JPH03280458A - リード付き電子部品 - Google Patents
リード付き電子部品Info
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- JPH03280458A JPH03280458A JP2080049A JP8004990A JPH03280458A JP H03280458 A JPH03280458 A JP H03280458A JP 2080049 A JP2080049 A JP 2080049A JP 8004990 A JP8004990 A JP 8004990A JP H03280458 A JPH03280458 A JP H03280458A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal layer
- brazing material
- metallized metal
- lead terminal
- external lead
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C5/00—Alloys based on noble metals
- C22C5/02—Alloys based on gold
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は外部リード端子を有する電子部品、具体的には
半導体素子収納用パンケージやハイブリッドＩＣ用配線
基板等のリード付き電子部品の改良に関するものである
。
半導体素子収納用パンケージやハイブリッドＩＣ用配線
基板等のリード付き電子部品の改良に関するものである
。
（従来の技術）
従来、リード付き電子部品、例えば半導体素子を収容す
るための半導体素子収納用パッケージは、通常セラミッ
クス等の電気絶縁材料から成り、その上面の略中央部に
半導体素子を収容するための凹部及び該凹部周辺から周
縁部にかけて導出されたタングステン（−）、モリブデ
ン（ＭＯ）等の高融点金属粉末から成るメタライズ金属
層を有する絶縁基体と、半導体素子を外部回路に電気的
に接続するために前記メタライズ金属層に銀ロウ（Ａｇ
−Ｃｕ合金）を介しロウ材は取着された外部リード端子
と、蓋体とから構成されており、絶縁基体の凹部底面に
半導体素子を取着固定し、半導体素子の各電極とメタラ
イズ金属層とをボンディングワイヤを介し電気的に接続
するとともに絶縁基体上面に蓋体をガラス、樹脂等の封
止材により接合させ、内部に半導体素子を気密に封止す
ることによって半導体装置となる。
るための半導体素子収納用パッケージは、通常セラミッ
クス等の電気絶縁材料から成り、その上面の略中央部に
半導体素子を収容するための凹部及び該凹部周辺から周
縁部にかけて導出されたタングステン（−）、モリブデ
ン（ＭＯ）等の高融点金属粉末から成るメタライズ金属
層を有する絶縁基体と、半導体素子を外部回路に電気的
に接続するために前記メタライズ金属層に銀ロウ（Ａｇ
−Ｃｕ合金）を介しロウ材は取着された外部リード端子
と、蓋体とから構成されており、絶縁基体の凹部底面に
半導体素子を取着固定し、半導体素子の各電極とメタラ
イズ金属層とをボンディングワイヤを介し電気的に接続
するとともに絶縁基体上面に蓋体をガラス、樹脂等の封
止材により接合させ、内部に半導体素子を気密に封止す
ることによって半導体装置となる。
（発明が解決しようとする！！題）
しかし乍ら、この従来の半導体素子収納用パンケージは
外部リード端子をメタライズ金属層ヘロウ付けするのに
銀ロウ（Ａｇ−Ｃｕ合金）を使用しており、該銀ロウは
ロウ材は後、大気中に含まれる水分等が付着すると銀ロ
ウ中の銅（Ｃｕ）が酸化され、銅（Ｃｕ）の酸化物（錆
）を形成して変色することがある。
外部リード端子をメタライズ金属層ヘロウ付けするのに
銀ロウ（Ａｇ−Ｃｕ合金）を使用しており、該銀ロウは
ロウ材は後、大気中に含まれる水分等が付着すると銀ロ
