JPH01293503A - 正の抵抗温度特性を有する半導体磁器 - Google Patents
正の抵抗温度特性を有する半導体磁器Info
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- JPH01293503A JPH01293503A JP12459088A JP12459088A JPH01293503A JP H01293503 A JPH01293503 A JP H01293503A JP 12459088 A JP12459088 A JP 12459088A JP 12459088 A JP12459088 A JP 12459088A JP H01293503 A JPH01293503 A JP H01293503A
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Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、セラミクス層と内部電極とを交互に積層して
なり、正の抵抗温度特性を有する半導体磁器に関し、特
に大量生産を可能にして、生産性を向上できるようにし
た半導体磁器の構造に関する。
なり、正の抵抗温度特性を有する半導体磁器に関し、特
に大量生産を可能にして、生産性を向上できるようにし
た半導体磁器の構造に関する。
（従来の技術〕
一般に、正特性サーミスタとして採用される半導体磁器
は、ある所定の温度で導体から絶縁体へ移行する特性を
有している。このような半導体磁器として、従来、第５
図に示すような構造のものがある（特開昭６１−１５３
０２号公報参照）、この半導体磁器２０は、セラミクス
層２１と内部電極２２とを交互に積層して、一体焼結さ
れた焼結体２３の両側面２３ａ、２３ｂに外部電極２４
を形成して構成されている。また、上記各内部電極２２
の図示左、右端面は、上記焼結体２３の左側面２３ａと
右側面２３ｂとに交互に導出されて上記外部電極２４に
接続されている。
は、ある所定の温度で導体から絶縁体へ移行する特性を
有している。このような半導体磁器として、従来、第５
図に示すような構造のものがある（特開昭６１−１５３
０２号公報参照）、この半導体磁器２０は、セラミクス
層２１と内部電極２２とを交互に積層して、一体焼結さ
れた焼結体２３の両側面２３ａ、２３ｂに外部電極２４
を形成して構成されている。また、上記各内部電極２２
の図示左、右端面は、上記焼結体２３の左側面２３ａと
右側面２３ｂとに交互に導出されて上記外部電極２４に
接続されている。
ところで、上記焼結体２３に外部電極２４を形成する場
合は、従来、導電性ペーストを塗布した後、焼付けて、
たとえばオーミック性の銀電極を形成するようにしてい
る。
合は、従来、導電性ペーストを塗布した後、焼付けて、
たとえばオーミック性の銀電極を形成するようにしてい
る。
しかしながら、上記従来の外部電極の形成方法では、焼
結体の両側面に導電性ペーストを塗布する工程を含むこ
とから、生産性が低いという問題点がある。
結体の両側面に導電性ペーストを塗布する工程を含むこ
とから、生産性が低いという問題点がある。
本発明の目的は、上記外部ｔｉを容易に形成でき、生産
性を向上できる半導体磁器を提供することにある。
性を向上できる半導体磁器を提供することにある。
本件発明者らは、上記従来の問題点を解決するために半
導体磁器の、特に外部電極の構造について検討したとこ
ろ、電解メッキにより上記外部電極を形成することに着
目した。この電解メッキによれば、設備が簡単で、しか
も−度に大量の処理ができることから、従来の導電性ペ
ーストを塗布する場合に比べて生産性の向上が期待でき
る。ところが、上記焼結体に電解メッキを施すと、上記
焼結体はユニット全体が半導体であることから、該ユニ
ット全体に金属が析出してしまうという問題が生じ、こ
のままでは電解メッキが採用できないことが判明した。
導体磁器の、特に外部電極の構造について検討したとこ
