JPH01303624A - 面内磁気記録媒体 - Google Patents
面内磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPH01303624A JPH01303624A JP13355088A JP13355088A JPH01303624A JP H01303624 A JPH01303624 A JP H01303624A JP 13355088 A JP13355088 A JP 13355088A JP 13355088 A JP13355088 A JP 13355088A JP H01303624 A JPH01303624 A JP H01303624A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic recording
- recording layer
- recording medium
- layer
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 17
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims abstract description 12
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims abstract description 11
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims abstract description 5
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims abstract description 5
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- KJZYNXUDTRRSPN-UHFFFAOYSA-N holmium atom Chemical compound [Ho] KJZYNXUDTRRSPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims abstract description 4
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 9
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 abstract description 2
- -1 ziroconium Chemical compound 0.000 abstract 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 abstract 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 3
- 229910000684 Cobalt-chrome Inorganic materials 0.000 description 2
- WAIPAZQMEIHHTJ-UHFFFAOYSA-N [Cr].[Co] Chemical compound [Cr].[Co] WAIPAZQMEIHHTJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 2
- 239000010952 cobalt-chrome Substances 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004434 sulfur atom Chemical group 0.000 description 2
- 229910014813 CaC2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052773 Promethium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001050 lubricating effect Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N praseodymium atom Chemical compound [Pr] PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VQMWBBYLQSCNPO-UHFFFAOYSA-N promethium atom Chemical compound [Pm] VQMWBBYLQSCNPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N samarium atom Chemical compound [Sm] KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、磁気記録媒体に関するものであり、詳しくは
