JPH02134739A - 光情報記録媒体 - Google Patents
光情報記録媒体Info
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- JPH02134739A JPH02134739A JP63288354A JP28835488A JPH02134739A JP H02134739 A JPH02134739 A JP H02134739A JP 63288354 A JP63288354 A JP 63288354A JP 28835488 A JP28835488 A JP 28835488A JP H02134739 A JPH02134739 A JP H02134739A
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Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光ビームを用いて情報が記録再生される光情報
記録媒体に関するものである。
記録媒体に関するものである。
基板上に記？、に膜を成膜した光情報記録媒体は、デー
タの長期保存の目的に使用される。
タの長期保存の目的に使用される。
この様な記録膜として、Ｇｅ−Ｔｅ系材料を主成分とし
たもの（全体の８０原子％以上）が考えられている。こ
こでＧｅ−Ｔｅ系材料としては、テルル化ゲルマニウム
の他、テルル化ゲルマニウムのゲルマニウムを錫あるい
は鉛で置換した、テルル化ゲルマニウム錫、テルル化ゲ
ルマニウム鉛及びテルル化ゲルマニウム錫鉛があり、さ
らにこれらのテルルをセレンで置換した化合物を主成分
としたものが検討されている。この様な記録膜は、高温
高湿の環境下に放置されても記録材料の変化がな（、記
録データを正確に読み書きできることが必要である。
たもの（全体の８０原子％以上）が考えられている。こ
こでＧｅ−Ｔｅ系材料としては、テルル化ゲルマニウム
の他、テルル化ゲルマニウムのゲルマニウムを錫あるい
は鉛で置換した、テルル化ゲルマニウム錫、テルル化ゲ
ルマニウム鉛及びテルル化ゲルマニウム錫鉛があり、さ
らにこれらのテルルをセレンで置換した化合物を主成分
としたものが検討されている。この様な記録膜は、高温
高湿の環境下に放置されても記録材料の変化がな（、記
録データを正確に読み書きできることが必要である。
例えばＧｅ−Ｔｅ系材料では、かかる点についてみると
高温高湿の環境下において徐々にではあるが酸化腐食し
、反射率や透過率という光学的性質が変化する現象があ
る。
高温高湿の環境下において徐々にではあるが酸化腐食し
、反射率や透過率という光学的性質が変化する現象があ
る。
この為、従来Ｇｅ−Ｔｅ系記録薄膜の両側に保護膜とし
て、蒸着法又はスパンタリング法によりＳｉｎ、５ｉｎ
２．Ｓｉ、Ｎ、などの無機薄膜を被着させることにより
、高温高湿環境下における上記Ｇｅ−Ｔｅ系記録薄膜の
劣化を防止していた。
て、蒸着法又はスパンタリング法によりＳｉｎ、５ｉｎ
２．Ｓｉ、Ｎ、などの無機薄膜を被着させることにより
、高温高湿環境下における上記Ｇｅ−Ｔｅ系記録薄膜の
劣化を防止していた。
しかしながら、上述の様にＳｉＯ，ＳｉＯ□。
Ｓｉ３Ｎ４等の酸化物、窒化物等の無機保護膜を両側か
ら被着させるディスク構造では１．光ビームを照射して
記録膜にピットを形成する際、体積収縮により、記録膜
と密着している保護膜にクラックが発生し、この部分よ
り水分が浸透して、記録膜が酸化され、ＣＮ比が低下し
、ピット誤り率が増加する。またＳｉＯ，ＳｉＯ□等の