ろ、電解メッキにより上記外部電極を形成することに着
目した。この電解メッキによれば、設備が簡単で、しか
も−度に大量の処理ができることから、従来の導電性ペ
ーストを塗布する場合に比べて生産性の向上が期待でき
る。ところが、上記焼結体に電解メッキを施すと、上記
焼結体はユニット全体が半導体であることから、該ユニ
ット全体に金属が析出してしまうという問題が生じ、こ
のままでは電解メッキが採用できないことが判明した。
そこで、上記焼結体の外表面の、金属析出の不要部分に
絶縁層を形成してやれば、不要部分における電解メッキ
による金属の折中を防止できることに想到し、本発明を
成したものである。
絶縁層を形成してやれば、不要部分における電解メッキ
による金属の折中を防止できることに想到し、本発明を
成したものである。
そこで本発明は、正の抵抗温度特性を有する半導体磁器
において、セラミクス層と内部電極とを交互に積層して
なる積層体の側面に上記内部電極の端面を露出させ、こ
の積層体の内部電極の露出部を除く外表面部分に絶縁層
を形成し、上記各内部電極の露出部を覆うように電解メ
ッキによって外部電極を形成したことを特徴としている
。
において、セラミクス層と内部電極とを交互に積層して
なる積層体の側面に上記内部電極の端面を露出させ、こ
の積層体の内部電極の露出部を除く外表面部分に絶縁層
を形成し、上記各内部電極の露出部を覆うように電解メ
ッキによって外部電極を形成したことを特徴としている
。
ここで、上記ｍ縁層は、例えば、内部ｔｔｉの形成工程
の途中において、積層体内に内部電極用空隙層が形成さ
れた後、これを磁性容器内にＢｂｆ）ｓ等の酸化剤と共
に充填して加熱することにより、該酸化剤を熱拡散させ
て形成することができる。
の途中において、積層体内に内部電極用空隙層が形成さ
れた後、これを磁性容器内にＢｂｆ）ｓ等の酸化剤と共
に充填して加熱することにより、該酸化剤を熱拡散させ
て形成することができる。
本発明に係る正の抵抗温度特性を有する半導体磁器によ
れば、外表面の、内部電極の露出部以外の部分に絶縁層
を形成したので、電解メッキにより外部電極を形成でき
る。即ち、上記積層体をメッキ溶液中に浸漬して電解メ
ッキを施すことにより、上記内部電極の露出部のみに外
部電極としての金属が析出し、これが成長して積層体の
側面に、各内部電極の露出部を覆うように外部電極が形
成されることとなる。また、この場合の絶縁層は、例え
ば多数の積層体を磁器容器内に投入し、これに酸化剤を
添加し、該酸化剤の熱拡散により容易に形成でき、しか
も上記電解メッキ処理も一度に大量処理できるから、従
来のペーストを塗布する作業に比べて、生産性を大幅に
向上できる。
れば、外表面の、内部電極の露出部以外の部分に絶縁層
を形成したので、電解メッキにより外部電極を形成でき
る。即ち、上記積層体をメッキ溶液中に浸漬して電解メ
ッキを施すことにより、上記内部電極の露出部のみに外
部電極としての金属が析出し、これが成長して積層体の
側面に、各内部電極の露出部を覆うように外部電極が形
成されることとなる。また、この場合の絶縁層は、例え
ば多数の積層体を磁器容器内に投入し、これに酸化剤を
添加し、該酸化剤の熱拡散により容易に形成でき、しか
も上記電解メッキ処理も一度に大量処理できるから、従
来のペーストを塗布する作業に比べて、生産性を大幅に
向上できる。
以下、本発明の実施例を図について説明する。
第１図ないし第４図は本発明の一実施例による半導体磁
器を説明するための図である。
器を説明するための図である。
第１図において、ｌは本実施例の半導体磁器であり、こ
れの外形は、長さ１０ｍ、幅５ｆｌ、厚さ２日程度の直
方体状のものである。上記半導体磁器１は、チタン酸バ
リウム系セラミクス層２と卑金属、例えば錫からなる内
部電極３とを交互に積層して積層体４を形成し、該積層
体４の左、右側面４ａ、４ｂに上記内部電極３の左、右
端面を交互に露出させるとともに、該露出部３ａを除く
上記積層体４の外表面部分にＢｌ、Ｑ、からなる絶縁層