ウ中の銅（Ｃｕ）が酸化され、銅（Ｃｕ）の酸化物（錆
）を形成して変色することがある。
また前記銅の酸化物（錆）は導電性で、且つ拡散し易い
という性質を有しているため多数の外部リード端子が近
接してロウ付けされている場合には、前記錆の拡散によ
り隣接する外部リード端子が短絡し、その結果、半導体
装置としての機能が喪失してしまうという欠点も有する
。
という性質を有しているため多数の外部リード端子が近
接してロウ付けされている場合には、前記錆の拡散によ
り隣接する外部リード端子が短絡し、その結果、半導体
装置としての機能が喪失してしまうという欠点も有する
。
更に、銀ロウは主成分が銀（Ａｇ）であり、該銀（Ａｇ
）はエレクトロマイグレーション（金属原子の移行）を
起こし易い金属であることから内部に収容する半導体素
子を作動させた際、ロウ材に電圧が印加されるとロウ材
を構成する銀（Ａｇ）が絶縁基体表面を移行し、その結
果、隣接する外部リード端子間が前記銀（Ａｇ）の移行
により短絡して半導体装置としての機能が喪失してしま
うという欠点も有していた。
）はエレクトロマイグレーション（金属原子の移行）を
起こし易い金属であることから内部に収容する半導体素
子を作動させた際、ロウ材に電圧が印加されるとロウ材
を構成する銀（Ａｇ）が絶縁基体表面を移行し、その結
果、隣接する外部リード端子間が前記銀（Ａｇ）の移行
により短絡して半導体装置としての機能が喪失してしま
うという欠点も有していた。
（発明の目的）
本発明者等は上記欠点に鑑み種々の実験を行った結果、
金（八〇）にインジウム（Ｉｎ）を所定量含有させて成
る合金をロウ材として使用した場合、外部リード端子を
絶縁基体に設けたメタライズ金属層上に強固にロウ付は
取着することが可能となると共に、ロウ材自身の酸化及
びエレクトロマイグレーションの発生を皆無となし得る
ことを知見した。
金（八〇）にインジウム（Ｉｎ）を所定量含有させて成
る合金をロウ材として使用した場合、外部リード端子を
絶縁基体に設けたメタライズ金属層上に強固にロウ付は
取着することが可能となると共に、ロウ材自身の酸化及
びエレクトロマイグレーションの発生を皆無となし得る
ことを知見した。
本発明は上記知見に基づき、外部リード端子のロウ付は
強度が極めて強く、且つ電子部品としての機能を喪失す
るようなロウ材の酸化及びエレクトロマイグレーション
の発生を皆無となした高信顧性のリード付き電子部品を
提供することをその目的とするものである。
強度が極めて強く、且つ電子部品としての機能を喪失す
るようなロウ材の酸化及びエレクトロマイグレーション
の発生を皆無となした高信顧性のリード付き電子部品を
提供することをその目的とするものである。
（課題を解決するための手段）
本発明は絶縁基体表面に被着させたメタライズ金属層に
、金（Ａｕ ）にインジウム（Ｉｎ ）を０．１ 乃至
１５．０重量％含有させて成るロウ材を介して外部リー
ド端子を取着したことを特徴とするものである。
、金（Ａｕ ）にインジウム（Ｉｎ ）を０．１ 乃至
１５．０重量％含有させて成るロウ材を介して外部リー
ド端子を取着したことを特徴とするものである。
（実施例）
次に本発明を添付図面に示す実施例に基づき詳細に説明
する。
する。
第１図及び第２図は本発明のリード付き電子部品として
半導体素子収納用パッケージを例に採って示したもので
あり、１はアルミナセラミックス等の電気絶縁材料から
成る絶縁基体、２は同じく電気絶縁材料より成る蓋体で
ある。この絶縁基体１と蓋体２とで半導体素子を収容す
るための絶縁容器が構成される。
半導体素子収納用パッケージを例に採って示したもので
あり、１はアルミナセラミックス等の電気絶縁材料から
成る絶縁基体、２は同じく電気絶縁材料より成る蓋体で
ある。この絶縁基体１と蓋体２とで半導体素子を収容す
るための絶縁容器が構成される。
前記絶縁基体ｌはその上面中央部に半導体素子を収容す
るための凹部１ａが設けてあり、該凹部１ａ底面には半
導体素子３が金−シリコン（＾ｕ−Ｓｉ）共晶合金や銀
（Ａｇ）系エポキシ樹脂等の接着材を介し取着される。
