JPH01302507A - 磁気ヘッド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は磁気ヘッドに関し、詳しくはＦＤＤ装置等に使
用され、ギャップ構造を改善して高密度記録を実現した
Ｍ　Ｉ　Ｇ　（Ｍｅｔａｌ　ｉｎ　Ｇａｐ）　ヘッドに
関するものである。

〔従来の技術〕

例えばＦＤＤや８　ｍ　Ｖ　Ｔ　Ｒに使用される磁気ヘ
ッドとしては、記録媒体である磁気ディスクでの情報の
書込み及び読み出しを高密度で行うＭＩＧヘッドなるも
のがある。

上記ＭＩＧヘッドの具体例を第１２図及び第１３図を参
照して次に示す、同図に示す磁気ヘッドにおいて、（１
）は強磁性体であるフェライトからなるコアチップで、
一対の磁気コア（２）（３）を低融点ガラス（４）（４
）で接合一体化したものである。上記コアチップ（１）
の、記録媒体である磁気ディスクと摺接する頂端面（５
）には、トラック幅（Ｔ）を有する磁気ギャップ（ｇ）
が形成され、その両側方がら磁気ギャップ（ｇ）をガラ
ス（４）（４）で保護している。（６）は磁気ギャップ
（ｇ）の形成予定面に位置する磁気コア（３）のエツジ
部位に、所定厚の高融点ガラス（７）を介し、スパッタ
リングで被着形成された金属薄膜で、センダストやパー
マロイ等の高飽和磁束密度特性を有する強磁性体からな
る。図示しないが、上記コアチップ（１）の脚部（８）
（９）に所定ターン数巻回された絶縁被覆処理の線材が
装着され、さらにヨークの役目をするバックコアが取付
けられ、更にコアチップ　（１）の両側方にスライダが
エポキシ樹脂系接着剤等で貼着固定される。

尚、上記ＭＩＧヘッドでは一方の磁気コア（３）に金属
薄膜（６）を被着形成しているが、勿論他方の磁気コア
（２）の方にも金属薄膜（６）を被着形成してもよい。

〔発明が解決しようとする課題〕

ところで、上述したＭＩＧヘッドでは、磁気コア（３）
の磁気ギャップ（ｇ）側のエツジ部位に、高融点ガラス
（７）を介して金属薄膜（６）を被着し、磁気特性の向
上を図ると共に、ガラス（７）を金属薄膜（６）と磁気
コア（３）との間に介在させ、磁気コア（３）と金属薄
膜（６）との間の距離を大きくしてその間で発生する洩
れ磁束の減少を図っている。ところが、第１３図に示す
ように、金属薄膜（６）とガラス（７）との界面（ｇ、
）及びガラス（７）と磁気コア（３）との界面（ｇ２）
においては、透磁率が急激に変化し、しかも両界面（ｇ
、）（ｇｌ）共に磁気ギャップ（ｇ）に対して平行とな
るため、両界面（ｇ＋）　　（ｇｚ）において互いに逆
向きの洩れ磁束が生じている。そこで、この状態を測定
すれば、第１４図に示すように、上記ＭＩＧヘッドによ
り磁気記録媒体に書込まれた情報を再生する際に、磁気
ギャップ（ｇ）による出力パルス（Ａ）の他、依然とし
て上記界面（ｇｌ）　　（ｇ−）における洩れ磁束によ
って、正負の副パルス（Ｂ）（Ｃ）が生じることが知ら
れている。そのため、界面（ｇ、）に生じる特に出力パ
ルス（Ａ）と反対極性の副パルス（Ｂ）によってノイズ
が発生するといった不都合が生じていた。

〔課題を解決するための手段〕

本発明は、フェライト等の金属酸化物磁性体゛からなる
一対の磁気コアの少なくとも一方の磁気ギャップ形成予
定面近傍に、非磁性体を介して高飽和磁束密度強磁性体
からなる金属薄膜を付着させて両磁気コアを接合一体化
して、コアチップの頂端面に磁気ギャップを形成したも
のにおいて、上記非磁性体との界面付近における金属薄
膜内に、低飽和磁束密度の磁気劣化層を形成したことを
特徴とする特に金属薄膜とガラスとの界面における洩れ
磁束によって生じる副パルスの除去を目的とする。