５を形成して構成されている。また、上記積層体４の両
側面４ａ、４ｂにはＮ１からなる第１外部電極６が形成
されており、この第１外部１！掻６は上記内部［橿３の
露出部３ａに接続されている。
れの外形は、長さ１０ｍ、幅５ｆｌ、厚さ２日程度の直
方体状のものである。上記半導体磁器１は、チタン酸バ
リウム系セラミクス層２と卑金属、例えば錫からなる内
部電極３とを交互に積層して積層体４を形成し、該積層
体４の左、右側面４ａ、４ｂに上記内部電極３の左、右
端面を交互に露出させるとともに、該露出部３ａを除く
上記積層体４の外表面部分にＢｌ、Ｑ、からなる絶縁層
５を形成して構成されている。また、上記積層体４の両
側面４ａ、４ｂにはＮ１からなる第１外部電極６が形成
されており、この第１外部１！掻６は上記内部［橿３の
露出部３ａに接続されている。
さらに、上記第１外部電極６の外表面には、低融点金属
の錫からなる第２外部電極７が形成されている。
の錫からなる第２外部電極７が形成されている。
次に本実施例の半導体磁器１の製造方法を第２図ないし
第４図について説明する。
第４図について説明する。
■ まず、主成分としての３ａＴｉＯｔに、半導体化剤
としてＹｘＯｓ、鉱化剤としてＳｉＯオ及びＡｌｔｏｓ
、特性改善剤としてＭ ｎ Ｏｔを添加して混合粉砕し
、これにアクリル系有機バインダーを混合してスラリー
状のセラミクス材料を生成する。そして、このセラミク
ス材料を所定の均一厚さのグリーンシートに成形する。
としてＹｘＯｓ、鉱化剤としてＳｉＯオ及びＡｌｔｏｓ
、特性改善剤としてＭ ｎ Ｏｔを添加して混合粉砕し
、これにアクリル系有機バインダーを混合してスラリー
状のセラミクス材料を生成する。そして、このセラミク
ス材料を所定の均一厚さのグリーンシートに成形する。
■ 一方、ＢａＴｉＯｓ焼結粉末にカーボンとフェスと
を混合してペーストを作成する。そしてこのペーストを
上記グリーンシートの上面に内部を極のパターンに応じ
た形状に印刷し、これを矩形状にカッティングする。こ
れにより上記ペースト８の一辺部分８ａのみがグリーン
シート９の外縁まで延び、他の辺部分８ｂは内方に位置
することとなる０次に、第２図に示すように、上記各ペ
ースト８の一辺部分８ａが交互に外方に露出するように
各グリーンシート９をＭＭ’ｌ、さらにこの積層された
シート９の上、下にダミーとしてのセラミクスシート１
０を重ねて積層体を形成し、この積層体をプレスにより
積層方向に圧着する。
を混合してペーストを作成する。そしてこのペーストを
上記グリーンシートの上面に内部を極のパターンに応じ
た形状に印刷し、これを矩形状にカッティングする。こ
れにより上記ペースト８の一辺部分８ａのみがグリーン
シート９の外縁まで延び、他の辺部分８ｂは内方に位置
することとなる０次に、第２図に示すように、上記各ペ
ースト８の一辺部分８ａが交互に外方に露出するように
各グリーンシート９をＭＭ’ｌ、さらにこの積層された
シート９の上、下にダミーとしてのセラミクスシート１
０を重ねて積層体を形成し、この積層体をプレスにより
積層方向に圧着する。
■ 上記積層体を、空気中にて約１３００℃に加熱し焼
成する。すると、上記ペースト８内のカーボンが焼失し
、該ペースト８部分にポーラス層１）が形成された焼結
体４が得られる（第３図（ａｌ参照）。
成する。すると、上記ペースト８内のカーボンが焼失し
、該ペースト８部分にポーラス層１）が形成された焼結
体４が得られる（第３図（ａｌ参照）。
■ 次に、第４図に示すような筒状の磁器ボット１２内
に上記焼結体４を投入するとともに、酸化剤としてのＢ
ｉ□０．粉末を添加し、上記ポット１２を回転させなが
ら、１０００℃に加熱する。すると、上記３ｉ、○、粉
末が焼結体４の外表面に熱拡散して該表面部分を絶縁体
化し、これにより絶縁層５が形成される（第３図〜）参
照）、ここで、上記ポーラス層１）の開口部分は、上述
の熱拡散によっても絶縁体化されることはなく、従って
上記絶縁層５は、上記焼結体４の外表面の、ポーラス層
