JPH0129257B2 - - Google Patents
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- JPH0129257B2 JPH0129257B2 JP19039181A JP19039181A JPH0129257B2 JP H0129257 B2 JPH0129257 B2 JP H0129257B2 JP 19039181 A JP19039181 A JP 19039181A JP 19039181 A JP19039181 A JP 19039181A JP H0129257 B2 JPH0129257 B2 JP H0129257B2
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N33/00—Investigating or analysing materials by specific methods not covered by groups G01N1/00 - G01N31/00
- G01N33/0004—Gaseous mixtures, e.g. polluted air
- G01N33/0009—General constructional details of gas analysers, e.g. portable test equipment
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- G01N33/0063—General constructional details of gas analysers, e.g. portable test equipment concerning the measuring method or the display, e.g. intermittent measurement or digital display using a threshold to release an alarm or displaying means
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- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はガス検出方法に関するもので、とく
にアルコールやケトン等の防害ガスをフイルター
に吸着させて除去し、ガス洩れや毒性ガスの発生
を検出するようにした方法の改良に関するもので
ある。
にアルコールやケトン等の防害ガスをフイルター
に吸着させて除去し、ガス洩れや毒性ガスの発生
を検出するようにした方法の改良に関するもので
ある。
ガス洩れにより生じるCH4やH2等のガス、不
完全燃焼等により生じるCO等の毒性ガスを選択
的に検出するため、活性炭等のフイルターにより
防害ガスを吸着させて除去する方法は古くから知
られている。活性炭をフイルターとしてエタノー
ルを除去する場合を例とすると、簡単なフイルタ
ーによりエタノールの濃度を数十分の１以下に低
下させることができる。このようにして従来
300ppm程度のエタノールで誤報していたCH4検
出方法（CH43000ppmが検出濃度）、20ppm程度
のエタノールで誤報していたCO検出方法
（CO100ppmが検出濃度）から（いずれもSnO2素
子を用いた場合）、誤報をほぼ除くことができる。
完全燃焼等により生じるCO等の毒性ガスを選択
的に検出するため、活性炭等のフイルターにより
防害ガスを吸着させて除去する方法は古くから知
られている。活性炭をフイルターとしてエタノー
ルを除去する場合を例とすると、簡単なフイルタ
ーによりエタノールの濃度を数十分の１以下に低
下させることができる。このようにして従来
300ppm程度のエタノールで誤報していたCH4検
出方法（CH43000ppmが検出濃度）、20ppm程度
のエタノールで誤報していたCO検出方法
（CO100ppmが検出濃度）から（いずれもSnO2素
子を用いた場合）、誤報をほぼ除くことができる。
ところでこのようなフイルターの活性は、吸着
したガスを再放出しないため、経時的に低下す
る。フイルターを再生させるためにはヒートクリ
ーニングを行えば良いが、フイルターの吸着能力
の低下を検出することは困難である。また１ケ月