〔作用〕

上記技術的手段によれば、磁気コアの磁気ギャップ形成
予定面近傍部に、非磁性体を介して金属薄膜を設けたＭ
ＩＧヘッドにおいて、非磁性体との界面付近における金
属薄膜内に磁気劣化層を形成するので、金属薄膜と非磁
性体との界面において透磁率を徐々に変化させて透磁率
の急激な変化を防ぐことが可能となる。

〔実施例］ 本発明の実施例を第１図及び第２図乃至第１１図を参照
して以下説明する。まず第１図は本発明に係るＭＩＧヘ
ッドの各コアチップ（１０）の頂端面（１１）を示し、
図において（１２）　　（１３）は一対の磁気コア、（
１４）　　（１５）はガラス非磁性体で、ギャップ保護
、接着材を兼ねる、（１６）は金属薄膜、（１７）は磁
気劣化層、（ｇ）は磁気ギャップである。上記磁気コア
（１２）のエツジ部位は磁気ギャップ（ｇ）の形成面と
なり、磁気コア（１３）の近傍部には従来と同じく高融
点ガラス（１５）を磁気ギャップ（ｇ）に平行に設け、
更にガラス（１５）を介して金属薄膜（１６）を被着形
成している。金属薄膜（１６）はセンダスト等の高飽和
磁束密度強磁性体からなり、磁気コア（１２）の近傍部
とで磁気ギャップ（ｇ）を形成すると共に、ガラス（１
５）との界面付近において磁気劣化層（１７）が形成さ
れている。

上記磁気劣化１１　（１７）は低飽和磁束密度を有する
層で、例えばガラス（１５）にパーマロイ等のセンダス
トよりも飽和磁束密度の低い磁性体をスパッタリング等
で被着した後、センダストを被着することにより形成す
る。又は、センダストの被着に際してはＡｒガス中でス
パッタリングしているため、その初期において酸素を注
入したり、Ａｒ、ガスの気圧を変え、雰囲気を変えてス
パッタリングすることにより、ガラス（１５）との界面
付近におけるセンダストを粗くして磁気劣化層（１７）
形成しておき、その後、酸素注入を停止したり、Ａｒガ
スの気圧を戻して正常なＡｒガス雰囲気中でスパッタリ
ングを続け、金属薄膜（１６）を被着形成する。或いは
、予めガラス（１５）に非磁性体金属であるＣｒをガラ
ス（１５）にスパッタリング等で被着しておいてから、
その上にセンダストを被着形成すると、Ｃｒは後のガラ
ス溶着時にセンダスト中に熱拡散していって、センダス
トの磁気特性を劣化させるため、ガラス（１５）との界
面付近における金属薄膜（１６）中に磁気劣化ＪＷ　（
１７）が形成される。ガラス（１４）は低融点ガラスで
、磁気ギャップ（ｇ）にＳｉＯ□等のギャップスペーサ
を被着した後、金属薄膜（１６）及びガラス（１５）を
介して各磁気コア（１２）　　（１３）を接合一体化す
ると共に、磁気ギャップ（ｇ）を両側より保護する。

