JPH01303790A - セラミックプリント配線板およびその製造方法 - Google Patents
セラミックプリント配線板およびその製造方法Info
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- JPH01303790A JPH01303790A JP13489988A JP13489988A JPH01303790A JP H01303790 A JPH01303790 A JP H01303790A JP 13489988 A JP13489988 A JP 13489988A JP 13489988 A JP13489988 A JP 13489988A JP H01303790 A JPH01303790 A JP H01303790A
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- Japan
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- layer
- thick film
- film resistor
- resistor layer
- conductor
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-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/16—Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistors, capacitors or inductors
- H05K1/167—Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistors, capacitors or inductors incorporating printed resistors
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、高精度、高特性を有するセラミックプリント
配線板およびその製造方法に関するものである。
配線板およびその製造方法に関するものである。
（従来の技術）
湿式めっき法を用いたセラミックプリント配線板および
その製造方法で、厚膜抵抗体（層）とめっき導体（層）
とを組み合わせようとする試みは、すでに提案されてい
る。例えば、厚膜焼成ペーストを用いて抵抗体層を形成
後、端子部にパラジウムを含むガラスペーストを印刷後
焼成し、感光性ポリイミド層を絶縁層かつめっきレジス
ト層として端子部を残して被覆し、無電解銅めっきによ
り導体層を形成する方法が知られている。
その製造方法で、厚膜抵抗体（層）とめっき導体（層）
とを組み合わせようとする試みは、すでに提案されてい
る。例えば、厚膜焼成ペーストを用いて抵抗体層を形成
後、端子部にパラジウムを含むガラスペーストを印刷後
焼成し、感光性ポリイミド層を絶縁層かつめっきレジス
ト層として端子部を残して被覆し、無電解銅めっきによ
り導体層を形成する方法が知られている。
（発明が解決しようとする課題）
湿式めっき法を用いてセラミックプリント配線板を製造
する方法を、厚膜抵抗体層、が形成されている基板に適
用しようとすれば、湿式めっきプロセスに含まれる処理
薬品により抵抗体層が侵され抵抗体の電気特性は著しく
劣化される。また湿式めっきにより導体層を形成後、抵
抗体を形成しようとすれば、例えば該抵抗体が厚膜焼成
ペーストにより形成されるときは、８００°Ｃ以」−の
温度に導体層もさらされることになり、導体の諸特性を
損なってしまう。また前記例示のように抵抗体端子部に
パラジウムを含むガラス層を介在させた場合、抵抗体と
して、特に電流ノイズの増大を伴ってしまうという欠点
があった。このため抵抗体端子部に直接導体金属層を析
出させることが好ましいが、抵抗体表面は非常に平滑で
あり、たとえば熱衝撃試験などに耐え得る端子密着力を
得るのは困難であったり、他の電気特性に劣るなどの問
