JPH045046Y2 - - Google Patents
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- JPH045046Y2 JPH045046Y2 JP10074785U JP10074785U JPH045046Y2 JP H045046 Y2 JPH045046 Y2 JP H045046Y2 JP 10074785 U JP10074785 U JP 10074785U JP 10074785 U JP10074785 U JP 10074785U JP H045046 Y2 JPH045046 Y2 JP H045046Y2
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- Magnetic Heads (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本考案は磁気ヘツドに関するものであり、特
に、主コア材として強磁性金属薄膜を用い、補助
コア材として磁性フエライトを用いる高周波対応
の磁気ヘツドに関するものである。
に、主コア材として強磁性金属薄膜を用い、補助
コア材として磁性フエライトを用いる高周波対応
の磁気ヘツドに関するものである。
本考案は、酸化物磁性材料よりなる磁気コア半
体に真空薄膜形成技術により強磁性金属薄膜を被
着形成し、この強磁性金属薄膜同士を突き合わせ
て磁気ギヤツプを構成してなる磁気ヘツドにおい
て、 磁気記録媒体対接面から見たときに上記磁気ギ
ヤツプに対して非平行に配置される強磁性金属薄
膜と酸化物磁性材料との間に非磁性中間膜を形成
することにより、 強磁性金属薄膜の付着力の弱さを解決し、疑似
ギヤツプの発生がなく、かつ構造的に強い磁気ヘ
ツドを提供しようとするものである。
体に真空薄膜形成技術により強磁性金属薄膜を被
着形成し、この強磁性金属薄膜同士を突き合わせ
て磁気ギヤツプを構成してなる磁気ヘツドにおい
て、 磁気記録媒体対接面から見たときに上記磁気ギ
ヤツプに対して非平行に配置される強磁性金属薄
膜と酸化物磁性材料との間に非磁性中間膜を形成
することにより、 強磁性金属薄膜の付着力の弱さを解決し、疑似
ギヤツプの発生がなく、かつ構造的に強い磁気ヘ
ツドを提供しようとするものである。
例えばVTR（ビデオテープレコーダ）等の磁気
記録再生装置においては、記録信号の高密度化が
進められており、この高密度記録に対応して磁気
記録媒体として磁性粉にFe，Co，Ni等の強磁性
金属の粉末を用いた、いわゆるメタルテープや、
強磁性金属材料を蒸着等の真空薄膜形成技術によ
りベースフイルム上に直接被着した、いわゆる蒸
着テープ等が使用されるようになつている。
記録再生装置においては、記録信号の高密度化が
進められており、この高密度記録に対応して磁気
記録媒体として磁性粉にFe，Co，Ni等の強磁性
金属の粉末を用いた、いわゆるメタルテープや、
強磁性金属材料を蒸着等の真空薄膜形成技術によ
りベースフイルム上に直接被着した、いわゆる蒸
着テープ等が使用されるようになつている。
この種の磁気記録媒体は、高い抗磁力Hcを有
するので、記録再生に用いる磁気ヘツドのヘツド
材料には、高飽和磁束密度を有することが要求さ
れる。例えば、従来ヘツド材料として多用されて
いるフエライト材では、飽和磁束密度が低く、こ
の高抗磁力化に対処しきれない。
するので、記録再生に用いる磁気ヘツドのヘツド
材料には、高飽和磁束密度を有することが要求さ
れる。例えば、従来ヘツド材料として多用されて
いるフエライト材では、飽和磁束密度が低く、こ
の高抗磁力化に対処しきれない。
そこで従来、これら高抗磁力磁気記録媒体に対
応するために、磁気コア部がフエライト等の酸化
物磁性材料からなり、これら各磁気コア部に主コ
ア材として強磁性金属薄膜を被着形成し、これら
強磁性金属薄膜同士を突き合わせて磁気ギヤツプ
を構成するようにした、いわゆる複合型の磁気ヘ
