酸素クエンチャーを併用する
ことも有効である。また、種々の樹脂を併用してもよい
。
る色素と一般式(n)で表わされる色素の使用割合は、
好ましくは、モル比で100:1〜1;10、さらに好
ましくは20:1〜1:5、最も好ましくは10:1〜
2:1である。それぞれの色素は単独で用いてもζ2種
以上併用してもよく、あるいは本発明の色素以外の色素
と併用して用いてもよい、また読取り耐久性向上のため
種々の酸化防止剤や一重項酸素クエンチャーを併用する
ことも有効である。また、種々の樹脂を併用してもよい
。
あるいは遷移金属イオンを添加してキレートを形成させ
て用いることにより耐久性を増すこともできる。
て用いることにより耐久性を増すこともできる。
本発明の光記録媒体に使用されるクエンチャ−としては
、種々のものを用いることができる。このようなりエン
チャーとしては、再生劣化を低下させ、色素との相溶性
が良好な遷移金属錯体が好ましい。この場合、中心金属
として好ましいものは、Ni、 C0% CLI、 P
d、 Ptなどである。
、種々のものを用いることができる。このようなりエン
チャーとしては、再生劣化を低下させ、色素との相溶性
が良好な遷移金属錯体が好ましい。この場合、中心金属
として好ましいものは、Ni、 C0% CLI、 P
d、 Ptなどである。
新規なりエンチャーの例としては特開昭62−1747
41号公報記載の次の一般式(IV)または(V)で示
されるものがあげられる。
41号公報記載の次の一般式(IV)または(V)で示
されるものがあげられる。
〔
〔
(式中、(Cat、)および(Catz)は錯体を中性
ならしめるために必要な陽イオンを示し、M、およびM
2はニッケル、銅、コバルト、パラジウムまたは白金を
示す、nは1または2を示す。)前記−形式(EV)ま
たは(V)で表わされる化合物において、(Cat、)
または(Catz)で表わされる陽イオンのうち無機陽
イオンとしては、アルカリ金属(たとえば、Lis N
as Kなど)、アルカリ土類金属(Mg、 Ca、、
Baなど)もしくはNH,”をあげることができる。
ならしめるために必要な陽イオンを示し、M、およびM
2はニッケル、銅、コバルト、パラジウムまたは白金を
示す、nは1または2を示す。)前記−形式(EV)ま
たは(V)で表わされる化合物において、(Cat、)
または(Catz)で表わされる陽イオンのうち無機陽
イオンとしては、アルカリ金属(たとえば、Lis N
as Kなど)、アルカリ土類金属(Mg、 Ca、、
Baなど)もしくはNH,”をあげることができる。
また有機陽イオンとしては、第四級アンモニウムイオン
または第四級ホスホニウムイオンをあげることができる
。
または第四級ホスホニウムイオンをあげることができる
。
前記−形式(IV)または(V)で表わされる化合物に
おいてM、またはM2を好ましい順に挙げるとニッケル
、コバルト、銅、パラジウム、白金の順である。
おいてM、またはM2を好ましい順に挙げるとニッケル
、コバルト、銅、パラジウム、白金の順である。
一般式(TV)または(V)の金属錯体は平面四配位の
立体構造を有する。なお−形式(V)の化合物ではチオ
ケトン基が中心金属に関して対称又は非対称にあるかは
一義的に決らないが、本発明では便宜的に一般式(V)
のように表わす。
立体構造を有する。なお−形式(V)の化合物ではチオ
ケトン基が中心金属に関して対称又は非対称にあるかは
一義的に決らないが、本発明では便宜的に一般式(V)
のように表わす。
前記−形式(IV)または(V)で表わされる化合物は
次のようにして合成することができる。
次のようにして合成することができる。
−71式(IV) (n=2)の化合物は二硫化炭素
とナトリウムを反応させて得られるジソデイウムー1.
3−ジチオール−2−チオン−4,5−ジチオレートを
先ず、亜鉛錯体とし、これに塩化ベンゾイルを反応させ
、ビスベンゾイルチオ体とする。これをアルカリで分解
した後、金属塩を反応させて得られる。
とナトリウムを反応させて得られるジソデイウムー1.