題点を有していた。
する方法を、厚膜抵抗体層、が形成されている基板に適
用しようとすれば、湿式めっきプロセスに含まれる処理
薬品により抵抗体層が侵され抵抗体の電気特性は著しく
劣化される。また湿式めっきにより導体層を形成後、抵
抗体を形成しようとすれば、例えば該抵抗体が厚膜焼成
ペーストにより形成されるときは、８００°Ｃ以」−の
温度に導体層もさらされることになり、導体の諸特性を
損なってしまう。また前記例示のように抵抗体端子部に
パラジウムを含むガラス層を介在させた場合、抵抗体と
して、特に電流ノイズの増大を伴ってしまうという欠点
があった。このため抵抗体端子部に直接導体金属層を析
出させることが好ましいが、抵抗体表面は非常に平滑で
あり、たとえば熱衝撃試験などに耐え得る端子密着力を
得るのは困難であったり、他の電気特性に劣るなどの問
題点を有していた。
（課題を解決するための手段）
本発明者らは、従来技術の問題点を解決し、高精度、高
特性を自するセラミックプリント配線板を得るべく検討
の結果本発明に到達した。すなわち本発明は、セラミッ
ク基板上に少なくとも厚膜抵抗体層と湿式めっきにより
形成された導体層とが配されてなるセラミックプリント
配線板において、厚膜抵抗体層の端子部において、該厚
膜抵抗体層と導体層とが積層され、かつ該端子部が表面
ｉｌｌ化されており、導体層構成金属が厚膜抵抗体層中
に拡散していることを特徴とするセラミ、ソクブプリン
ト配線板であり、またセラミ・ツク基板十、に厚膜抵抗
体層を形成後、該厚膜抵抗体層の端子部以外を耐薬品性
の保護絶縁層で被覆し、該端１部を表面粗化処理し、し
かる後湿式めっき法を用いて導体層を形成し、端子部に
おいて厚膜抵抗体層と導体層とを積層させ、少なくとも
該積層部を１５０°Ｃから９００℃で熱処理することを
含む、セラミックプリント配線板の製造方法である。
特性を自するセラミックプリント配線板を得るべく検討
の結果本発明に到達した。すなわち本発明は、セラミッ
ク基板上に少なくとも厚膜抵抗体層と湿式めっきにより
形成された導体層とが配されてなるセラミックプリント
配線板において、厚膜抵抗体層の端子部において、該厚
膜抵抗体層と導体層とが積層され、かつ該端子部が表面
ｉｌｌ化されており、導体層構成金属が厚膜抵抗体層中
に拡散していることを特徴とするセラミ、ソクブプリン
ト配線板であり、またセラミ・ツク基板十、に厚膜抵抗
体層を形成後、該厚膜抵抗体層の端子部以外を耐薬品性
の保護絶縁層で被覆し、該端１部を表面粗化処理し、し
かる後湿式めっき法を用いて導体層を形成し、端子部に
おいて厚膜抵抗体層と導体層とを積層させ、少なくとも
該積層部を１５０°Ｃから９００℃で熱処理することを
含む、セラミックプリント配線板の製造方法である。
本発明におけるセラミック基板とは、アルミナ系基板、
窒化アルミニウム基板、炭化ケイ素基板、ガラス系基板
などのセラミ’７り系基板である。また前記セラミック
系基板は、そのまま使用することが出来るが、好ましく
はめつき導体の密着力を上げるために該基板表面を機械
的または化学的に表面粗化したものを使用する。
窒化アルミニウム基板、炭化ケイ素基板、ガラス系基板
などのセラミ’７り系基板である。また前記セラミック
系基板は、そのまま使用することが出来るが、好ましく
はめつき導体の密着力を上げるために該基板表面を機械
的または化学的に表面粗化したものを使用する。
本発明における厚膜抵抗体層は例えばＲ７ＩＯ２系、ル
テニウム酸パイロクロア型酸化物系、窒素焼成型Ｌ−Ｂ
ｅ系、同酸化錫系の厚膜焼成型抵抗体ペーストをセラミ
ック基板−Ｌに印刷後、適当な条件下で焼成し、形成し
たものである。
テニウム酸パイロクロア型酸化物系、窒素焼成型Ｌ−Ｂ
ｅ系、同酸化錫系の厚膜焼成型抵抗体ペーストをセラミ
ック基板−Ｌに印刷後、適当な条件下で焼成し、形成し
たものである。
本発明における抵抗体の端子部以外に被覆するのに使用
する耐薬品性の保護絶縁層としては、厚膜焼成型絶縁体
ペースト、および樹脂組成物から選ばれるものである。
する耐薬品性の保護絶縁層としては、厚膜焼成型絶縁体
