JPH01295860A - サーマルプリントヘッド - Google Patents
サーマルプリントヘッドInfo
- Publication number
- JPH01295860A JPH01295860A JP63126497A JP12649788A JPH01295860A JP H01295860 A JPH01295860 A JP H01295860A JP 63126497 A JP63126497 A JP 63126497A JP 12649788 A JP12649788 A JP 12649788A JP H01295860 A JPH01295860 A JP H01295860A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead pattern
- purity aluminum
- gold
- gold plating
- wire bonding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/315—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material
- B41J2/32—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material using thermal heads
- B41J2/335—Structure of thermal heads
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
- H10W72/07551—Connecting or disconnecting of bond wires characterised by changes in properties of the bond wires during the connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/536—Shapes of wire connectors the connected ends being ball-shaped
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/551—Materials of bond wires
- H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
- H10W72/5522—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising gold [Au]
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
この発明は、ＩＣ直付はタイプの薄膜型サーマルプリン
トヘッドに関し、ヘッドチップ上の微細なリードパター
ンとＩＣとの間のワイヤボンディングの信鯨性を確保す
るとともに、リードショートを皆無とすることができる
ように改良したものに関する。
トヘッドに関し、ヘッドチップ上の微細なリードパター
ンとＩＣとの間のワイヤボンディングの信鯨性を確保す
るとともに、リードショートを皆無とすることができる
ように改良したものに関する。
この種のサーマルプリントヘッドは、第１１図に示すよ
うに、セラミック製のチップ基板１の上に、その先端部
−側に縦方向に形成された発熱ドツト部２と、中間部に
ボンディングされたＩＣと、基端部に形成された端子部
３とを備えて構成され、上記発熱ドツト部２とＩＣとの
導通は、基板上に発熱ドツト部２からＩＣの近傍までを
連絡するように形成された微細なリードパターン４とＩ
Ｃ上のパッド間をワイヤボンディングすることにより行
い、また、ＩＣと端子部３との導通も、ワイヤボンディ
ングにより行う。そして、上記端子部３には、外部回路
に連絡するフレキシブルケーブルを確実性をもって接続
する必要から、半田被着が施される。なお、上記ワイヤ
ボンディングは、金線によって行われる。 ところで、この種の電子部品における基板上のリードパ
ターンは、基板上にスパッタまたは蒸着された中純度（
９９，９％、以下、この程度の純度のアルミニウムを３
