JPH01292908A - 弾性表面波フィルタ - Google Patents
弾性表面波フィルタInfo
- Publication number
- JPH01292908A JPH01292908A JP12175188A JP12175188A JPH01292908A JP H01292908 A JPH01292908 A JP H01292908A JP 12175188 A JP12175188 A JP 12175188A JP 12175188 A JP12175188 A JP 12175188A JP H01292908 A JPH01292908 A JP H01292908A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- acoustic wave
- surface acoustic
- electrode
- wave filter
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、基板電界の金属電極による短絡に起因する不
用反射波（Ｍａｚｅ ＥＬａｃｔｒｉｃａＬ Ｌｏａｄ
ｉｎｇ 。
用反射波（Ｍａｚｅ ＥＬａｃｔｒｉｃａＬ Ｌｏａｄ
ｉｎｇ 。
略称ｘｘｒ、）を抑圧した弾性表面波フィルタに関する
、 〔従来の技術〕 従来、基板電界の金属電極による短絡に起因する不用反
射波の抑圧については、米国電気電子学会論文誌 １９
７４年、エム・ティー・ティー２２、第９６０−９６４
頁（ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ、 、 １９７４． ＭＴＴ
−２２゜９ｐ、 ９６０〜９６４）において論じられて
いる。このち消すようにした構造である。
、 〔従来の技術〕 従来、基板電界の金属電極による短絡に起因する不用反
射波の抑圧については、米国電気電子学会論文誌 １９
７４年、エム・ティー・ティー２２、第９６０−９６４
頁（ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ、 、 １９７４． ＭＴＴ
−２２゜９ｐ、 ９６０〜９６４）において論じられて
いる。このち消すようにした構造である。
上記従来の技術では弾性表面波デバイスの周波数が高く
なるにつれて電極幅が細くなり、デバイスの作成が困難
になるという問題があった。
なるにつれて電極幅が細くなり、デバイスの作成が困難
になるという問題があった。
本発明は、周波数が高くなってもデバイスの作成が困難
にならない構造にした弾性表面波フィルタを提供するこ
とを目的とする。
にならない構造にした弾性表面波フィルタを提供するこ
とを目的とする。
上記課題を解決するために本発明においては、基板電界
の金属電極による短絡に起因する弾性表面波反射率が零
となるような電極材料と電極膜厚を選定することにした
、 基板電界の金属電極による短絡に起因する弾性表面波の
反射率εは規格化膜厚の関数として一般に次のよう忙表
わされる。
の金属電極による短絡に起因する弾性表面波反射率が零
となるような電極材料と電極膜厚を選定することにした
、 基板電界の金属電極による短絡に起因する弾性表面波の
反射率εは規格化膜厚の関数として一般に次のよう忙表
わされる。
但し λ：弾性表面波波長、ん：電極膜厚Ｃ１、ＣいＣ
８：基板定数 上記式によるｅを零にするような規格化膜厚を選択する
ことによって目的を達成することが出来る。
８：基板定数 上記式によるｅを零にするような規格化膜厚を選択する
ことによって目的を達成することが出来る。
基板電界の金属電極による短絡に起因する弾性表面波反
射率が零となるような規格化膜厚を選択することにより
不用反射波が抑圧されるため、従来、問題となっていた
振幅リップル、群遅延時間リップル等を減少させること
ができる。また、従来の手法では高周波化に伴い電極作
成が困難となるが、本発明によれば、従来の手法に比べ
電極指幅がほぼ２倍となるため、電極作用は容易になる
。
射率が零となるような規格化膜厚を選択することにより
不用反射波が抑圧されるため、従来、問題となっていた
振幅リップル、群遅延時間リップル等を減少させること
ができる。また、従来の手法では高周波化に伴い電極作
成が困難となるが、本発明によれば、従来の手法に比べ
電極指幅がほぼ２倍となるため、電極作用は容易になる
。
本発明を第１〜６図を用いて更に詳細に説明する。弾性
表面波フィルタで、第１図に示すような電極幅がλ／４
のソリッド型電極２（１は弾性表面波基板）を入出力電
極として用いると、従来の構造では入出力電極間で不用
な反射波が発生する。
表面波フィルタで、第１図に示すような電極幅がλ／４
のソリッド型電極２（１は弾性表面波基板）を入出力電