酸化物の保護膜は膜自体が酸素を保有しているため、記
録膜との界面で酸素原子との性質が激しいと考えられ、
より一層記録膜の酸化を助長することも考えられる。
ら被着させるディスク構造では１．光ビームを照射して
記録膜にピットを形成する際、体積収縮により、記録膜
と密着している保護膜にクラックが発生し、この部分よ
り水分が浸透して、記録膜が酸化され、ＣＮ比が低下し
、ピット誤り率が増加する。またＳｉＯ，ＳｉＯ□等の
酸化物の保護膜は膜自体が酸素を保有しているため、記
録膜との界面で酸素原子との性質が激しいと考えられ、
より一層記録膜の酸化を助長することも考えられる。
そこで本出願人は特開昭６３−１２６９２９号「光情報
記録媒体」として、この様な水分の浸透を防止し、長期
間にわたり安定して情報を記録再生できる光情報記録媒
体を提案した。上記先願による光情報記録媒体は、保護
ＩＩりとしてＡｌＮ無機保護膜を使用し、Ｇｅ−Ｔｅ系
記録ｒｙｉ８の両側に被着させた構造を有するものであ
る。
記録媒体」として、この様な水分の浸透を防止し、長期
間にわたり安定して情報を記録再生できる光情報記録媒
体を提案した。上記先願による光情報記録媒体は、保護
ＩＩりとしてＡｌＮ無機保護膜を使用し、Ｇｅ−Ｔｅ系
記録ｒｙｉ８の両側に被着させた構造を有するものであ
る。
この様な構造を有する光情報記録媒体は、基板及びＧｅ
−Ｔｅ系記録薄膜に対する保護膜の密着性がよく、光ビ
ーム照射によるピント形成時の体積収縮が吸収される。
−Ｔｅ系記録薄膜に対する保護膜の密着性がよく、光ビ
ーム照射によるピント形成時の体積収縮が吸収される。
このことから記録薄膜にはクラックが生じに＜＜、酸化
による劣化が完全に阻止され、高温高湿の環境下に長期
間置かれても記録材料としての性質に変化が生じない。
による劣化が完全に阻止され、高温高湿の環境下に長期
間置かれても記録材料としての性質に変化が生じない。
しかしながら、光ビームを照射して記録膜にピットを形
成する際、保護膜の膜厚が薄いと、記録膜が熱転４度の
低い基板に接近し、このため、ピント形成時の熱が逃げ
にくくピット内部に蓄積され、ピントが膨張して長くな
る。この膨張により追加される長さはピットの長さにか
かわらずあまり変化しないので、ピット間隔に対するピ
ット長の比率（デユーティ比）は、単一周波数記録のＪ
Ａ合、理想的には５０％であるが、記録周波数が高くな
ってピット長が短くなるほど大きくなる。
成する際、保護膜の膜厚が薄いと、記録膜が熱転４度の
低い基板に接近し、このため、ピント形成時の熱が逃げ
にくくピット内部に蓄積され、ピントが膨張して長くな
る。この膨張により追加される長さはピットの長さにか
かわらずあまり変化しないので、ピット間隔に対するピ
ット長の比率（デユーティ比）は、単一周波数記録のＪ
Ａ合、理想的には５０％であるが、記録周波数が高くな
ってピット長が短くなるほど大きくなる。
本発明はこの様なデユーティ比の変化を少なくし、長時
間にわたり安定かつ正確に情報を記録再生できる、光情
報記録媒体を提供することを目的としてなされたもので
ある。
間にわたり安定かつ正確に情報を記録再生できる、光情
報記録媒体を提供することを目的としてなされたもので
ある。
本発明による光情報記録媒体は、基体と該基体上に形成
された記録薄膜へ光ビームを照射し、情報を記録する光
情報記録媒体において、Ｇｅ−Ｔｅ系記録薄膜を、／Ｉ
ｔ’Ｎ保護膜ではさむ構造とし、上記基板側のＡｌＮ保
護膜の膜厚を２００ｎｍ以上としたことを特徴とするも
のである。
された記録薄膜へ光ビームを照射し、情報を記録する光
情報記録媒体において、Ｇｅ−Ｔｅ系記録薄膜を、／Ｉ