Ｎ（スリー・ナイン）−Ａｌｌという。）アルミニウム
薄膜に所定のエツチングを施して形成されるが、この３
Ｎ−ＡＩは、金メッキは可能であっても、熱圧着による
ワイヤボンディングにおいては接続強度がでないという
特質をもっていることから、従来、次のように対応して
いた。 すなわち、３Ｎ−Ａｆｆｉによる微細なリードパターン
の形成後、そのワイヤボンディングが必要な部分および
半田被着が必要な部分のすべてに金メッキを施している
。
うに、セラミック製のチップ基板１の上に、その先端部
−側に縦方向に形成された発熱ドツト部２と、中間部に
ボンディングされたＩＣと、基端部に形成された端子部
３とを備えて構成され、上記発熱ドツト部２とＩＣとの
導通は、基板上に発熱ドツト部２からＩＣの近傍までを
連絡するように形成された微細なリードパターン４とＩ
Ｃ上のパッド間をワイヤボンディングすることにより行
い、また、ＩＣと端子部３との導通も、ワイヤボンディ
ングにより行う。そして、上記端子部３には、外部回路
に連絡するフレキシブルケーブルを確実性をもって接続
する必要から、半田被着が施される。なお、上記ワイヤ
ボンディングは、金線によって行われる。 ところで、この種の電子部品における基板上のリードパ
ターンは、基板上にスパッタまたは蒸着された中純度（
９９，９％、以下、この程度の純度のアルミニウムを３
Ｎ（スリー・ナイン）−Ａｌｌという。）アルミニウム
薄膜に所定のエツチングを施して形成されるが、この３
Ｎ−ＡＩは、金メッキは可能であっても、熱圧着による
ワイヤボンディングにおいては接続強度がでないという
特質をもっていることから、従来、次のように対応して
いた。 すなわち、３Ｎ−Ａｆｆｉによる微細なリードパターン
の形成後、そのワイヤボンディングが必要な部分および
半田被着が必要な部分のすべてに金メッキを施している
。
しかしながら、上記のようにしても、金メッキされたリ
ードパターンとＩＣとの間のワイヤボンディングが可能
であるとはいえ、均一な金メッキを施すことは非常に困
難であり、また、金メッキにバラツキがあると、ワイヤ
ボンディング強度にもまたバラツキが生じ、ワイヤボン
ディングの信頬性は完壁とはいえない問題があった。し
かも、ＩＣを搭載しないタイプのヘッドでは、フレキシ
ブルケーブル接続用パターンのみが形成され、その場合
は半田を付着させるために金メッキ層は比較的薄く形成
すればよいが、ＩＣ搭載タイプのヘッドでは、ワイヤボ
ンディング強度を高めるためにそれより約３倍厚くする
必要があった。 また、最近のプリントヘッドのドツト数の増大傾向を反
映して、リードパターンの微細化が進み、そのために上
述の金メッキによってリードショートが発生する可能性
が非常に大きくなってきた。 なお、リードパターンを高純度（９９，９９９％、以下
、この程度の純度のアルミニウムを５Ｎ（ファイブ・ナ
イン）−ＡＮという、）アルミニウム薄膜で形成すると
いう考、え方があるが、このような５Ｎ−ＡＩでは、高
純度であることから熱圧着によって金・アルミ共有結合
合金の形成が可能であり、したがって信輔の高いワイヤ
ボンディングは可能であるが、金メッキが不可能である
ために端子部にフレキシブルケーブル接続のための半田
被着を施せないという問題がある。 この発明は、以上の事情のもとで考え出されたものであ
って、従来の課題を簡単な構成によって解決し、基板上
のリードパターンと直付けＩＣとの間のワイヤボンディ
ングの高い信鎖性の確保と、金メッキによるリードショ
ートの問題の解消とを同時に達成することをその目的と
する。
ードパターンとＩＣとの間のワイヤボンディングが可能
であるとはいえ、均一な金メッキを施すことは非常に困
難であり、また、金メッキにバラツキがあると、ワイヤ
ボンディング強度にもまたバラツキが生じ、ワイヤボン
ディングの信頬性は完壁とはいえない問題があった。し
かも、ＩＣを搭載しないタイプのヘッドでは、フレキシ
ブルケーブル接続用パターンのみが形成され、その場合
は半田を付着させるために金メッキ層は比較的薄く形成
すればよいが、ＩＣ搭載タイプのヘッドでは、ワイヤボ
ンディング強度を高めるためにそれより約３倍厚くする
必要があった。 また、最近のプリントヘッドのドツト数の増大傾向を反
映して、リードパターンの微細化が進み、そのために上
