JPH01302844A - パッケージカバーの製造方法 - Google Patents
パッケージカバーの製造方法Info
- Publication number
- JPH01302844A JPH01302844A JP13155988A JP13155988A JPH01302844A JP H01302844 A JPH01302844 A JP H01302844A JP 13155988 A JP13155988 A JP 13155988A JP 13155988 A JP13155988 A JP 13155988A JP H01302844 A JPH01302844 A JP H01302844A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bath
- plated
- nickel
- gold
- alloy
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半感体集積回路（ＩＣ）素子を収容するパンケ
ージに用いられるハーメチックシールカバーの製造方法
の改善に関する。
ージに用いられるハーメチックシールカバーの製造方法
の改善に関する。
ＩＣ素子のパフケージの一種に多層セラミック基板を用
いるものがある。この基板は所定の導電回路を印刷した
グリーンシートを複数枚重ね合わせて焼成し、ＩＣパッ
ケージ用に成型したものであり、ＩＣ搭載用の窪みと、
該窪みの周囲にＩＣ素子上の電極とワイヤボンディング
される内部リードが露出して設けられており、外部リー
ドをろう付けした後露出金属部分に金メッキして使用に
供される。
いるものがある。この基板は所定の導電回路を印刷した
グリーンシートを複数枚重ね合わせて焼成し、ＩＣパッ
ケージ用に成型したものであり、ＩＣ搭載用の窪みと、
該窪みの周囲にＩＣ素子上の電極とワイヤボンディング
される内部リードが露出して設けられており、外部リー
ドをろう付けした後露出金属部分に金メッキして使用に
供される。
このような多層セラミック基板を用いるパッケージの場
合、ＩＣ素子収容部を覆うカバーが必要で、通常Ｆｅ−
Ｎｉ合金、Ｆｅ Ｎｉ −Ｃｏ合金等の金属板にニッ
ケルを下地メッキし、その上に金メッキを施したものを
用いている。
合、ＩＣ素子収容部を覆うカバーが必要で、通常Ｆｅ−
Ｎｉ合金、Ｆｅ Ｎｉ −Ｃｏ合金等の金属板にニッ
ケルを下地メッキし、その上に金メッキを施したものを
用いている。
ところが、従来のこの種のパッケージカバーは塩水噴霧
試験に対して極めて弱いのが通常である。
試験に対して極めて弱いのが通常である。
そこで本発明の目的は塩水噴霧試験に対する抵抗が大で
、耐食性が良好でしかも耐熱性、ソルダビリティ−にも
優れたパッケージカバーを得ることにある。
、耐食性が良好でしかも耐熱性、ソルダビリティ−にも
優れたパッケージカバーを得ることにある。
上記目的を達成するため本発明の方法は、Ｆｅ −Ｎｉ
合金、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等の金属製カバーの表面に
先ずスルファミン酸浴、次いでワット浴でニッケルをメ
ッキし、次に該ニッケルメッキ膜上に酸性浴次いで中性
浴にて金メッキを施す点に特徴がある。
合金、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等の金属製カバーの表面に
先ずスルファミン酸浴、次いでワット浴でニッケルをメ
ッキし、次に該ニッケルメッキ膜上に酸性浴次いで中性
浴にて金メッキを施す点に特徴がある。
スルファミン酸ニッケル浴はＦｅ Ｎ１合金、Ｆｅ−
Ｎ１−Ｇｏ金合金の密着性が良く、表面の凹凸に対して
空洞を形成することなく均質なメッキ膜ができ、メッキ
膜の内部応力が小さく高速メッキが可能という長所があ
る。反面スルファミン酸浴によると浴成分中の硫黄が化
合物となってメッキ膜の結晶粒界に析出し易く、これが
耐食性を低下する一因となっている。このためスルファ
ミン酸浴は下地の第１層目に適している。この第１層目
のニッケルメッキ膜上には更にワット浴によりニッケル
メッキする。ワット浴はニッケルメッキ浴としては最も
一般的で安価であるが、内部応力が高く厚メッキには適
しない。しかし反面緻密なニッケルメッキ膜が得られる
ので、第２Ｎ目に適用すれば第１層目の耐食性の弱点を
補うことができる。
Ｎ１−Ｇｏ金合金の密着性が良く、表面の凹凸に対して
空洞を形成することなく均質なメッキ膜ができ、メッキ
膜の内部応力が小さく高速メッキが可能という長所があ
る。反面スルファミン酸浴によると浴成分中の硫黄が化
合物となってメッキ膜の結晶粒界に析出し易く、これが
耐食性を低下する一因となっている。このためスルファ
ミン酸浴は下地の第１層目に適している。この第１層目
のニッケルメッキ膜上には更にワット浴によりニッケル
メッキする。ワット浴はニッケルメッキ浴としては最も
一般的で安価であるが、内部応力が高く厚メッキには適
しない。しかし反面緻密なニッケルメッキ膜が得られる
ので、第２Ｎ目に適用すれば第１層目の耐食性の弱点を
補うことができる。
このようにして、ニッケルを２層メッキした後、更に金
を２層にメンキする。第２層のニッケルメッキ膜上には
先ず酸性浴で金メッキする。この浴は下地ニッケルメッ
キ層とのなじみが良く緻密で密着性の良好な金メッキ膜
が得られるからである。
を２層にメンキする。第２層のニッケルメッキ膜上には
先ず酸性浴で金メッキする。この浴は下地ニッケルメッ
キ層とのなじみが良く緻密で密着性の良好な金メッキ膜
が得られるからである。
しかしながらこの酸性浴による金メッキ膜のみでは４５
０℃程度の加熱で変色が生じる欠点がある。
０℃程度の加熱で変色が生じる欠点がある。
この欠点は更に第４Ｎとして中性浴による金メッキを施
すことにより解消できる。ニッケルメッキ膜上に直接中
性浴で金メッキする方法はニッケル膜との密着性を損う
上、中性メッキ浴中に下地ニッケルメッキから不純物が
混入し易く、再現性の良い金メッキ作業がしにくい。
すことにより解消できる。ニッケルメッキ膜上に直接中
性浴で金メッキする方法はニッケル膜との密着性を損う
上、中性メッキ浴中に下地ニッケルメッキから不純物が
混入し易く、再現性の良い金メッキ作業がしにくい。
厚さ０．２５ｍｍ、外形寸法１３ｍ角のコバール板に脱
脂処理、化学研磨を施し、スルファミン酸浴を用いて厚
さ３μｍのニッケルメッキを施し、次いでワット浴を用
いて３μｍのニッケルメッキを施した０次にこのニッケ
ルメッキ膜上に酸性浴を用いて０．５μｍの金メッキを
、更に中性浴により１．５μｍ厚の金メッキを施した。
脂処理、化学研磨を施し、スルファミン酸浴を用いて厚
さ３μｍのニッケルメッキを施し、次いでワット浴を用
いて３μｍのニッケルメッキを施した０次にこのニッケ
ルメッキ膜上に酸性浴を用いて０．５μｍの金メッキを
、更に中性浴により１．５μｍ厚の金メッキを施した。
メッキは何れもバレル型メッキ装置を用いた。用いたメ
ッキ浴の組成及びメッキ条件は次の通りである。
ッキ浴の組成及びメッキ条件は次の通りである。
（イ）スルファミン酸ニッケルメッキ浴スルファミン酸
ニッケル６００ ｇ／ｊ！、塩化ニッケル１０ｇ／ｊ！
、硼酸４０ｇ／ｌ、ｐＨ４、浴温５０℃、電流密度０．
５ Ａ／ｄｍ”。
ニッケル６００ ｇ／ｊ！、塩化ニッケル１０ｇ／ｊ！
、硼酸４０ｇ／ｌ、ｐＨ４、浴温５０℃、電流密度０．
５ Ａ／ｄｍ”。
（ロ）ワット浴
硫酸ニッケル２４０ｇ／ｌ、塩化ニッケル４５ｇ／ｌ、
硼酸３０ ｇ／ｌ、 ｐＨ４゜５、浴温５０℃、電流密
度２Ａ／ｄｍ”。
硼酸３０ ｇ／ｌ、 ｐＨ４゜５、浴温５０℃、電流密
度２Ａ／ｄｍ”。
（ハ）酸性金メッキ浴
シアン化合カリウム１０ｇ／ｌ、リン酸二水素カリウム
９６ｇ／Ｉｆ、クエン酸２４ｇ／ｌ ％ Ｃｏ添加剤０
．２ｇ／ｌＳｐ＋目、浴温４０℃、電流密度１．５Ａ／
＋１ｍ”。
９６ｇ／Ｉｆ、クエン酸２４ｇ／ｌ ％ Ｃｏ添加剤０
．２ｇ／ｌＳｐ＋目、浴温４０℃、電流密度１．５Ａ／
＋１ｍ”。
（ニ）中性メッキ浴
シアン化金カリウム５ｇ／ｌ、クエン酸カリウム１５０
ｇ／ｌ、リン酸二水素ナトリウム１５ ｇ／ｌ、ｐｔｌ
？、浴温７０℃、電流密度ＬＡ／ｄｍ”。
ｇ／ｌ、リン酸二水素ナトリウム１５ ｇ／ｌ、ｐｔｌ
？、浴温７０℃、電流密度ＬＡ／ｄｍ”。
上記のようにメンキしたパッケージカバー５個を塩水噴
霧試験槽に入れ、２４時間試験に供した。
霧試験槽に入れ、２４時間試験に供した。
試験後テストサンプルを清浄にし、乾燥後１０倍の実体
顕微鏡下でメッキ面の観察を行ない腐食状況を測定した
。又、市販のパッケージカバー５個についても比較のた
め同様の試験を行ない、腐食状況を測定した。測定結果
を第１表に示す。腐食状況は腐食発生面積率（％）で示
した。
顕微鏡下でメッキ面の観察を行ない腐食状況を測定した
。又、市販のパッケージカバー５個についても比較のた
め同様の試験を行ない、腐食状況を測定した。測定結果
を第１表に示す。腐食状況は腐食発生面積率（％）で示
した。
第１表
第１表から本発明法によるパッケージカバーが塩水噴霧
試験に対して強い抵抗力を持つことが良（分る。
試験に対して強い抵抗力を持つことが良（分る。
本発明により耐食性が格段に優れたパッケージカバーを
得ることができた。このカバーは耐熱性、ソルダビリテ
ィ−にも優れ、極めて信頼性の高いＩＣパッケージを構
成することができる。
得ることができた。このカバーは耐熱性、ソルダビリテ
ィ−にも優れ、極めて信頼性の高いＩＣパッケージを構
成することができる。
特許出願人 住友金属鉱山株式会社
Claims (1)
- （１）Ｆｅ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等の金属
製カバーの表面に先ずスルファミン酸浴、次いでワット
浴でニッケルをメッキし、次に該ニッケルメッキ膜上に
酸性浴次いで中性浴にて金メッキを施すことを特徴とす
るパッケージカバーの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13155988A JPH01302844A (ja) | 1988-05-31 | 1988-05-31 | パッケージカバーの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13155988A JPH01302844A (ja) | 1988-05-31 | 1988-05-31 | パッケージカバーの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01302844A true JPH01302844A (ja) | 1989-12-06 |
Family
ID=15060901
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13155988A Pending JPH01302844A (ja) | 1988-05-31 | 1988-05-31 | パッケージカバーの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01302844A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5583379A (en) * | 1993-09-03 | 1996-12-10 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Outer lead for a semiconductor IC package having individually annealed plated layers |
| CN117448799A (zh) * | 2023-09-19 | 2024-01-26 | 西安空间无线电技术研究所 | 一种低膨胀合金一体化复杂结构件材料表面处理工艺 |
-
1988
- 1988-05-31 JP JP13155988A patent/JPH01302844A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5583379A (en) * | 1993-09-03 | 1996-12-10 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Outer lead for a semiconductor IC package having individually annealed plated layers |
| US5668060A (en) * | 1993-09-03 | 1997-09-16 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Outer lead for a semiconductor IC package and a method of fabricating the same |
| CN117448799A (zh) * | 2023-09-19 | 2024-01-26 | 西安空间无线电技术研究所 | 一种低膨胀合金一体化复杂结构件材料表面处理工艺 |
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