極として用いると、従来の構造では入出力電極間で不用
な反射波が発生する。
これは、ソリッド型電極２が基板電界を短絡する為に生
じた反射波（ＭＥＬ）で、振幅リップル、群遅延リップ
ルの原因となる。この反射波を抑圧するため、第２図に
示すスプリット型電極３が用いられてきた。これは、電
極幅をλ／８として、反射波が夫々打消し合うようにし
たものである。この方法は有効な手段であるが、スプリ
ット型電極は電極指幅がソリッド型電極の１／２と細く
なるため、高周波化に判い作成が困難となる。しかし、
第３図に示す規格化膜厚と反射率εの関係を利用して、
ｅが零となる膜厚を選択して反射波を抑圧すれば、第１
図に示すようなソリッド電極でも反射波を抑圧できる（
従って第１図は実施例図となる）。第３図に示した特性
は、基板に水晶、電極材料にアルミニウムを用いた場合
を示している。
じた反射波（ＭＥＬ）で、振幅リップル、群遅延リップ
ルの原因となる。この反射波を抑圧するため、第２図に
示すスプリット型電極３が用いられてきた。これは、電
極幅をλ／８として、反射波が夫々打消し合うようにし
たものである。この方法は有効な手段であるが、スプリ
ット型電極は電極指幅がソリッド型電極の１／２と細く
なるため、高周波化に判い作成が困難となる。しかし、
第３図に示す規格化膜厚と反射率εの関係を利用して、
ｅが零となる膜厚を選択して反射波を抑圧すれば、第１
図に示すようなソリッド電極でも反射波を抑圧できる（
従って第１図は実施例図となる）。第３図に示した特性
は、基板に水晶、電極材料にアルミニウムを用いた場合
を示している。
ここで反射率εは次のように表わされる。
ε −ｃ、＋ ｃ、・ （ル／λ ）十〇、・ （Ａ
／λ ）２・・・・・・・・・・・・ （１）但し Ｃ
Ｉ、 （’２ 、 Ｃ３は基板定数で実験により、ｃｌ
−０，００５＊ ＣＩ冨−１，２＋ ’ｓ −”と求め
られた。この結果から、反射率６が零となｈ／λ≒ ４
．５ Ｘ １０−’ ｌ ５．５ Ｘ １０−” トな
る。ヨっテ、この規格化膜厚で弾性表面波フィルタを作
成すると不用反射波が抑圧され、振幅リップル、群遅延
リップルを減少できる。実施例では、中心周波数２８０
３ｆＨｚ、εが零となる規格化膜厚５．３ｘ１１）−ｚ
より電極膜厚５ＢＯＦ＆ｓ＋基板４２．７５°ｙ−ｘ水
晶、ソリッド型入力電極対数３０対、ソリッド型出力電
極対数４８対の構成とした。この時の周波数特性を第６
図に示す。また、比較のため電極膜厚を５００ａｍとし
た時の周波数特性を第５図に示す。この二つの周波数特
性より、本発明の実施例では振幅リップル、群遅延リッ
プルがほとんど見られず、不用反射波を抑圧しているこ
とが判る。また、本実施例では、反射率εが零となる規
格化膜厚として５．３ ｘ １０−”なる値を選択した
が、４．５ ｘ １０−”なる値を選択しても同様な効
果が得られる。その他の実施例として第４図に示すもの
がある。これは、反射率εが規格化膜厚の値によって正
負の値を敗るため、絶対値が等しく、符号が逆の規格化
膜厚を選択し、交互に配置することにより反射波をそれ
ぞれ打ち上記条件を満たしている。また、本実施例では
ソリッド型電極を用いているがスプリットＷｔ極を用い
た場合は、膜厚がばらついた場合でも不用反射波を抑圧
できるという利点がある。
／λ ）２・・・・・・・・・・・・ （１）但し Ｃ
Ｉ、 （’２ 、 Ｃ３は基板定数で実験により、ｃｌ
−０，００５＊ ＣＩ冨−１，２＋ ’ｓ −”と求め
られた。この結果から、反射率６が零となｈ／λ≒ ４
．５ Ｘ １０−’ ｌ ５．５ Ｘ １０−” トな
る。ヨっテ、この規格化膜厚で弾性表面波フィルタを作
成すると不用反射波が抑圧され、振幅リップル、群遅延
リップルを減少できる。実施例では、中心周波数２８０
３ｆＨｚ、εが零となる規格化膜厚５．３ｘ１１）−ｚ
より電極膜厚５ＢＯＦ＆ｓ＋基板４２．７５°ｙ−ｘ水
晶、ソリッド型入力電極対数３０対、ソリッド型出力電
極対数４８対の構成とした。この時の周波数特性を第６
図に示す。また、比較のため電極膜厚を５００ａｍとし
た時の周波数特性を第５図に示す。この二つの周波数特
性より、本発明の実施例では振幅リップル、群遅延リッ
プルがほとんど見られず、不用反射波を抑圧しているこ
とが判る。また、本実施例では、反射率εが零となる規
格化膜厚として５．３ ｘ １０−”なる値を選択した
が、４．５ ｘ １０−”なる値を選択しても同様な効
果が得られる。その他の実施例として第４図に示すもの
がある。これは、反射率εが規格化膜厚の値によって正
負の値を敗るため、絶対値が等しく、符号が逆の規格化
膜厚を選択し、交互に配置することにより反射波をそれ
ぞれ打ち上記条件を満たしている。また、本実施例では
ソリッド型電極を用いているがスプリットＷｔ極を用い