程度の周期で動作するタイマーを設けて定期的に
ヒートクリーニングを行うことも考えられるが、
このようなタイマーは極めて高価である。特開昭
54―38190号は、活性炭フイルターのヒートクリ
ーニングを行うことは実用的でない旨を述べてい
る。
したガスを再放出しないため、経時的に低下す
る。フイルターを再生させるためにはヒートクリ
ーニングを行えば良いが、フイルターの吸着能力
の低下を検出することは困難である。また１ケ月
程度の周期で動作するタイマーを設けて定期的に
ヒートクリーニングを行うことも考えられるが、
このようなタイマーは極めて高価である。特開昭
54―38190号は、活性炭フイルターのヒートクリ
ーニングを行うことは実用的でない旨を述べてい
る。
この発明はフイルター活性の低下に即したヒー
トクリーニングを行うガス検出方法を提供するこ
とを目的とする。
トクリーニングを行うガス検出方法を提供するこ
とを目的とする。
この発明のガス検出方法は、活性炭やシリカゲ
ル等のフイルターに防害ガスを吸着させて除去
し、被検ガスのみをガスセンサにより検出する方
法において、ガスセンサの出力が一旦所定値を越
えた後に、再度前記の所定値以下となつた場合
に、ガスセンサの出力が前記の所定値以下となつ
た時から遅延時間が経過した後に、前記フイルタ
ーをヒートクリーニングすることを特徴とする。
ル等のフイルターに防害ガスを吸着させて除去
し、被検ガスのみをガスセンサにより検出する方
法において、ガスセンサの出力が一旦所定値を越
えた後に、再度前記の所定値以下となつた場合
に、ガスセンサの出力が前記の所定値以下となつ
た時から遅延時間が経過した後に、前記フイルタ
ーをヒートクリーニングすることを特徴とする。
この発明ではガスセンサの出力をフイルター活
性の低下の指標とする。
性の低下の指標とする。
これはヒートクリーニング回数の増大によるフ
イルターの劣化を避けるためである。ガスセンサ
の出力が増す場合として以下の３つのものが考え
られる。
イルターの劣化を避けるためである。ガスセンサ
の出力が増す場合として以下の３つのものが考え
られる。
フイルター活性の低下により防害ガスを除去
できない場合、 フイルターの能力以上の防害ガスが存在する
場合、 被検ガスが発生した場合。
できない場合、 フイルターの能力以上の防害ガスが存在する
場合、 被検ガスが発生した場合。
このうちの場合は、フイルターが防害ガスの
濃度を数十分の１以下にまで下げ得ることを考え
ると、少ないと思われる。の場合も、その頻度
は少なく、多くても月に１回程度と考えられる。
したがつてガスセンサの出力をフイルター活性の
低下の指標としても問題はない。また上記のや
の場合にヒートクリーニングを行つても、その
回数は極くわずかであり、フイルターの劣化を促
進するとは考えられない。ガスセンサの出力をフ
イルター活性の低下の指標とすることによつて無
駄なヒートクリーニングを避けることができる。
濃度を数十分の１以下にまで下げ得ることを考え
ると、少ないと思われる。の場合も、その頻度
は少なく、多くても月に１回程度と考えられる。
したがつてガスセンサの出力をフイルター活性の
低下の指標としても問題はない。また上記のや
の場合にヒートクリーニングを行つても、その
回数は極くわずかであり、フイルターの劣化を促
進するとは考えられない。ガスセンサの出力をフ
イルター活性の低下の指標とすることによつて無
駄なヒートクリーニングを避けることができる。
ヒートクリーニングの基準とするガスセンサの
出力としては、種々の値を用いることができ、例
えば被検ガスの警報濃度に対応した出力を用いれ
ば良い。またガスセンサの出力の時間平均を所定
値とし、一過性の高濃度の防害ガスによるヒート
クリーニングを避けるようにしても良い。
出力としては、種々の値を用いることができ、例
えば被検ガスの警報濃度に対応した出力を用いれ
ば良い。またガスセンサの出力の時間平均を所定
値とし、一過性の高濃度の防害ガスによるヒート
クリーニングを避けるようにしても良い。
ガスセンサの出力が所定値を越えた後に、再度
この所定値以下となつた場合に遅延時間をおいて
ヒートクリーニングを行うこととしたのは、実際
に被検ガスが発生している場合を考慮したもので
ある。この場合にヒートクリーニングを遅延時間
なしで行うと、被検ガスとフイルターから放出さ
れるガスとを区別できない。遅延時間を置くこと