ペースト、および樹脂組成物から選ばれるものである。
本発明における湿式めっきとは、銅、銀、白金、白金１
＋４ 、金、ルテニウム、ニッケル、コバルト等の無電
解めっきおよびまたはこれらを下部層とする電気めっき
のことである。
＋４ 、金、ルテニウム、ニッケル、コバルト等の無電
解めっきおよびまたはこれらを下部層とする電気めっき
のことである。
本発明の端１＜の機械的およびまたは化学的な表面粗化
とはめっき導体と厚膜抵抗体の接続部（積層部）の密着
力を−１−げ、熱？Ｉｊ雫等の信頼性試験にも１−分耐
えるにようにするためのものであり、機械的粗化とは、
例えばセラミック粉のような比較的映い微粉を抵抗体端
子部に吹き付けるなどして端１表面を物理的に粗面化す
ることをいう。
とはめっき導体と厚膜抵抗体の接続部（積層部）の密着
力を−１−げ、熱？Ｉｊ雫等の信頼性試験にも１−分耐
えるにようにするためのものであり、機械的粗化とは、
例えばセラミック粉のような比較的映い微粉を抵抗体端
子部に吹き付けるなどして端１表面を物理的に粗面化す
ることをいう。
化学的粗化とは、フッ素化合物、酸またはアルカリ化合
物の水溶液または溶融塩を用いて電子顕微鏡レベルの細
孔を抵抗体端子部表面に形成させる方法をいう。前記表
面ｍ化方法はそれぞれｒ部１独でも良好な端子密着力を
示すが、好ましくは機械的粗化後さらに化学的１目ヒを
行うことにより、より高い端子密着力を得ることができ
る。このときの端子部の表面粗さはＲ１で０．０５〜３
．０μｍであり、好ましくは０．１〜１．０μｍである
。
物の水溶液または溶融塩を用いて電子顕微鏡レベルの細
孔を抵抗体端子部表面に形成させる方法をいう。前記表
面ｍ化方法はそれぞれｒ部１独でも良好な端子密着力を
示すが、好ましくは機械的粗化後さらに化学的１目ヒを
行うことにより、より高い端子密着力を得ることができ
る。このときの端子部の表面粗さはＲ１で０．０５〜３
．０μｍであり、好ましくは０．１〜１．０μｍである
。
本発明における端子部で接合されている導体層と厚膜抵
抗体層との間で、導体層の金属が厚膜抵抗体層中に拡散
していることは、１亥接続部でのノイズ発生源、バリヤ
ー層としての二層構造が解消されるため理想的な端子構
造となると考えられ、かかる構成となるためには、少な
くとも該接合部（積層部）を加熱処理すること等が必認
となる。
抗体層との間で、導体層の金属が厚膜抵抗体層中に拡散
していることは、１亥接続部でのノイズ発生源、バリヤ
ー層としての二層構造が解消されるため理想的な端子構
造となると考えられ、かかる構成となるためには、少な
くとも該接合部（積層部）を加熱処理すること等が必認
となる。
本発明における加熱処理は、抵抗体Ｉ〕に導体を形成し
た後のいずれの段階でもよい。加熱条件は温度で１５０
°Ｃ以−Ｌ ９００″Ｃ以ド、好ましくは２００℃以−
Ｌ６００°Ｃ以Ｆであり、時間で１分量１５時間以下、
好ましくは５分取１−２時間以下である。加熱処理雰囲
気としては、特に限定されなく、空気中、不活性雰囲気
中、還元雰囲気中等がある。
た後のいずれの段階でもよい。加熱条件は温度で１５０
°Ｃ以−Ｌ ９００″Ｃ以ド、好ましくは２００℃以−
Ｌ６００°Ｃ以Ｆであり、時間で１分量１５時間以下、
好ましくは５分取１−２時間以下である。加熱処理雰囲
気としては、特に限定されなく、空気中、不活性雰囲気
中、還元雰囲気中等がある。
本発明品を得る方法としては、セラミック基板！−に厚
膜抵抗体層を形成（イ）、該抵抗体層の端子部以外を耐
ｉ！Ｉｉ！式めっき酸性の保護絶縁層で被覆（０）、該
端子部を表面ｌｌｊ化（ハ）、湿式めっきで導体層を形
成（ニ）、端子部で積層された抵抗体層と導体層とを１
５０°Ｃから９００℃で熱処理（ネ）の順であることが
好ましいが、（ロ）と（ハ）の順を逆にする等してもよ
い。
膜抵抗体層を形成（イ）、該抵抗体層の端子部以外を耐
ｉ！Ｉｉ！式めっき酸性の保護絶縁層で被覆（０）、該
端子部を表面ｌｌｊ化（ハ）、湿式めっきで導体層を形
成（ニ）、端子部で積層された抵抗体層と導体層とを１
５０°Ｃから９００℃で熱処理（ネ）の順であることが
