JPH01302307A - 屈折率差のあるパターン作成方法及びそれに供するパターン転写体と像形成体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は屈折率差のあるパターン作成方法及びそれに供
するパターン転写体及び像形成体に関するものである。

従来の技術 従来、屈折率差のあるパターンからなる先導波路の第１
の作成方法として、次のような方法が知られている。

１、基材の上に屈折率が低い層を設ける。

２、この上に一旦フオドレジスト、電子線レジストなど
の放射線に対して感応性がある物質を構成する。

３、導波路を構成したい場所だけを（または導波路以外
の場所を）マスク等を用いて放射線により感応させる。

４、この場所だけの（またはこの場所以外の）レジスト
を除去する。

５、エツチングにより、導波路を構成したい場所の低屈
折率層を除去する。

６、高屈折率物質の層を構成する。

７、残留レジストを除去する。

また第２の方法として、屈折率差を用いた（位相変調に
よる）ホログラフィック光学素子或はホログラムとして
は、重クロムゼラチンのようなホログラム記録材料に露
光したあと、ウェットプロセスで処理するという方法が
ある。

また屈折率差を有するパターン作成方法の新しい流れと
して、特開昭６０−１６６９４６号公報に記載のように
、予め、光によって反応することで屈折率が変化する２
種類の物質によりフィルムなどを構成し、これにパター
ンの露光を行って反応させた後未反応の物質の一方を除
去するといった方法がある。また、２つの異なる波長の
光を照射したときだけ反応が起こり屈折率が変化すると
いうような材料を用いることにより、露光プロセスだけ
でパターンを作製するという方法もある。

発明が解決しようとする課題点 前記の種種の屈折率差を有するパターンの作成方法のう
ち、１番目の方法はパターンの形成された光学素子や記
録像を得るまでの処理が複雑であり、また容易ではない
。２番目の方法は複雑ではないが、ウェットプロセスで
の処理がやや容易ではなく、また、未記録状態での像形
成体が単独で感光性を有するため、未記録材料の保存安
定性の点で不利である。３番目の方法は更に簡便な方法
ではあるが、一方の未反応物質を十分に除去しないと十
分な屈折率差が得られないという問題点がある。４番目
の方法は、２つの波長の光を与えて初めて屈折率変化を
伴う反応が起こるというゲートを設けた設計であり、未
記録状態或は記録後の状態の材料の保存安定性の点でも
有利である。しかしながら、実用に十分な記録感度が得
られていないのが実状である。

本発明者は、屈折率差を有するパターンの簡便な作成方
法を発明するに当たり、前記の従来の技術の３番目の方
法、即ち２種類の物質を光により反応させることにより
屈折率が低い方の物質の屈折率を高くするという方法に
注目した。さらに屈折率変化を伴う反応のために必要な
エネルギーとパターン記録のための信号エネルギーを分
離することにより、より多くの記録手段によってパター
ン信号（情報）の記録が行うことが出来ると考え、本発
明に至った。

本発明は、作成方法が簡便で、未記録状態の像形成体に
感熱・感光性がなく保存安定性に優れ、熱、電流、光な
どの放射線を記録エネルギーとして用いることにより、
多くの記録手段で記録が行える屈折率差を有するパター
ンの形成方法及びこれに供する転写体と像形成体を提供
することを目的とする。

課題を解決するための手段 反応性官能基を有する化合物Ａを含む層または基材から
なる像形成体に対して、化合物Ａと反応することにより
化合物Ａの屈折率を変化させる化合物Ｂを含む転写体を
密着させ、光等の電磁波や熱のエネルギーにより転写体
から化合物Ｂを像形成体へ昇華または拡散により転写し
、化合物Ａと反応させることによって屈折率変化を生じ
させる。

作用 反応性官能基ををする化合物Ａを含む層が構成された像
形成体または反応性官能基を有する化合物Ａを含む基材
自体が像形成体であるような像形成体の反応性官能基を
有する化合物Ａを含む層または基材の部分に対して、化
合物Ａと反応することにより化合物Ａの屈折率を変化さ
せる化合物Ｂを含む転写体の、化合物Ｂを含む部分を密
着させ、転写体の像形成体に密着させた側の反対方法か
ら光等の電磁波や熱のエネルギーを加えると、昇華転写
型感熱記録方法と同様に転写体から化合物Ｂは像形成体
へ昇華または拡散により転写し、さらに転写記録時の熱
エネルギーや新たに像形成体に加える熱、光など放射線
のエネルギーにより化合物Ａと反応させることによって
屈折率変化を生じさせることが出来る。