によつて、ガスの検出を優先して行つた後にヒー
トクリーニングを行うことができる。
この所定値以下となつた場合に遅延時間をおいて
ヒートクリーニングを行うこととしたのは、実際
に被検ガスが発生している場合を考慮したもので
ある。この場合にヒートクリーニングを遅延時間
なしで行うと、被検ガスとフイルターから放出さ
れるガスとを区別できない。遅延時間を置くこと
によつて、ガスの検出を優先して行つた後にヒー
トクリーニングを行うことができる。
遅延時間は種々の方法により定めることがで
き、例えばガスセンサの出力が前記の所定値以下
に低下した後の一定時間とする、あるいは前記の
所定値以下の値とした第２の所定値までガスセン
サの出力が低下するまでの時間とする等の方法に
より定めれば良い。なお妨害ガス濃度が高濃度に
長時間保たれる場合、その間誤報が続き、またフ
イルターのヒートクリーニングも妨害ガスが除去
されるまで実行されないことになる。しかしこの
ようなことは希である。主な妨害ガスであるエタ
ノールの発生は、通常一過性のもので、長時間高
濃度のエタノールが発生することは希である。
き、例えばガスセンサの出力が前記の所定値以下
に低下した後の一定時間とする、あるいは前記の
所定値以下の値とした第２の所定値までガスセン
サの出力が低下するまでの時間とする等の方法に
より定めれば良い。なお妨害ガス濃度が高濃度に
長時間保たれる場合、その間誤報が続き、またフ
イルターのヒートクリーニングも妨害ガスが除去
されるまで実行されないことになる。しかしこの
ようなことは希である。主な妨害ガスであるエタ
ノールの発生は、通常一過性のもので、長時間高
濃度のエタノールが発生することは希である。
ガスセンサには、金属酸化物半導体の抵抗値の
変化を利用したもの、接触酸化による燃焼熱を測
温抵抗体の温度変化として検出するもの等を用い
れば良い。
変化を利用したもの、接触酸化による燃焼熱を測
温抵抗体の温度変化として検出するもの等を用い
れば良い。
フイルターの材質には、活性炭に限らず、シリ
カゲル、モレキユラーシーブ、活性アルミナ等を
広く用いることができる。このような吸着剤を、
耐熱繊維や絶縁加工を施したステンレス線等の網
で覆つたもの等を、フイルターとする。フイルタ
ーは、ガスセンサのケースに直接とりつける、あ
るいはガスセンサの周囲に配置するようにする。
周囲に配置しておけば、フイルターとガスセンサ
とが離れていても、かなりの程度に防害ガスを吸
収しうるからである。フイルターの一例を挙げる
と、20〜50メツシユの活性炭を耐熱繊維で包んだ
ものである。
カゲル、モレキユラーシーブ、活性アルミナ等を
広く用いることができる。このような吸着剤を、
耐熱繊維や絶縁加工を施したステンレス線等の網
で覆つたもの等を、フイルターとする。フイルタ
ーは、ガスセンサのケースに直接とりつける、あ
るいはガスセンサの周囲に配置するようにする。
周囲に配置しておけば、フイルターとガスセンサ
とが離れていても、かなりの程度に防害ガスを吸
収しうるからである。フイルターの一例を挙げる
と、20〜50メツシユの活性炭を耐熱繊維で包んだ
ものである。
ヒートクリーニングに用いるヒータとしては
種々のものがあり、正特性サーミスタ等を用いる
ことができる。ヒータはフイルターの内部あるい
は側周部等に装着する。
種々のものがあり、正特性サーミスタ等を用いる
ことができる。ヒータはフイルターの内部あるい
は側周部等に装着する。
ヒートクリーニングの温度と時間は、吸着剤の
種類により、適宜に選択すれば良い。活性炭を用
いる場合には、例えば120℃で１分間の加熱をヒ
ートクリーニングとすれば良い。
種類により、適宜に選択すれば良い。活性炭を用
いる場合には、例えば120℃で１分間の加熱をヒ
ートクリーニングとすれば良い。
以下にこのガス検出方法に用いる回路例を図面
をもとに説明する。
をもとに説明する。
第１図の回路は、ガス検出回路１、ブザー駆動
回路１１と、ヒートクリーニング回路２１とから
成つている。
回路１１と、ヒートクリーニング回路２１とから
成つている。
ガス検出回路１によりガスセンサ２の出力を取
り出す。ガスセンサ２には、SnO2等の金属酸化
物半導体に一対の電極３，４を接続したものを用
いる。電極３をヒータ兼用とし、トランス５によ
り1V程度に降圧した電圧を印加し、ガスセンサ