好ましいが、（ロ）と（ハ）の順を逆にする等してもよ
い。
（実施例および比較例）
＊（比較例１）
アルミナを９６％含自°する縦５０．８．．１横５０．
８ｍ−１厚さ０．８３５−＝１の白色セラミック基板を
３４０°Ｃに保持された溶融苛性ソーダに、１０分間浸
漬し基板表面を適度に粗化した。次に、ｌｌｊ 、ｉｄ
ネ１１化されたセラミック基板に厚膜、焼成型抵抗体ペ
ースト＃６８２９ （シート抵抗：ｌＫΩ／口）［１）
ｕｐｏｎ ｔ Ｊ ａｐａｎ ＬＴＩ）、コをスク
リーン印刷法により所望パターン状に塗布−し、８５０
℃で、１０分間（トータル３５分間）空気中焼成して抵
抗体層を形成した。この抵抗体層１４に＃９１３７［Ｄ
ｕｐｏｎｔ Ｊａｌ）ａｎＬＴ＋）、１抵抗体保護用
厚膜焼成型ガラスペーストを抵抗体端子部を残し、抵抗
体表面および壁面をカバーするようにスクリーン印刷法
により塗布し、５５０℃で、２分間（トータル２０分間
）空気中焼成した。抵抗体層の焼成後形杖は、幅１．０
ｍｍ長さ１．５ｍｍ、厚さ１０μｍ、ガラス絶縁層の焼
成後形状は、幅１．Ｏｌ園、長さ１．５ｍ糟、厚さ１０
μｍであり、抵抗体層と１・字型を成し、抵抗体端子部
として抵抗体層の両端２５０μｍ１】がガラス絶縁層に
覆われていないものである。
８ｍ−１厚さ０．８３５−＝１の白色セラミック基板を
３４０°Ｃに保持された溶融苛性ソーダに、１０分間浸
漬し基板表面を適度に粗化した。次に、ｌｌｊ 、ｉｄ
ネ１１化されたセラミック基板に厚膜、焼成型抵抗体ペ
ースト＃６８２９ （シート抵抗：ｌＫΩ／口）［１）
ｕｐｏｎ ｔ Ｊ ａｐａｎ ＬＴＩ）、コをスク
リーン印刷法により所望パターン状に塗布−し、８５０
℃で、１０分間（トータル３５分間）空気中焼成して抵
抗体層を形成した。この抵抗体層１４に＃９１３７［Ｄ
ｕｐｏｎｔ Ｊａｌ）ａｎＬＴ＋）、１抵抗体保護用
厚膜焼成型ガラスペーストを抵抗体端子部を残し、抵抗
体表面および壁面をカバーするようにスクリーン印刷法
により塗布し、５５０℃で、２分間（トータル２０分間
）空気中焼成した。抵抗体層の焼成後形杖は、幅１．０
ｍｍ長さ１．５ｍｍ、厚さ１０μｍ、ガラス絶縁層の焼
成後形状は、幅１．Ｏｌ園、長さ１．５ｍ糟、厚さ１０
μｍであり、抵抗体層と１・字型を成し、抵抗体端子部
として抵抗体層の両端２５０μｍ１】がガラス絶縁層に
覆われていないものである。
１°、記、抵抗体層および保護絶縁層形成後の基板に、
セミアデイティブ法により抵抗体端子部に小なるように
めっき導体回路パターンを形成した。
セミアデイティブ法により抵抗体端子部に小なるように
めっき導体回路パターンを形成した。
１体的には、まず、基板全面を、無電解鋼めっきで被覆
した。無電解鋼めっきは、ＰＴＨプロセス４［５ｈｉｌ
）ｌｅＶ Ｆａｒ Ｅａｓｔコにより、１．０μｍ
の１！！（電解銅めっき皮膜を得た。無電解鋼めっき後
、この基板を窒素雰囲気下４００℃で、１０分間の加熱
処理を行った。さらに、感光性ドライフィルムを用いて
ネガ型のメツキレジストを回路パターン状に形成し、電
気銅めっきを約１．０μｍ析出させた。電気銅めっき後
、レジストを２１１離、薄付けの；爪電解鋼めっき部分
を、０．１ＭＨ２Ｏ２１０，１ＭＨ２ＳＯ４のエツチン
グ液で除去した。
した。無電解鋼めっきは、ＰＴＨプロセス４［５ｈｉｌ
）ｌｅＶ Ｆａｒ Ｅａｓｔコにより、１．０μｍ
の１！！（電解銅めっき皮膜を得た。無電解鋼めっき後
、この基板を窒素雰囲気下４００℃で、１０分間の加熱
処理を行った。さらに、感光性ドライフィルムを用いて
ネガ型のメツキレジストを回路パターン状に形成し、電
気銅めっきを約１．０μｍ析出させた。電気銅めっき後
、レジストを２１１離、薄付けの；爪電解鋼めっき部分
を、０．１ＭＨ２Ｏ２１０，１ＭＨ２ＳＯ４のエツチン
グ液で除去した。
電気特性は、シート抵抗値、電流雑音、抵抗温度係数を
測定した。初期の電気特性と熱衝撃試験（−５５°Ｃの
トリクレンに５分間浸ｉ：ｊ−＋室／！１１１Ｏ秒間放
置→＋１２５°Ｃのシリコーンオイルに５分間ｉＡ ｉ
ｔ’ｔ→室温ｌＯ秒間放置を１サイクルとする熱衝°７
