JPS5969968U - 液相エピタキシヤル成長装置 - Google Patents

液相エピタキシヤル成長装置

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JPS5969968U
JPS5969968U JP16561782U JP16561782U JPS5969968U JP S5969968 U JPS5969968 U JP S5969968U JP 16561782 U JP16561782 U JP 16561782U JP 16561782 U JP16561782 U JP 16561782U JP S5969968 U JPS5969968 U JP S5969968U
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JP
Japan
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liquid phase
epitaxial growth
phase epitaxial
growth equipment
holder
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JP16561782U
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研二 丸山
伊藤　道春
知史 上田
吉河　満男
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Fujitsu Ltd
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Fujitsu Ltd
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  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図より箪３図までは従来の液相エピタキシャル成長
装置の斜視図およびその断面図、第４図は本考案の液相
エピタキシャル成長装置の一実施例を示す断面図、第５
図ａより第６図Ｃまでは本考案の装置の保持具の平面図
およびそ９断面図、第７図ａより第７図Ｃまでは本考案
の装置に用いる基板の平面図およびその断面図である。 図において１は封管、２，１１はＣｄＴｅ基板、３．１
２は保持具、４，１３は凹所、５，１４は支持部材、６
はＨｇｚ　　ｘ　Ｃｄ　ｘ　Ｔｅ　（１）材料、１５は
窪み、１６．１８は傾斜面、１７は開孔部、Ｃは回転方
向を示す矢印を示す。 −第４図 第６図− （ｂ）。 ？四−−ゴー１１２Ａ　　−

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 耐熱封管に内接して基板を保持する保持具を挾持する１
    対の支持部材をそなえてなる構成において、前記保持具
    がその略中央部に前記基板の結晶成長面を露出して保持
    する凹所を有してなることを特徴とする液相エピタキシ
    ャル成長装置。゛
JP16561782U 1982-10-29 1982-10-29 液相エピタキシヤル成長装置 Granted JPS5969968U (ja)

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JPS5969968U true JPS5969968U (ja) 1984-05-12
JPH0129242Y2 JPH0129242Y2 (ja) 1989-09-06

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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5913697A (ja) * 1982-07-12 1984-01-24 Fujitsu Ltd 液相エピタキシヤル成長装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS5913697A (ja) * 1982-07-12 1984-01-24 Fujitsu Ltd 液相エピタキシヤル成長装置

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JPH0129242Y2 (ja) 1989-09-06

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