た場合は、膜厚がばらついた場合でも不用反射波を抑圧
できるという利点がある。
また、文献［正負反射製弾性表面波反射器及び共振器」
、性向、山之内電子通信学会技術研究報告、ＵＳＢ５−
１１ より、第７図に示す特性から基板１にリチウム
タンタレートを用いた場合、電極材り人 料に金を用い、規格化膜厚］をＴ ＃５．６ ｘ １０
−” とすることで反射率ｅを零にすることが出来る
。そして第８図に示す特性から基板１にリチウムナイオ
ベートを用いた場合、電極材料にアルミニウムを用い規
格化膜厚ｈ／λをｈ／λ≒２．５ ｘ １０−” と
することにより反射率ｅを零とすることが出来る。
、性向、山之内電子通信学会技術研究報告、ＵＳＢ５−
１１ より、第７図に示す特性から基板１にリチウム
タンタレートを用いた場合、電極材り人 料に金を用い、規格化膜厚］をＴ ＃５．６ ｘ １０
−” とすることで反射率ｅを零にすることが出来る
。そして第８図に示す特性から基板１にリチウムナイオ
ベートを用いた場合、電極材料にアルミニウムを用い規
格化膜厚ｈ／λをｈ／λ≒２．５ ｘ １０−” と
することにより反射率ｅを零とすることが出来る。
本実施例では、純アルミニウム、金を用いて説明したが
、上記材料を主材とし、それに不純物を含めた場合にも
同様の効果があることはいうまでもない。また、水晶基
板にアルミニウムと金の混合比をほぼ１対１とした電極
材料を用いると、反射率は膜厚に関係なくほぼ零を示す
ことが実験により判ったため、この電極材料を用いるこ
とで反射波を抑圧することができる。その他に異なる２
種類の電極材料を交互に配置した第１０図に示すような
構造において、電極材料にアルミニウムと金の２種類を
用い、基板に水晶またはリチウムタンタレートを用いる
と、電極材料により反射係数の符号が異なるためアルミ
ニウム電極部と金電極部での反射波位相が逆相となる。
、上記材料を主材とし、それに不純物を含めた場合にも
同様の効果があることはいうまでもない。また、水晶基
板にアルミニウムと金の混合比をほぼ１対１とした電極
材料を用いると、反射率は膜厚に関係なくほぼ零を示す
ことが実験により判ったため、この電極材料を用いるこ
とで反射波を抑圧することができる。その他に異なる２
種類の電極材料を交互に配置した第１０図に示すような
構造において、電極材料にアルミニウムと金の２種類を
用い、基板に水晶またはリチウムタンタレートを用いる
と、電極材料により反射係数の符号が異なるためアルミ
ニウム電極部と金電極部での反射波位相が逆相となる。
このため反射波を抑圧することが出来る。また、第９図
に示す如く電極指輪の半分ずつ、夫々異なる膜厚とし、
対向する隣接電極指の半分が同じ膜厚になるように配置
することによっても同様に反射波が逆相で加わるため抑
圧することができる。その他に反射波抑圧のための構造
として第１１図に示すものを用いることができる。これ
は、すだれ状電極の一部分を弾性表面波基板内に埋め込
むことによって反射率を零とし反射波を抑圧するもので
ある。
に示す如く電極指輪の半分ずつ、夫々異なる膜厚とし、
対向する隣接電極指の半分が同じ膜厚になるように配置
することによっても同様に反射波が逆相で加わるため抑
圧することができる。その他に反射波抑圧のための構造
として第１１図に示すものを用いることができる。これ
は、すだれ状電極の一部分を弾性表面波基板内に埋め込
むことによって反射率を零とし反射波を抑圧するもので
ある。
以上説明したように本発明によれば、ソリッド型電極を
用いて不用反射波を抑圧しながら、振幅リップル、群遅
延リップルを減少させる効果が得られる。実施例では、
振幅リップルが３ｄＢ 、群遅延リップルが１００ ｎ
ｚ改善された。
用いて不用反射波を抑圧しながら、振幅リップル、群遅
延リップルを減少させる効果が得られる。実施例では、
振幅リップルが３ｄＢ 、群遅延リップルが１００ ｎ
ｚ改善された。
第１図は本発明の一実施例図、第２図は従来例図、第３
図は水晶基板とアルミニウム電極を用いた場合の規格化
膜厚と反射率の間の関係を示す特性図、第４図はその他
の実施例図、第５図は反射率が零でない時の周波数特性
図、第６図は反射率を零とした時の周波数特性図、第７
図はリチウムナイオベート基板とアルミニウム電極を用
いた場合の規格化膜厚に対する反射率特性図、第８図は
リチウムタンタレート基板と金電極を用いた場合の規格
化膜厚に対する反射率特性図、第９．１０．１１図は更
に他の実施例を示す図である。 １・・・・・・・・・・・・基板 ２・・・・・・・・・・・・ソリッド型電極３・・・・
・・・・・・・・スプリット型電極代理人 弁理士 小