試験）２５サイクル後の電気特性値を表１に示した。
測定した。初期の電気特性と熱衝撃試験（−５５°Ｃの
トリクレンに５分間浸ｉ：ｊ−＋室／！１１１Ｏ秒間放
置→＋１２５°Ｃのシリコーンオイルに５分間ｉＡ ｉ
ｔ’ｔ→室温ｌＯ秒間放置を１サイクルとする熱衝°７
試験）２５サイクル後の電気特性値を表１に示した。
（比較例■）
比較例Ｉに示したと同一の方法で、表面粗化した白色セ
ラミック基板にガラス絶縁層で保護された厚膜抵抗体を
形成した。この基板全面に、５００ ｍ ｅ ｓ ｈ
ａ−アルミナ粉を圧力１ ｋｇ ／ ｃｙａで、０．５
杼間吹きつけて機械的ｌｌｊ化を行ない、さらに５０°
Ｃの４ＭＮａＯＨ水溶液に３０分間浸漬し、純水中で超
音波洗浄後比較例Ｉに示したと同一の方法でめっき導体
回路パターンを形成した。初期の電気特性と熱衝撃試験
２５サイクル後電気特性の結果を表１に示した。
ラミック基板にガラス絶縁層で保護された厚膜抵抗体を
形成した。この基板全面に、５００ ｍ ｅ ｓ ｈ
ａ−アルミナ粉を圧力１ ｋｇ ／ ｃｙａで、０．５
杼間吹きつけて機械的ｌｌｊ化を行ない、さらに５０°
Ｃの４ＭＮａＯＨ水溶液に３０分間浸漬し、純水中で超
音波洗浄後比較例Ｉに示したと同一の方法でめっき導体
回路パターンを形成した。初期の電気特性と熱衝撃試験
２５サイクル後電気特性の結果を表１に示した。
＊（実施例Ｉ）
比較例Ｉに示したと同一の方法で、表面粗化した白色セ
ラミック基板にガラス絶縁層で保護された厚膜抵抗体を
形成した。この基板を５０℃の４ＭＮａＯＨ水溶液に３
０分間浸漬し、純水中で超？″Ｉ彼洗浄後比較例Ｉに示
したと同一・の方法でめっき導体回路パターンを形成し
た。めっき導体回路形成１−程中、１！；（電解銅めっ
き後、窒素雰囲気中で４００°Ｃ１１０分間加熱処理を
行った。初期の電気特性と熱衝撃試験２５サイクル後の
電気特性結果を表１に示した。
ラミック基板にガラス絶縁層で保護された厚膜抵抗体を
形成した。この基板を５０℃の４ＭＮａＯＨ水溶液に３
０分間浸漬し、純水中で超？″Ｉ彼洗浄後比較例Ｉに示
したと同一・の方法でめっき導体回路パターンを形成し
た。めっき導体回路形成１−程中、１！；（電解銅めっ
き後、窒素雰囲気中で４００°Ｃ１１０分間加熱処理を
行った。初期の電気特性と熱衝撃試験２５サイクル後の
電気特性結果を表１に示した。
＊（実施例■）
比較例■に示したと同一の方法で、表面１１化した白色
セラミック基板にガラス絶縁層で保護された抵抗体を形
成した。この基板全面に、５００ｍｅｓｈα−アルミナ
粉を圧力１ ｋｇ ／ Ｃｒａで、０．５秒間状きつけ
て機械的粗化を行ない、純水中で超音波洗浄後、比較例
Ｉに示したと同一の方法でめっき導体回路パターンを形
成した。めっき導体回路形成工程中、無電解銅めっき後
、窒素雰囲気中で４００℃、１０分間加熱処理を行った
。
セラミック基板にガラス絶縁層で保護された抵抗体を形
成した。この基板全面に、５００ｍｅｓｈα−アルミナ
粉を圧力１ ｋｇ ／ Ｃｒａで、０．５秒間状きつけ
て機械的粗化を行ない、純水中で超音波洗浄後、比較例
Ｉに示したと同一の方法でめっき導体回路パターンを形
成した。めっき導体回路形成工程中、無電解銅めっき後
、窒素雰囲気中で４００℃、１０分間加熱処理を行った
。
初期の電気特性と熱衝撃試験２５サイクル後の電気特性
の結果を表１に示した。
の結果を表１に示した。
（実施例■）
比較例Ｉに示したと同一の方法で、表面粗化した白色セ
ラミック基板にガラス絶縁層で保護された抵抗体を形成
した。この基板全面に、５００ｍｅｓｈα−アルミナ粉
を圧力１ ｋｇ ／ ＣＩＪで、０．５秒間状きつけて
機械的ｍ化を行ない、さとに５０℃の４ＭＮａＯＨ水溶
液に３０分間浸漬し、純水中で超Ｓ′７波洗浄後、比較
例Ｉに示したと同一の方法でめっき導体回路パターンを
形成した。めっき導体回路形成り程中、力！（電解鋼め
っき後、窒素雰囲気中で４００℃、１０分間加熱処理を
行った。初期の電気特性と熱？ｊｊｆＰ試験２５サイク
ル後の電気特性の結果を表１に示した。