実施例 本発明のパターン作成方法において、反応性官能基を有
する化合物Ａと、化合物Ａと反応することにより化合物
Ａの屈折率を変化させる化合物Ｂとの反応は特に限定さ
れるものではない。屈折率が異なる化合物Ａと化合物Ｂ
の反応を効率よく起こすことができるもので有ればよい
。化合物Ａは、像形成体を構成するので、未反応の反応
性官能基がある状態でも安定であるものが好ましい。さ
らに層やフィルムを構成する上で都合がよい高分子化合
物が好ましい。また化合物Ｂとしては、化合物Ａの反応
性官能基と反応するもので、かつ転写体内及び像形成体
内を拡散し易いものであればよい。具体的に説明するた
めに、化合物Ａと化合物Ｂの反応に利用しうる例を挙げ
、更にその反応を利用する場合の化合物Ａと化合物Ｂの
例を挙げる。

（１）オキセタン生成反応 芳香族カルボニル化合物とオレフィンによる光反応で、
下記のようなオキセタン環を存する化合物を生成する（
徳丸　克己著「有機光化学反応論」東京化学同人発行）
。

前述の特開昭６０−１８６９４８号公報の感光性樹脂組
成物の反応もこれに含まれるが、反応の量子収率が比較
的高いので宵月である。

化合物Ａの例としては、透明性の高い物質が好ましく、
化合物Ａが炭素−炭素２重結合を有する化合物になる場
合には特開昭６０−１８６９４８号公報の特許請求の範
囲に記載されているような、（メタ）アクリル酸３，３
−ジメチルアリルエステルの単独または共重合体のほか
（メタ）アクリル酸の３−メチル−３−ブテニルエステ
ル、３−メチルアリルエステル、アリルエステル、２−
メチルアリルエステル、３−へブテニルエステル、３．
３−ジエチルアリルエステル、ジシクロペンテニルエス
テル、２−フルフリルエステルあるいはジビニルベンゼ
ンなどの単独重合体や他のビニルモノマーとの共重合体
がある。化合物Ｂとしては、置換もしくは非置換のベン
ズアルデヒド、アセトフェノン、ベンゾフェノン、１−
１または２−ナフトアルデヒド、１または２−ナフチル
メチルケトンまたは２−ナフチルフェニルケトンがある
。オキセタン生成反応の量子収率の点で好ましいのは置
換もしくは非置換のベンズアルデヒドまたはベンゾフェ
ノンである。さらに置換もしくは非置換のベンズアルデ
ヒド類として４−フルオロベンズアルデヒド、２−．３
−または４−クロロベンズアルデヒド、２−．３−また
は４−ブロモベンズアルデヒド、２．　４−、　３．　
４−または３゜５−ジクロロベンズアルデヒド、２．　
４−、　３゜４−または３．５−ジブロモベンズアルデ
ヒド、４−メチルベンズアルデヒド ピルベンズアルデヒド、４−シクロへキシルベンズアル
デヒド、２−．３−または４−メトキシベンズアルデヒ
ド、３，４−ジメトキシベンズアルデヒド３．　４．　
５−）ジメトキシベンズアルデヒド、３−フェノキシベ
ンズアルデヒド、３−ヒドロキシベンズアルデヒド、フ
タルアルデヒドあるいは４−シアノベンズアルデヒドな
どなどがある。

また置換もしくは非置換のベンゾフェノンとして、ベン
ゾフェノン、２−．３−＊たは４−クロロベンゾフェノ
ン、４．４’−ジクロロベンゾフェノン、２−．３−ま
たは４−ブロモベンゾフェノン、４−メチルベンゾフェ
ノン、４−プロピルベンゾフェノン、４−メトキシベン
ゾフェノンあるいは４−ベンゾイルベンゾフェノンなど
がある。

（２）シクロブタン生成反応 ３重項増感剤存在下でのオレフィン同士あるいは共役エ
ノンとオレフィンによる光反応で、下記のようなシクロ
ブタン環を有する化合物を生成する。また工重項からで
も励起錯体を経由してシクロブタン環を生成する化合物
もある（微光　克己著「有機光化学反応論」東京化学同
人発行）。

