JPH0612863A - デュアルポートdram - Google Patents

デュアルポートdram

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JPH0612863A
JPH0612863A JP4169377A JP16937792A JPH0612863A JP H0612863 A JPH0612863 A JP H0612863A JP 4169377 A JP4169377 A JP 4169377A JP 16937792 A JP16937792 A JP 16937792A JP H0612863 A JPH0612863 A JP H0612863A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
sam
data
transfer
unit
ram
Prior art date
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Pending
Application number
JP4169377A
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English (en)
Inventor
Takaaki Honma
間 恭 彰 本
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
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Pending legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C7/00Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/10Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
    • G11C7/1075Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers for multiport memories each having random access ports and serial ports, e.g. video RAM

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Dram (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 RAM部とSAM部を備えるデュアルポート
DRAMにおいて、RAM部の一部の領域を書き換える
場合に、更新すべきデータのみをRAM部に転送するこ
とにより部分書き換えを可能とする。 【構成】 複数のレジスタを有し、制御信号に同期して
SAM入出力ポートと外部との間でデータをシリアルに
入出力可能なSAM部と、複数のメモリセルを有し、R
AM入出力ポートと外部との間でデータをランダムに入
出力可能なRAM部と、前記SAM部と前記RAM部と
の間でデータをパラレル転送する複数のトランスファー
ゲートと、前記SAM部から前記トランスファーゲート
を介して前記RAM部へデータをパラレル転送する際
に、前記SAM部における前記レジスタのうち、前記制
御信号に同期してデータが前記SAM入出力ポートから
シリアル入力された前記レジスタにつながる前記トラン
スファーゲートのみを選択的にオンし、オンした前記ト
ランスファーゲートについてのみ部分的パラレル転送を
実行させる、選択手段と、を備えるものとして構成され
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、RAM(ランダムアク
セスメモリ)部とSAM(シリアルアクセスメモリ)部
を有するデュアルポートDRAMに関する。
【0002】
【従来の技術】図3は、従来のデュアルポートDRAM
の概略図である。図3に示すように、データをランダム
に書き込み読み出しするRAM部1は、トランスファー
ゲート2を介して、SAM部3と接続されている。コン
トロール回路7には、コントロール信号CSが入力され
ている。コントロール回路7から、トランスファーゲー
ト2に対しては、転送信号TSが入力される。コントロ
ール回路7からの信号Sによって、アドレスAの加えら
れているアドレスデコーダ7aから、RAM部1には、
アクセスすべき行アドレスを指定するアドレス選択信号
ASSが与えられる。データバッファ5を介して入力さ
れる外部入力データEDは、シリアルアドレスポインタ
4で指定される、SAM部3上の領域に書き込まれる。
シリアルアドレスデコーダ6は、アドレスADと外部ク
