JPH04317303A - 正特性サーミスタの製造方法 - Google Patents
正特性サーミスタの製造方法Info
- Publication number
- JPH04317303A JPH04317303A JP3112454A JP11245491A JPH04317303A JP H04317303 A JPH04317303 A JP H04317303A JP 3112454 A JP3112454 A JP 3112454A JP 11245491 A JP11245491 A JP 11245491A JP H04317303 A JPH04317303 A JP H04317303A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature coefficient
- positive temperature
- paste
- ohmic
- coefficient thermistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、正特性サーミスタに
関し、詳しくは、半導体磁器と内部電極とを交互に積層
してなる正特性サーミスタの製造方法に関する。
関し、詳しくは、半導体磁器と内部電極とを交互に積層
してなる正特性サーミスタの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図５は従来の正特性サーミスタの一例を
示す断面図である。この正特性サーミスタは、半導体磁
器（層）５１と内部電極（層）５２とを交互に積層する
ことにより積層構造体５３を形成し、その両端に外部電
極５４を設けることにより形成されている。そして、こ
のような積層構造を有する正特性サーミスタ（積層正特
性サーミスタ）においては、半導体磁器５１の各層が電
気的に並列接続されることになり、半導体磁器の両面に
電極を形成したいわゆる単層構造の正特性サーミスタ（
図示せず）に比べて初期抵抗値が低いという特徴を有し
ている。
示す断面図である。この正特性サーミスタは、半導体磁
器（層）５１と内部電極（層）５２とを交互に積層する
ことにより積層構造体５３を形成し、その両端に外部電
極５４を設けることにより形成されている。そして、こ
のような積層構造を有する正特性サーミスタ（積層正特
性サーミスタ）においては、半導体磁器５１の各層が電
気的に並列接続されることになり、半導体磁器の両面に
電極を形成したいわゆる単層構造の正特性サーミスタ（
図示せず）に比べて初期抵抗値が低いという特徴を有し
ている。
【０００３】ところで、上記のような積層正特性サーミ
スタは、通常は、以下のような方法で製造されている。 まず、図６に示すように、半導体磁器材料からなるグリ
ーンシート６１上に、ＢａＴｉＯ３焼結粉末にカーボン
とワニスを混合したペースト（カーボンペースト）６２
を塗布し、これを複数枚積層するとともに、上下からカ
ーボンペースト６２を塗布していないグリーンシート６
１ａで挾持して積層シート６３を作成する。そして、こ
れを焼成することによりカーボンペースト６２中のカー
ボンを焼失させて空洞層６４を形成し、半導体磁器（層
）５１と空洞層６４が交互に形成された半導体磁器焼結
体５３ａ（まだ内部電極５２が形成されていない）を作
成する（図７）。そして、上記空洞層６４に溶融したＰ
ｂなどの卑金属（オーミック接触を得ることが可能な電
極材料）を圧入充填することにより内部電極５２（図５
）を形成して、半導体磁器（層）５１と内部電極（層）
５２が交互に積層された状態の積層構造体５３を形成し
、さらに、この積層構造体５３の両端に、内部電極５２
と導通する外部電極５４を設けることにより、図５に示
すような積層正特性サーミスタを製造している。
スタは、通常は、以下のような方法で製造されている。 まず、図６に示すように、半導体磁器材料からなるグリ
ーンシート６１上に、ＢａＴｉＯ３焼結粉末にカーボン
とワニスを混合したペースト（カーボンペースト）６２
を塗布し、これを複数枚積層するとともに、上下からカ
ーボンペースト６２を塗布していないグリーンシート６
１ａで挾持して積層シート６３を作成する。そして、こ
れを焼成することによりカーボンペースト６２中のカー
ボンを焼失させて空洞層６４を形成し、半導体磁器（層
）５１と空洞層６４が交互に形成された半導体磁器焼結
体５３ａ（まだ内部電極５２が形成されていない）を作
成する（図７）。そして、上記空洞層６４に溶融したＰ
ｂなどの卑金属（オーミック接触を得ることが可能な電
極材料）を圧入充填することにより内部電極５２（図５
）を形成して、半導体磁器（層）５１と内部電極（層）