ｔ’Ｎ保護膜ではさむ構造とし、上記基板側のＡｌＮ保
護膜の膜厚を２００ｎｍ以上としたことを特徴とするも
のである。
本発明は以上の様な構成を有するものであるがら、ピン
トに蓄積された熱は比較的熱転恵の高いＡｌＮ保護膜内
に速やかに分散し、正確な長さを有するピントを記録す
ることが出来る。
トに蓄積された熱は比較的熱転恵の高いＡｌＮ保護膜内
に速やかに分散し、正確な長さを有するピントを記録す
ることが出来る。
第１図は本発明による光情報記録媒体の一実施例を示し
たものである。即ち、１はポリカーボネート基板であり
、その上に保護膜２１としてＡ７ＮＪｆ！を有し、更に
記録膜としてのＧｅ−Ｔｅ系薄ｖ３ 、 Ａ Ｉ Ｎ
保護Ｊｆ５ｉ ２２ 、紫外２１Ｍ硬化Ｈ４Ｒｎ （Ｕ
Ｖ樹脂）ｖ４をこの順序で積層した。ここで、基板１
はポリカーボネートに限ることなく、従来公知のＰＭＭ
Ａ、ポリオレフィン、エポキシ等のプラスチック材、ガ
ラス板、Ａ１等の金属板等を使用できる。
たものである。即ち、１はポリカーボネート基板であり
、その上に保護膜２１としてＡ７ＮＪｆ！を有し、更に
記録膜としてのＧｅ−Ｔｅ系薄ｖ３ 、 Ａ Ｉ Ｎ
保護Ｊｆ５ｉ ２２ 、紫外２１Ｍ硬化Ｈ４Ｒｎ （Ｕ
Ｖ樹脂）ｖ４をこの順序で積層した。ここで、基板１
はポリカーボネートに限ることなく、従来公知のＰＭＭ
Ａ、ポリオレフィン、エポキシ等のプラスチック材、ガ
ラス板、Ａ１等の金属板等を使用できる。
ＵＶ樹脂はスピンナによりスピンコードする。
まず、真空槽内に基板ｌを入れ、高真空（〈１０−’Ｐ
ａ）に排気後、同一真空槽内で基板１にスパッタリング
法によりＡｌＮ保護膜２１を形成し、蒸着法又はスパッ
タリング法でＧｅ−Ｔｅ系薄膜３、／ｌ’Ｎ保護膜２２
を連続で作製する。この人ｆＮ保護膜作製は、Ａｒ十Ｎ
、雰囲気中、ＡｌＮターゲットを使用した反応性スパッ
タリング法により作製する。その時のＮ２分率はＡｒに
対して０．１〜０．４の範囲内である。この様に高真空
（＜１０−’Ｐａ）に排気後、Ａｒ＋Ｎ２雰囲気中Ａｌ
Ｎターゲットの反応性スパッタリングにより、Ａ Ｉｌ
Ｎ Ｊｌｆｉを作製しているため膜中に酸素原子を含ま
ない。従って、酸化による劣化もない。
ａ）に排気後、同一真空槽内で基板１にスパッタリング
法によりＡｌＮ保護膜２１を形成し、蒸着法又はスパッ
タリング法でＧｅ−Ｔｅ系薄膜３、／ｌ’Ｎ保護膜２２
を連続で作製する。この人ｆＮ保護膜作製は、Ａｒ十Ｎ
、雰囲気中、ＡｌＮターゲットを使用した反応性スパッ
タリング法により作製する。その時のＮ２分率はＡｒに
対して０．１〜０．４の範囲内である。この様に高真空
（＜１０−’Ｐａ）に排気後、Ａｒ＋Ｎ２雰囲気中Ａｌ
Ｎターゲットの反応性スパッタリングにより、Ａ Ｉｌ
Ｎ Ｊｌｆｉを作製しているため膜中に酸素原子を含ま
ない。従って、酸化による劣化もない。
ここで基板１例のＡＩ！Ｎ保護膜２１のｎり厚は２００
ｎｍ以上とし、Ｇ ｅ −Ｔ ｅ系薄膜３の膜厚は第２
図に示す様に、膜作製直後の基板側の反射率特性２４と
アニール後の基板側の反射率特性２３とのコントラスト
が最大となる膜厚より薄い範囲、即ち図中の斜線部２５
の範囲とした。
ｎｍ以上とし、Ｇ ｅ −Ｔ ｅ系薄膜３の膜厚は第２
図に示す様に、膜作製直後の基板側の反射率特性２４と
アニール後の基板側の反射率特性２３とのコントラスト
が最大となる膜厚より薄い範囲、即ち図中の斜線部２５
の範囲とした。
第３図は、記録後のデユーティ比を示すものである。即
ち、従来例及び本実施例によるディスク状光情報記録媒
体にレーザビームを照射し、線速一定で単一周波数２０