２を加熱する。ガスセンサ２には２つの負荷抵抗
６，７を直列に接続し、コンデンサ８、ツエナー
ダイオード９等により安定化した直流電圧を印加
する。このようにしてガスセンサ２の抵抗値の変
化を、負荷抵抗７への電圧の変化として検出す
る。
り出す。ガスセンサ２には、SnO2等の金属酸化
物半導体に一対の電極３，４を接続したものを用
いる。電極３をヒータ兼用とし、トランス５によ
り1V程度に降圧した電圧を印加し、ガスセンサ
２を加熱する。ガスセンサ２には２つの負荷抵抗
６，７を直列に接続し、コンデンサ８、ツエナー
ダイオード９等により安定化した直流電圧を印加
する。このようにしてガスセンサ２の抵抗値の変
化を、負荷抵抗７への電圧の変化として検出す
る。
ガス検出回路１のP1点の電位を、ブザー駆動
回路１１の比較器１２の正端子に入力する。比較
器１２では、この電位を基準電位と比較して、ト
ランジスタ１３を動作させ、ブザー１４を動作さ
せる。ブザー１４の鳴動により、ガス洩れや毒性
ガスの発生を報知する。
回路１１の比較器１２の正端子に入力する。比較
器１２では、この電位を基準電位と比較して、ト
ランジスタ１３を動作させ、ブザー１４を動作さ
せる。ブザー１４の鳴動により、ガス洩れや毒性
ガスの発生を報知する。
ガス検出回路１のP2点の電位をダイオード２
２を介してヒートクリーニング回路２１に入力す
る。
２を介してヒートクリーニング回路２１に入力す
る。
ヒートクリーニング回路２１では、コンデンサ
２３、抵抗２４，２５により一過性ガスの影響を
打ち消す。この場合に抵抗２４の抵抗値を抵抗２
５よりも小さくしておく。
２３、抵抗２４，２５により一過性ガスの影響を
打ち消す。この場合に抵抗２４の抵抗値を抵抗２
５よりも小さくしておく。
コンデンサ２３の正側の電極P3点の電位を、
比較器２６の正端子へ入力し、直流電源と抵抗２
５等の直列片のP4点の電位を比較器２６の負端
子へ入力する。
比較器２６の正端子へ入力し、直流電源と抵抗２
５等の直列片のP4点の電位を比較器２６の負端
子へ入力する。
比較器２６の出力端子P5をダイオード２７を
介して比較器２８の正端子に入力する。直流電源
２９とコンデンサ３０および抵抗３１とを直列に
接続し、コンデンサ３０と抵抗３１の中間接点
を、比較器２８の正端子に接続する。比較器２８
の負端子をP4点に接続する。
介して比較器２８の正端子に入力する。直流電源
２９とコンデンサ３０および抵抗３１とを直列に
接続し、コンデンサ３０と抵抗３１の中間接点
を、比較器２８の正端子に接続する。比較器２８
の負端子をP4点に接続する。
比較器２８の出力端子P6をダイオード３２を
介して比較器３３の負端子に入力する。直流電源
３４、コンデンサ３５および抵抗を直列に接続
し、コンデンサ３５の負極を、比較器３３の負端
子に接続する。比較器３３の正端子をP4点に接
続する。
介して比較器３３の負端子に入力する。直流電源
３４、コンデンサ３５および抵抗を直列に接続
し、コンデンサ３５の負極を、比較器３３の負端
子に接続する。比較器３３の正端子をP4点に接
続する。
３６はNAND回路で、比較器２８の出力端子
P6および比較器３３の出力端子P7を入力とする。
NAND回路３６の出力により、SCR３７を動作
させ、ヒートクリーニング用のヒータ３８を発熱
させる。
P6および比較器３３の出力端子P7を入力とする。
NAND回路３６の出力により、SCR３７を動作
させ、ヒートクリーニング用のヒータ３８を発熱
させる。
なおこの回路では、P1点の電位がP2点よりも
低くなるようにしたが、P1点とP2点を一致させ
る、あるいはP1点を高電位側とするようにして
も良い。またヒートクリーニング用のヒータ３８
と並列に発行ダイオード等を接続し、ヒートクリ
ーニングの実行を報知するようにしても良い。
低くなるようにしたが、P1点とP2点を一致させ
る、あるいはP1点を高電位側とするようにして
も良い。またヒートクリーニング用のヒータ３８
と並列に発行ダイオード等を接続し、ヒートクリ
ーニングの実行を報知するようにしても良い。
次に第２図にもとづきこの回路の動作を説明す
る。
る。
ガスセンサ２の出力が第２図Ａの破線のように
変動すると、ブザー駆動回路１１により、t1秒の
間ブザーが動作しガスの検出が行われる。
変動すると、ブザー駆動回路１１により、t1秒の
間ブザーが動作しガスの検出が行われる。