、作用の異なるａつの磁気記録層を積層することにより
、高密度記録時の電磁変換特性に優れた磁気記録媒体を
提供するものである。
、作用の異なるａつの磁気記録層を積層することにより
、高密度記録時の電磁変換特性に優れた磁気記録媒体を
提供するものである。
磁気記録媒体においては、近年高記録密度の実現が求め
られている。そのためには、磁気記録層をできるだけ薄
くシ、保磁力を高くすることで、高密度記録時のＳ／Ｎ
比、分解能を高めることが有効と考えられている。
られている。そのためには、磁気記録層をできるだけ薄
くシ、保磁力を高くすることで、高密度記録時のＳ／Ｎ
比、分解能を高めることが有効と考えられている。
例えば、コバルト系合金を磁気記録層とする場合、膜厚
を薄くすると、一般に高保磁力を得やすい。しかしなが
ら、磁気記録層を薄くして保磁力を高くした場合には、
出力が得にくくなり、また、保磁力を上げすぎると、信
号の書き込み及び消去がしにくくなるという問題も生じ
てくる。
を薄くすると、一般に高保磁力を得やすい。しかしなが
ら、磁気記録層を薄くして保磁力を高くした場合には、
出力が得にくくなり、また、保磁力を上げすぎると、信
号の書き込み及び消去がしにくくなるという問題も生じ
てくる。
そこで、今後の高密度化への流れを考慮すると、従来通
りの出力を得ながら、高水準のＳ／Ｎ比、分解能を持つ
磁気記録媒体の出現が望まれている。
りの出力を得ながら、高水準のＳ／Ｎ比、分解能を持つ
磁気記録媒体の出現が望まれている。
本発明は、以上の問題点に鑑みなされたもので、再生出
力を損うことなく、かつ高密度記録特性に優れた磁気記
録媒体を提供することを目的とする。
力を損うことなく、かつ高密度記録特性に優れた磁気記
録媒体を提供することを目的とする。
本発明は、非磁性基板上にコバルトを主成分とする第１
記碌層を設け、該第１記録層の上にコバルト及びクロム
を主成分とし、これに炭素、チタン、ジルコニウム、ニ
オブ、ホルミウム、ハフニウム、タンタルおよびタング
ステンよりなる群から選ばれた少なくとも１種類の成分
を含有させた第２磁気記録層を設けてなることを特徴と
する磁気記録媒体である。
記碌層を設け、該第１記録層の上にコバルト及びクロム
を主成分とし、これに炭素、チタン、ジルコニウム、ニ
オブ、ホルミウム、ハフニウム、タンタルおよびタング
ステンよりなる群から選ばれた少なくとも１種類の成分
を含有させた第２磁気記録層を設けてなることを特徴と
する磁気記録媒体である。
以下、本発明の詳細な説明する。
本発明は非磁性基板上に特定の磁性層を設けたものであ
る。基板としては、アルミニウム合金、ガラス、樹脂等
が用いられ、実用的にはアルミニウム合金が望ましい。
る。基板としては、アルミニウム合金、ガラス、樹脂等
が用いられ、実用的にはアルミニウム合金が望ましい。
アルミニウム合金基板は、基板上に公知の無電解メツキ
法により、Ｎ Ｌ Ｐ皮膜を２０μｍ−２５μｍの膜厚
に成膜した基板表面を機械研摩により、Ｒａ （中心線
平均粗さ）でＪＯＡ〜３θＡに仕上げるのが望ましい。
法により、Ｎ Ｌ Ｐ皮膜を２０μｍ−２５μｍの膜厚
に成膜した基板表面を機械研摩により、Ｒａ （中心線
平均粗さ）でＪＯＡ〜３θＡに仕上げるのが望ましい。
特に本発明では、磁気記録層の結晶性を良くするために
、基板上にクロムを含む下地層を〜Ｓθ００にの膜厚で
成膜するのが望ましい。
、基板上にクロムを含む下地層を〜Ｓθ００にの膜厚で
成膜するのが望ましい。
成膜は、通常行われているスパッタリング法、真空蒸着
法、イオンブレーティング法、メツキ法によシ行われる
。例えば、スパッタリング法の場合は、直流スパッタリ
ング装置又は交流式スパッタリング装置を使用して行い
、基板を装着した装置内を予め／Ｘ１Ｏ−５ｔｏｒｒ以
下に排気した後スパッタリング用ガスとしてアルゴンを
分圧３Ｘ１０−３〜＃Ｘ１Ｏ−２ｔｏｒｒ装入し、基板
を室温から３００℃までの範囲で加熱する。ターゲット
はクロムを主成分としたものであり、他の金属を０−５
０原子チ含んでいてもよい。
法、イオンブレーティング法、メツキ法によシ行われる
。例えば、スパッタリング法の場合は、直流スパッタリ
ング装置又は交流式スパッタリング装置を使用して行い
、基板を装着した装置内を予め／Ｘ１Ｏ−５ｔｏｒｒ以
下に排気した後スパッタリング用ガスとしてアルゴンを
分圧３Ｘ１０−３〜＃Ｘ１Ｏ−２ｔｏｒｒ装入し、基板
を室温から３００℃までの範囲で加熱する。ターゲット
はクロムを主成分としたものであり、他の金属を０−５
０原子チ含んでいてもよい。