述の金メッキによってリードショートが発生する可能性
が非常に大きくなってきた。 なお、リードパターンを高純度（９９，９９９％、以下
、この程度の純度のアルミニウムを５Ｎ（ファイブ・ナ
イン）−ＡＮという、）アルミニウム薄膜で形成すると
いう考、え方があるが、このような５Ｎ−ＡＩでは、高
純度であることから熱圧着によって金・アルミ共有結合
合金の形成が可能であり、したがって信輔の高いワイヤ
ボンディングは可能であるが、金メッキが不可能である
ために端子部にフレキシブルケーブル接続のための半田
被着を施せないという問題がある。 この発明は、以上の事情のもとで考え出されたものであ
って、従来の課題を簡単な構成によって解決し、基板上
のリードパターンと直付けＩＣとの間のワイヤボンディ
ングの高い信鎖性の確保と、金メッキによるリードショ
ートの問題の解消とを同時に達成することをその目的と
する。
上記の課題を解決するため、この発明では、次の技術的
手段を講じている。 すなわち、本願発明は、発熱ドツト部と、直付けされた
ＩＣと、これらを電気的に連絡するためのリードパター
ンとを基板上に備え、上記リードパターンと上記ｔＣ間
をワイヤボンディングしてなるサーマルプリントヘッド
において、上記リードパターンを、高純度アルミニウム
薄膜の上に中純度アルミニウム薄膜を露出状に積層して
なる二層構造のアルミニウム薄゛膜を含むように構成す
るとともに、このリードパターンの一部にさらに金メッ
キおよび半田被着を施してフレキシブルケーブル接続用
端子部を形成したことを特徴とする。
手段を講じている。 すなわち、本願発明は、発熱ドツト部と、直付けされた
ＩＣと、これらを電気的に連絡するためのリードパター
ンとを基板上に備え、上記リードパターンと上記ｔＣ間
をワイヤボンディングしてなるサーマルプリントヘッド
において、上記リードパターンを、高純度アルミニウム
薄膜の上に中純度アルミニウム薄膜を露出状に積層して
なる二層構造のアルミニウム薄゛膜を含むように構成す
るとともに、このリードパターンの一部にさらに金メッ
キおよび半田被着を施してフレキシブルケーブル接続用
端子部を形成したことを特徴とする。
本願発明では、上述の３Ｎ−ＡＮと５Ｎ−Ａ６の特質を
都合よく融合させて従来の課題を解決している。前述か
らあきらかなように、３Ｎ−ＡＡは、ワイヤボンディン
グは不可であるが金メッキは可能であり、一方、５Ｎ−
ＡＪは、ワイヤボンディングは高信幀性をもって可能で
あるが金メッキは不可である。 上記５Ｎ−ＡＺ薄膜の上に３Ｎ−、ｌ薄膜を積層して二
重構造のアルミニウム薄膜とされた本願発明におけるリ
ードパターン上にワイヤボンディングを行うと、熱圧着
時の圧着力によって上層の３Ｎ−ＡＩＦ！膜を貫通して
５Ｎ−Ａｌ薄膜層に至った金線ワイヤが、金・アルミ共
有合金の形成によって下層の５Ｎ−Ａｌ薄膜層に対して
結合される。この結合は、きわめて信転性が高く、ワイ
ヤボンディングの強度が非常に高くなる。このように、
本願発明によれば、リードパターンに金メッキを施さな
くても、このリードパターンに対する信顛性の高いワイ
ヤボンディングが可能となったのであり、かつまた、ワ
イヤボンディングのための金メッキが不要であることか
ら、微細なリードパターンに金メッキを施す場合に懸念
されるリードショートも皆無となるのである。 そして、本願発明のリードパターンの表面に露出してい
るのは金メッキが可能な３Ｎ−ＡＩ！であるから、適当
部位に従来と同様の金メッキおよび半田被着を施して、
フレキシブルケーブル接続用の端子部を問題なく形成す
ることができる。 このように、本願発明によれば、直付けＩＣとリードパ
ターン間のワイヤボンディングの信転性の向上を達成す
ることができると同時に、リードショートの問題を皆無
とすることができる効果がある。また、ワイヤボンディ
ングのためにするアルミニウム薄膜への金メッキが不要
となることから、金の使用量が減少し、これがサーマル
プリントヘッドのコストダウンに大きく寄与するという
付随的効果もある。
都合よく融合させて従来の課題を解決している。前述か
らあきらかなように、３Ｎ−ＡＡは、ワイヤボンディン
グは不可であるが金メッキは可能であり、一方、５Ｎ−
ＡＪは、ワイヤボンディングは高信幀性をもって可能で
あるが金メッキは不可である。 上記５Ｎ−ＡＺ薄膜の上に３Ｎ−、ｌ薄膜を積層して二