ラミック基板にガラス絶縁層で保護された抵抗体を形成
した。この基板全面に、５００ｍｅｓｈα−アルミナ粉
を圧力１ ｋｇ ／ ＣＩＪで、０．５秒間状きつけて
機械的ｍ化を行ない、さとに５０℃の４ＭＮａＯＨ水溶
液に３０分間浸漬し、純水中で超Ｓ′７波洗浄後、比較
例Ｉに示したと同一の方法でめっき導体回路パターンを
形成した。めっき導体回路形成り程中、力！（電解鋼め
っき後、窒素雰囲気中で４００℃、１０分間加熱処理を
行った。初期の電気特性と熱？ｊｊｆＰ試験２５サイク
ル後の電気特性の結果を表１に示した。
以 ド 余 白
表１
比較例と実施例の測定値は ｎ ＝ ２０の平均値（発
明の効果） 本発明の実施により、厚膜抵抗体の本来の特性をそこな
うことなく、導体パターンをめっき導体、特に銅めっき
で微細かつ高精度に形成できることは、セラミック・プ
リント配線板の高精度化、高特性化に極めて有益である
。
明の効果） 本発明の実施により、厚膜抵抗体の本来の特性をそこな
うことなく、導体パターンをめっき導体、特に銅めっき
で微細かつ高精度に形成できることは、セラミック・プ
リント配線板の高精度化、高特性化に極めて有益である
。
Claims (2)
- （１）セラミック基板上に少なくとも厚膜抵抗体層と湿
式めっきにより形成された導体層とが配されてなるセラ
ミックプリント配線板において、厚膜抵抗体層の端子部
において該厚膜抵抗体層と導体層とが積層され、かつ該
端子部が表面粗化されており、導体層構成金属が厚膜抵
抗体層中に拡散していることを特徴とするセラミックプ
リント配線板。 - （２）セラミック基板上に厚膜抵抗体層を形成後、該厚
膜抵抗体層の端子部以外を耐薬品性の保護絶縁層で被覆
し、該端子部を表面粗化処理し、しかる後湿式めっき法
を用いて導体層を形成し端子部において厚膜抵抗体層と
導体層とを積層させ、少なくとも該積層部を１５０℃か
ら９００℃で熱処理することを含むセラミックプリント
配線板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13489988A JPH01303790A (ja) | 1988-06-01 | 1988-06-01 | セラミックプリント配線板およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13489988A JPH01303790A (ja) | 1988-06-01 | 1988-06-01 | セラミックプリント配線板およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01303790A true JPH01303790A (ja) | 1989-12-07 |
Family
ID=15139125
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13489988A Pending JPH01303790A (ja) | 1988-06-01 | 1988-06-01 | セラミックプリント配線板およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01303790A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111465187A (zh) * | 2020-05-19 | 2020-07-28 | 青岛零频新材料科技有限公司 | 含有电阻层的覆铜板、印刷电路板及其制造方法 |
-
1988
- 1988-06-01 JP JP13489988A patent/JPH01303790A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111465187A (zh) * | 2020-05-19 | 2020-07-28 | 青岛零频新材料科技有限公司 | 含有电阻层的覆铜板、印刷电路板及其制造方法 |
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