ツドが提案されている。
応するために、磁気コア部がフエライト等の酸化
物磁性材料からなり、これら各磁気コア部に主コ
ア材として強磁性金属薄膜を被着形成し、これら
強磁性金属薄膜同士を突き合わせて磁気ギヤツプ
を構成するようにした、いわゆる複合型の磁気ヘ
ツドが提案されている。
ところで、上述の構成の磁気ヘツドにおいて
は、疑似ギヤツプの発生を防ぐために、酸化物磁
性材料からなる磁気コア部に直接強磁性金属薄膜
を形成する必要があるが、この場合にはこれら強
磁性金属薄膜と酸化物磁性材料との付着強度が不
足し、膜ハガレ等の不良が発生し易かつた。
は、疑似ギヤツプの発生を防ぐために、酸化物磁
性材料からなる磁気コア部に直接強磁性金属薄膜
を形成する必要があるが、この場合にはこれら強
磁性金属薄膜と酸化物磁性材料との付着強度が不
足し、膜ハガレ等の不良が発生し易かつた。
そこで本考案は、疑似ギヤツプを発生すること
なく強磁性金属薄膜の付着強度を向上し、膜ハガ
レ等のない信頼性の高い磁気ヘツドを提供するこ
とを目的とする。
なく強磁性金属薄膜の付着強度を向上し、膜ハガ
レ等のない信頼性の高い磁気ヘツドを提供するこ
とを目的とする。
このような目的を達成するために、本考案の磁
気ヘツドは、酸化物磁性材料よりなる磁気コア半
体に真空薄膜形成技術により強磁性金属薄膜を被
着形成し、この強磁性金属薄膜同士を突き合わせ
て磁気ギヤツプを構成してなる磁気ヘツドにおい
て、磁気記録媒体対接面から見たときに上記磁気
ギヤツプに対して非平行に配置される強磁性金属
薄膜と酸化物磁性材料との間に非磁性中間膜を形
成したことを特徴とするものである。
気ヘツドは、酸化物磁性材料よりなる磁気コア半
体に真空薄膜形成技術により強磁性金属薄膜を被
着形成し、この強磁性金属薄膜同士を突き合わせ
て磁気ギヤツプを構成してなる磁気ヘツドにおい
て、磁気記録媒体対接面から見たときに上記磁気
ギヤツプに対して非平行に配置される強磁性金属
薄膜と酸化物磁性材料との間に非磁性中間膜を形
成したことを特徴とするものである。
磁気記録媒体対接面から見たときに上記磁気ギ
ヤツプに対して非平行に配置される強磁性金属薄
膜と酸化物磁性材料との間に非磁性中間膜を形成
することにより、これら強磁性金属薄膜と酸化物
磁性材料との付着強度が確保される。また、磁気
ギヤツプに平行な部分には非磁性中間膜は形成さ
れないので、疑似ギヤツプが発生することはな
い。
ヤツプに対して非平行に配置される強磁性金属薄
膜と酸化物磁性材料との間に非磁性中間膜を形成
することにより、これら強磁性金属薄膜と酸化物
磁性材料との付着強度が確保される。また、磁気
ギヤツプに平行な部分には非磁性中間膜は形成さ
れないので、疑似ギヤツプが発生することはな
い。
以下、本考案を適用した磁気ヘツドの一実施例
について、図面を参照しながら説明する。
について、図面を参照しながら説明する。
第１図は本考案を適用した磁気ヘツドの一例を
示す外観斜視図であり、第２図はその磁気テープ
摺接面を示す要部拡大平面図である。
示す外観斜視図であり、第２図はその磁気テープ
摺接面を示す要部拡大平面図である。
この磁気ヘツドにおいては、磁気コア半体１
１，１２が酸化物磁性材料、例えばMn−Zn系フ
エライトで形成され、その当接面付近は、トラツ
ク幅を規制するためのトラツク幅規制溝によつて
両側が略円弧状に切り欠かれている。また、一方
の磁気コア半体１１には、この磁気ヘツドに信号
を供給するためのコイルを巻回するための巻線孔
１７が穿設されている。
１，１２が酸化物磁性材料、例えばMn−Zn系フ
エライトで形成され、その当接面付近は、トラツ
ク幅を規制するためのトラツク幅規制溝によつて
両側が略円弧状に切り欠かれている。また、一方
の磁気コア半体１１には、この磁気ヘツドに信号
を供給するためのコイルを巻回するための巻線孔
１７が穿設されている。
そして、上記各磁気コア半体１１，１２の当接
面には、上記トラツク幅規制溝内も含んで、それ