５２が交互に積層された状態の積層構造体５３を形成し
、さらに、この積層構造体５３の両端に、内部電極５２
と導通する外部電極５４を設けることにより、図５に示
すような積層正特性サーミスタを製造している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来の製
造方法によれば、図８に示すように、半導体磁器焼結体
５３ａの空洞層６４の内部は、実際には、突起や凹凸が
形成されていて途中部や奥部が狭くなっていたり、閉塞
していたりするため、空洞層６４の全体に溶融卑金属を
圧入充填して、所定のパターンの内部電極を形成するこ
とができないという問題点がある。この発明は上記問題
点を解決するものであり、製造工程を複雑にすることな
く、所定のパターンを有する内部電極を確実に形成する
ことが可能な正特性サーミスタの製造方法を提供するこ
とを目的とする。
造方法によれば、図８に示すように、半導体磁器焼結体
５３ａの空洞層６４の内部は、実際には、突起や凹凸が
形成されていて途中部や奥部が狭くなっていたり、閉塞
していたりするため、空洞層６４の全体に溶融卑金属を
圧入充填して、所定のパターンの内部電極を形成するこ
とができないという問題点がある。この発明は上記問題
点を解決するものであり、製造工程を複雑にすることな
く、所定のパターンを有する内部電極を確実に形成する
ことが可能な正特性サーミスタの製造方法を提供するこ
とを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を解決するため
に、この発明の正特性サーミスタは、正の抵抗温度係数
を有する半導体磁器と内部電極が交互に積層された積層
構造体の両端に外部電極を設けてなる正特性サーミスタ
の製造方法であって、正の抵抗温度係数を有する半導体
磁器板に、オーミック性を有する電極材料を含有するオ
ーミックペーストを塗布し、該半導体磁器板の一つの辺
の端縁にまで該オーミックペーストを引き出すとともに
、該半導体磁器板の該オーミックペーストが塗布されて
いない部分にガラスフリットを含有するガラスペースト
を塗布した後、該半導体磁器板を積層して熱処理するこ
とにより、半導体磁器と所定のパターンの内部電極が交
互に積層された積層構造体を形成することを特徴とする
。
に、この発明の正特性サーミスタは、正の抵抗温度係数
を有する半導体磁器と内部電極が交互に積層された積層
構造体の両端に外部電極を設けてなる正特性サーミスタ
の製造方法であって、正の抵抗温度係数を有する半導体
磁器板に、オーミック性を有する電極材料を含有するオ
ーミックペーストを塗布し、該半導体磁器板の一つの辺
の端縁にまで該オーミックペーストを引き出すとともに
、該半導体磁器板の該オーミックペーストが塗布されて
いない部分にガラスフリットを含有するガラスペースト
を塗布した後、該半導体磁器板を積層して熱処理するこ
とにより、半導体磁器と所定のパターンの内部電極が交
互に積層された積層構造体を形成することを特徴とする
。
【０００６】
【作用】この発明の正特性サーミスタにおいては、主面
にオーミックペーストが塗布され、その周囲にガラスフ
リットを含有するガラスペーストが塗布された半導体磁
器板を積層して熱処理することにより、オーミックペー
ストが焼き付けられて所定のパターンの内部電極が形成
されるとともに、その周囲のガラスペーストが同時に焼
き付けられて各半導体磁器板を互に接着させるとともに
、上記内部電極を半導体磁器板間に封止して積層構造体
を形成する。そして、オーミックペーストの半導体磁器
板の端縁にまで塗布された部分が引出し電極として機能
して内部電極と外部電極とを接続する。これにより、所
定のパターンを有する内部電極を確実に形成することが
可能になり、特に製造工程を複雑にすることなく正特性
サーミスタの特性を向上させることができる。
にオーミックペーストが塗布され、その周囲にガラスフ
リットを含有するガラスペーストが塗布された半導体磁
器板を積層して熱処理することにより、オーミックペー
ストが焼き付けられて所定のパターンの内部電極が形成
されるとともに、その周囲のガラスペーストが同時に焼
き付けられて各半導体磁器板を互に接着させるとともに
、上記内部電極を半導体磁器板間に封止して積層構造体
を形成する。そして、オーミックペーストの半導体磁器
板の端縁にまで塗布された部分が引出し電極として機能
して内部電極と外部電極とを接続する。これにより、所
定のパターンを有する内部電極を確実に形成することが
可能になり、特に製造工程を複雑にすることなく正特性
サーミスタの特性を向上させることができる。
【０００７】