重構造のアルミニウム薄膜とされた本願発明におけるリ
ードパターン上にワイヤボンディングを行うと、熱圧着
時の圧着力によって上層の３Ｎ−ＡＩＦ！膜を貫通して
５Ｎ−Ａｌ薄膜層に至った金線ワイヤが、金・アルミ共
有合金の形成によって下層の５Ｎ−Ａｌ薄膜層に対して
結合される。この結合は、きわめて信転性が高く、ワイ
ヤボンディングの強度が非常に高くなる。このように、
本願発明によれば、リードパターンに金メッキを施さな
くても、このリードパターンに対する信顛性の高いワイ
ヤボンディングが可能となったのであり、かつまた、ワ
イヤボンディングのための金メッキが不要であることか
ら、微細なリードパターンに金メッキを施す場合に懸念
されるリードショートも皆無となるのである。 そして、本願発明のリードパターンの表面に露出してい
るのは金メッキが可能な３Ｎ−ＡＩ！であるから、適当
部位に従来と同様の金メッキおよび半田被着を施して、
フレキシブルケーブル接続用の端子部を問題なく形成す
ることができる。 このように、本願発明によれば、直付けＩＣとリードパ
ターン間のワイヤボンディングの信転性の向上を達成す
ることができると同時に、リードショートの問題を皆無
とすることができる効果がある。また、ワイヤボンディ
ングのためにするアルミニウム薄膜への金メッキが不要
となることから、金の使用量が減少し、これがサーマル
プリントヘッドのコストダウンに大きく寄与するという
付随的効果もある。
以下、本願発明の実施例を第１図ないし第１０図を参照
しつつ具体的に説明する。なお、これらの図において従
来例と同等の部分には同一の符号を付しである。 本願発明のサーマルプリントヘッドの機能上の構成は第
１１図に示す従来例と変わりはない、従来例と異なる点
は、第１図の断面図に表れているように、リードパター
ン４が、高純度アルミニウム（５Ｎ−ＡＪ）薄膜５に、
中純度アルミニウム（３Ｎ−Ａｌ）薄膜６を積層してな
る二重積層構造となっている点、および、ワイヤボンデ
ィングされる金線ワイヤ７が、中純度アルミニウム薄膜
６を貫通して高純度アルミニウム薄膜５に至って金・ア
ルミ共有結合合金を形成することにより、下層の高純度
アルミニウム薄膜５に対して実質的に結合されている点
である。 以下に、本願発明のサーマルプリントヘッドの製造過程
を説明しつつ、その特徴点を明らかにする。 まず、発熱ドツト部２となるべき部位にガラス製のグレ
ーズ８を形成したセラミック製のチップ基板１ （第２
図）の表面全面に、グレーズ８の表面に沿って発熱作用
をなすべき酸化ルテニウムなどからなる抵抗体波Ｈ９を
蒸着する（第３図）。 次に、５Ｎ−Ａ１薄膜５および３Ｎ−ＡＩ薄膜を順次蒸
着して二重アルミニウム薄膜を形成する（第４図）、続
いて、エツチングの手法により、二重アルミニウム薄膜
のパターン抜き（第５図）および抵抗体被膜９のパター
ン抜き（第６図）を行ない、所定のリードパターン４を
形成する。第６図から分かるように、リードパターン４
は、実際には、製造工程の都合から、抵抗体被膜９の上
に、５Ｎ−、ｌ薄膜５および３Ｎ−Ａｌ薄膜６が積層さ
れた形態となっている。そして、上記のようなリードパ
ターン４のうち、端子部３を形成すべき部位、および、
ワイヤボンディングをすべき部位を残し、保護膜１０に
よるコーティングを行うとともに、端子部３を形成すべ
き部位には、金メッキ１１を施しておく（第７図）、金
メッキ１１は、リードパターン４の表面に金メッキが可
能な３Ｎ−ＡＩＴＲ膜６が露出していることから問題な
く可能である。 続いて、リードパターン４に所定のように形成されたボ
ンディング部にＩＣチップのボンディングを行うととも
に、ワイヤボンディングにより、リードパターンとＥＣ
上のパッド間を結線する（第８図）。 ワイヤボンディングは、基板１を所定の温度に熱すると
ともに、水素トーチによってボール状に溶融された金線
ワイヤ７の先端をキャピラリ （図示路）によって圧着
することにより行われるが、このときの圧着力により、
金線ワイヤ７は３Ｎ−Ａｌ薄膜６を圧し潰すように貫通
して５Ｎ−Ａｌ薄膜５に至り、ここで金・アルミ共有結
合合金を形成するのである。したがって、ワイヤボンデ
ィングの信転性はきわめて高い、なお、５Ｎ−Ａｌ薄膜
５と３Ｎ−Ａ１７Ｎ膜６の膜厚比は、１：１から１：２