０．４００，８００．１６００．３２００ＫＨｚを順次
記録する。この場合、２００ＫＩ！ｚの単一周波数記ｔ
、工時のデユーティ比が５０対５０になるようにレーザ
・パワーを調節し固定し、このレーザ・パワーにより、
４００，８００．１６００．３２００Ｋ）ｌｚの単一周
波数を記録し、タイム・インターバル・アナライザによ
り、従来例及び上記実施例のデユーティ比を特性２８及
び２７の如く測定する。
ち、従来例及び本実施例によるディスク状光情報記録媒
体にレーザビームを照射し、線速一定で単一周波数２０
０．４００，８００．１６００．３２００ＫＨｚを順次
記録する。この場合、２００ＫＩ！ｚの単一周波数記ｔ
、工時のデユーティ比が５０対５０になるようにレーザ
・パワーを調節し固定し、このレーザ・パワーにより、
４００，８００．１６００．３２００Ｋ）ｌｚの単一周
波数を記録し、タイム・インターバル・アナライザによ
り、従来例及び上記実施例のデユーティ比を特性２８及
び２７の如く測定する。
第３図からも明らかなように、Ｇｅ−Ｔｅ系薄膜３の膜
厚を、第２図斜線で示される範囲２５の如く、最適膜厚
よりも薄くし、基板１側のＡＩ！Ｎ保護膜２１の膜厚を
２００ｎｍ以上とした構造の光薄膜を２００ｎｍ以下の
ＡｌＮ保護膜で挟んだディスク構造のものに比べて、単
一周波数（２００〜３２００Ｋｌｌｚ ）記録に伴うデ
ユーティ比の変化は小さいことを示している。
厚を、第２図斜線で示される範囲２５の如く、最適膜厚
よりも薄くし、基板１側のＡＩ！Ｎ保護膜２１の膜厚を
２００ｎｍ以上とした構造の光薄膜を２００ｎｍ以下の
ＡｌＮ保護膜で挟んだディスク構造のものに比べて、単
一周波数（２００〜３２００Ｋｌｌｚ ）記録に伴うデ
ユーティ比の変化は小さいことを示している。
この様に本発明による光情報記録媒体は、保護膜として
ＡｌＮｆＪｌを使用しているため、記録膜のピント部の
変形は密着性の優れたＡＡＮ膜層で吸収されてクランク
が生じにくく、Ｇｅ−Ｔｅ系材料の酸化、腐食を防止す
る効果が高い。したがって高温高湿下に放置されても記
録材料の変化がなく、長期間にわたって正確に、情＋ａ
を記録再生することができる。又、基板とＧｅ−Ｔｅ系
記録膜との間のＡｌＮ保護＋＋Ｘは熱拡散係数が大きく
、この膜厚を２００ｎｍ以上としたので、レーザビーム
照射によるピント形成時に、ピント内部の熱が充満しに
＜＜、生じた熱も保護ＩＩりの熱拡散係数が大きく厚い
ため記録膜から保護膜へスムーズに流れる。このため、
ピント膨張が防止され、安定かつ正確に情報を記録・再
生することができる。
ＡｌＮｆＪｌを使用しているため、記録膜のピント部の
変形は密着性の優れたＡＡＮ膜層で吸収されてクランク
が生じにくく、Ｇｅ−Ｔｅ系材料の酸化、腐食を防止す
る効果が高い。したがって高温高湿下に放置されても記
録材料の変化がなく、長期間にわたって正確に、情＋ａ
を記録再生することができる。又、基板とＧｅ−Ｔｅ系
記録膜との間のＡｌＮ保護＋＋Ｘは熱拡散係数が大きく
、この膜厚を２００ｎｍ以上としたので、レーザビーム
照射によるピント形成時に、ピント内部の熱が充満しに
＜＜、生じた熱も保護ＩＩりの熱拡散係数が大きく厚い
ため記録膜から保護膜へスムーズに流れる。このため、
ピント膨張が防止され、安定かつ正確に情報を記録・再
生することができる。
第１図は本発明による光情報記録媒体の断面図、第２図
はＧｅ−Ｔｅ系記録膜の膜厚と反射率との関係を示す線
図、第３図は従来例及び本実施例による光情報記録媒体
の記録周波数によるデユーティ比の変化を示す線図であ