ロックSCとを与えられ、アドレスADをデコードした
シリアルアドレス信号SASをシリアルアドレスポイン
タ4に与えると共に、外部クロックSCにより外部入力
データEDをSAM部3に取り込む。なお、外部クロッ
クSCにより、SAM部3のカウンタは、インクリメン
トされる。
【0003】以上述べたような構成において、次にその
動作を説明する。
【0004】RAM部1に書き込むべき外部入力データ
EDはデータバッファ5に与えられる。この外部入力デ
ータEDは、先ず、SAM部3に格納される。即ち、ア
ドレスデコーダ6に与えられるアドレスADにより、シ
リアルアドレスポインタ4にシリアルアドレス信号SA
Sがスタートアドレスとして入力される。その後に、外
部クロックSCにより、SAM部3に外部入力データE
Dが取り込まれ、SAM部3のカウンタがインクリメン
トされる。次に、コントロール信号CSが与えられるア
ドレスデコーダ7からの転送信号TSに基づき、トラン
スファーゲート2が開く。これにより、コントロール回
路7からのアドレス選択信号ASSで指定されるRAM
部1上の行アドレスに、SAM部3の全データが、パラ
レル転送される。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】従来のデュアルポート
DRAMは、以上のように、SAM部3の全データをR
AM部1のある行アドレスに一度に転送するように構成
されていた。このため、1つの入出力単位でのデータ転
送はできるものの、部分的な転送はできない。即ち、図
4に示すように、RAM部1のある行領域14中の書換
え領域13中の領域Bのデータだけを書き換えることは
できない。つまり、SAM部3の領域Aのみのデータを
書き換え、RAM部1に転送して、書き換えを行なうこ
とができない。敢えてこれを実行すると、SAM部3の
領域A以外の領域A1,A2もトランスファーゲート2
を介してRAM部1の行領域14に転送されてしまう。
このため、領域B以外の書換の必要のない領域C、領域
Dのデータが破壊されてしまう。
【0006】このため、従来はRAM部1のある行の一
部の領域を書き換えたい場合でも、SAM部3の全領域
A1,A,A2のデータを書き換えた上でRAM部1に
転送しなければならない。あるいは、RAM部1の書き
換え領域を含む行アドレスのデータを一旦SAM部3に
転送し、SAM部3において必要な領域のみを書き換え
た上でRAM部1に返送する必要がある。
【0007】このような不都合を解消するためものとし
て、4セル単位のブロックライト機能や行単位のフラッ
シュライト機能等が知られている。しかし、書き換える
ビットに冗長性がなく、自由な領域選択ができないとい
う問題がある。
【0008】特に、CRT画面を形成するために半導体
記憶装置を用いてマルチウインドウ表示を行なうような
場合、1つの画面を書き換える場合にも、書き換えの必
要のない他の画面の部分もチェックして入力する必要が
でてくる。これによって、データ処理に時間を要し、円
滑で良好な表示の切り替えを実現する上での障害となっ
ている。
【0009】以上のように、従来の半導体記憶装置は、
RAM部の一部の領域の書き換えに当たっても不要な処
理サイクルを実行する必要があった。このため、RAM
部の1行全部の書き換えに比べて、部分書き換えは、時
間を要し周辺回路も複雑になるという問題点があった。
【0010】本発明は上記に鑑みてなされたもので、そ
の目的は、RAM部とSAM部を備えるデュアルポート
メモリにおいて、SAM部からのデータによってRAM
部の一部の領域を書き換える場合に、更新すべきデータ
のみをSAM部からRAM部に転送することにより部分
的な書き換えを可能としたデュアルポートDRAMを得
ることにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】本発明のデュアルポート
DRAMは、複数のレジスタを有し、制御信号に同期し
てSAM入出力ポートと外部との間でデータをシリアル
に入出力可能なSAM部と、複数のメモリセルを有し、
RAM入出力ポートと外部との間でデータをランダムに
入出力可能なRAM部と、前記SAM部と前記RAM部
との間でデータをパラレル転送する複数のトランスファ
ーゲートと、前記SAM部から前記トランスファーゲー
トを介して前記RAM部へデータをパラレル転送する際
に、前記SAM部における前記レジスタのうち、前記制
御信号に同期してデータが前記SAM入出力ポートから
シリアル入力された前記レジスタにつながる前記トラン
スファーゲートのみを選択的にオンし、オンした前記ト
ランスファーゲートについてのみ部分的パラレル転送を
実行させる、選択手段と、を備えるものとして構成され
る。
【0012】
【作用】SAM部中のデータをRAM部にパラレル転送