【実施例】以下、この発明の実施例を図に基づいて説明
する。図４はこの発明の一実施例にかかる正特性サーミ
スタを示す断面図である。この実施例の正特性サーミス
タは、半導体磁器（層）１と内部電極（層）２とを交互
に積層してなる積層構造体３の両端に外部電極４を設け
ることにより形成されている。そして、上記各内部電極
２は、ガラスペーストを焼き付けたガラス層５により半
導体磁器板１，１…の間に封止されている。
する。図４はこの発明の一実施例にかかる正特性サーミ
スタを示す断面図である。この実施例の正特性サーミス
タは、半導体磁器（層）１と内部電極（層）２とを交互
に積層してなる積層構造体３の両端に外部電極４を設け
ることにより形成されている。そして、上記各内部電極
２は、ガラスペーストを焼き付けたガラス層５により半
導体磁器板１，１…の間に封止されている。
【０００８】以下に、上記実施例の正特性サーミスタの
製造方法について説明する。上記構造を有する正特性サ
ーミスタを製造するにあたっては、まず、主成分である
ＢａＴｉＯ３に半導体化剤であるＹ２Ｏ３，鉱化剤であ
るＳｉＯ２，特性改善剤であるＭｎＯ２を添加して粉砕
混合し、これにアクリル系有機バインダを混合してスラ
リー状の半導体磁器材料を調製し、この半導体磁器材料
から所定の厚さのグリーンシートを作成する。このグリ
ーンシートを１３００℃の温度で焼成して半導体磁器板
を作成する。
製造方法について説明する。上記構造を有する正特性サ
ーミスタを製造するにあたっては、まず、主成分である
ＢａＴｉＯ３に半導体化剤であるＹ２Ｏ３，鉱化剤であ
るＳｉＯ２，特性改善剤であるＭｎＯ２を添加して粉砕
混合し、これにアクリル系有機バインダを混合してスラ
リー状の半導体磁器材料を調製し、この半導体磁器材料
から所定の厚さのグリーンシートを作成する。このグリ
ーンシートを１３００℃の温度で焼成して半導体磁器板
を作成する。
【０００９】そして、図２及び図３に示すように、この
半導体磁器板１の上側の主面にオーミック性を有する電
極材料を含むペースト（例えば、Ｇａを含むＡｇペース
トなどであり、以下これらのペーストを「オーミックペ
ースト」という）２ａを塗布する。このときオーミック
ペースト２ａを半導体磁器板１の一つの辺の端縁１ａに
至るまで塗布（印刷）するととともに、該オーミックペ
ースト２ａが塗布されていない部分すなわち、塗布され
たオーミックペースト２ａの周囲にガラスフリットを主
成分として含有するペースト（ガラスペースト）５ａを
塗布（印刷）する。
半導体磁器板１の上側の主面にオーミック性を有する電
極材料を含むペースト（例えば、Ｇａを含むＡｇペース
トなどであり、以下これらのペーストを「オーミックペ
ースト」という）２ａを塗布する。このときオーミック
ペースト２ａを半導体磁器板１の一つの辺の端縁１ａに
至るまで塗布（印刷）するととともに、該オーミックペ
ースト２ａが塗布されていない部分すなわち、塗布され
たオーミックペースト２ａの周囲にガラスフリットを主
成分として含有するペースト（ガラスペースト）５ａを
塗布（印刷）する。
【００１０】それから、図１に示すように、該端縁１ａ
が交互に相反する側に位置するように半導体磁器板１を
積層し、これを上下両側からカーボンペーストを塗布し
ていない半導体磁器板１ｂで挾持し、積層方向にプレス
して圧着することにより積層シート１０を作成する。こ
の積層シート１０を空気中にて３００〜８００℃で熱処
理し、オーミックペースト２ａ及びガラスペースト５ａ
を焼き付けて積層構造体３（図４）を形成する。そして
、この積層構造体３の両端側に、例えばＡｇなどを含有
する導電性ペーストを塗布、焼付けして、積層構造体３
の端面から露出した内部電極２と接続する外部電極４（
図４）を形成することにより積層構造を有する正特性サ
ーミスタが得られる。
が交互に相反する側に位置するように半導体磁器板１を
積層し、これを上下両側からカーボンペーストを塗布し
ていない半導体磁器板１ｂで挾持し、積層方向にプレス
して圧着することにより積層シート１０を作成する。こ
の積層シート１０を空気中にて３００〜８００℃で熱処
理し、オーミックペースト２ａ及びガラスペースト５ａ
を焼き付けて積層構造体３（図４）を形成する。そして
、この積層構造体３の両端側に、例えばＡｇなどを含有
する導電性ペーストを塗布、焼付けして、積層構造体３
の端面から露出した内部電極２と接続する外部電極４（
図４）を形成することにより積層構造を有する正特性サ
ーミスタが得られる。
【００１１】上述の方法で、正特性サーミスタを製造す
ることにより、所定のパターンを有する内部電極２を確
実に形成することが可能になり、製造工程を複雑にする