るための凹部１ａが設けてあり、該凹部１ａ底面には半
導体素子３が金−シリコン（＾ｕ−Ｓｉ）共晶合金や銀
（Ａｇ）系エポキシ樹脂等の接着材を介し取着される。
尚、前記絶縁基体１は、例えばアルミナセラミックス等
の原料粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加混合して泥漿
状となすとともにこれをドクターブレード法を採用する
ことによってセラミックグリーンシート（セラミック生
シート）を形成し、しかる後、前記セラミック生シート
に適当な打ち抜き加工を施すとともに複数枚積層し、高
温（１５００℃）で焼成することによって製作される。
の原料粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加混合して泥漿
状となすとともにこれをドクターブレード法を採用する
ことによってセラミックグリーンシート（セラミック生
シート）を形成し、しかる後、前記セラミック生シート
に適当な打ち抜き加工を施すとともに複数枚積層し、高
温（１５００℃）で焼成することによって製作される。
前記絶縁基体１はその凹部１ａ周辺より周縁部にかけて
メタライズ金属層４が形成されており、該メタライズ金
属層４の凹部１ａ周辺部には半導体素子３の電極がボン
ディングワイヤ５を介し電気的に接続され、またメタラ
イズ金属層４の絶縁基体１周縁部にはコパール（Ｆｅ−
Ｎｉ−Ｃｏ合金）や４２Ａ１１゜ｙ（ｒｅ−Ｎｉ合金）
等の金属から成る外部リード端子６がロウ材７を介し取
着される。
メタライズ金属層４が形成されており、該メタライズ金
属層４の凹部１ａ周辺部には半導体素子３の電極がボン
ディングワイヤ５を介し電気的に接続され、またメタラ
イズ金属層４の絶縁基体１周縁部にはコパール（Ｆｅ−
Ｎｉ−Ｃｏ合金）や４２Ａ１１゜ｙ（ｒｅ−Ｎｉ合金）
等の金属から成る外部リード端子６がロウ材７を介し取
着される。
前記メタライズ金属層４はタングステン（−）、モリブ
デン（Ｍｏ）、マンガン（Ｍｎ）等の高融点金属粉末か
ら成り、例えば従来周知のスクリーン印刷法等の厚膜手
法を採用することによって絶縁基体１に被着形成される
。
デン（Ｍｏ）、マンガン（Ｍｎ）等の高融点金属粉末か
ら成り、例えば従来周知のスクリーン印刷法等の厚膜手
法を採用することによって絶縁基体１に被着形成される
。
また前記メタライズ金属層４に外部リード端子６をロウ
付は取着するロウ材７は金（Ａｕ）にインジウム（Ｉｎ
）を０．１乃至１５．０重量％含有させた合金から成り
、該合、金はメタライズ金属層４のタングステン（す、
モリブデン（ＭＯ）等と、また外部リード端子６のコバ
ール（Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金） 、４２Ａ１１ｏｙ（Ｆ
ｅ−Ｎｉ合金）等と極めて繻れ性（反応性）がよく、外
部リード端子６をメタライズ金属Ｎ４に極めて強固にロ
ウ付は取着することができる。
付は取着するロウ材７は金（Ａｕ）にインジウム（Ｉｎ
）を０．１乃至１５．０重量％含有させた合金から成り
、該合、金はメタライズ金属層４のタングステン（す、
モリブデン（ＭＯ）等と、また外部リード端子６のコバ
ール（Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金） 、４２Ａ１１ｏｙ（Ｆ
ｅ−Ｎｉ合金）等と極めて繻れ性（反応性）がよく、外
部リード端子６をメタライズ金属Ｎ４に極めて強固にロ
ウ付は取着することができる。
また前記ロウ材７はそれ自身を構成する金（＾Ｕ）及び
インジウム（Ｉｎ）の各々が化学的に安定で耐蝕性に優
れ、且つエレクトロマイグレーションを起こし難い金属
であることがらロウ材７に大気中に含まれる水分等が付
着したとしても導電性の錆を発生することはなく、また
内部に収容する半導体素子３を作動させた際等において
ロウ材７に電圧が印加されたとしてもエレクトロマイグ
レーションを起こすことも一切ない、従って、多数の外