して、RAM部のデータを書き換える。このとき、選択
手段によって、SAM部のデータを選択的にパラレル転
送して、RAM部を部分的に書き換えることもできる。
即ち、選択手段は、SAM部とRAM部との間の複数の
トランスファーゲートのうち、制御信号に同期してデー
タがシリアル入力されたSAM部レジスタにつながるト
ランスファーゲートのみを選択的にオンする。これによ
り、SAM部からRAM部へデータが選択的にパラレル
転送され、RAM部のデータが部分的に書き換えられ
る。
【0013】
【実施例】以下、図面を参照しながら本発明の実施例を
説明する。
【0014】図1は、本発明の一実施例の概略図であ
る。図1において、図3と同等の部分には同一の符号を
付している。図1に示すように、選択回路8が、トラン
スファーゲート2とSAM部3との間に設けられてい
る。選択回路8は、シリアルアドレスポインタ4から指
定されたデータ領域のみのデータを、SAM部3から、
トランスファーゲート2を通じて、RAM部1に転送す
る。
【0015】図2は、図1の選択回路8の1ビット分の
構成を示すブロック図である。図2に示すように、アド
レスデコーダ7からの転送信号TSは、選択回路8のノ
ア回路16を通じてトランスファーゲート2に与えられ
る。ノア回路16の他方の入力端にはフリップフロップ
回路15の出力が与えられる。フリップフロップ回路1
5は、シリアルアドレスポインタ4からのシリアルアド
レス信号SASを記憶するものである。なお、SAM部
3の出力は、トランスファーゲート2を介して、RAM
部1に与えられる。
【0016】以上のような構成において、次にその動作
を説明する。
【0017】今、転送信号TSがハイレベルの場合、ノ
ア回路16の出力はロウレベルである。これにより、ト
ランスファーゲート2は非導通である。
【0018】次に、転送信号TSがロウレベルになった
場合について述べる。この場合においては、フリップフ
ロップ回路15の出力がハイレベルであれば、ノア回路
16の出力はロウレベルのままであり、トランスファー
ゲート2は非導通を続ける。フリップフロップ回路15
の出力がロウレベルであれば、ノア回路16の出力はハ
イレベルとなり、トランスファーゲート2は導通し、S
AM部3のデータはRAM部1に転送する。
【0019】さて、図1において、図2のフリップフロ
ップ回路15は、SAM部3の各ビットごとに対応して
設けられている。そして、このフリップフロップ回路1
5は、外部入力データEDを、外部クロックSCに基づ
いて、SAM部3に格納する場合は次のように動作す
る。つまり、シリアルアドレス信号SASが立った場合
に、このビット領域のデータが書き換えられたものとし
て、セットされ、ロウレベル信号をノア回路16に送出
する。つまり、選択回路8においては、SAM部3の部
分領域のデータが書き換えられた場合に、対応するビッ
トのフリップフロップ回路15がセットされることにな
る。したがって、SAM部3の中でデータの取り込みが
行なわれなかったビットに対応する選択回路8のフリッ
プフロップ回路15は、リセットされたままとなる。
【0020】しかる後に、アドレスデコーダ7から転送
信号TSが入力されると、セットされているフリップフ
ロップ回路15に対応するビットのみのトランスファー
ゲート2に、導通を指示する信号が伝達される。これに
より、SAM部3における対応する領域のデータのみ
が、RAM部1に転送され、書き換えられる。
【0021】なお、上記の実施例では、SAM部3の書
き換え領域の判定を、選択回路8に設けたフリップフロ
ップ回路15の状態で行なう構成を例示した。しかし、
シリアルアドレスポインタ4に、データ書き換えのあっ
たビットにフラッグを立てておき、このフラッグの状態
でトランスファーゲート2を制御するようにしても同様
の効果を得ることができる。
【0022】また、上記実施例におけるフリップフロッ
プ回路15のリセットは、次のSAM部3へのデータの
書き込みで行なってもよく、また、転送信号TSによる
データの転送終了後に転送信号TSそのものを用いてリ
セットしてもよく、さらに、他の手段からリセット信号
を送って行なうようにし、その後にSAM部3に対する
次のシリアル信号入力を待つようにしてもよい。
【0023】一方、部分ライト転送と全面ライト転送と
の切り替えは、RAS信号が出されていない状態でのコ
ントロール信号の状態によって行なうようにすることが
できる。例えば、現在のライト転送においてRAS信号
に続くCAS信号を強制的に抑止することによって切り
替えても良い。
【0024】なお、上記実施例では、フリップフロップ
回路15として、セットリセットタイプのフリップフロ
ップを用いた構成を例示した。しかし外部クロックSC
によってデータのセットが可能な、D型フリップフロッ