ぞれ強磁性金属薄膜１３，１４がフロントギヤツ
プ形成面からバツクギヤツプ形成面に至るまで連
続して被着形成されており、これら強磁性金属薄
膜１３，１４の当接面に形成される平行部分１３
ａ，１４ａ同士を突き当てることにより磁気ギヤ
ツプｇが構成されている。なお、上記トラツク幅
規制溝内には、トラツク幅を規制し強磁性金属薄
膜１３，１４の摩耗を防止するための非磁性材１
５，１６が溶融充填されている。
面には、上記トラツク幅規制溝内も含んで、それ
ぞれ強磁性金属薄膜１３，１４がフロントギヤツ
プ形成面からバツクギヤツプ形成面に至るまで連
続して被着形成されており、これら強磁性金属薄
膜１３，１４の当接面に形成される平行部分１３
ａ，１４ａ同士を突き当てることにより磁気ギヤ
ツプｇが構成されている。なお、上記トラツク幅
規制溝内には、トラツク幅を規制し強磁性金属薄
膜１３，１４の摩耗を防止するための非磁性材１
５，１６が溶融充填されている。
上記強磁性金属薄膜１３，１４は、強磁性非晶
質金属合金、いわゆるアモルフアス合金（例えば
Fe，Ni，Coの１つ以上の元素とＰ，Ｃ，Ｂ，Si
の１つ以上の元素とからなる合金、またはこれを
主成分としＡ，Ge，Be，Sn，In，Mo，Ｗ，
Ti，Mn，Cr，Zr，Hf，Nb等を含んだ合金等の
メタル−メタロイド系アモルフアス合金、あるい
はCo，Hf，Zr等の遷移元素や希土類元素を主成
分とするメタル−メタル系アモルフアス合金）、
Fe−Ａ−Si系合金、Fe−Ａ系合金、Fe−Si
−Co系合金、Fe−Ni系合金等の強磁性金属材料
により形成され、真空蒸着法、スパツタリング
法、イオンプレーテイング法、クラスター・イオ
ンビーム法等に代表される真空薄膜形成技術によ
り形成される。
質金属合金、いわゆるアモルフアス合金（例えば
Fe，Ni，Coの１つ以上の元素とＰ，Ｃ，Ｂ，Si
の１つ以上の元素とからなる合金、またはこれを
主成分としＡ，Ge，Be，Sn，In，Mo，Ｗ，
Ti，Mn，Cr，Zr，Hf，Nb等を含んだ合金等の
メタル−メタロイド系アモルフアス合金、あるい
はCo，Hf，Zr等の遷移元素や希土類元素を主成
分とするメタル−メタル系アモルフアス合金）、
Fe−Ａ−Si系合金、Fe−Ａ系合金、Fe−Si
−Co系合金、Fe−Ni系合金等の強磁性金属材料
により形成され、真空蒸着法、スパツタリング
法、イオンプレーテイング法、クラスター・イオ
ンビーム法等に代表される真空薄膜形成技術によ
り形成される。
この強磁性金属薄膜１３，１４と酸化物磁性材
料からなる磁気コア半体１１，１２の界面には、
上記強磁性金属薄膜１３，１４のうち磁気ギヤツ
プｇを構成する部分１３ａ，１４ａと非平行に配
置される部分、すなわちトラツク幅規制溝に被着
される部分１３ｂ，１４ｂにおいて、それぞれ非
磁性中間膜１６が被着形成されている。
料からなる磁気コア半体１１，１２の界面には、
上記強磁性金属薄膜１３，１４のうち磁気ギヤツ
プｇを構成する部分１３ａ，１４ａと非平行に配
置される部分、すなわちトラツク幅規制溝に被着
される部分１３ｂ，１４ｂにおいて、それぞれ非
磁性中間膜１６が被着形成されている。
上記非磁性中間膜１６の材質としては、強磁性
金属薄膜と酸化物磁性材料との密着を上げるもの
であれば如何なるものであつてもよいが、具体的
にはTa，Cr，Ti，Ａ等の金属材料やそれらの
酸化物、あるいはSiO2等が挙げられる。この非
磁性中間膜１６を形成することにより、強磁性金
属薄膜１３，１４と磁気コア半体１１，１２の密
着性が向上し、構造的に強いものとなる。また、
この非磁性中間膜１６は、磁気ギヤツプｇと平行
な部分１３ａ，１４ａには形成されないので、疑
似ギヤツプが発生することもない。
金属薄膜と酸化物磁性材料との密着を上げるもの
であれば如何なるものであつてもよいが、具体的
にはTa，Cr，Ti，Ａ等の金属材料やそれらの
酸化物、あるいはSiO2等が挙げられる。この非
磁性中間膜１６を形成することにより、強磁性金