前述のオキセタン生成反応と同様に、ｍ子板率が高い反
応もあり有用である。

例えば励起錯体を経由する反応としては、芳香族ビニル
化合物同士のシクロブタン環生成反応があり、スチレン
、ビニルナフタレン、ビニルピレンやこれらの誘導体は
イオン化ポテンシャル、酸化還元電位などが適当な関係
にあればこのような反応をする。しかしながら、化合物
Ａを含む記録像形成層は屈折率が低いことが望ましく、
化合物Ａとしてはビニル基の残存したジビニルベンゼン
誘導体と（メタ）アクリル酸エステルの共重合体などが
好ましい。化合物Ｂとしてはジアルキルアミノ基やシア
ン基を有するビニルナフタレン、ビニルピレンなどがあ
る。

（３）ディールスφアルダー反応 炭素−炭素１重結合を介して炭素−炭素２重結合を有す
る共役ジエンとオレフィンは熱または光によってシクロ
ヘキセン環を生成するディールス・アルダ−反応を起こ
す。

記録時に発生する熱により、化合物Ｂの転移の他、化合
物Ａと化合物Ｂの反応も起こり、有用である。

化合物Ａとしては置換または非置換のポリアセチレンな
どがあり、化合物Ｂとしてはビニル基を有する芳香族化
合物がある。ポリアセチレン類は安定性が良くなく、残
存２重結合は少ない方が好ましい。またポリアセチレン
類は共役２重結合鎖を有して可視域に吸収を有するので
、用途上不適当な場合にはブタジェン構造を有する置換
基を持つ化合物の方が好ましい。

上記のような化合物Ａを含む層または基材からなる像形
成体としては種々の形態が考えられるが、主に、 １）化合物Ａを含む基材１だけの構成（第１図）２）化
合物Ａを含まない基材３上に化合物Ａを含む記録像形成
層２を少なくとも有する構成（第２図） ３）化合物Ａを含む基材１上に化合物Ａを含む記録像形
成層２を少なくとも有する構成（第３図） が考えられる。像形成体が、光を透過させることにより
、光学素子等として機能する場合には少なくとも必要な
波長については透明でなければならない。そのため、化
合物Ａを含むところの像形成体を構成する層または基材
は、必要な波長については透明でなければならないが、
化合物Ａ以外の物質は特に限定されたものではない。化
合物Ｂの拡散を容易にするためにはガラス転移温度或は
熱変形温度が余り高くない方が好ましく、４０〜１５０
℃程度の高分子組成物がよい。さらに化合物Ａと化合物
Ｂの反応時に架橋硬化させることを考えて、１．３−ジ
オキソラン環などの反応性官能基を有する化合物（化合
物Ａであってもよい）が存在する場合には、この限りで
はない。また化合物Ａを含まない基材の場合には、像形
成体に耐熱性を付与するために、高分子組成物ばがりで
なくガラス等を用いてもよい。基材の上に像形成層を設
ける場合には像形成層を設けるための塗液が必要である
が、用いる溶剤としては化合物Ａ及び化合物Ｂ以外の高
分子組成物を溶解するものであれば良いが、例えばこれ
らの物質がアクリル系である場合にはベンゼン、トルエ
ン、メチルエチルケトン、モノクロルベンゼン、ジクロ
ロメタンなどを用いることができる。像形成層の厚みは
均一であることが望ましいが、スピンコーティング法に
より良好に形成できる。

転写体は基材４の片面に転写材層５を有する構成が好ま
しい（第４図）。基材は転写材層を支持するものであり
、ポリエステル、ポリイミド、アラミド、セロハンなど
のフィルムやポリスチレン、ＰＭＭＡ、　　ポリカーボ
ネート、ガラスなどの板状の材料を用いることができる
。サーマルヘッドで記録するために耐熱滑性層が設けて
あったり、通電記録ヘッドあるいは誘導加熱ヘッドでき
ろくするために導電層または抵抗層などが設けてあって
もよい。さらに光記録を行うために基材４の転写材層５
側に光エネルギーを熱に替えるための光吸収層６があっ
てもよい（第５図）。転写材層は少なくとも転写材（す
なわち化合物Ｂ）と結着材から構成される。転写材は上
述の通りであり、結着材には昇華転写型感熱記録体に用
いられるような結着材を用いることができる。すなわち
セルロース系、アクリル酸系、デンプン系などの水溶性
樹脂、アクリル樹脂、ポリフェニレンオキサイド、ポリ
サルホン、ポリエーテルサルホン ルロース、アセチルセルロースなどの有機溶剤するいは
水に可溶性の樹脂などを挙げることができるが記録感度
及び転写体の保存安定性の点で、熱変形温度（ＡＳＴＭ
　　Ｄ８４８）が７０〜１５０℃のものが優れている。

