JPH01297833A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、半導体チップを、テープオートメーテツドボ
ンディング（以下、ＴＡＢ法という）によりテープへ実
装してなる半導体装置に係り、特に、そのコスト低減を
指向した半導体装置に関するものである。

［従来の技術］ 従来、半導体チップをＴＡＢ法によりテープへ実装して
なる半導体装置が知られている。

この種の半導体装置における半導体チップへのリードの
接続方法は、大別して２つに分類することができる。そ
の１つは、半導体チップ上に突起を形成し、この突起へ
リードを接続するものであり、他の１つは、リードにバ
ンプ部を形成し、このバンプ部を半導体チップへ接続す
るものである。

後者の接続方法の詳細を、第６，７図を用いて説明する
。

第６図は、従来の、半導体チップをＴＡＢ法によりテー
プへ実装してなる半導体装置の一例を示す平面図、第７
図は、第６図における要部（ただし、リード接続前）を
拡大して示す側面図である。

図において、８はテープ、５は、このテープ８上に実装
された半導体チップ（詳細後述）、１は、この半導体チ
ップ５へ接続されたリード（詳細後述）である。

前記半導体チップ５は、上面にリード接続用のアルミパ
ッド３が設けられ、その他の上面部分は表面保護膜４で
被覆されている。前記リード１は、その先端にバンプ部
２を形成してなるものであり、その寸法は、たとえばリ
ード板厚ｔ＝３０〜１００μｍ、バンプ部高さｈ＝３０
〜５０ＩＬｍ、バンプ幅ｗ＝１００μｍ程度である。こ
のリード１の製造方法は、板厚を十りのリード素材の、
バンプ幅Ｗの部分にレジストを塗布し、エツチングを行
なって、バンプ部２以外の部分をバンプ部高さｈに対応
する量だけ溶解したのち、前記レジストを除去する。そ
して、バンプ部２に金めつきを施すというプロセスによ
るものである。

このように形成したリード１のバンプ部２を、半導体チ
ップ５のアルミパッド３上へ、前記金めつき層を介して
加熱圧着することにより、半導体チップ５ヘリード１を
接続するものであった。

なお、この種の装置として関連するものには、たとえば
、″バンプ付ＴＡＢのボンディング法”電子材料、ｖｏ
ｌ１２４．Ｎｏ５．ｐｐ７２〜７６が挙げられる。

［発明が解決しようとする課題］ 上記した従来の、半導体チップへのリードの接続方法は
、次の点について配慮がされていなかった。

前者の接続方法は、半導体チップの完成後に、突起を形
成するための余計なプロセスを追加することになるので
、半導体装置がコスト高になるのみならず、歩留り低下
の原因になっていた。

後者の接続方法は、リードのバンプ部以外の部分をエツ
チングして肉厚を減少させるものであるので、材料費が
増加し、エツチングコストもかかるという問題点があっ
た。

本発明は、上記した従来技術の課題を解決して、半導体
チップをテープオートメーテツドボンディングによりテ
ープへ実装してなる半導体装置における、前記半導体チ
ップへのリードの接続手段を改善し、コストの安い半導
体装置を提供することを、その目的とするものである。

［課題を解決するための手段］ 上記問題点を解決するための本発明に係る半導体装置の
構成は、半導体チップを、テープオートメーテツドボン
ディングによりテープへ実装してなるものであり、前記
半導体チップ上のアルミパッドへ、バンプ部を有するリ
ードの前記バンプ部を、このバンプ部に施した金めつき
を介して加熱圧着により接続してなる半導体装置におい
て、リードを、そのバンプ部を塑性加工により形成した
塑性加工リードにしたものである。

さらに詳しくは、板厚ｔのリードの先端部を、折曲げ、
もしくは絞り出すことにより、従来実施していたエツチ
ングによりバンプ部を形成する方法（従来の、後者の接
続方法）を実施することなく、高さｈのバンプ部を形成
するようにしたものである。

［作用］ バンプ部を塑性加工により形成するようにしたので、リ
ードの材料費、加工費が低減し、また歩留りも向上し、
コストの安い半導体装置が得られる。

［実施例コ 以下、本発明を実施例によって説明する。

第１図は、本発明の第１の実施例に係る半導体装置の要
部（ただし、塑性加工リードの接続前）を拡大して示す
側面図、第２図は、第１図における塑性加工リードの要
部上面図、第３図は、第２図に係る塑性加工リードの加
工状態を示す要部断面図である。

図において、第７図と同一番号を付したものは同一部分
である。そして、ＩＡは、その先端部近傍にバンプ部２
Ａを塑性加工によって形成してなる堕性加エリードであ
る（加工方法については後述する）。この塑性加工リー
ドＩＡの板厚ｔは一様であり、そのバンプ部２Ａは、バ
ンプ部高さり。