3−ジチオール−2−チオン−4,5−ジチオレートを
先ず、亜鉛錯体とし、これに塩化ベンゾイルを反応させ
、ビスベンゾイルチオ体とする。これをアルカリで分解
した後、金属塩を反応させて得られる。
又、−形式(rV) (n=1)の化合物は、上で得
られた錯体(n=2)を適当な酸化剤で酸化して得られ
る。
られた錯体(n=2)を適当な酸化剤で酸化して得られ
る。
一般式(IV) (n=2)の化合物は、先ず、二硫
化炭素とナトリウムを反応させて得られるジソデイウム
ー1,3−ジチオール−2−チオン−4゜5−ジチオレ
ートを、約130℃に加熱してジソデイウムー1,2−
ジチオール−3−チオン−4゜5−ジチオレートに異性
化させる。これを亜鉛錯体とし、これに塩化ベンゾイル
を反応させ、ビスベンゾイルチオ体とする。これをアル
カリで分解した後、金属塩を反応させて得られる。
化炭素とナトリウムを反応させて得られるジソデイウム
ー1,3−ジチオール−2−チオン−4゜5−ジチオレ
ートを、約130℃に加熱してジソデイウムー1,2−
ジチオール−3−チオン−4゜5−ジチオレートに異性
化させる。これを亜鉛錯体とし、これに塩化ベンゾイル
を反応させ、ビスベンゾイルチオ体とする。これをアル
カリで分解した後、金属塩を反応させて得られる。
又、−形式(V)(n=1)は上で得られた錯体(n=
2)を適当な酸化剤で酸化して得られる。
2)を適当な酸化剤で酸化して得られる。
−i式(IV)または〔V〕の化合物を得るための中間
体である1、3−ジチオール−2−チオン−4,5−ジ
チオレートアニオンは、上記の如くNaによる還元法の
他に電気化学的な還元によっても得られる。
体である1、3−ジチオール−2−チオン−4,5−ジ
チオレートアニオンは、上記の如くNaによる還元法の
他に電気化学的な還元によっても得られる。
前記−形式(IV)で表わされる化合物のうち好ましい
ものを例示すれば次の通りである。
ものを例示すれば次の通りである。
その他のクエンチャ−としては特開昭59−17829
5号に記載されている以下の化合物などが挙げられる。
5号に記載されている以下の化合物などが挙げられる。
(i)ビスジチオ−α−ジケトン系
R”=R”はアルキル基、アリール基、アルキルチオ基
、アリールチオ基またはシアノ基を表わし、Mは2価の
遷移金属原子を表わす。
、アリールチオ基またはシアノ基を表わし、Mは2価の
遷移金属原子を表わす。
(ii)ビスフエニルジチオール系
と
≧
≧
と
R”、Rollはアルキル基、シアノ基またはハロゲン
原子を表わし、Mは2価の遷移金属原子を表わす。
原子を表わし、Mは2価の遷移金属原子を表わす。
(iii )アセチルアセトナートキレート系(iv)
ジチオカルバミン酸キレート系(V)ビスフェニルチオ
ール系 (vi)チオカテコールキレート系 (vi)サリチルアルデヒドオキシム系(vii)チオ
ビスフェルレートキレート系(ix )亜ホスホン酸キ
レート系 (x)ベンゾエート系 (xi) ヒンダードアミン系 (xii)遷移金属塩 この他氏式で表わされるアミニウム系もしくはジイモニ
ウム系化合物が挙げられ、具体例としては日本化薬株式
会社製IRG−002、I RG−003、IRQ−0
22、IRG−023が挙げられる。
ジチオカルバミン酸キレート系(V)ビスフェニルチオ
ール系 (vi)チオカテコールキレート系 (vi)サリチルアルデヒドオキシム系(vii)チオ
ビスフェルレートキレート系(ix )亜ホスホン酸キ
レート系 (x)ベンゾエート系 (xi) ヒンダードアミン系 (xii)遷移金属塩 この他氏式で表わされるアミニウム系もしくはジイモニ
ウム系化合物が挙げられ、具体例としては日本化薬株式
会社製IRG−002、I RG−003、IRQ−0
22、IRG−023が挙げられる。
fh
(式中Rはアルキル基又はアリール基を表わす。)本発
明において、前記色素のカチオンと、クエンチャ−のア
ニオンとの結合体を使用することもできる。
明において、前記色素のカチオンと、クエンチャ−のア
ニオンとの結合体を使用することもできる。
クヱンチャーは前記色素1モルあたり、一般に0.05
〜12モル、好ましくは0.1〜1.2モル使用される
。
〜12モル、好ましくは0.1〜1.2モル使用される
。