属薄膜１３，１４と磁気コア半体１１，１２の密
着性が向上し、構造的に強いものとなる。また、
この非磁性中間膜１６は、磁気ギヤツプｇと平行
な部分１３ａ，１４ａには形成されないので、疑
似ギヤツプが発生することもない。
次に、この実施例を一層明確なものとするため
に、その製造方法について説明する。
に、その製造方法について説明する。
上記実施例の磁気ヘツドを作製するには、先
ず、第３図に示すように、例えばMn−Zn系フエ
ライト等の酸化物磁性材料基板２０の上面２０
ａ、すなわちこの酸化物磁性材料基板２０におけ
る磁気コア半体突き合わせ時の接合面に、回転砥
石等により断面略半円形状のトラツク幅規制溝２
１を全幅に亘つて複数平行に形成する。
ず、第３図に示すように、例えばMn−Zn系フエ
ライト等の酸化物磁性材料基板２０の上面２０
ａ、すなわちこの酸化物磁性材料基板２０におけ
る磁気コア半体突き合わせ時の接合面に、回転砥
石等により断面略半円形状のトラツク幅規制溝２
１を全幅に亘つて複数平行に形成する。
次いで、第４図に示すように、この酸化物磁性
材料基板２０の全面に（トラツク幅規制溝内も含
む）、例えばSiO2等の非磁性材を非磁性中間膜２
２として被着形成する。
材料基板２０の全面に（トラツク幅規制溝内も含
む）、例えばSiO2等の非磁性材を非磁性中間膜２
２として被着形成する。
続いて、第５図に示すように、上記酸化物磁性
材料基板２０の上面２０ａを平面研削し、接合面
である上面２０ａ上に被着される余分や非磁性中
間膜２２を除去し、上記トラツク幅規制溝２１内
にのみ非磁性中間膜２２が残存するようにする。
材料基板２０の上面２０ａを平面研削し、接合面
である上面２０ａ上に被着される余分や非磁性中
間膜２２を除去し、上記トラツク幅規制溝２１内
にのみ非磁性中間膜２２が残存するようにする。
このように、予めトラツク幅規制溝２１内に非
磁性中間膜２２を被着した後、第６図に示すよう
に、強磁性金属薄膜２３を真空薄膜形成技術によ
つて全面に亘つて被着形成する。
磁性中間膜２２を被着した後、第６図に示すよう
に、強磁性金属薄膜２３を真空薄膜形成技術によ
つて全面に亘つて被着形成する。
このとき、上記強磁性金属薄膜２３は、上記非
磁性中間膜２２の作用により、高い付着力により
酸化物磁性材料基板２０に対して被着され、後の
工程において膜ハガレ等の損傷が発生することが
防止される。
磁性中間膜２２の作用により、高い付着力により
酸化物磁性材料基板２０に対して被着され、後の
工程において膜ハガレ等の損傷が発生することが
防止される。
上述のような工程により作製される一対の酸化
物磁性材料２０のうち、一方の基板２０に対し
て、第７図に示すように、トラツク幅規制溝２１
と直交する方向に溝加工を施し、巻線溝２４を形
成して酸化物磁性材料基板３０とする。
物磁性材料２０のうち、一方の基板２０に対し
て、第７図に示すように、トラツク幅規制溝２１
と直交する方向に溝加工を施し、巻線溝２４を形
成して酸化物磁性材料基板３０とする。
続いて、上記基板２０の上面２０ａか上記基板
３０の上面３０ａのいずれか一方にギヤツプスペ
ーサを被着し、第８図に示すように、これら基板
２０，３０を上記強磁性金属薄膜２３同士が突き
合わされるように接合配置する。そして、これら
基板２０，３０をガラスにより融着すると同時
に、上記トラツク幅規制溝２１内に非磁性材２５
を充填する。なお、上記ギヤツプスペーサとして
は、SiO2，ZrO2，Ta2O5，Cr等が使用される。
３０の上面３０ａのいずれか一方にギヤツプスペ
ーサを被着し、第８図に示すように、これら基板
２０，３０を上記強磁性金属薄膜２３同士が突き
合わされるように接合配置する。そして、これら
基板２０，３０をガラスにより融着すると同時
に、上記トラツク幅規制溝２１内に非磁性材２５
を充填する。なお、上記ギヤツプスペーサとして
は、SiO2，ZrO2，Ta2O5，Cr等が使用される。
そして、第８図中Ａ−Ａ線及びA′−A′線の位