次に該下地層の上に第１の磁気記録層を下地層の成膜と
同じ方法を用いてＳＯ八へ１０ＯＯＡ好ましくは１００
に〜ＡＯＯｋ、更に好ましくは＝００Ａ−’Ｉ００にの
膜厚で成膜する。第１の磁気記録層はコバルトを主成分
としたものであるが、好ましくは、さらにリン、クロム
、ニッケル、イツトリウム、タングステン、白金、ラン
タン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、プロメチウ
ムおよびサマリウムよりなる群から選ばれた少なくとも
１種類の元素を含有して構成される。特に好ましくは、
コバルトを６０〜９０原子係、ニッケルを１ｏ−ａｏ原
子係、クロムをＳ〜１０原子係含有するものがよい。
同じ方法を用いてＳＯ八へ１０ＯＯＡ好ましくは１００
に〜ＡＯＯｋ、更に好ましくは＝００Ａ−’Ｉ００にの
膜厚で成膜する。第１の磁気記録層はコバルトを主成分
としたものであるが、好ましくは、さらにリン、クロム
、ニッケル、イツトリウム、タングステン、白金、ラン
タン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、プロメチウ
ムおよびサマリウムよりなる群から選ばれた少なくとも
１種類の元素を含有して構成される。特に好ましくは、
コバルトを６０〜９０原子係、ニッケルを１ｏ−ａｏ原
子係、クロムをＳ〜１０原子係含有するものがよい。
第１の記録層は、十分な保磁力を有し、なおかつ良好な
再生出力を得るのに寄与する。
再生出力を得るのに寄与する。
次に、該第１の記録層の上に第２の記録層を、第１の記
録層の成膜と同じ方法を用いて５０Ａ更に好ましくは２
００ｆｉ、−’Ｉ００にの膜厚で成膜する。第２の記録
層はコバルトおよびクロムを主成分とし、さらに炭素、
チタン、ジルコニウム、ニオブ、ホルミウム、ハフニウ
ム、タンタルおよびタングステンよりなる群から選ばれ
た少なくとも１種類の元素を含有するものである。好ま
しくは、コバルトをｔｏ−ｑｏ原子チ、クロムをｉｏ〜
３０原子チ、添加元素を／−ｊ原子チ含有するものがよ
い。
録層の成膜と同じ方法を用いて５０Ａ更に好ましくは２
００ｆｉ、−’Ｉ００にの膜厚で成膜する。第２の記録
層はコバルトおよびクロムを主成分とし、さらに炭素、
チタン、ジルコニウム、ニオブ、ホルミウム、ハフニウ
ム、タンタルおよびタングステンよりなる群から選ばれ
た少なくとも１種類の元素を含有するものである。好ま
しくは、コバルトをｔｏ−ｑｏ原子チ、クロムをｉｏ〜
３０原子チ、添加元素を／−ｊ原子チ含有するものがよ
い。
添加元素は、コバルト−クロム系の垂直方向への結晶性
及び磁気異方性を高めるものと考えられ、従って添加元
素を加えた場合、コバルト−クロムのみの場合に比較し
て垂直異方性エネルギーが大きくなる。第λの記録層は
、主に記録ヘッドの記録磁界の垂直方向成分にあわせて
磁化し、記録磁界を有効に磁化するのに寄与するものと
考えられる。
及び磁気異方性を高めるものと考えられ、従って添加元
素を加えた場合、コバルト−クロムのみの場合に比較し
て垂直異方性エネルギーが大きくなる。第λの記録層は
、主に記録ヘッドの記録磁界の垂直方向成分にあわせて
磁化し、記録磁界を有効に磁化するのに寄与するものと
考えられる。
第１記録層及び第２記録層の膜厚の比は、磁気記録層の
総厚みによっても異なるが、総厚みが最適厚さのＳＯＯ
〜１０００Ａの場合には、第１記録層対第２記録層で／
：３〜３：１１好ましくはｌ：コル−二ｌとすると、重
ね書き特性（０／Ｗ ＞、分解能（ＲＥＳ）、信号雑音
比（Ｓ／Ｎ比）に優れた磁気記録媒体が得られる。
総厚みによっても異なるが、総厚みが最適厚さのＳＯＯ
〜１０００Ａの場合には、第１記録層対第２記録層で／
：３〜３：１１好ましくはｌ：コル−二ｌとすると、重
ね書き特性（０／Ｗ ＞、分解能（ＲＥＳ）、信号雑音
比（Ｓ／Ｎ比）に優れた磁気記録媒体が得られる。
尚、第２記録層の上には、通常、公知の方法に従ってカ
ーボン等よシなる保護潤滑層が設けられる。
ーボン等よシなる保護潤滑層が設けられる。
以下、本発明を実施例により説明するが、本発明はその
要旨を越えない限り実施例により限定されるものではな
い。
要旨を越えない限り実施例により限定されるものではな
い。
実施例１
非磁性基板としてＪｊインチのアルミニウム合金製ディ
スクを使用し、表面にＮ１−Ｐメツキ及びテキスチャー
を施して非磁性平滑層を形成した。この上に直流スパッ
タリング装置により下地層、磁気記録層をアルゴン雰囲
気下、次の条件で連続スパッタした。
スクを使用し、表面にＮ１−Ｐメツキ及びテキスチャー
を施して非磁性平滑層を形成した。この上に直流スパッ
タリング装置により下地層、磁気記録層をアルゴン雰囲
気下、次の条件で連続スパッタした。
初期排気 ３．０ Ｘ ／ ０−” ｔｏｒｒ７ ／Ｌ