クエンチャ−は色素薄膜記録層に含有させることが好ま
しいが、記録層とは別の層に含有させてもよい。本発明
の光記録媒体にば、必要により、さらに基板上に下引き
層を、また記録層上に保護層を、また基板上もしくは記
録層上に反射層を設けることができる。
しいが、記録層とは別の層に含有させてもよい。本発明
の光記録媒体にば、必要により、さらに基板上に下引き
層を、また記録層上に保護層を、また基板上もしくは記
録層上に反射層を設けることができる。
基板としては既知のものを任意に使用することができる
。その代表的な例にはガラスまたはプラスチックがあり
、プラスチックとしてはアクリル、ポリカーボネート、
ポリスルホン、ポリイミド、非晶質ポリオレフィン、エ
ポキシ樹脂、ポリエステルなどが用いられる。その形状
はディスク状、カード状、シート状、ロールフィルム状
など種々のものが可能である。
。その代表的な例にはガラスまたはプラスチックがあり
、プラスチックとしてはアクリル、ポリカーボネート、
ポリスルホン、ポリイミド、非晶質ポリオレフィン、エ
ポキシ樹脂、ポリエステルなどが用いられる。その形状
はディスク状、カード状、シート状、ロールフィルム状
など種々のものが可能である。
ガラスまたはプラスチック基板には記録時のトラッキン
グを容易にするために案内溝を形成させてもよい。また
ガラスまたはプラスチック基)反にはプラスチックバイ
ンダーまたは無機酸化物、無機硫化物などの下引き層を
設けてもよい、基板よりも熱伝導率の低い下引き層が好
ましい。また記録層同士を内側にして2枚の記録媒体を
対向させたいわゆるエアーサンドインチ構造にすること
も可能である。
グを容易にするために案内溝を形成させてもよい。また
ガラスまたはプラスチック基)反にはプラスチックバイ
ンダーまたは無機酸化物、無機硫化物などの下引き層を
設けてもよい、基板よりも熱伝導率の低い下引き層が好
ましい。また記録層同士を内側にして2枚の記録媒体を
対向させたいわゆるエアーサンドインチ構造にすること
も可能である。
本発明における記録層の形成は、例えば、色素およびク
エンチャ−を有機溶剤(例えばメタノール、エタノール
、イソプロピルアルコール、2゜2.3.3−テトラフ
ルオロプロパツールなどのフッ素化アルコール類、ジク
ロロメタン、ジクロロエタン、アセトンなど)に溶解し
、必要に応じて適当なバインダー(例えばPVA、PV
P、ポリビニルブチラール、ポリカーボネート、ニトロ
セルロース、ポリビニルホルマール、メチルビニルエー
テル、塩素化パラフィン、無水マレイン酸共重合体、ス
チレン−ブタジェン共重合体、キシレン系樹脂)を加え
、この溶液を塗布(例えばスピンコード)することによ
って行なえるし、又は色素とクエンチャ−を共蒸着する
かあるいは色素を真空蒸着したのち、クエンチャ−を塗
布することによって行なえる。バインダーを使用する場
合には、バインダーの重量は色素重量の0.01〜2倍
が好ましい、また色素をいわゆるラングミュア−プロジ
ェット法により薄膜として用いることもできる。
エンチャ−を有機溶剤(例えばメタノール、エタノール
、イソプロピルアルコール、2゜2.3.3−テトラフ
ルオロプロパツールなどのフッ素化アルコール類、ジク
ロロメタン、ジクロロエタン、アセトンなど)に溶解し
、必要に応じて適当なバインダー(例えばPVA、PV
P、ポリビニルブチラール、ポリカーボネート、ニトロ
セルロース、ポリビニルホルマール、メチルビニルエー
テル、塩素化パラフィン、無水マレイン酸共重合体、ス
チレン−ブタジェン共重合体、キシレン系樹脂)を加え
、この溶液を塗布(例えばスピンコード)することによ
って行なえるし、又は色素とクエンチャ−を共蒸着する
かあるいは色素を真空蒸着したのち、クエンチャ−を塗
布することによって行なえる。バインダーを使用する場
合には、バインダーの重量は色素重量の0.01〜2倍
が好ましい、また色素をいわゆるラングミュア−プロジ
ェット法により薄膜として用いることもできる。
本発明における記録層はIN又は2層以上設ける。
記!3層内又はこれに隣接する層内には、色素の劣化を
防ぐため、酸化防止剤もしくは褪色防止剤を存在させて
もよい。
防ぐため、酸化防止剤もしくは褪色防止剤を存在させて
もよい。