る。 １・・・基板 ２１．２２・・・ＡｌＮ保護膜 ３・・・Ｇｅ−Ｔｅ系薄膜 ７００竹領 ２００ ｙＩｔｒｎＣｒ ｅ −
Ｔｅ汽・〉茸成 ２ＤＯ仝０６ ′６ｏｏ ／６６ρ ５２
ｏＯＫＨス
はＧｅ−Ｔｅ系記録膜の膜厚と反射率との関係を示す線
図、第３図は従来例及び本実施例による光情報記録媒体
の記録周波数によるデユーティ比の変化を示す線図であ
る。 １・・・基板 ２１．２２・・・ＡｌＮ保護膜 ３・・・Ｇｅ−Ｔｅ系薄膜 ７００竹領 ２００ ｙＩｔｒｎＣｒ ｅ −
Ｔｅ汽・〉茸成 ２ＤＯ仝０６ ′６ｏｏ ／６６ρ ５２
ｏＯＫＨス
Claims (1)
- 基体と該基体上に形成された記録簿膜へ光ビームを照射
し、情報を記録する光情報記録媒体において、Ｇｅ−Ｔ
ｅ系記録薄膜を、ＡｌＮ保護膜ではさむ構造とし、上記
基板側のＡｌＮ保護膜の膜厚を２００ｎｍ以上としたこ
とを特徴とする光情報記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63288354A JPH02134739A (ja) | 1988-11-15 | 1988-11-15 | 光情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63288354A JPH02134739A (ja) | 1988-11-15 | 1988-11-15 | 光情報記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02134739A true JPH02134739A (ja) | 1990-05-23 |
Family
ID=17729124
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63288354A Pending JPH02134739A (ja) | 1988-11-15 | 1988-11-15 | 光情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02134739A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6080144A (ja) * | 1983-10-07 | 1985-05-08 | Sharp Corp | 光メモリ素子 |
| JPH01298544A (ja) * | 1988-05-26 | 1989-12-01 | Nippon Columbia Co Ltd | 光情報記録媒体 |
| JPH0262446A (ja) * | 1988-08-24 | 1990-03-02 | Kayaba Ind Co Ltd | 遊星歯車式減速機 |
-
1988
- 1988-11-15 JP JP63288354A patent/JPH02134739A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6080144A (ja) * | 1983-10-07 | 1985-05-08 | Sharp Corp | 光メモリ素子 |
| JPH01298544A (ja) * | 1988-05-26 | 1989-12-01 | Nippon Columbia Co Ltd | 光情報記録媒体 |
| JPH0262446A (ja) * | 1988-08-24 | 1990-03-02 | Kayaba Ind Co Ltd | 遊星歯車式減速機 |
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