プを用いた構成としても、同様の効果を得ることができ
る。いずれにしても、SAM部3のデータの書き込みが
行なわれた領域を記憶しておき、トランスファーゲート
2に与えられる転送信号TSを制御できる構成であれ
ば、周知の構成が適用可能である。
【0025】以上のように、本発明の実施例によればS
AM部3の中の書き換えを行なったデータのみをRAM
部1に選択的に転送することができる。このため、部分
書き換えのための余分なサイクルが不要となり高速での
RAM部1のデータの書き換えが可能である。また、従
来のようにデータの書き換えの単位が固定ではないの
で、自由度が高く、スタートアドレスも選択できる。こ
のため、必要なデータのみを自由に書き換えられる。こ
のため、RAM部1に比べてサイクルが高速なSAM部
3を十分に機能させることができ、高速アクセスが可能
となる。更に、表示用のメモリに適用した場合も、画面
上の書き換えの必要な領域のみのデータを検索して書き
換えればよい。このため、表示装置のソフトウエア的な
構成が簡単になり、良好で応答性に優れた表示機能を実
現することができる。
【0026】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、R
AM部とSAM部を備えたデュアルポートDRAMにお
いて、RAM部の一部のデータのみを高速で書き換える
ことができ、これによりデータの書き換え動作に伴う余
分のサイクルが不要で、構成が簡単な、高速アクセス可
能なデュアルポートDRAMを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例の概略図である。
【図2】図1の選択回路のブロック図である。
【図3】従来の半導体記憶装置の概略図である。
【図4】図3の構成における部分書き換えのためのデー
タ転送の説明図である。
【符号の説明】
1 RAM部 2 トランスファーゲート 3 SAM部 4 シリアルアドレスポインタ 5 データバッファ 6 シリアルアドレスデコーダ 7 アドレスデコーダ 8 選択回路 9 インバータ 10 ノア回路 11 ノア回路 12 アンド回路 13 書換え領域 15 フリップフロップ回路 16 ノア回路

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】複数のレジスタを有し、制御信号に同期し
    てSAM入出力ポートと外部との間でデータをシリアル
    に入出力可能なSAM部と、 複数のメモリセルを有し、RAM入出力ポートと外部と
    の間でデータをランダムに入出力可能なRAM部と、 前記SAM部と前記RAM部との間でデータをパラレル
    転送する複数のトランスファーゲートと、 前記SAM部から前記トランスファーゲートを介して前
    記RAM部へデータをパラレル転送する際に、前記SA
    M部における前記レジスタのうち、前記制御信号に同期
    してデータが前記SAM入出力ポートからシリアル入力
    された前記レジスタにつながる前記トランスファーゲー
    トのみを選択的にオンし、オンした前記トランスファー
    ゲートについてのみ部分的パラレル転送を実行させる、
    選択手段と、 を備えることを特徴とするデュアルポートDRAM。
  2. 【請求項2】前記選択手段は、シリアルアドレスポイン
    タからの指示に基づいて、前記複数のトランスファーゲ
    ートの任意のものを選択的にオンして前記部分的パラレ
    ル選択を実行させるものである、請求項1記載のデュア
    ルポートDRAM。
  3. 【請求項3】前記選択手段は、複数のフリップフロップ
    を有し、前記シリアルアドレスポインタからの指示に基
    づいて前記各フリップフロップをセット/リセットし、
    前記各フリップフロップからの出力に基づいて、前記複
    数のトランスファーゲートの任意のものを選択的にオン
    して前記部分的パラレル選択を実行させるものである、
    請求項2記載のデュアルポートDRAM。
  4. 【請求項4】前記制御信号は外部クロック信号である、
    請求項1又は2記載のデュアルポートDRAM。
JP4169377A 1992-06-26 1992-06-26 デュアルポートdram Pending JPH0612863A (ja)

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US08/081,175 US5406527A (en) 1992-06-26 1993-06-25 Partial write transferable multiport memory

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