ガスセンサ２の出力のうち、一過性ガスの影響
によるものはコンデンサ２３により除かれ、フイ
ルターの能力以上の高濃度のガスが一時的に存在
しても、ヒートクリーニングは行われない。コン
デンサ２３により、ガスセンサ２の出力は第２図
Ａの実線のように変形される。
によるものはコンデンサ２３により除かれ、フイ
ルターの能力以上の高濃度のガスが一時的に存在
しても、ヒートクリーニングは行われない。コン
デンサ２３により、ガスセンサ２の出力は第２図
Ａの実線のように変形される。
この出力をP4点の基準電位と比較し、P5点に
第２図Ｂのような出力を得る。ついでこの出力を
コンデンサ３０によりt2秒だけ引き伸ばし、第２
図Ｃに示す出力をP6点に得る。t2は遅延時間に相
当するものである。コンデンサ３５を利用して、
P7点に第２図Ｄに示す出力を得る。ついで
NAND回路３８によりt3秒間だけ存在する出力
を得、この間ヒートクリーニングを行う。
第２図Ｂのような出力を得る。ついでこの出力を
コンデンサ３０によりt2秒だけ引き伸ばし、第２
図Ｃに示す出力をP6点に得る。t2は遅延時間に相
当するものである。コンデンサ３５を利用して、
P7点に第２図Ｄに示す出力を得る。ついで
NAND回路３８によりt3秒間だけ存在する出力
を得、この間ヒートクリーニングを行う。
ヒートクリーニング回路の変形例を第３図に、
その動作を第４図に示す。ガス検出回路およびブ
ザー駆動回路については、第１図のものと同様に
構成すれば良いので、説明を省略する。なお第３
図の回路では、一過性ガスの影響を除くための回
路構成を省略したが、必要に応じ第１図に示した
もの等を採用すれば良い。
その動作を第４図に示す。ガス検出回路およびブ
ザー駆動回路については、第１図のものと同様に
構成すれば良いので、説明を省略する。なお第３
図の回路では、一過性ガスの影響を除くための回
路構成を省略したが、必要に応じ第１図に示した
もの等を採用すれば良い。
ガス検出回路の出力を、ヒートクリーニング回
路４１にP10点から入力する。P10点の電位をV1
とする。この電位を比較器４２の正端子側、比較
器４３の負端子側、および比較器４４の正端子側
へ入力する。直流電源４５に４つの直列抵抗４
６，４７，４８，４９を接続して、基準電位V2，
V3，V4を得る。V2を比較器４２の負端子側へ、
V3を比較器４３の正端子側へ、V4を比較器４４
の負端子側へ接続する。比較器４２の出力端子
を、ダイオード５０を介して直流電源５１、コン
デンサ５２および抵抗５３の直列片のコンデンサ
５２と抵抗５３の間に接続する。この点の電位を
比較器５４の正端子に入力し、適宜の基準電位と
比較する。
路４１にP10点から入力する。P10点の電位をV1
とする。この電位を比較器４２の正端子側、比較
器４３の負端子側、および比較器４４の正端子側
へ入力する。直流電源４５に４つの直列抵抗４
６，４７，４８，４９を接続して、基準電位V2，
V3，V4を得る。V2を比較器４２の負端子側へ、
V3を比較器４３の正端子側へ、V4を比較器４４
の負端子側へ接続する。比較器４２の出力端子
を、ダイオード５０を介して直流電源５１、コン
デンサ５２および抵抗５３の直列片のコンデンサ
５２と抵抗５３の間に接続する。この点の電位を
比較器５４の正端子に入力し、適宜の基準電位と
比較する。
比較器５４、比較器４３および比較器４４の各
出力端子をAND素子５５に入力する。AND素子
５５の出力により、ヒートクリーニング用のヒー
タ５６を動作させる。
出力端子をAND素子５５に入力する。AND素子
５５の出力により、ヒートクリーニング用のヒー
タ５６を動作させる。
第４図Ａの実線に示すような電圧がヒートクリ
ーニング回路４１に入力されるとする。各基準電
位V2，V3，V4をそれぞれ一点鎖線で示す。比較
器５４の出力端子には第４図Ｂに示す出力が得ら
れる。また比較器４３の出力端子には第４図Ｃに
示す電圧が、比較器４４の出力端子には第４図Ｄ
に示す電圧が得られる。これによつてAND素子
５５の出力側には、V1がV3以下に低下しかつV4
に達するまでの間のみ、出力が得られる。なおな
んらかの原因によりV1がV4以下に低下しない場
合、コンデンサ５２および抵抗５３による遅延時
間の経過後にヒートクリーニングが打ち切られ
る。
ーニング回路４１に入力されるとする。各基準電
