JPH01296485A - マルチポートram - Google Patents

マルチポートram

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Publication number
JPH01296485A
JPH01296485A JP63126722A JP12672288A JPH01296485A JP H01296485 A JPH01296485 A JP H01296485A JP 63126722 A JP63126722 A JP 63126722A JP 12672288 A JP12672288 A JP 12672288A JP H01296485 A JPH01296485 A JP H01296485A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
serial
address
shifter
column decoder
pointer address
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP63126722A
Other languages
English (en)
Inventor
Kazunari Inoue
一成 井上
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP63126722A priority Critical patent/JPH01296485A/ja
Publication of JPH01296485A publication Critical patent/JPH01296485A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明はMOSメモリのうちシフトレジスタを兼ね備
えたマルチボー1−RAMに関するものである。
〔従来の技術〕
第2図は従来のマルチボー)RAMに於けるシリアルポ
インタアドレスのセソl−,並びにアクセスのメカニズ
ムを示したものである。図において、4は列デコーダ、
5はSCクロックにより随時シフトしていくシリアルシ
フタ、3は転送サイクルでセントされるシリアルポイン
タアドレスを列デコーダ4からシリアルシフタ5に転送
するゲート信号、6はシリアルメモリであるデータレジ
スタ、8はシリアル入出力線、7はシリアルシフタ5の
出力であり、データレジスタ6の内容をシリアル入出力
線8へ伝送するトランジスタのゲート信号、9はシリア
ル入出力線8のデータを増巾するアンプである。
次に出力時の動作について説明する。
転送サイクルによって列デコーダ4の出力であるアドレ
ス線のうち、1本のみが活性化状態となる。次いで、転
送ゲート3がオン状態となり、唯一のアドレスラインか
らシリアルシフタ5へ信号が伝達され、これが今後のシ
リアルアクセスのスタートであるシリアルポインタアド
レスとなる。
後の動作はSCクロックによりシリアルシフタ5が1ビ
ツトずつシフトし、シリアルシフタ5の出力はその都度
トランジスタ7を介し、シリアルメモリであるデータレ
ジスタ6の内容をシリアル入出力線8へと伝達する。更
にシリアル入出力線8へと現れた微小な電位差をアンプ
9で増巾し、出力に至る。入力時の場合には勿論これと
逆の動作となる。
〔発明が解決しようとする課題〕
従来のマルチボー)RAMは以上のように構成されてい
るので、−旦決定されたシリアルポインタアドレスを記
憶することができず、同一アドレスからシリアルアクセ
スする場合に於いても毎回転送サイクルで同しアドレス
を入力しなければならないという問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、シリアルポインタアドレスを変化させたくな
い場合、外部からのアドレス入力を必要としない機能を
有するマルチボー1−RAMを提供することを目的とす
る。
〔課題を解決するための手段〕
この発明に係るマルチボー)RAMは列デコーダとシリ
アルシックとの間にポインタアドレスを記憶するラッチ
回路を設け、転送ゲートを列デコーダとラッチ回路との
間、及びラッチ回路とシリアルシフタとの間にそれぞれ
設けるようにしたものである。
〔作用〕
本発明におけるマルチボー)RAMは、列デコーダとシ
リアルシックとの間にポインタアドレスを記憶するラッ
チ回路を設けたので、ポインタアドレスをシリアルシッ
クに伝達した後でもそのポインタアドレスを記憶できる
〔実施例〕
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第1図は本発明の一実施例によるマルチポートRAMを
示す回路図であり、図において、1はシリアルポインタ
アドレスを記憶するラッチ回路、4は列デコーダ、2は
列デコーダ4の出力をラッチ回路1に伝送するトランジ
スタのゲート信号、5はシリアルシフタ、3はラッチ回
路1を介してシリアルシフタ5に伝送するトランジスタ
のゲート信号、6はシリアルメモリであるデータレジス
タ、8はシリアル入出力線、7はシリアルレジスタ5の
出力であり、データレジスタ6の内容をシリアル入出力
線8へ伝達するトランジスタ、9はアンプである。
次に第3図のタイミングチャートを用いてこの実施例を
説明する。
期間10は従来の転送サイクル2であり、このCASエ
ツジで取り込まれた列アドレス(n)がシリアルポイン
タアドレスとなる。即ち、12に示すSCのクロックは
(n)アドレスの入出力(この実施例においては出力)
となり、次のSCクロックはn+1.fi+2.・・・
とシフトしていく。次に新たに転送サイクルを行い、又
、ポインタアドレスが前回と同じ(n)番地を指定した
い時には期間11の如<CASの入力を必要とせず、転
送ゲート3のみオンするようにすれば13のSCクロッ
クは再び(n)番地の入出力となる。即ち、第1図で示
す転送ゲート2.3は従来のRAS。