１）の開口を除く部分に形成されることとなる。
に上記焼結体４を投入するとともに、酸化剤としてのＢ
ｉ□０．粉末を添加し、上記ポット１２を回転させなが
ら、１０００℃に加熱する。すると、上記３ｉ、○、粉
末が焼結体４の外表面に熱拡散して該表面部分を絶縁体
化し、これにより絶縁層５が形成される（第３図〜）参
照）、ここで、上記ポーラス層１）の開口部分は、上述
の熱拡散によっても絶縁体化されることはなく、従って
上記絶縁層５は、上記焼結体４の外表面の、ポーラス層
１）の開口を除く部分に形成されることとなる。
■ 次に、上記絶縁層５が形成された焼結体４を低融点
の重金］Ｉ４（錫、鉛等又はこれらの合金）、例えばｗ
Ａ溶液中に浸漬し、上記ポーラスＮｌｌ内に錫を加圧注
入する。これにより、上記ポーラスＪｉ１）部分は内部
電極３となり、該電極３の端面３ａは上記焼結体４の側
面４ａ、４ｂに露出することになる（第３図（Ｃ１参照
）。
の重金］Ｉ４（錫、鉛等又はこれらの合金）、例えばｗ
Ａ溶液中に浸漬し、上記ポーラスＮｌｌ内に錫を加圧注
入する。これにより、上記ポーラスＪｉ１）部分は内部
電極３となり、該電極３の端面３ａは上記焼結体４の側
面４ａ、４ｂに露出することになる（第３図（Ｃ１参照
）。
■ 上記内部電極３が形成された焼結体４をＮｉメッキ
液中に浸漬し、これを除権として直流電流を流して電解
メッキ処理を施す、すると、Ｎｉが上記内部電極３の露
出部３ａのみに析出し、これが側面４ｂ上を拡がりなが
ら成長し、これにより側面４ｂ部分に第１外部電極６が
形成されることになる。さらに、上記第１外部電極６の
表面に半田付は性を向上させるために、電解メッキ又は
スパフタリングにより錫からなる第２外部電極７を形成
する（第３図（Ｃ１参照）、これにより、本実施例の半
導体磁器１が製造されることとなる。
液中に浸漬し、これを除権として直流電流を流して電解
メッキ処理を施す、すると、Ｎｉが上記内部電極３の露
出部３ａのみに析出し、これが側面４ｂ上を拡がりなが
ら成長し、これにより側面４ｂ部分に第１外部電極６が
形成されることになる。さらに、上記第１外部電極６の
表面に半田付は性を向上させるために、電解メッキ又は
スパフタリングにより錫からなる第２外部電極７を形成
する（第３図（Ｃ１参照）、これにより、本実施例の半
導体磁器１が製造されることとなる。
次に本実施例の作用効果について説明する。
本実施例の半導体磁器１によれば、焼結体４の内部ｔｉ
３の露出部３ａを除く外表面に絶縁Ｍ５を形成したので
、外部電極６，７の形成に際して電解メッキの採用が可
能となり、生産性を向上でき、それだけ部品コストを低
減できる。
３の露出部３ａを除く外表面に絶縁Ｍ５を形成したので
、外部電極６，７の形成に際して電解メッキの採用が可
能となり、生産性を向上でき、それだけ部品コストを低
減できる。
なお、上記実施例では、焼結体４の外表面に絶縁Ｎ５を
形成し、次に卑金属を加圧注入し、電解メッキを施すこ
とによって外部電極６を形成したが、本発明では次の手
順で外部電極を形成してもよい０例えば、上記絶縁層５
を形成した後、まずポーラスの外部電極層を形成し、こ
のポーラス外部電極層及び上記ポーラス層１）の両方に
卑金属を加圧注入し、しかる後電解メッキを施してもよ
い。このようにした場合は電解メッキに要する処理時間
が大幅に短縮される。
形成し、次に卑金属を加圧注入し、電解メッキを施すこ
とによって外部電極６を形成したが、本発明では次の手
順で外部電極を形成してもよい０例えば、上記絶縁層５
を形成した後、まずポーラスの外部電極層を形成し、こ
のポーラス外部電極層及び上記ポーラス層１）の両方に
卑金属を加圧注入し、しかる後電解メッキを施してもよ
い。このようにした場合は電解メッキに要する処理時間
が大幅に短縮される。
（発明の効果〕
以上のように本発明に係る正の抵抗温度特性を有する半
導体磁器によれば、積層体の内部電極の露出部を除く外
表面に絶縁層を形成したので、外部電極の形成に、大量
生産に遺した電解メッキ処理が採用でき、生産性を大幅