ことなく、安定した特性を有する正特性サーミスタを得
ることができる。
ることにより、所定のパターンを有する内部電極２を確
実に形成することが可能になり、製造工程を複雑にする
ことなく、安定した特性を有する正特性サーミスタを得
ることができる。
【００１２】また、上記実施例では、内部電極２（オー
ミックペースト２ａ）及びガラスペースト５ａの焼付け
と、外部電極４の焼付けをそれぞれ別の工程で行なった
場合について説明したが、半導体磁器板１にオーミック
ペースト２ａとガラスペースト５ａを塗布し、これを積
層した後、外部電極４として導電性ペーストを塗布して
熱処理を行なうことにより、電極の焼付け工程を一つに
まとめることが可能になり、製造工程を簡略化して生産
性を向上させることができる。
ミックペースト２ａ）及びガラスペースト５ａの焼付け
と、外部電極４の焼付けをそれぞれ別の工程で行なった
場合について説明したが、半導体磁器板１にオーミック
ペースト２ａとガラスペースト５ａを塗布し、これを積
層した後、外部電極４として導電性ペーストを塗布して
熱処理を行なうことにより、電極の焼付け工程を一つに
まとめることが可能になり、製造工程を簡略化して生産
性を向上させることができる。
【００１３】
【発明の効果】上述のように、この発明の正特性サーミ
スタの製造方法は、半導体磁器板にオーミックペースト
を塗布し、半導体磁器板のオーミックペーストが塗布さ
れていない部分にガラスペーストを塗布した後、半導体
磁器板を積層して熱処理を行うことにより、半導体磁器
と内部電極が交互に積層された積層構造体を形成するよ
うにしているので、所定のパターンを有する内部電極を
容易かつ確実に形成することが可能となり、正特性サー
ミスタの特性を向上させるとともに、製造工程を簡略化
して、製造コストを低減することができる。
スタの製造方法は、半導体磁器板にオーミックペースト
を塗布し、半導体磁器板のオーミックペーストが塗布さ
れていない部分にガラスペーストを塗布した後、半導体
磁器板を積層して熱処理を行うことにより、半導体磁器
と内部電極が交互に積層された積層構造体を形成するよ
うにしているので、所定のパターンを有する内部電極を
容易かつ確実に形成することが可能となり、正特性サー
ミスタの特性を向上させるとともに、製造工程を簡略化
して、製造コストを低減することができる。
【図１】この発明の一実施例にかかる正特性サーミスタ
の製造方法を説明する分解斜視図である。
の製造方法を説明する分解斜視図である。
【図２】この発明の一実施例にかかる正特性サーミスタ
の製造方法の一工程を示す斜視図である。
の製造方法の一工程を示す斜視図である。
【図３】この発明の一実施例にかかる正特性サーミスタ
の製造方法の一工程を示し、図２のＡ−Ａ線に沿う断面
図である。
の製造方法の一工程を示し、図２のＡ−Ａ線に沿う断面
図である。
【図４】この発明の一実施例にかかる製造方法により製
造された正特性サーミスタの断面図である。
造された正特性サーミスタの断面図である。
【図５】従来の正特性サーミスタを示す断面図である。
【図６】従来の正特性サーミスタの製造工程を示す分解
斜視図である。
斜視図である。
【図７】従来の正特性サーミスタの製造工程を示す断面
図である。
図である。
【図８】従来の正特性サーミスタの製造方法により形成
された半導体磁器焼結体を示す断面図である。
された半導体磁器焼結体を示す断面図である。
Claims (1)
- 【請求項１】 正の抵抗温度係数を有する半導体磁器
と内部電極が交互に積層された積層構造体の両端に外部
電極を設けてなる正特性サーミスタの製造方法であって
、正の抵抗温度係数を有する半導体磁器板に、オーミッ
ク性を有する電極材料を含有するオーミックペーストを
塗布し、該半導体磁器板の一つの辺の端縁にまで該オー
ミックペーストを引き出すとともに、該半導体磁器板の
該オーミックペーストが塗布されていない部分にガラス
フリットを含有するガラスペーストを塗布した後、該半
導体磁器板を積層して熱処理することにより、半導体磁
器と所定のパターンの内部電極が交互に積層された積層
構造体を形成することを特徴とする正特性サーミスタの
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3112454A JPH04317303A (ja) | 1991-04-16 | 1991-04-16 | 正特性サーミスタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3112454A JPH04317303A (ja) | 1991-04-16 | 1991-04-16 | 正特性サーミスタの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04317303A true JPH04317303A (ja) | 1992-11-09 |