罷人力時においては共にオンするが、−入力がない場合
には転送ゲート3のみオンするようにすればよい。
このような本発明の実施例によれば、シリアルポインタ
アドレスをシリアルシックに伝達した後でもラッチ回路
がシリアルポインタアドレスを記憶しているので、毎回
同じアドレスを入力する必要がなくなり、特にシリアル
ポインタアドレスを変化させたくない場合において効果
的である。
なお、上記実施例ではCAS入力のない転送サイクルに
おいて、前回のポインタアドレスを再びアクセスできる
ようにしたが、これは他のモードであってもよく、例え
ばシリアルシフタが任意のアドレスに達した後、転送ゲ
ート3がオンし、再び(n)番地からのアクセスをする
ようにしてもよい。
〔発明の効果〕
以上のようにこの発明によれば、列デコータとシリアル
シックとの間にポインタアドレスを記憶するラッチ回路
を設け、列デコーダとラッチ回路との間、ラッチ回路と
シリアルシックとの間にそれぞれ転送ゲートを設けるよ
うにし、シリアルポインタアドレスを記憶できるように
したので、同アドレスからのアクセスに於いて、その都
度外部からアドレスを入力する必要がなくなり、操作上
の能率が良くなる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例によるマルチポートRAMを
示す回路図、第2図は従来のマルチボー)RAMを示す
回路図、第3図は本発明のマルチポートRAMのタイミ
ングチャートを示す図であ図において、1はシリアルポ
インタアドレスラッチ回路、2は列デコーダ、アドレス
ラッチ間の転送ゲート、3はアドレスラッチ、シリアル
シフタ間の転送ゲート、4は列デコーダ、5はシリアル
シック、6はデータレジスタ、7はデータレジスタ、シ
リアル入出力線間の転送ゲート、8はシリアル入出力線
、9はアンプ、10.11は転送サイクル、12.13
はそれぞれ転送サイクル後の第1番目のSCクロックで
ある。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)ランダムアクセスメモリ及びその列の数に等しい
    シリアルアクセスメモリと、 上記RAMの任意の列アドレス及びシリアルポインタア
    ドレスを指定する列デコーダと、 読み出しあるいは書き込み開始列のアドレスである上記
    シリアルポインタアドレスよりアドレスを増減させるた
    めのシリアルシフタとを備え、該シリアルシフタの出力
    に応じてシリアルメモリの読み出しあるいは書き込みを
    行うマルチポートRAMにおいて、 上記列デコーダとシリアルシフタとの間にポインタアド
    レスを記憶するシリアルポインタアドレスラッチ手段を
    設けるとともに、該ラッチ手段と上記列デコーダとの間
    、及び上記ラッチ手段と上記シリアルシフタとの間に独
    立に開閉可能な転送ゲートを設けたことを特徴とするマ
    ルチポートRAM。
JP63126722A 1988-05-24 1988-05-24 マルチポートram Pending JPH01296485A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63126722A JPH01296485A (ja) 1988-05-24 1988-05-24 マルチポートram

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63126722A JPH01296485A (ja) 1988-05-24 1988-05-24 マルチポートram

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH01296485A true JPH01296485A (ja) 1989-11-29

Family

ID=14942252

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP63126722A Pending JPH01296485A (ja) 1988-05-24 1988-05-24 マルチポートram

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JP (1) JPH01296485A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5355335A (en) * 1991-06-25 1994-10-11 Fujitsu Limited Semiconductor memory device having a plurality of writing and reading ports for decreasing hardware amount

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6352398A (ja) * 1986-08-22 1988-03-05 Hitachi Ltd 半導体記憶装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6352398A (ja) * 1986-08-22 1988-03-05 Hitachi Ltd 半導体記憶装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5355335A (en) * 1991-06-25 1994-10-11 Fujitsu Limited Semiconductor memory device having a plurality of writing and reading ports for decreasing hardware amount

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