／ゴン分圧 ／ Ｘ ／ ０−２ｔｏｒｒ基板温度基
板源 下地層用ターゲット Ｃｒ（純度９９．９４以上
）第１記録層用ターゲット Ｃ０６コ、Ｓ原子４−Ｎ
ｉ、ｙ。
／ゴン分圧 ／ Ｘ ／ ０−２ｔｏｒｒ基板温度基
板源 下地層用ターゲット Ｃｒ（純度９９．９４以上
）第１記録層用ターゲット Ｃ０６コ、Ｓ原子４−Ｎ
ｉ、ｙ。
原子係−Ｃｆ ？、！’原子チ
第２記録層用ターゲット ＣａＣ２，ｊ原子％−Ｃｒ
／ｓ原子チーＴａコ、Ｓ原子俤 下地１膜厚 約λ０ＯＯＡ 第１記録層膜厚 約３００人 第２記録層膜厚 約３００Ａ また最表層に膜厚約ｔ１００Ａのカーボン膜からなる保
護潤滑層を設けた。
／ｓ原子チーＴａコ、Ｓ原子俤 下地１膜厚 約λ０ＯＯＡ 第１記録層膜厚 約３００人 第２記録層膜厚 約３００Ａ また最表層に膜厚約ｔ１００Ａのカーボン膜からなる保
護潤滑層を設けた。
こうして作成した磁気記録媒体の磁気特性を測定したと
ころ、面内保磁力ｇＯθＯｅを得、また飽和磁化量、そ
の他の磁気特性に関しても優れた結果を得た。更に電磁
変換特性試験を行った結果、Ｓ／Ｎ比３１ＩｄＢ、 Ｏ
／Ｗ −、ｔ ｓ ｄＢ。
ころ、面内保磁力ｇＯθＯｅを得、また飽和磁化量、そ
の他の磁気特性に関しても優れた結果を得た。更に電磁
変換特性試験を行った結果、Ｓ／Ｎ比３１ＩｄＢ、 Ｏ
／Ｗ −、ｔ ｓ ｄＢ。
ＲＥＳ（１，２３／、１．！；ＯＭＨｚ）？！ｒ％の優
れた特性が得られた。
れた特性が得られた。
実施例コ
第１記録層の膜厚を約２００Ａ、第２記録層の膜厚を約
ｌ１００Ａとしたこと以外は実施例／と同様にして磁気
記録媒体を作成した。この磁気記録媒体の磁気記録媒体
の磁気特性を測定したところ、面内保磁力ｒ５θＯｅ
を得、飽和磁化量その他の磁気特性も優れた結果が得ら
れた。
ｌ１００Ａとしたこと以外は実施例／と同様にして磁気
記録媒体を作成した。この磁気記録媒体の磁気記録媒体
の磁気特性を測定したところ、面内保磁力ｒ５θＯｅ
を得、飽和磁化量その他の磁気特性も優れた結果が得ら
れた。
更に、電磁変換特性試験を行った結果、ＳＺＮ比、？
、ｔ ｄＢ、 Ｏ／Ｗ −３ｇ ｄＢＳＲＥＳ （／、
２３／コｊＯＭＨｚ）ｇ ３％といった極めて優れた特
性が得られた。
、ｔ ｄＢ、 Ｏ／Ｗ −３ｇ ｄＢＳＲＥＳ （／、
２３／コｊＯＭＨｚ）ｇ ３％といった極めて優れた特
性が得られた。
実施例３
第２記録層としてＣｏｆ、２．ｒ原子’Ｉｐ−Ｃｒ／ｊ
厚子％ −Ｎｂ ２．ｓ原子係からなる層を約３０θＡ
の膜厚で形成したこと以外は実施例１と同様にして磁気
記録媒体を形成した。この磁気記録媒体の磁気特性を測
定したところ、面内保磁力ｇ ｓ ｏ Ｏｅを得、飽和
磁化の大きさその他の磁気特性も優れた結果が得られた
。
厚子％ −Ｎｂ ２．ｓ原子係からなる層を約３０θＡ
の膜厚で形成したこと以外は実施例１と同様にして磁気
記録媒体を形成した。この磁気記録媒体の磁気特性を測
定したところ、面内保磁力ｇ ｓ ｏ Ｏｅを得、飽和
磁化の大きさその他の磁気特性も優れた結果が得られた
。
更に、電磁変換特性試験を行った結果、Ｓ／Ｎ比３ Ａ
ｄＢ、 Ｏ／Ｗ −３ｆｆ ｄＢＸＲＥＳ（／、２！
；／ ２，３０ＭＨｚ ） ｇ ５％といつた極めて優
れた測定結果が得られた。
ｄＢ、 Ｏ／Ｗ −３ｆｆ ｄＢＸＲＥＳ（／、２！
；／ ２，３０ＭＨｚ ） ｇ ５％といつた極めて優
れた測定結果が得られた。
比較例１
非磁性基板として３．５インチのアルミニウム合金製デ
ィスクを使用し、表面にＮ１−Ｐメツキ及びテキスチャ
ーを施して非磁性平滑層を形成した。この上に直流スパ
ッタリング装置によシ下地層、磁気記録層をアルゴン雰
囲気下、次の条件で連続スパッタした。
ィスクを使用し、表面にＮ１−Ｐメツキ及びテキスチャ
ーを施して非磁性平滑層を形成した。この上に直流スパ
ッタリング装置によシ下地層、磁気記録層をアルゴン雰
囲気下、次の条件で連続スパッタした。
初期排気 ３．０ Ｘ ／ Ｏｔｏｒｒアルコン分圧
ｌｘｌθ−２ｔｏｒｒ基板温度基板源 下地層用ターゲラ） Ｃｒ（純度９９．９％以
上）磁気記録層用ターゲラ） Ｃｏ ４２１原子％
−Ｎｉ３０原子係−Ｃｒ７．！；原原子 下地層膜厚 約２０００に 磁気記録層膜厚 約１．００に らなる保護潤滑層を設けた。
ｌｘｌθ−２ｔｏｒｒ基板温度基板源 下地層用ターゲラ） Ｃｒ（純度９９．９％以
上）磁気記録層用ターゲラ） Ｃｏ ４２１原子％
−Ｎｉ３０原子係−Ｃｒ７．！；原原子 下地層膜厚 約２０００に 磁気記録層膜厚 約１．００に らなる保護潤滑層を設けた。
このようにして形成した磁気記録媒体の磁気特性は、面
内保磁力がｑｏｏｏｅであり、飽和磁化量は実施例と同
等であった。続いて電磁変換特性を測定したところ、Ｓ
ＺＮ比３２ｄＢ。
内保磁力がｑｏｏｏｅであり、飽和磁化量は実施例と同
等であった。続いて電磁変換特性を測定したところ、Ｓ
ＺＮ比３２ｄＢ。