上記コアチップ（１０）を製造するに際しては、まず第
２図及び第３図に示すように、フェライトからなる直方
体形状の第１、第２コアブロツク（１７）　　（１８）
を用意する。そして、第４図及び第５図に示すように、
第１コアブロツク（１７）の表面（Ｈａ）にその長手方
向に沿ってガラス溝（１９）を切削加工すると共に、そ
の短手方向に沿ってトラック幅（Ｔ）を残して複数のト
ラック溝（２０）・・・を切削加工し、更に第２コアブ
ロツク（１８）の表面（１８ａ）にその長手方向に沿っ
て凹溝（２１）を切削加工する。そして、第６図及び第
７図に示すように、第１、第２コアブロツク（１７）　
　（１Ｂ）の各表面（１７ａ）（１８ａ）にそれぞれガ
ラスモールドして研磨し、ガラス溝（１９）とトラック
溝（２０）　、及び凹溝（２１）とにそれぞれ低融点ガ
ラス（２２）と高融点ガラス（２３）とを充填する。次
に、第８図に示すように、第２コアブロツク（１８）の
表面（１８ａ）にセンダストをスパッタリング等して金
属薄膜（２４）を被着形成すると共に、そのガラス（２
３）との界面付近において前記手段により磁気劣化層を
形成しておく、そして図示しないが、第１コアブロツク
（１７）の表面（１７ａ）にＳｉＯ□等のギャップスペ
ーサを被着した後、第９図に示すように、第１、第２コ
アブロツク（１７）　　（１８）をその表面（１７ａ　
）　　（１８ａ　）を突合わせて加熱し、ガラス溶着に
て接合一体化する。そして、図示破線で示すように、第
１、第２コアブロツク（１７）　　（１８）の上下端を
研磨して除去すると共に、中央及び左側方を切削除去す
る。その後、図示鎖線で示すように、第１、第２コアブ
ロツク（１７）　　（１８）を短手方向に沿ってスライ
スして、第１０図に示すように、分離すると、第１１図
に示すコアチップ（１０）を得る。

上記コアチップ（１０）によれば、ガラス（１５）との
界面付近における金属薄膜（１６）中に磁気劣化層（１
７）が形成されているため、金属薄膜（１６）の透磁率
は、ガラス（Ｉ５）の近傍で徐々に低下するため、金属
薄膜（１６）とガラス（１５）との界面における透磁率
の象、激な変化を回避でき、上記界面において発生する
洩れ磁束が減少する。又、磁気ギャップ（ｇ）のトラッ
ク幅（Ｔ）は磁気コア（１２）の近傍部の幅で決まり、
ＴＳＳ型ＭＩＧヘッドのように金属薄膜（１６）の膜厚
は寄与しないため、トラック幅（Ｔ）の制御が容易であ
る。更にＴＳＳ型ＭＩＧヘッドのように金属薄膜（１６
）を厚くする必要はなく、その成膜時間を短縮できる。

尚、上記実施例は、一方の磁気コアにのみに金属薄膜を
形成した、いわゆる片ＭＩＧ型ヘッドについて説明した
が、両方の磁気コアに金属薄膜を形成した、いわゆる両
ＭＩＧ型ヘッドについても実施できることはいうまでも
ない。

〔発明の効果〕

本発明によれば、磁気コアの磁気ギャップ形成予定面近
傍部に、ガラス等の非磁性体を介して金属薄膜を設けた
ＭＩＧヘッドにおいて、ガラスとの界面付近における金
Ｂ薄膜内に磁気劣化層を設け、金属薄膜とガラスとの界
面において透磁率を徐々に変化させたから、上記界面に
おいて発生する洩れ磁束が減少し、それによる副パルス
の出力も小さくなって出力特性の向上を図ることができ
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係る磁気ヘッドの各実施例を示すコア
チップ頂端面の平面図、第２図乃至第１１図は第１図磁
気ヘッドのコアチップの製造例を示す各工程図、第１２
図及び第１３図は従来のＭＩＧヘッドの一興体例を示す
コアチップの斜視図と平面図、第１４図は第１２図及び
第１３図磁気ヘッドの課題を説明するための再生出力パ
ルスの波形図である。 （１０）　−−−コアチップ、　　　（１１）−頂端面
、（１２）　　（１３）−・磁気コア、（１４）・−ガ
ラス、（１５）・−・ガラス、　　　　　（１６）　−
・金属薄膜、（１７ン一磁気劣化層、　　　（ｇ）・−
磁気ギャップ。 第　３区

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）金属酸化物磁性体からなる一対の磁気コアの少な
   くとも一方の磁気ギャップ形成予定面近傍に、非磁性体
   を介して高飽和磁束密度強磁性体からなる金属薄膜を付
   着させて両磁気コアを接合一体化して、コアチップの頂
   端面に磁気ギャップを形成したものにおいて、 上記非磁性体との界面付近における金属薄膜内に、低飽
   和磁束密度の磁気劣化層を形成したことを特徴とする磁
   気ヘッド。