部リード端子６が近接して取着されているとしても各外
部リード端子６間は短絡することがなく、絶縁を維持す
ることができる。
インジウム（Ｉｎ）の各々が化学的に安定で耐蝕性に優
れ、且つエレクトロマイグレーションを起こし難い金属
であることがらロウ材７に大気中に含まれる水分等が付
着したとしても導電性の錆を発生することはなく、また
内部に収容する半導体素子３を作動させた際等において
ロウ材７に電圧が印加されたとしてもエレクトロマイグ
レーションを起こすことも一切ない、従って、多数の外
部リード端子６が近接して取着されているとしても各外
部リード端子６間は短絡することがなく、絶縁を維持す
ることができる。
尚、前記ロウ材７において主成分としての金（Ａｕ）に
含有されるインジウム（Ｉｎ）はロウ材７の融点を下げ
、外部リード端子６をメタライズ金属層４にロウ付けす
る際の作業性を容易とするとともにロウ材７の硬度を上
げ、外部リード端子６とメタライズ金属層４の接合強度
を向上させるための成分であり、その含有量が０．１重
量％未満であれば前記性質は付与されず、また１５．０
重量％を越えるとロウ材７が硬く成り過ぎ、ロウ材の加
工性が悪くなるとともに外部リード端子６とメタライズ
金属層４との接合強度が低下してしまう。そのため金（
Ａｕ）に含有させるインジウム（Ｉｎ）はその含有量が
０．１乃至１５．０重量％の範囲に限定される。
含有されるインジウム（Ｉｎ）はロウ材７の融点を下げ
、外部リード端子６をメタライズ金属層４にロウ付けす
る際の作業性を容易とするとともにロウ材７の硬度を上
げ、外部リード端子６とメタライズ金属層４の接合強度
を向上させるための成分であり、その含有量が０．１重
量％未満であれば前記性質は付与されず、また１５．０
重量％を越えるとロウ材７が硬く成り過ぎ、ロウ材の加
工性が悪くなるとともに外部リード端子６とメタライズ
金属層４との接合強度が低下してしまう。そのため金（
Ａｕ）に含有させるインジウム（Ｉｎ）はその含有量が
０．１乃至１５．０重量％の範囲に限定される。
また前記絶縁基体１の上面には電気絶縁性材料から成る
蓋体２がガラス、樹脂等の封止部材を介して取着され、
これによって半導体素子収納用パンケージの内部は外気
から完全に気密に封止され、最終製品である半導体装置
となる。
蓋体２がガラス、樹脂等の封止部材を介して取着され、
これによって半導体素子収納用パンケージの内部は外気
から完全に気密に封止され、最終製品である半導体装置
となる。
かくして本発明のリード付き電子部品によれば、金（Ａ
ｕ）にインジウム（Ｉｎ）を０．１乃至１５．０重量％
含有させたメタライズ金属層と外部リード端子の両方に
濡れ性（反応性）が良く、且つ化学的に安定であるロウ
材を使用して絶縁基体表面に被着させたメタライズ金属
層に外部リード端子を取着したことから外部リード端子
のロウ付は強度を極めて強固として、且つロウ４イに変
色や電子部品としての機能を喪失するような導電性の錆
及びエレクトロマイグレーションの発生を皆無となすこ
とができる。
ｕ）にインジウム（Ｉｎ）を０．１乃至１５．０重量％
含有させたメタライズ金属層と外部リード端子の両方に
濡れ性（反応性）が良く、且つ化学的に安定であるロウ
材を使用して絶縁基体表面に被着させたメタライズ金属
層に外部リード端子を取着したことから外部リード端子
のロウ付は強度を極めて強固として、且つロウ４イに変
色や電子部品としての機能を喪失するような導電性の錆
及びエレクトロマイグレーションの発生を皆無となすこ
とができる。
（実験例）
次に本発明の作用効果を実験例に基づき説明する。
（１）評価試料
まず出発原料として金（Ａｕ）にインジウム（Ｉｎ）を
第１表に示す組成となるように秤量するとともにこれを
加熱溶融し、合金化させてロウ材試料を得る。
第１表に示す組成となるように秤量するとともにこれを
加熱溶融し、合金化させてロウ材試料を得る。
尚、試料番号１６は本発明品と比較するための比較試料
であり、従来一般に使用されている銀ロウ材（銀ニア２
．Ｏ重量％、銅：２Ｂ、０重量％）である。