ＲＥＳ？Ｏ％（／、２ ｓ／２．ｓ ｏＭＨｚ ）であ
シ、いずれも本発明の実施例に比較して劣っていた。
シ、いずれも本発明の実施例に比較して劣っていた。
比較例コ
第１記録層としてＣｏ１ｒ、２ｊ原子９１ｙ−Ｃｒｔｓ
原子チ原子チーＴａ源子係 からなる層を、第２記銀層
としてＣｏ＆２．！ｒ原子係−Ｎｉ ３０原子チーＣｒ
り、Ｓ原子チからなる層を形成したこと以外は実施例／
と同様にして磁気記録媒体を形成した。このようにして
形成した磁気記録媒体の磁気特性は、面内保持力ｒ ｏ
ｏ Ｏｅ であった。続いて電磁変換特性を測定した
ところ、Ｓ／Ｎ比、２ｇｄＢＸＯ／Ｗ−，３０ｄＢ、Ｒ
ＥＳ ！ｒＯチ（／、λＳ／、ｉ、ｓＯＭＨｚ）であシ
、いずれも本発明の実施例に比較して劣っていた。
原子チ原子チーＴａ源子係 からなる層を、第２記銀層
としてＣｏ＆２．！ｒ原子係−Ｎｉ ３０原子チーＣｒ
り、Ｓ原子チからなる層を形成したこと以外は実施例／
と同様にして磁気記録媒体を形成した。このようにして
形成した磁気記録媒体の磁気特性は、面内保持力ｒ ｏ
ｏ Ｏｅ であった。続いて電磁変換特性を測定した
ところ、Ｓ／Ｎ比、２ｇｄＢＸＯ／Ｗ−，３０ｄＢ、Ｒ
ＥＳ ！ｒＯチ（／、λＳ／、ｉ、ｓＯＭＨｚ）であシ
、いずれも本発明の実施例に比較して劣っていた。
本発明は作用の異なるａつの磁気記録層を設けることに
より、高密度記録時の電磁変換特性に優れた磁気記録媒
体を提供することができる。
より、高密度記録時の電磁変換特性に優れた磁気記録媒
体を提供することができる。
第１図は本発明の一実施例を示す磁気記録媒体の部分断
面図、第２図は従来の磁気記録媒体の一例の部分断面図
である。第１図および第２図において、ｌは非磁性基板
、コは非磁性平滑層、３は非磁性金属下地層、弘は第１
記録層、Ｓは第２記録層、６は保護潤滑層、７は磁気記
録層をそれぞれ示す。
面図、第２図は従来の磁気記録媒体の一例の部分断面図
である。第１図および第２図において、ｌは非磁性基板
、コは非磁性平滑層、３は非磁性金属下地層、弘は第１
記録層、Ｓは第２記録層、６は保護潤滑層、７は磁気記
録層をそれぞれ示す。
Claims (1)
- （１）非磁性基板上にコバルトを主成分とする第１記録
層を設け、該第１記録層の上に、コバルト及びクロムを
主成分とし、さらに炭素、チタン、ジルコニウム、ニオ
ブ、ホルミウム、ハフニウム、タンタルおよびタングス
テンよりなる群から選ばれた少なくとも１種類の元素を
含有してなる第２記録層を設けたことを特徴とする磁気
記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63133550A JP2832941B2 (ja) | 1988-05-31 | 1988-05-31 | 面内磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63133550A JP2832941B2 (ja) | 1988-05-31 | 1988-05-31 | 面内磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01303624A true JPH01303624A (ja) | 1989-12-07 |
| JP2832941B2 JP2832941B2 (ja) | 1998-12-09 |
Family
ID=15107435
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63133550A Expired - Lifetime JP2832941B2 (ja) | 1988-05-31 | 1988-05-31 | 面内磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2832941B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6703148B2 (en) | 1998-11-20 | 2004-03-09 | Hitachi, Ltd. | Magnetic recording medium and magnetic disk apparatus using the same |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60101709A (ja) * | 1983-11-05 | 1985-06-05 | Alps Electric Co Ltd | 垂直磁気記録媒体 |
| JPS61224105A (ja) * | 1985-12-24 | 1986-10-04 | Victor Co Of Japan Ltd | 垂直磁気記録再生方法 |