よって、ポリスチレン、ポリビニルブチラール、ポリカ
ーボネート、メタクリル樹脂、アクリロニトリル・スチ
レン共重合体、ポリエステル樹脂、ウレタン樹脂、塩素
化ポリエチレン、塩素化ポリプロピレンなどが好ましい
。また転写材層には、可塑剤、記録後の像形成体との剥
離をよくする等の目的の滑剤や界面活性剤等を含んでい
てもよい。そして前記の転写材・結着材などを含んだ転
写材層を構成するための塗液を調製するに当り、５使用
する溶剤としては、メタノール、エタノール、プロパツ
ール、ブタノールナトのアルコール類、メチルセロソル
ブ、エチルセロソルブなどのセロソルブ類、ベンゼン、
トルエン、キシレンなどの芳香族類、酢酸ブチルなどの
エステル類、アセトン、２−ブタノン、シクロヘキサノ
ンなどのケトン類、Ｎ．　　Ｎ−ジメチルホルムアミド
などの窒素化合物類、ジクロルメタン、クロルベンゼン
、クロロホルムなどのハロゲン化炭化水素などが使■で
きるが、水溶性または水分散性の水性樹脂を結着材とし
て用いる場合には、水または水と上記の溶剤を混合して
使用することもできる。更に、塗液をフィルム状の基材
上に塗布する方法としては、リバースロールコータ−、
グラビアコーター、ロッドコーター、フレキンコーター
、エアドクタコーターなどを使用して実施することがで
き、また板状の基材上に塗布する方法としてはスピンコ
ーティングが代表的テある。

次に更に詳細な例を挙げて説明する。

実施例１ まず３−メチル−２−ブテノ−ルー１　１１ｇとトリエ
チルアミン　１５ｇ及びジオキサン　２００ｇを５００
ｍｌの３つロフラスコにいれ、撹拌しながら塩化メタク
ロイル　１６ｇとジオキサン５０ｇの混合液を３０分か
けて滴下した。さらに３０分撹拌放置した後、これに１
００ｇの水をいれて撹拌し、これらの反応液を濾過した
。さらに有機層を抽出した後、炭酸水素ナトリウム水溶
液、ついで水で洗浄した。これをエバポレーターにてジ
オキサンを除去した後、減圧蒸留を２回繰り返して　２
０ｇのメタクリル酸３．３−ジメチルアリルエステルを
得た。これによって得た５ｇのメタクリル酸３，３−ジ
メチルアリルエステルと１５ｇのメタクリル酸メチル、
そして０．１ｇのＡＩＢＮを２００ｇのベンゼンに溶解
し、窒素雰囲気下でラジカル重合させて１５ｇのメタク
リル酸３，３−ジメチルアリルエステルとメタクリル酸
メチルとの共重合体を得た。この共重合体をジクロロメ
タンに溶解させて、塗液とした。この塗液を用いてガラ
ス基板上にスピンコードし、基材上に像形成層を設けた
像形成体ＩＡとした。

次にベンゾフェノン１ｇとブチラール樹脂（漬水化学　
エスレックＢ　　ＢＸ−１）２ｇをトルエン２１ｇ１　
メチルエチルケトン９ｇに溶解して塗液ＩＢとした。ま
たこれを　倍に希釈した塗液を塗液ＩＢ’　とした。記
録及びその結果については、他の実施例と併せて後述す
る。

実施例２ 塩化メタクロイルとフルフリル　アルコールを原料とし
て実施例１と同様の操作でメタクリル酸フルフリルエス
テルを得た。メタクリル酸フルフリルエステル５ｇ１　
メタクリル酸［２−メチル−２−（２−オキソプロピル
）−１，３−ジオキソラン−４−イル］エステル２ｇ１
　メタクリル酸メチル１０ｇとアクリル酸エチル３ｇを
同様にラジカル重合して１５ｇの４元共重合体を得た。