置でスライシング加工し、複数個のヘツドチツプ
を切り出した後、磁気テープ摺接面を円筒研磨し
て第１図に示す磁気ヘツドを完成する。なお、こ
のとき基板２０，３０に対するスライシング方向
を突き合わせ面に対して傾斜させることにより、
アジマス記録用の磁気ヘツドとすることもでき
る。
置でスライシング加工し、複数個のヘツドチツプ
を切り出した後、磁気テープ摺接面を円筒研磨し
て第１図に示す磁気ヘツドを完成する。なお、こ
のとき基板２０，３０に対するスライシング方向
を突き合わせ面に対して傾斜させることにより、
アジマス記録用の磁気ヘツドとすることもでき
る。
ここで、第１図の磁気ヘツドの一方の磁気コア
半体１１は酸化物磁性材料基板３０に対応してお
り、他方の基板１２は基板２０に対応している。
また、非磁性中間膜１６は非磁性中間膜２２に、
強磁性金属薄膜１３，１４は強磁性金属薄膜２３
にそれぞれ対応する。
半体１１は酸化物磁性材料基板３０に対応してお
り、他方の基板１２は基板２０に対応している。
また、非磁性中間膜１６は非磁性中間膜２２に、
強磁性金属薄膜１３，１４は強磁性金属薄膜２３
にそれぞれ対応する。
このような製造工程により作製される磁気ヘツ
ドにおいては、強磁性金属薄膜２３の基板２０，
３０に対する付着強度が非磁性中間膜２２により
確保され、したがつて後工程での膜ハガレ等が生
ずることなく、信頼性の高いものとなる。
ドにおいては、強磁性金属薄膜２３の基板２０，
３０に対する付着強度が非磁性中間膜２２により
確保され、したがつて後工程での膜ハガレ等が生
ずることなく、信頼性の高いものとなる。
以上、本考案の具体的な実施例について説明し
たが、本考案がこの実施例に限定されるものでは
ない。
たが、本考案がこの実施例に限定されるものでは
ない。
例えば、第９図に示すように、磁気ギヤツプｇ
が磁気テープ摺接面から見たときに凸状の磁気コ
ア半体１１，１２を突き合わせることにより構成
される磁気ヘツドにも適用することができる。こ
の場合、非磁性中間膜１６は、磁気コア半体１
１，１２の磁気ギヤツプｇと直交する面、および
傾斜する面に被着形成される。
が磁気テープ摺接面から見たときに凸状の磁気コ
ア半体１１，１２を突き合わせることにより構成
される磁気ヘツドにも適用することができる。こ
の場合、非磁性中間膜１６は、磁気コア半体１
１，１２の磁気ギヤツプｇと直交する面、および
傾斜する面に被着形成される。
あるいは、第１０図に示すように、強磁性金属
薄膜１３，１４が磁気ギヤツプｇを挟んで略Ｘ字
状に形成される磁気ヘツドに適用することも可能
である。この場合には、非磁性中間膜１６を強磁
性金属薄膜１３，１４と酸化物磁性材料である磁
気コア半体１１，１２の界面の全てに亘つて形成
することができる。
薄膜１３，１４が磁気ギヤツプｇを挟んで略Ｘ字
状に形成される磁気ヘツドに適用することも可能
である。この場合には、非磁性中間膜１６を強磁
性金属薄膜１３，１４と酸化物磁性材料である磁
気コア半体１１，１２の界面の全てに亘つて形成
することができる。
なお、これら第９図および第１０図に示す実施
例において、先の第１図に示す磁気ヘツドと同一
の部材には同一の符号を付してある。
例において、先の第１図に示す磁気ヘツドと同一
の部材には同一の符号を付してある。
以上の説明からも明らかなように、本考案にお
いては、磁気ギヤツプに対して非平行に配置され
る強磁性金属薄膜と酸化物磁性材料との間に非磁
性中間膜を形成しているので、これら強磁性金属
薄膜と酸化物磁性材料との密着性が大幅に向上
し、膜ハガレ等のない信頼性の高い磁気ヘツドと
なつている。
いては、磁気ギヤツプに対して非平行に配置され
る強磁性金属薄膜と酸化物磁性材料との間に非磁
性中間膜を形成しているので、これら強磁性金属
薄膜と酸化物磁性材料との密着性が大幅に向上
し、膜ハガレ等のない信頼性の高い磁気ヘツドと
なつている。
また、上記非磁性中間膜は、磁気ギヤツプと平
行な部分には形成されないので、疑似ギヤツプが