記録層の膜厚は、通常0.01μm〜2μm、好ましく
は0.02〜0.8μmの範囲である。
は0.02〜0.8μmの範囲である。
半導体レーザまたはHe −Neレーザなどの反射層を
設ける場合は、基板に反射層を設は次にこの反射層の上
に前述したような方式によって記録層を設けることによ
るか、あるいは基板に記録層を設け、次いでこの上に反
射層を設けるかのいずれかの方法がある。
設ける場合は、基板に反射層を設は次にこの反射層の上
に前述したような方式によって記録層を設けることによ
るか、あるいは基板に記録層を設け、次いでこの上に反
射層を設けるかのいずれかの方法がある。
反射層は蒸着法、スパッタリング法、イオンブレーティ
ング法などの他、次のような方法によって作ることがで
きる。
ング法などの他、次のような方法によって作ることがで
きる。
例えば水溶性樹脂(PVP、PVAなど)に金属塩また
は、金属錯塩を溶解させ、さらに、還元剤を加えた溶液
を基板に塗布し、50℃〜150℃好ましくは60℃〜
100℃で加熱乾燥させることによって形成される。
は、金属錯塩を溶解させ、さらに、還元剤を加えた溶液
を基板に塗布し、50℃〜150℃好ましくは60℃〜
100℃で加熱乾燥させることによって形成される。
樹脂に対する金属塩または金属錯塩の量は重量比で0.
1〜10好ましくは0.5〜1.5である。この際、記
録層の膜厚は金属粒子反射層が0.01〜0、1μmで
ありそして光吸収層が0.01〜1μmの範囲が適当で
ある。
1〜10好ましくは0.5〜1.5である。この際、記
録層の膜厚は金属粒子反射層が0.01〜0、1μmで
ありそして光吸収層が0.01〜1μmの範囲が適当で
ある。
金属塩または金属錯塩としては、硝酸銀、シアン化銀カ
リウム、シアン化金カリウム、銀アンミン錯体、銀シア
ン錯体、金塩または金シアン錯体などを使用できる。還
元剤としてはホルマリン、酒石酸、酒石酸塩、次亜燐酸
塩、水素化硼素ナトリウム、ジメチルアミンボランなど
を使用できる。
リウム、シアン化金カリウム、銀アンミン錯体、銀シア
ン錯体、金塩または金シアン錯体などを使用できる。還
元剤としてはホルマリン、酒石酸、酒石酸塩、次亜燐酸
塩、水素化硼素ナトリウム、ジメチルアミンボランなど
を使用できる。
還元剤は金属塩または金属錯塩1モルに対し0.2〜1
0モル好ましくは0.5〜4モルの範囲で使用できる。
0モル好ましくは0.5〜4モルの範囲で使用できる。
本発明の光記録媒体において、情報の記録はレーザ(例
えば半導体レーザ、He −Neレーザなど)などのス
ポット状の高エネルギービームを基板を通しであるいは
基板と反対側より記録層に照射することにより行われ、
記録層に吸収された光が熱に変換され、記録層にピント
(穴)が形成される。
えば半導体レーザ、He −Neレーザなど)などのス
ポット状の高エネルギービームを基板を通しであるいは
基板と反対側より記録層に照射することにより行われ、
記録層に吸収された光が熱に変換され、記録層にピント
(穴)が形成される。
また情報の読み出しはレーザビームを記録の闇値エネル
ギー以下の低出力で照射し、ピット部とピットが形成さ
れてい゛ない部分の反射光量もしくは透過光量の変化を
検出することにより行われる。
ギー以下の低出力で照射し、ピット部とピットが形成さ
れてい゛ない部分の反射光量もしくは透過光量の変化を
検出することにより行われる。
以下、実施例を挙げて本発明の詳細な説明するが、本発
明の範囲はこれらのみに限定されるものではない。
明の範囲はこれらのみに限定されるものではない。
実施例1
表1に示す化合物の1%2,2,3.3−テトラフルオ
ロプロパツール溶液を射出成形した溝付ポリカーボネー
ト板(1,6μピツチ、深さ750人)にスピンコード
して乾燥した。こうして作成した記録媒体に下記の条件
で記録、再生を行った。
ロプロパツール溶液を射出成形した溝付ポリカーボネー
ト板(1,6μピツチ、深さ750人)にスピンコード
して乾燥した。こうして作成した記録媒体に下記の条件
で記録、再生を行った。
結果を表1に示した。この表から本発明の記録媒体(試
料番号10〜23)は高反射率を示すと同時に高いC/
Nを与えることがわかる。なお−形式(I)で表わされ
る化合物と併用する色素(一般式(II)で表わされる