これを熱プレス成形して１１厚みの板を得た。これを像
形成体２Ａとした。

次に実施例１と同様にして４−ブロムベンズアルデヒド
を化合物Ｂとする塗液２Ｂ１２Ｂ′を得た。

実施例３ ｐ−ジビニルベンゼン４ｇとメタクリル酸メチル１６ｇ
を実施例１と同様にラジカル重合してジビニルベンゼン
の未反応ビニル基の残る共重合体１３ｇを得た。これを
トルエンに溶解し、２１１ｍ厚のＰＭＭＡキャスト板（
協和ガス化学工業（株）バラクラス）上にスピンコーテ
ィングして像形成体３Ａとした。

次に２−ビニルナフタレン１ｇとＡＳ樹脂（電気化学工
業（株）デンカスチロール　Ａ　Ｓ　−Ｓ　Ｕ）２ｇを
トルエン２１ｇ、メチルエチルケトン９ｇに溶解し、２
−ビニルナフタレンを化合物Ｂとする塗液３Ｂとした。

さらにこれを　倍に希釈したものを塗液３Ｂ’　とした
。

実施例４ ポリフェニルアセチレン　１０重量部とＰＭＭＡ９０重
量部をトルエンに溶解し、ガラス上にスピンコーティン
グして像形成体４Ａとした。

次に実施例３と同様に２−ビニルナフタレンを化合物Ｂ
とする塗液４Ｂ並びに塗液４Ｂ”を作成した。

実施例１〜４の記録及び結果 （記録方法１） 光硬化性樹脂及びシリカ微粒子からなる耐熱滑性層を設
けた４μｍのＰＥＴフィルムの耐熱滑性層を設けていな
い面に実施例１〜４の塗液１〜４Ｂをワイヤーバーで塗
布し、約１μｍの転写材層を構成して転写体１〜４Ｃと
した。これら転写体の転写材層と像形成体の像形成層が
接するように重ね合わせ（像形成層を有しない像形成体
２Ａの場合にはどちら側でも良い）、転写体の耐熱滑性
層の側からサーマルヘッドによって、下記の条件にて記
録を行った。

サーマルヘッド記録条件 主走査の線密度　　：　４ドツト／■■副走査の線密度
　　二　８ドツト／關 記録電力　　　　　：　　０．７Ｗ／ｄｏｔヘツドの加
熱時間　：８ｍｓ／ｄｏｔ 副走査方向に１ラインだけ記録 記録後の像形成体１〜４Ａの各々について、３００Ｗ高
圧水銀灯を３０秒間照射したあと、記録ライン上にプリ
ズムを２個距離を離して置き、一方のプリズムからヘリ
ウム・ネオンレーザ−光を入射させると、どの像形成体
についても他方のプリズムから記録ラインの先導波路を
導波してきた光が出射するのを観測できた。また、像形
成層に混入した異物による乱反射から、光が記録ライン
部分だけを導波していることも確認できた。

（記録方法２） カーボン含有のアラミドフィルム（厚み８μｍ１シ一ト
抵抗約ＩＫΩ／口）に実施例１〜４の塗液１〜４Ｂをワ
イヤーバーで塗布し、約１μｍの転写材層を構成して、
転写体１〜４Ｄとした。記録方法１と同様にして転写体
と像形成体を重ね合わせ、転写体のフィルム側からライ
ン型通電ヘッドを用いて、下記の条件で記録した。

通電ヘッド記録条件 主走査の線密度　　：　１ｏドツト／　ａｍ副走査の線
密度　　：　２ｏドツト／龍印加電圧　　　　　：　５
０Ｖ 印加パルス幅　　　＝　８０μｓ 副走査方向に１ラインだけ記録 記録方法１の場合と同様の処理をした後、同様の先導波
の実験を行ったところ、どの像形成体でも先導波路とし
て機能していることが確認できた。