発生することもなく、良好な記録再生が可能であ
る。
行な部分には形成されないので、疑似ギヤツプが
発生することもなく、良好な記録再生が可能であ
る。
第１図は本考案を適用した磁気ヘツドの一実施
例を示す外観斜視図であり、第２図はその磁気テ
ープ摺接面を示す要部拡大平面図である。第３図
ないし第８図は第１図に示す磁気ヘツドの製造工
程をその工程順序に従つて示す概略的な斜視図で
あり、第３図はトラツク幅規制溝形成工程、第４
図は非磁性中間膜被着工程、第５図は平面研削工
程、第６図は強磁性金属薄膜被着工程、第７図は
巻線溝形成工程、第８図は基板接合及びスライシ
ング加工工程をそれぞれ示す。第９図は本考案の
他の実施例における磁気テープ摺接面を示す要部
拡大平面図であり、第１０図は本考案のさらに他
の実施例の磁気テープ摺接面を示す要部拡大平面
図である。 １１，１２……磁気コア半体（酸化物磁性材
料）、１３，１４……強磁性金属薄膜、１６……
非磁性中間膜。
例を示す外観斜視図であり、第２図はその磁気テ
ープ摺接面を示す要部拡大平面図である。第３図
ないし第８図は第１図に示す磁気ヘツドの製造工
程をその工程順序に従つて示す概略的な斜視図で
あり、第３図はトラツク幅規制溝形成工程、第４
図は非磁性中間膜被着工程、第５図は平面研削工
程、第６図は強磁性金属薄膜被着工程、第７図は
巻線溝形成工程、第８図は基板接合及びスライシ
ング加工工程をそれぞれ示す。第９図は本考案の
他の実施例における磁気テープ摺接面を示す要部
拡大平面図であり、第１０図は本考案のさらに他
の実施例の磁気テープ摺接面を示す要部拡大平面
図である。 １１，１２……磁気コア半体（酸化物磁性材
料）、１３，１４……強磁性金属薄膜、１６……
非磁性中間膜。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 酸化物磁性材料よりなる磁気コア半体に真空薄
膜形成技術により強磁性金属薄膜を被着形成し、
この強磁性金属薄膜同士を突き合わせて磁気ギヤ
ツプを構成してなる磁気ヘツドにおいて、 磁気記録媒体対接面から見たときに上記磁気ギ
ヤツプに対して非平行に配置される強磁性金属薄
膜と酸化物磁性材料との間に非磁性中間膜を形成
したことを特徴とする磁気ヘツド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10074785U JPH045046Y2 (ja) | 1985-07-02 | 1985-07-02 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10074785U JPH045046Y2 (ja) | 1985-07-02 | 1985-07-02 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6211217U JPS6211217U (ja) | 1987-01-23 |
| JPH045046Y2 true JPH045046Y2 (ja) | 1992-02-13 |
Family
ID=30970856
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10074785U Expired JPH045046Y2 (ja) | 1985-07-02 | 1985-07-02 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH045046Y2 (ja) |
-
1985
- 1985-07-02 JP JP10074785U patent/JPH045046Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6211217U (ja) | 1987-01-23 |
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