の程度でよい、また、各薄膜５．６の厚みは、大きくと
も数ミクロンのオーダであることから、上述のようにワ
イヤボンディングの圧着力による下層５Ｎ−Ａｎ！薄膜
５への実質的ボンディングが可能なのである。 ワイヤボンディング後は、ＩＣチップを含んでこれを囲
む部分にシリコン樹脂などで保護コーティングし、最後
に、端子部３を形成すべく上述のように金メッキ１１を
施した部位に半田被着１２を施す（第９図）、こうして
、サーマルプリントヘッドそれ自体が完成する。 端子部３には、導体膜をポリイミドフィルムで挟んでサ
ンドインチ構造とするなどしたフレキシブルケーブルの
導体露出部が半田付けによって接続される。 この発明の範囲は上述の実施例に限定されるものではな
い、たとえば、下層の高純度アルミニウムとして５Ｎ−
ＡＪを例としたが、少なくともこれより上層の中純度層
より高純度であればよく、また、これよりさらに純度の
高いアルミニウムを使用してもよいことはもちろんであ
る。
しつつ具体的に説明する。なお、これらの図において従
来例と同等の部分には同一の符号を付しである。 本願発明のサーマルプリントヘッドの機能上の構成は第
１１図に示す従来例と変わりはない、従来例と異なる点
は、第１図の断面図に表れているように、リードパター
ン４が、高純度アルミニウム（５Ｎ−ＡＪ）薄膜５に、
中純度アルミニウム（３Ｎ−Ａｌ）薄膜６を積層してな
る二重積層構造となっている点、および、ワイヤボンデ
ィングされる金線ワイヤ７が、中純度アルミニウム薄膜
６を貫通して高純度アルミニウム薄膜５に至って金・ア
ルミ共有結合合金を形成することにより、下層の高純度
アルミニウム薄膜５に対して実質的に結合されている点
である。 以下に、本願発明のサーマルプリントヘッドの製造過程
を説明しつつ、その特徴点を明らかにする。 まず、発熱ドツト部２となるべき部位にガラス製のグレ
ーズ８を形成したセラミック製のチップ基板１ （第２
図）の表面全面に、グレーズ８の表面に沿って発熱作用
をなすべき酸化ルテニウムなどからなる抵抗体波Ｈ９を
蒸着する（第３図）。 次に、５Ｎ−Ａ１薄膜５および３Ｎ−ＡＩ薄膜を順次蒸
着して二重アルミニウム薄膜を形成する（第４図）、続
いて、エツチングの手法により、二重アルミニウム薄膜
のパターン抜き（第５図）および抵抗体被膜９のパター
ン抜き（第６図）を行ない、所定のリードパターン４を
形成する。第６図から分かるように、リードパターン４
は、実際には、製造工程の都合から、抵抗体被膜９の上
に、５Ｎ−、ｌ薄膜５および３Ｎ−Ａｌ薄膜６が積層さ
れた形態となっている。そして、上記のようなリードパ
ターン４のうち、端子部３を形成すべき部位、および、
ワイヤボンディングをすべき部位を残し、保護膜１０に
よるコーティングを行うとともに、端子部３を形成すべ
き部位には、金メッキ１１を施しておく（第７図）、金
メッキ１１は、リードパターン４の表面に金メッキが可
能な３Ｎ−ＡＩＴＲ膜６が露出していることから問題な
く可能である。 続いて、リードパターン４に所定のように形成されたボ
ンディング部にＩＣチップのボンディングを行うととも
に、ワイヤボンディングにより、リードパターンとＥＣ
上のパッド間を結線する（第８図）。 ワイヤボンディングは、基板１を所定の温度に熱すると
ともに、水素トーチによってボール状に溶融された金線
ワイヤ７の先端をキャピラリ （図示路）によって圧着
することにより行われるが、このときの圧着力により、
金線ワイヤ７は３Ｎ−Ａｌ薄膜６を圧し潰すように貫通
して５Ｎ−Ａｌ薄膜５に至り、ここで金・アルミ共有結
合合金を形成するのである。したがって、ワイヤボンデ
ィングの信転性はきわめて高い、なお、５Ｎ−Ａｌ薄膜
５と３Ｎ−Ａ１７Ｎ膜６の膜厚比は、１：１から１：２
の程度でよい、また、各薄膜５．６の厚みは、大きくと
も数ミクロンのオーダであることから、上述のようにワ
イヤボンディングの圧着力による下層５Ｎ−Ａｎ！薄膜
５への実質的ボンディングが可能なのである。 ワイヤボンディング後は、ＩＣチップを含んでこれを囲
む部分にシリコン樹脂などで保護コーティングし、最後
に、端子部３を形成すべく上述のように金メッキ１１を
施した部位に半田被着１２を施す（第９図）、こうして
、サーマルプリントヘッドそれ自体が完成する。 端子部３には、導体膜をポリイミドフィルムで挟んでサ