に向上できる効果がある。
導体磁器によれば、積層体の内部電極の露出部を除く外
表面に絶縁層を形成したので、外部電極の形成に、大量
生産に遺した電解メッキ処理が採用でき、生産性を大幅
に向上できる効果がある。
第１図ないし第４図は本発明の一実施例による半導体磁
器を説明するための図であり、第１図（δ）はその斜視
図、第１図Ｃｂ１はその断面図、第２図ないし第４図は
その製造方法を説明するための図であり、第２図はその
分解斜視図、第３図（ａｌないし第３図ｆｅ）はそれぞ
れ断面図、第４図はその半導体磁器の表面に絶縁層を形
成する際に採用される磁器ポットを示す正面図、第５図
は従来の半導体磁器を示す断面図である。 図において、■は半導体磁器、２はセラミクス層、３は
内部電極、３ａは内部電極の露出部、４は焼結体（積層
体）、４ａ、４ｂは焼結体の側面、５は絶縁層、６は外
部電極である。 特許出願人 株式会社 村田製作所 代理人 弁理士 下 市 努 第１図 第２図
器を説明するための図であり、第１図（δ）はその斜視
図、第１図Ｃｂ１はその断面図、第２図ないし第４図は
その製造方法を説明するための図であり、第２図はその
分解斜視図、第３図（ａｌないし第３図ｆｅ）はそれぞ
れ断面図、第４図はその半導体磁器の表面に絶縁層を形
成する際に採用される磁器ポットを示す正面図、第５図
は従来の半導体磁器を示す断面図である。 図において、■は半導体磁器、２はセラミクス層、３は
内部電極、３ａは内部電極の露出部、４は焼結体（積層
体）、４ａ、４ｂは焼結体の側面、５は絶縁層、６は外
部電極である。 特許出願人 株式会社 村田製作所 代理人 弁理士 下 市 努 第１図 第２図
Claims (1)
- （１）所定の温度で導体から絶縁体に転移する正の抵抗
特性を有する半導体磁器において、セラミクス層と内部
電極とを交互に積層して積層体を形成し、該積層体の左
，右側面に上記内部電極の左，右端面を交互に露出させ
るとともに、該内部電極の露出部を除く上記積層体の外
表面部分に絶縁層を形成し、上記各内部電極の露出部を
覆うように電解メッキによって外部電極を形成したこと
を特徴とする正の抵抗温度特性を有する半導体磁器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63124590A JP2531019B2 (ja) | 1988-05-20 | 1988-05-20 | 正の抵抗温度特性を有する半導体磁器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63124590A JP2531019B2 (ja) | 1988-05-20 | 1988-05-20 | 正の抵抗温度特性を有する半導体磁器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01293503A true JPH01293503A (ja) | 1989-11-27 |
| JP2531019B2 JP2531019B2 (ja) | 1996-09-04 |
Family
ID=14889225
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63124590A Expired - Lifetime JP2531019B2 (ja) | 1988-05-20 | 1988-05-20 | 正の抵抗温度特性を有する半導体磁器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2531019B2 (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0644101U (ja) * | 1992-11-09 | 1994-06-10 | 株式会社村田製作所 | チップ型正特性サーミスタ素子 |
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