であり、従来一般に使用されている銀ロウ材（銀ニア２
．Ｏ重量％、銅：２Ｂ、０重量％）である。
そしてこれらの評価試料を使用して下記の評価テストを
行った。その結果を第１表に示す。
行った。その結果を第１表に示す。
（ＩＩ）評価テスト
（ａ）外部リード 子ロウ け 度テストアルミナ質セ
ラミックスから成るセラミック生シート上面にタングス
テン（−）粉末に有機溶剤、溶媒を添加混合して得たメ
タライズペーストを長さ０．５ｎ＋ｍ 、幅０．２ｍｍ
、厚さ２０μ−のパターンに印刷（２０個のパターン
を印刷）するとともにこれを還元雰囲気中（窒素−水素
雰囲気）中、約１５００℃の温度で焼成し、表面にタン
グステンメタライズ金属層を被着させたセラミック基板
を準備する。
ラミックスから成るセラミック生シート上面にタングス
テン（−）粉末に有機溶剤、溶媒を添加混合して得たメ
タライズペーストを長さ０．５ｎ＋ｍ 、幅０．２ｍｍ
、厚さ２０μ−のパターンに印刷（２０個のパターン
を印刷）するとともにこれを還元雰囲気中（窒素−水素
雰囲気）中、約１５００℃の温度で焼成し、表面にタン
グステンメタライズ金属層を被着させたセラミック基板
を準備する。
次に前記メタライズ金属層上に幅０．５ｍｍ 、長さ３
０．０ｍｍ、厚さ０．２ｍｍのコバール（Ｐｅ−Ｎｉ−
Ｃｏ合金）から成る外部リード端子の一端を第１表に示
すロウ材試料を使用して約９００℃の温度でロウ付けし
、そのロウ付は状態を顕微鏡により観察するとともに外
部リード端子のロウ付は部と反対の一端をロウ付は面に
対し垂直方向に毎秒０ 、２ｍｍで張力を増加させなが
ら引っ張り、外部リード端子がメタライズ金属層より剥
がれた際の全荷重を測定し、その平均値をロウ付は強度
とした。
０．０ｍｍ、厚さ０．２ｍｍのコバール（Ｐｅ−Ｎｉ−
Ｃｏ合金）から成る外部リード端子の一端を第１表に示
すロウ材試料を使用して約９００℃の温度でロウ付けし
、そのロウ付は状態を顕微鏡により観察するとともに外
部リード端子のロウ付は部と反対の一端をロウ付は面に
対し垂直方向に毎秒０ 、２ｍｍで張力を増加させなが
ら引っ張り、外部リード端子がメタライズ金属層より剥
がれた際の全荷重を測定し、その平均値をロウ付は強度
とした。
尚、前記外部リード端子のロウ付は面積は０．５ｍｎ＋
、長さ１．Ｏｍｍの０．５ｍ＋＊２となし、セラミック
基板に設けたタングステンメタライズ金属層及び外部リ
ード端子の外表面にはそれぞれニッケル（Ｎｉ）及び金
（Ａｕ）がメツキにより被着させである。
、長さ１．Ｏｍｍの０．５ｍ＋＊２となし、セラミック
基板に設けたタングステンメタライズ金属層及び外部リ
ード端子の外表面にはそれぞれニッケル（Ｎｉ）及び金
（Ａｕ）がメツキにより被着させである。
（ｂ）虻！敗牲ｉス上
アルミナ質焼結体から成るセラミック基板上に幅１．Ｏ
ｍｍ 、長さ１０．０ｍｍの矩形状のメタライズ金属層
一対をその先端が０．２−一の間隔をもって対向するよ
うに被着形成（１０００対のメタライズ金属層を被着形
成）するとともに該メタライズ金属層の外表面全面に第
１表に示すロウ材試料を約９００℃の温度で加熱溶融さ
せて被着する。
ｍｍ 、長さ１０．０ｍｍの矩形状のメタライズ金属層
一対をその先端が０．２−一の間隔をもって対向するよ
うに被着形成（１０００対のメタライズ金属層を被着形
成）するとともに該メタライズ金属層の外表面全面に第
１表に示すロウ材試料を約９００℃の温度で加熱溶融さ
せて被着する。
次に前記セラミック基板を表面温度が４５０℃に制御さ
れた熱板上に１分間載置した後、温度６５℃、湿度９５
χの恒温恒湿槽中にて各メタライズ金属層に交互に＋、
−の極性にて５ｖの直流電圧を所定時間印加してロウ材
試料の腐蝕を加速度的に行わせ、しかる後、各コラ材試
料の表面を顕微鏡で観察し、ロウ材試料が腐蝕、変色し
ているものの数を数えるとともに総数に対する腐蝕発生
率を求めた。
れた熱板上に１分間載置した後、温度６５℃、湿度９５
χの恒温恒湿槽中にて各メタライズ金属層に交互に＋、