| JPS6332720A (ja) * | 1986-07-28 | 1988-02-12 | Toshiba Corp | 磁気記録媒体 |
| JPS63237209A (ja) * | 1987-03-24 | 1988-10-03 | Ube Ind Ltd | 垂直磁気記録媒体 |
-
1988
- 1988-05-31 JP JP63133550A patent/JP2832941B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60101709A (ja) * | 1983-11-05 | 1985-06-05 | Alps Electric Co Ltd | 垂直磁気記録媒体 |
| JPS61224105A (ja) * | 1985-12-24 | 1986-10-04 | Victor Co Of Japan Ltd | 垂直磁気記録再生方法 |
| JPS6332720A (ja) * | 1986-07-28 | 1988-02-12 | Toshiba Corp | 磁気記録媒体 |
| JPS63237209A (ja) * | 1987-03-24 | 1988-10-03 | Ube Ind Ltd | 垂直磁気記録媒体 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6703148B2 (en) | 1998-11-20 | 2004-03-09 | Hitachi, Ltd. | Magnetic recording medium and magnetic disk apparatus using the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2832941B2 (ja) | 1998-12-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4610911A (en) | Thin film magnetic recording media | |
| US5543221A (en) | Magnetic recording medium | |
| EP0479232B1 (en) | magnetic alloy including cobalt, nickel, platinum and chromium | |
| US4631202A (en) | Thin film magnetic recording film | |
| JPH05274644A (ja) | 磁気記録媒体及びその製造方法 | |
| JPH01303624A (ja) | 面内磁気記録媒体 | |
| JPS63317922A (ja) | 垂直磁気記録媒体 | |
| JP2552546B2 (ja) | 金属薄膜型磁気記録媒体 | |
| US5082750A (en) | Magnetic recording medium of thin metal film type | |
| JPH0218710A (ja) | 円盤状磁気記録媒体 | |
| JPH0650683B2 (ja) | 磁気記憶体 | |
| JP2527616B2 (ja) | 金属薄膜型磁気記録媒体 | |
| JP2650282B2 (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPH10233014A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JP2549769B2 (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPH0268712A (ja) | 薄膜型磁気記録媒体 | |
| JP2527618B2 (ja) | 金属薄膜型磁気記録媒体 | |
| JPH0793738A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JP2544205B2 (ja) | 面内磁化記録用金属薄膜型磁気記録媒体 | |
| JPH01133217A (ja) | 磁気記録体 | |
| JPH0354723A (ja) | 磁気記録媒体及びその製造方法 | |
| JPH0460916A (ja) | 金属薄膜型磁気記録媒体 | |
| JPH065574B2 (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPH06104113A (ja) | 金属薄膜型磁気記録媒体 | |
| JPH06124832A (ja) | 磁気記録媒体 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081002 Year of fee payment: 10 |