位V2，V3，V4をそれぞれ一点鎖線で示す。比較
器５４の出力端子には第４図Ｂに示す出力が得ら
れる。また比較器４３の出力端子には第４図Ｃに
示す電圧が、比較器４４の出力端子には第４図Ｄ
に示す電圧が得られる。これによつてAND素子
５５の出力側には、V1がV3以下に低下しかつV4
に達するまでの間のみ、出力が得られる。なおな
んらかの原因によりV1がV4以下に低下しない場
合、コンデンサ５２および抵抗５３による遅延時
間の経過後にヒートクリーニングが打ち切られ
る。
以上説明したようにこの発明では、ガスセンサ
の出力をフイルター活性の低下の指標とするの
で、フイルター活性の低下に応じたヒートクリー
ニングを行うことができる。またヒートクリーニ
ングの前に遅延時間を置くようにしたので、ガス
検出とヒートクリーニングを分離して行うことが
できる。
の出力をフイルター活性の低下の指標とするの
で、フイルター活性の低下に応じたヒートクリー
ニングを行うことができる。またヒートクリーニ
ングの前に遅延時間を置くようにしたので、ガス
検出とヒートクリーニングを分離して行うことが
できる。
第１図および第３図はこの発明のガス検出方法
を具体化した回路例を示すもので、第２図および
第４図は各回路例の動作を示す説明図である。 １……ガス検出回路、２……ガスセンサ、１１
……ブザー駆動回路、２１，４１……ヒートクリ
ーニング回路、３８，５６……ヒートクリーニン
グ用のヒータ。
を具体化した回路例を示すもので、第２図および
第４図は各回路例の動作を示す説明図である。 １……ガス検出回路、２……ガスセンサ、１１
……ブザー駆動回路、２１，４１……ヒートクリ
ーニング回路、３８，５６……ヒートクリーニン
グ用のヒータ。
Claims (1)
- １ 活性炭やシリカゲル等のフイルターに妨害ガ
スを吸着させて除去し、被検ガスのみをガスセン
サにより検出する方法において、ガスセンサの出
力が一旦所定値を越えた後に、再度前記の所定値
以下となつた場合に、ガスセンサの出力が前記の
所定値以下となつた時から遅延時間が経過した後
に、前記フイルターをヒートクリーニングするこ
とを特徴とするガス検出方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19039181A JPS5892847A (ja) | 1981-11-26 | 1981-11-26 | ガス検出方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19039181A JPS5892847A (ja) | 1981-11-26 | 1981-11-26 | ガス検出方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5892847A JPS5892847A (ja) | 1983-06-02 |
| JPH0129257B2 true JPH0129257B2 (ja) | 1989-06-08 |
Family
ID=16257374
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19039181A Granted JPS5892847A (ja) | 1981-11-26 | 1981-11-26 | ガス検出方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5892847A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4236174B2 (ja) * | 2003-12-26 | 2009-03-11 | フィガロ技研株式会社 | フルオロカーボンガスの検出装置 |
| JP4709630B2 (ja) * | 2005-10-27 | 2011-06-22 | 東海電子株式会社 | 呼気中アルコール測定方法 |
-
1981
- 1981-11-26 JP JP19039181A patent/JPS5892847A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5892847A (ja) | 1983-06-02 |
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