川 勝 男 ４１図 〒２図 閘５図 夕月Ｌ ネ４イと、膜 刀１ むくヌ、（２ン Ａ−Ａ’断面図 〒５図 周５１ＬｆＬｍＨｚフ 犬克、ネ７トイ１：、Ｏ乃ト ヘ／〉。 夫り格イし月！厚 狭 党ｃ３図 （２ン Ａ−Ａ’ｌ！ＩＴ菌囚 八−Ａ′断面図 Ａ−Ａ′ｍ面図
図は水晶基板とアルミニウム電極を用いた場合の規格化
膜厚と反射率の間の関係を示す特性図、第４図はその他
の実施例図、第５図は反射率が零でない時の周波数特性
図、第６図は反射率を零とした時の周波数特性図、第７
図はリチウムナイオベート基板とアルミニウム電極を用
いた場合の規格化膜厚に対する反射率特性図、第８図は
リチウムタンタレート基板と金電極を用いた場合の規格
化膜厚に対する反射率特性図、第９．１０．１１図は更
に他の実施例を示す図である。 １・・・・・・・・・・・・基板 ２・・・・・・・・・・・・ソリッド型電極３・・・・
・・・・・・・・スプリット型電極代理人 弁理士 小
川 勝 男 ４１図 〒２図 閘５図 夕月Ｌ ネ４イと、膜 刀１ むくヌ、（２ン Ａ−Ａ’断面図 〒５図 周５１ＬｆＬｍＨｚフ 犬克、ネ７トイ１：、Ｏ乃ト ヘ／〉。 夫り格イし月！厚 狭 党ｃ３図 （２ン Ａ−Ａ’ｌ！ＩＴ菌囚 八−Ａ′断面図 Ａ−Ａ′ｍ面図
Claims (9)
- １．弾性表面波基板上に少なくとも２個のすだれ状電極
を配置した弾性表面波フィルタにおいて、基板電界の金
属電極による短絡に起因する弾性表面波反射波の反射率
が零となるような電極材料と電極膜厚にしたことを特徴
とする弾性表面波フィルタ。 - ２．弾性表面波基板に水晶を、電極材料にアルミニウム
を主材とする金属材料を用い、電極膜厚をｈ、弾性表面
波波長をλで表したとき、 ｈ／λ≒４．５×１０＾−＾３又はｈ／λ≒５．３×１
０＾−＾２となるようにしたことを特徴とする請求項１
記載の弾性表面波フィルタ。 - ３．弾性表面波基板にリチウムタンタレートを、電極材
料に金を主材とする金属材料を用い、電極膜厚をｈ、弾
性表面波波長をλで表したとき、Ａ／λ≒３．６×１０
＾−＾３となるようにしたことを特徴とする請求項１記
載の弾性表面波フィルタ。 - ４．弾性表面波基板にリチウムナイオペートを、電極材
料にアルミニウムを主材とする金属材料を用い、電極膜
厚をｈ、弾性表面波波長をλで表したとき、ｈ／λ≒２
．５×１０＾−＾２となるようにしたことを特徴とする
請求項１記載の弾性表面波フィルタ。 - ５．弾性表面波基板上に少なくとも２個のすだれ状電極
を配置した弾性表面波フィルタにおいて、一方のすだれ
状電極の電極膜厚をｈ＿Ａで、他方の電極の膜厚をｈ＿
Ｂで作成し、膜厚ｈ＿Ａでの基板電界の金属電極による
短絡に起因する弾性表面波反射率をε＿Ａ、膜厚ｈ＿Ｂ
での反射率をε＿Ｂとするとき、上記膜厚が、ε＿Ａ＝
−ε＿Ｂなる関係を満足するようにしたことを特徴とす
る請求項１記載の弾性表面波フィルタ。 - ６．弾性表面波基板に水晶またはリチウムタンタレート
を用い、その基板上に少なくとも２個のすだれ状電極を
配置した弾性表面波フィルタにおいて、アルミニウムを
材料とした電極指と金を材料とした電極指を交互に配置
したすだれ状電極で構成されていることを特徴とする請
求項１記載の弾性表面波フィルタ。 - ７．電極材料にアルミニウムと金の混合比がほぼ１対１
である合金を用いたことを特徴とする請求項１記載の弾
性表面フィルタ。 - ８．すだれ状電極の各電極指が、電極指幅の１／２が残
り幅１／２の膜厚と異なる膜厚に構成され、かつ幅方向
に対向する隣接電極指端部の膜厚が同じになるように配
置したことを特徴とする請求項１記載の弾性表面波フィ
ルタ。 - ９．すだれ状電極を弾性表面波基板内に其の一部分また
は全体を埋め込んだことを特徴とする請求項１記載の弾
性表面波フィルタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12175188A JPH01292908A (ja) | 1988-05-20 | 1988-05-20 | 弾性表面波フィルタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12175188A JPH01292908A (ja) | 1988-05-20 | 1988-05-20 | 弾性表面波フィルタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01292908A true JPH01292908A (ja) | 1989-11-27 |
Family
ID=14818984