ンドインチ構造とするなどしたフレキシブルケーブルの
導体露出部が半田付けによって接続される。 この発明の範囲は上述の実施例に限定されるものではな
い、たとえば、下層の高純度アルミニウムとして５Ｎ−
ＡＪを例としたが、少なくともこれより上層の中純度層
より高純度であればよく、また、これよりさらに純度の
高いアルミニウムを使用してもよいことはもちろんであ
る。
第１図は本願発明の一実施例の要部を示す断面図、第２
図ないし第９図は本願発明の一実施例の製造過程を説明
するための断面図、第１０図は第９図のＡ部拡大図、第
１１図は従来のこの種のサーマルプリントヘッドの略示
平面図である。 １・・・チップ基板、２・・・発熱ドット部、３・・・
端子部、４・・・リードパターン、５・・・高純度アル
ミニウム薄膜、６・・・中純度アルミニウム薄膜、１１
・・・金メッキ、１２・・・半田被着。
図ないし第９図は本願発明の一実施例の製造過程を説明
するための断面図、第１０図は第９図のＡ部拡大図、第
１１図は従来のこの種のサーマルプリントヘッドの略示
平面図である。 １・・・チップ基板、２・・・発熱ドット部、３・・・
端子部、４・・・リードパターン、５・・・高純度アル
ミニウム薄膜、６・・・中純度アルミニウム薄膜、１１
・・・金メッキ、１２・・・半田被着。
Claims (1)
- （１）発熱ドット部と、直付けされたＩＣと、これらを
電気的に連絡するためのリードパターンとを基板上に備
え、上記リードパターンと上記ＩＣ間をワイヤボンディ
ングしてなるサーマルプリントヘッドにおいて、 上記リードパターンを、高純度アルミニウ ム薄膜の上に中純度アルミニウム薄膜を露出状に積層し
てなる二層構造のアルミニウム薄膜を含むように構成す
るとともに、このリードパターンの一部にさらに金メッ
キおよび半田被着を施してフレキシブルケーブル接続用
端子部を形成したことを特徴とする、サーマルプリント
ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63126497A JPH085201B2 (ja) | 1988-05-24 | 1988-05-24 | サーマルプリントヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63126497A JPH085201B2 (ja) | 1988-05-24 | 1988-05-24 | サーマルプリントヘッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01295860A true JPH01295860A (ja) | 1989-11-29 |
| JPH085201B2 JPH085201B2 (ja) | 1996-01-24 |
Family
ID=14936669
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63126497A Expired - Lifetime JPH085201B2 (ja) | 1988-05-24 | 1988-05-24 | サーマルプリントヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH085201B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017064945A (ja) * | 2015-09-28 | 2017-04-06 | 東芝ホクト電子株式会社 | サーマルプリントヘッド及びサーマルプリンタ |
-
1988
- 1988-05-24 JP JP63126497A patent/JPH085201B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017064945A (ja) * | 2015-09-28 | 2017-04-06 | 東芝ホクト電子株式会社 | サーマルプリントヘッド及びサーマルプリンタ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH085201B2 (ja) | 1996-01-24 |
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