色素など)と一般式(I)で表わされる色素との混合比
は1:4であった。
料番号10〜23)は高反射率を示すと同時に高いC/
Nを与えることがわかる。なお−形式(I)で表わされ
る化合物と併用する色素(一般式(II)で表わされる
色素など)と一般式(I)で表わされる色素との混合比
は1:4であった。
記録及び再生条件
レーザー
レーザーの波長
ビーム径
線速
記録パワー
記録周波数
記録デユーティ−
再生パワー
半導体レーザ(GaA I As)
30nm
1.6μm
5 m / s
2〜10m−
2、5MHz
50%
0.4mW
比較化合物A
〔発明の効果〕
本発明の光情報記録媒体は、情報の読み取り及び記録に
用いるレーザー光線に対して、反射率が高く、しかも記
録に充分なほど高い吸収率を有するため高いC/Nを示
す。
用いるレーザー光線に対して、反射率が高く、しかも記
録に充分なほど高い吸収率を有するため高いC/Nを示
す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 少なくとも1種の下記一般式( I )で表わされる色素
と少なくとも1種の下記一般式(II)で表わされる色素
と同一基板上に担持せしめたことを特徴とする、レーザ
ー光線を用いて記録、再生、あるいは消去を行なうため
の光情報記録媒体。 一般式( I ) ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔ただし、Z^1およびZ^2は、アルキル基、アリー
ル基またはアルケニル基を表わし、これらは互いに同一
でも異なっていても、あるいはZ^1とZ^2とが互い
に連結して環を形成しても良く、Qは、NまたはC−R
^6(R^6は水素原子、アルキル基またはアリール基
)を表わし、 R^1、R^2およびR^3は、アルキル基、アリール
基またはアルケニル基を表わし、互いに同一でも異なっ
ていても、あるいはこれらの少なくとも一つの基がLと
連結して環を形成しても良く、X_1^−は陰イオンを
表わし、 GはN−R^3と連結して5または6員環を形成するた
めの基を表わし、そして Lは1、3、5又は7個のメチン基または置換メチン基
が共役二重結合を形成するように連結されて形成される
三価の基を表わす〕 一般式〔II〕 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔A^1およびA^2は独立に水素原子または置換基を
表わし、 Z^3は5員の複素環を形成するのに必要な原子団表わ
し、 R^7〜R^1^0は独立に水素原子または置換基を表
わし、 R^1^1は置換基を表わすか、またはZ^3と共に6
員複素環を形成してもよく、 nは0、1または2を表わし、 X_2^−は陰イオンを表わす。〕
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63215710A JPH0262283A (ja) | 1988-08-30 | 1988-08-30 | 光情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63215710A JPH0262283A (ja) | 1988-08-30 | 1988-08-30 | 光情報記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0262283A true JPH0262283A (ja) | 1990-03-02 |
Family
ID=16676882
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63215710A Pending JPH0262283A (ja) | 1988-08-30 | 1988-08-30 | 光情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0262283A (ja) |
-
1988
- 1988-08-30 JP JP63215710A patent/JPH0262283A/ja active Pending
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