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12175188A Pending JPH01292908A (ja) | 1988-05-20 | 1988-05-20 | 弾性表面波フィルタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01292908A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5396199A (en) * | 1992-09-02 | 1995-03-07 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Surface acoustic wave device |
| US7626314B2 (en) | 2006-12-27 | 2009-12-01 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave device |
| WO2022045088A1 (ja) * | 2020-08-24 | 2022-03-03 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5518805B2 (ja) * | 1975-04-15 | 1980-05-21 |
-
1988
- 1988-05-20 JP JP12175188A patent/JPH01292908A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5518805B2 (ja) * | 1975-04-15 | 1980-05-21 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5396199A (en) * | 1992-09-02 | 1995-03-07 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Surface acoustic wave device |
| US7626314B2 (en) | 2006-12-27 | 2009-12-01 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave device |
| WO2022045088A1 (ja) * | 2020-08-24 | 2022-03-03 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7728699B2 (en) | Acoustic wave filter | |
| US20080266027A1 (en) | Longitudinally-coupled-resonator-type elastic wave filter device | |
| JP7464062B2 (ja) | 弾性波装置 | |
| JPH025327B2 (ja) | ||
| US5666092A (en) | Bandpass filter having at least two saw resonator filters coupled in parallel | |
| US20200389147A1 (en) | Acoustic wave device | |
| US11606079B2 (en) | Transducer structure for source suppression in saw filter devices | |
| JPS60169210A (ja) | 表面波装置 | |
| JP2847438B2 (ja) | 弾性表面波素子 | |
| JP2004135267A (ja) | 表面波装置 | |
| JP2982208B2 (ja) | 弾性表面波素子 | |
| US3987377A (en) | Elastic surface wave propagation device | |
| JPH01292908A (ja) | 弾性表面波フィルタ | |
| JPS6231860B2 (ja) | ||
| JP3040928B2 (ja) | 弾性表面波トランスデューサ | |
| JP3194784B2 (ja) | 弾性表面波装置 | |
| JPH02250413A (ja) | 弾性表面波装置 | |
| JPS6142447B2 (ja) | ||
| JPH11205071A (ja) | 弾性表面波装置 | |
| JPH02250412A (ja) | 弾性表面波装置 | |
| JP3197883B2 (ja) | 弾性表面波トランスデューサ | |
| JPH02260908A (ja) | 弾性表面波装置 | |
| JPH04331505A (ja) | 弾性表面波コンボルバ | |
| JP2006157557A (ja) | 弾性表面波装置 | |
| JPH02198211A (ja) | 表面弾性波共振子 |