−の極性にて５ｖの直流電圧を所定時間印加してロウ材
試料の腐蝕を加速度的に行わせ、しかる後、各コラ材試
料の表面を顕微鏡で観察し、ロウ材試料が腐蝕、変色し
ているものの数を数えるとともに総数に対する腐蝕発生
率を求めた。
尚、前記メタライズ金属層はタングステン（賀）により
形成し、且つメタライズ金属層の表面にはニッケル（Ｎ
ｉ）をメツキにより被着させておいた。
形成し、且つメタライズ金属層の表面にはニッケル（Ｎ
ｉ）をメツキにより被着させておいた。
（Ｃ） エレクトロマイグレーションテストアルミナ
質焼結体から成るセラミック基板上に幅１．０Ｉｌｌｌ
ｌ、長さ１０．０ｍｍの矩形状のメタライズ金属層一対
をその先端が０．１− の間隔をもって対向するよう
に被着形成（２０対のメタライズ金属層を被着形成）す
るとともに該メタライズ金属層の外表面全面に第１表に
示すロウ材試料を約９００℃の温度で加熱溶融させて被
着する。
質焼結体から成るセラミック基板上に幅１．０Ｉｌｌｌ
ｌ、長さ１０．０ｍｍの矩形状のメタライズ金属層一対
をその先端が０．１− の間隔をもって対向するよう
に被着形成（２０対のメタライズ金属層を被着形成）す
るとともに該メタライズ金属層の外表面全面に第１表に
示すロウ材試料を約９００℃の温度で加熱溶融させて被
着する。
次に前記各ロウ材試料が被着された一対のメタライズ金
属層間に５０μｌの純水を滴下させるとともに直流ｌＯ
ｖの電圧を印加し、各ロウ材試料にエレクトロマイグレ
ーションを加速度的に行わせ、該エレクトロマイグレー
ションにより両メタライズ金属層が短絡状態となるまで
の時間を求めるとともにその時間の長さを各ロウ材試料
の耐エレクトロマイグレーションの評価とした。
属層間に５０μｌの純水を滴下させるとともに直流ｌＯ
ｖの電圧を印加し、各ロウ材試料にエレクトロマイグレ
ーションを加速度的に行わせ、該エレクトロマイグレー
ションにより両メタライズ金属層が短絡状態となるまで
の時間を求めるとともにその時間の長さを各ロウ材試料
の耐エレクトロマイグレーションの評価とした。
尚、前記メタライズ金属層はタングステン（りにより形
成し、且つメタライズ金属層の表面にはニッケル（Ｎｉ
）をメツキにより被着させておいた。
成し、且つメタライズ金属層の表面にはニッケル（Ｎｉ
）をメツキにより被着させておいた。
（以下、余白）
第１表から明らかなようにメタライズ金属層に外部リー
ド端子を従来の銀ロウを使用してロウ材は取着したもの
は外部リード端子のロウ材は強度が１０．２Ｋｇと強い
ものの耐腐蝕性テストにおける腐蝕発生率が１０００Ｈ
ｒのテストで４６．７χと高く、また耐エレクトロマイ
グレーションテストでも一対のメタライズ金属層間が短
絡する時間は５５秒と極めて短い。従って、従来め銀ロ
ウを使用したリード付き電子部品は外部リード端子のロ
ウ材は強度は強いもののロウ材の耐腐蝕性が劣り、且っ
ロウ材にエレクトロマイグレーションが極めて発生し昌
いものであることが判る。
ド端子を従来の銀ロウを使用してロウ材は取着したもの
は外部リード端子のロウ材は強度が１０．２Ｋｇと強い
ものの耐腐蝕性テストにおける腐蝕発生率が１０００Ｈ
ｒのテストで４６．７χと高く、また耐エレクトロマイ
グレーションテストでも一対のメタライズ金属層間が短
絡する時間は５５秒と極めて短い。従って、従来め銀ロ
ウを使用したリード付き電子部品は外部リード端子のロ
ウ材は強度は強いもののロウ材の耐腐蝕性が劣り、且っ
ロウ材にエレクトロマイグレーションが極めて発生し昌
いものであることが判る。
これに対し、本発明品は外部リード端子のロウ材は強度
が１４．０Ｋｇ以上であり、外部リード端子がメタライ
ズ金属層に極めて強固にロウ材は取着されていることが
判る。
が１４．０Ｋｇ以上であり、外部リード端子がメタライ
ズ金属層に極めて強固にロウ材は取着されていることが
判る。
また本発明品は耐腐蝕性テストにおける腐蝕発生率も１
０００Ｈｒのテストで０．９％以下と低く、また耐エレ
クトロマイグレーションテストでも一対のメタライズ金