（記録方法３） 厚さ１，１■、外径１３０−ｗ、内径１５ｍ−のガラス
基板にカーボンブラックを分散させたエチルセルロース
溶液をスピンコードし、２μｍの光吸収層を設けた。さ
らに実施例１〜４の塗液１〜４Ｂ’をスピンコードして
１μｍの転写材層を設けて転写体１〜４Ｅとした。予め
外径１３０−ｍ、内径１５■に加工した像形成体を記録
像形成層と転写体の転写材層が重なるように転写体に密
着させた。これを光デイスク用光記録デツキにて、線速
度１０ｍ／ｓ１６ｍＬ　径方向送りピッチ２μｍ１無変
調で記録した。記録後転写体と像形成体を剥離させ、像
形成体に３００Ｗ高圧水銀灯で３０秒間光照射した。

これらの像形成体に０．５ｍＷのヘリウム・ネオンレー
ザ−を垂直入射させたところ、回折光が観測でき、回折
格子などの光学素子の作成が可能なことが判った。

発明の効果 本発明に基づく屈折率差を有するパターンの作成方法は
、反応性官能基を佇する化合物Ａを含む層または基材か
らなる像形成体に対して、化合物Ａと反応することによ
り化合物Ａの屈折率を変化させる化合物Ｂを含む転写体
を密着させ、光等の電磁波や熱のエネルギーにより転写
体がら化合物Ｂを像形成体へ昇華または拡散により転写
し、化合物Ａと反応させることによって屈折率変化を生
じさせるため、作成方法が簡便で、未記録状態の像形成
体に感熱・感光性がなく保存安定性に優れ、熱、電流、
光などの放射線を記録エネルギーとして用いることによ
り、多くの記録手段で記録が行える。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第３図は、本発明の実施例における像形成体の
断面模式図、第４および第５図は本発明の実施例におけ
るパターン転写体の断面模式図である。 １・・・・・・化合物Ａを含む基材、２・・・・・・化
合物Ａを含む記録像形成層、３・旧・・化合物Ａを含ま
ない基材、４・・・・・・基材、５・旧・・転写材層、
６・旧・・光吸収層。 代理人の氏名　弁理士　中尾敏男　はが１名第１図 第２図 第３図

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. （１）反応性官能基を有する化合物Ａを含む層または基
   材からなる像形成体に対して、化合物Ａと反応すること
   により化合物Ａの屈折率を変化させる化合物Ｂを含む転
   写体を密着させ、光等の電磁波や熱のエネルギーにより
   転写体から化合物Ｂを像形成体へ昇華または拡散により
   転写し、化合物Ａと反応させることによって屈折率変化
   を生じさせることを特徴とする屈折率差を有するパター
   ンの作成方法。
2. （２）化合物Ａ、化合物Ｂが下記の化合物である請求項
   １に記載の屈折率差を有するパターンの作成方法。 （イ）化合物Ａは、置換または非置換のアリル基と（メ
   タ）アクリル酸とのエステルの単独重合体あるいは、置
   換または非置換のアリル基と（メタ）アクリル酸とのエ
   ステルを５重量％以上含む他のビニルモノマーとの共重
   合体であって、 かつ重合体中に置換または非置換のアリル基の二重結合
   が残存している（共）重合体 （ロ）化合物Ｂは、非置換または置換基を有するベンズ
   アルデヒド、ベンゾフェノンまたはナフチルフェニルケ
   トン
3. （３）化合物Ａ、化合物Ｂが下記の化合物である請求項
   １に記載の屈折率差を有するパターンの作成方法。 （イ）化合物Ａは、（メタ）アクリル酸の３，３−ジメ
   チルアリルエステルの単独重合体または（メタ）アクリ
   ル酸の３，３−ジメチルアリルエステルを５重量％以上
   含む他のビニルモノマーとの共重合体であって、かつ重
   合体中に３，３−ジメチルアリル基の二重結合が残存し
   ている（共）重合体 （ロ）化合物Ｂは、非置換または置換基を有するベンズ
   アルデヒド、ベンゾフェノンまたはナフチルフェニルケ
   トン
4. （４）請求項１に記載の屈折率差を有するパターンの作
   成方法に供される、反応性官能基を有する化合物Ａを含
   む層または基材からなる像形成体。
5. （５）請求項１に記載の屈折率差を有するパターンの作
   成方法に供される、化合物Ａと反応することにより化合
   物Ａの屈折率を変化させる化合物Ｂを含む転写記録体。