バンプ部Ｗの凸形状をなしており、このバンプ部２Ａに
、１〜２μｍ厚さの金めつき（図示せず）が施されてい
る。

このように形成した塑性加工リードＩＡのバンプ部２Ａ
を、従来と同様に、半導体チップ５のアルミパッド３上
へ来るように位置決めし、加熱した押付は治具（図示せ
ず）を使用して、バンプ部２Ａをアルミパッド３へ加熱
圧着することにより、半導体チップ５へ塑性加工リード
ＩＡが接続され、所望の半導体装置が得られる。

前記塑性加工リードＩＡの加工方法を、第３図を用いて
説明する。

この第３図において、６は、高さｈの凸部６ａを形成し
た上型、７は、深さｈの凹部７ａを形成した下型であり
、上型６が下降端（下型７から上方へ距離ｔたけ離間し
た位置）まで下降したとき、両型の凸部６ａ、凹部７ａ
でバンプ部２Ａを成形することができるようになってい
る。

このように構成した上型６．下型７を使用し、この下型
７上に厚さｔのリード素材を（破線位置に）載置し、上
型６を前記下降端まで下降させることにより、前記リー
ド素材が凸部６ａ、凹部７ａによって折曲げられてバン
プ部２Ａが成形され、塑性加工リードＩＡが加工される
。

以上説明した実施例によれば、従来のように、半導体チ
ップ上に突起を形成したり、リードをエツチングにより
形成したりする必要がない（すなわち、リード素材の厚
さと塑性加工リードの厚さとは同じである）ので、塑性
加工リードＩＡの材料費、加工費が低減して、コストの
安い半導体装置が得られる。

なお、リードフレームの打抜きとバンプ部の成形とを同
時に実施するようにすれば、量産時には大幅なコスト低
減が可能である。

さらに、多数本の塑性加工リードを、一対の上型、下型
によって同時に加工するようにすれば、加工能率がさら
に向上する。

以下、他の実施例を説明する。

第４図は、本発明の第２の実施例に係る半導体装置の塑
性加工リードの要部を示すものであり、（、ａ）図は、
その上面図、（ｂ）図は側面図である。

その塑性加工リードＩＢは、その先端からバンプ幅Ｗの
長さだけ、バンプ部高さｈのバンプ部２Ｂを形成してな
るものである。

この塑性加工リードＩＢは、バンプ部２Ｂの折曲げ部が
１か所だけあるので、段差のある上型。

下型（図示せず）を使用して、前記第１図に係る塑性加
工リードＩＡよりも、さらに容易に加工することができ
るという利点がある。また、半導体装置の機種が変って
、バンプ幅Ｗが変った場合にも、前記上型、下型の位置
をずらせるだけで、そのバンプ部を成形することができ
るという、利点もある。

第５図は、本発明の第３の実施例に係る半導体装置の塑
性加工リードの要部を示すものであり、（ａ）図は、そ
の上面図、（ｂ）図は側面図である。

この塑性加工リードＩＣは、そのバンプ部２Ｃを絞り加
工によって形成してなるものである。

この塑性加工リードＩＣは、バンプ部２Ｃの成形後のス
プリングバッグがきわめて少ないので、アルミパッド３
への接触面の平行度を、きわめて正確に保持することが
できるという利点がある。

［発明の効果］ 以上詳細に説明したように本発明によれば、半導体チッ
プをテープオートメーテツドボンディングによりチー゛
プヘ実装してなる半導体装置における、前記半導体チッ
プへのリードの接続手段を改善し、コストの安い半導体
装置を提供することができるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の第１の実施例に係る半導体装置の要
部（ただし、ゆ性加エリードの接続前）を拡大して示す
側面図、第２図は、第１図における塑性加工リードの要
部上面図、第３図は、第２図に係る塑性加工リードの加
工状態を示す要部断面図、第４図は、本発明の第２の実
施例に係る半導体装置の塑性加工リードの要部を示すも
のであり、（ａ）図は、その上面図、（ｂ）図は側面図
、第５図は、本発明の第３の実施例に係る半導体装置の
塑性加工リードの要部を示すものであり、（ａ）図は、
その上面図、（ｂ）図は側面図、第６図は、従来の、半
導体チップをＴＡＢ法によりテ−プヘ実装してなる半導
体装置の一例を示す平面図、第７図は、第６図における
要部（ただし、リードの接続前）を拡大して示す側面図
である。 ＬＡ、ＩＢ、ＩＣ・・・塑性加工リード、２Ａ、２Ｂ、
２Ｇ・・・バンプ部、３・・アルミパッド、５・・・半
導体チップ。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、半導体チップを、テープオートメーテッドボンデイ
   ングによりテープへ実装してなるものであり、前記半導
   体チップ上のアルミパッドへ、バンプ部を有するリード
   の前記バンプ部を、このバンプ部に施した金めつきを介
   して加熱圧着により接続してなる半導体装置において、
   リードを、そのバンプ部を塑性加工により形成した塑性
   加工リードにしたことを特徴とする半導体装置。 ２、塑性加工リードを、板厚が一様で、バンプ部におい
   て凸となる塑性加工リードにしたことを特徴とする請求
   項１記載の半導体装置。