Family
ID=14587043
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3112454A Pending JPH04317303A (ja) | 1991-04-16 | 1991-04-16 | 正特性サーミスタの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04317303A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0964612A (ja) * | 1995-08-25 | 1997-03-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 誘電体フィルタとその製造方法およびこれを実装した実装体 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0376202A (ja) * | 1989-08-18 | 1991-04-02 | Murata Mfg Co Ltd | 積層正特性サーミスタおよびその製造方法 |
-
1991
- 1991-04-16 JP JP3112454A patent/JPH04317303A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0376202A (ja) * | 1989-08-18 | 1991-04-02 | Murata Mfg Co Ltd | 積層正特性サーミスタおよびその製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0964612A (ja) * | 1995-08-25 | 1997-03-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 誘電体フィルタとその製造方法およびこれを実装した実装体 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH02135702A (ja) | 積層型バリスタ | |
| JP2853467B2 (ja) | 積層ビーズインダクタの製造方法 | |
| JP2531019B2 (ja) | 正の抵抗温度特性を有する半導体磁器 | |
| JPH04317303A (ja) | 正特性サーミスタの製造方法 | |
| JPH02189903A (ja) | 積層型バリスタ | |
| JPS6339958Y2 (ja) | ||
| JPH0266916A (ja) | 積層型セラミックコンデンサの製造方法 | |
| JPH06208903A (ja) | 正の抵抗温度特性を有する積層型半導体磁器 | |
| JP2727789B2 (ja) | 正特性サーミスタ及びその製造方法 | |
| JPS636121B2 (ja) | ||
| JP2689756B2 (ja) | 急変サーミスタおよびその製造方法 | |
| JP3286855B2 (ja) | チップ型ｐｔｃサーミスタの製造方法 | |
| JPH0534122Y2 (ja) | ||
| JP2995829B2 (ja) | 磁性体内蔵型回路基板 | |
| JPH0547508A (ja) | 積層型半導体磁器及びその製造方法 | |
| JP2504226B2 (ja) | 積層型バリスタ | |
| JPH07114174B2 (ja) | 積層型半導体磁器電子部品の製造方法 | |
| JP2869897B2 (ja) | バリスタ | |
| JPH02220405A (ja) | 積層型バリスタの製造方法 | |
| JPH06112086A (ja) | 積層セラミック部品とその製造方法 | |
| KR940003338B1 (ko) | 복합 세라믹 소자 및 그 제조방법 | |
| JPH02260604A (ja) | 積層型バリスタ | |
| JP3554779B2 (ja) | 非線形誘電体素子 | |
| JPH05152103A (ja) | サーミスタ素子の製造方法 | |
| JPH02229403A (ja) | 抵抗アレーの製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19971202 |