属層間が短絡する時間は１２００秒以上と極めて長い、
従って、本発明のリード付き電子部品は外部リード端子
のロウ材は強度が強いものであると同時にロウ材の耐腐
蝕性が優れ、且つロウ材にエレクトロマイグレーション
が殆ど発生しないものであることが判る。
０００Ｈｒのテストで０．９％以下と低く、また耐エレ
クトロマイグレーションテストでも一対のメタライズ金
属層間が短絡する時間は１２００秒以上と極めて長い、
従って、本発明のリード付き電子部品は外部リード端子
のロウ材は強度が強いものであると同時にロウ材の耐腐
蝕性が優れ、且つロウ材にエレクトロマイグレーション
が殆ど発生しないものであることが判る。
また特に、ロウ材として金（Ａｕ）にインジウム（Ｉｎ
）を０．５乃至５．０重量％含有させたものは外部リー
ド端子のロウ材は強度が１６．２Ｋｇ以上となり、外部
リード端子のロウ材は取着強度が極めて高いものとなる
ことが判る。
）を０．５乃至５．０重量％含有させたものは外部リー
ド端子のロウ材は強度が１６．２Ｋｇ以上となり、外部
リード端子のロウ材は取着強度が極めて高いものとなる
ことが判る。
更に、ロウ材として金（八〇）にインジウム（Ｉｎ）を
１．０乃至３．０重量％含有させたものはロウ材の腐蝕
及びエレクトロマイグレーションの発生を皆無として、
且つ外部リード端子のロウ材は強度が１８．５Ｋｇ以上
となり、外部リード端子のロウ材は取着強度がより高い
ものとなることも判る。
１．０乃至３．０重量％含有させたものはロウ材の腐蝕
及びエレクトロマイグレーションの発生を皆無として、
且つ外部リード端子のロウ材は強度が１８．５Ｋｇ以上
となり、外部リード端子のロウ材は取着強度がより高い
ものとなることも判る。
尚、本発明においては、ロウ材のビッカース硬度を６０
（Ｈｖ）以下としてお（と絶縁基体に設けたメタライ
ズ金属層に外部リード端子をロウ材は取着する際、ロウ
材が絶縁基体と外部リード端子の熱膨張係数の相違に起
因して発生する応力を良好に吸収し、外部リード端子を
メタライズ金属層により強固にロウ材は取着することが
可能となることがらロウ材はそのビッカース硬度を６０
（Ｈｖ）以下としておくことが好ましい。
（Ｈｖ）以下としてお（と絶縁基体に設けたメタライ
ズ金属層に外部リード端子をロウ材は取着する際、ロウ
材が絶縁基体と外部リード端子の熱膨張係数の相違に起
因して発生する応力を良好に吸収し、外部リード端子を
メタライズ金属層により強固にロウ材は取着することが
可能となることがらロウ材はそのビッカース硬度を６０
（Ｈｖ）以下としておくことが好ましい。
（発明の効果）
叙上の如く、本発明においては絶縁基体表面に被着させ
たメタライズ金属層に、金（Ａｕ）にインジウム（Ｉｎ
）を０．１乃至１５．０重量％含有させて成るロウ材を
介して外部リード端子を取着したことから外部リード端
子のロウ材は強度を極めて強固として、且つ電子部品と
しての機能を喪失するようなロウ材の酸化及ヒエレフト
ロマイグレーシリンの発生を皆無となすことができ、極
めて高信転性のリード付き電子部品となすことが可能と
なる。
たメタライズ金属層に、金（Ａｕ）にインジウム（Ｉｎ
）を０．１乃至１５．０重量％含有させて成るロウ材を
介して外部リード端子を取着したことから外部リード端
子のロウ材は強度を極めて強固として、且つ電子部品と
しての機能を喪失するようなロウ材の酸化及ヒエレフト
ロマイグレーシリンの発生を皆無となすことができ、極
めて高信転性のリード付き電子部品となすことが可能と
なる。
第１図は本発明のリード付き電子部品として半導体素子
収納用パッケージを例に採った場合の断面図、第２図は
第１図に示すパッケージの要部平面図である。 ｌ：絶縁基体 ４： メタライズ金属層 ６：外部リード端子 ７：ロウ材
収納用パッケージを例に採った場合の断面図、第２図は
第１図に示すパッケージの要部平面図である。 ｌ：絶縁基体 ４： メタライズ金属層 ６：外部リード端子 ７：ロウ材
Claims (1)
- 絶縁基体表面に被着させたメタライズ金属層に、金（Ａ
ｕ）にインジウム（Ｉｎ）を０．１乃至１５．０重量％
含有させて成るロウ材を介して外部リード端子を取着し
たことを特徴とするリード付き電子部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2080049A JP2742625B2 (ja) | 1990-03-28 | 1990-03-28 | リード付き電子部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2080049A JP2742625B2 (ja) | 1990-03-28 | 1990-03-28 | リード付き電子部品 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03280458A true JPH03280458A (ja) | 1991-12-11 |
| JP2742625B2 JP2742625B2 (ja) | 1998-04-22 |
Family
ID=13707388
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2080049A Expired - Fee Related JP2742625B2 (ja) | 1990-03-28 | 1990-03-28 | リード付き電子部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2742625B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5804908A (en) * | 1996-02-28 | 1998-09-08 | Nec Corporation | Enhancement in bonding strength in field emission electron source |
| US10622287B2 (en) | 2017-11-07 | 2020-04-14 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor package |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0246751A (ja) * | 1988-08-09 | 1990-02-16 | Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk | ろう付きリードフレーム |
-
1990
- 1990-03-28 JP JP2080049A patent/JP2742625B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0246751A (ja) * | 1988-08-09 | 1990-02-16 | Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk | ろう付きリードフレーム |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5804908A (en) * | 1996-02-28 | 1998-09-08 | Nec Corporation | Enhancement in bonding strength in field emission electron source |
| US10622287B2 (en) | 2017-11-07 | 2020-04-14 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor package |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2742625B2 (ja) | 1998-04-22 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |