JPH0216788A - セラミックプリント配線板 - Google Patents
セラミックプリント配線板Info
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- JPH0216788A JPH0216788A JP16749588A JP16749588A JPH0216788A JP H0216788 A JPH0216788 A JP H0216788A JP 16749588 A JP16749588 A JP 16749588A JP 16749588 A JP16749588 A JP 16749588A JP H0216788 A JPH0216788 A JP H0216788A
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Landscapes
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、高精度、高特性を有するセラミックプリント
配線板に関するものである。
配線板に関するものである。
（従来の技術）
湿式めっき法を用いたセラミックプリント配線板に、厚
膜抵抗体と無電解めっき皮膜導体を組み合わせようとす
る試みは、既に行われている０例えば厚膜焼成ペースト
を用いて抵抗体形成後、該抵抗体端子部にパラジウムを
含むガラスペーストを印刷後焼成し、感光性ポリイミド
を絶縁層かつ、めっきレジストとして無電解めっきする
方法が知られている。
膜抵抗体と無電解めっき皮膜導体を組み合わせようとす
る試みは、既に行われている０例えば厚膜焼成ペースト
を用いて抵抗体形成後、該抵抗体端子部にパラジウムを
含むガラスペーストを印刷後焼成し、感光性ポリイミド
を絶縁層かつ、めっきレジストとして無電解めっきする
方法が知られている。
（発明が解決しようとする課題）
湿式めっき法をもちいてセラミックプリント配線板を作
成する方法を厚膜抵抗体を含む基板にそのまま用いよう
とすれば、湿式めっきプロセスに含まれる処理薬品によ
り抵抗体が侵され、抵抗体の電気特性は著しく劣化する
。また、導体回路形成後に、抵抗体を作成しようとすれ
ば、たとえば抵抗体が厚膜焼成型抵抗体であれば、８０
０°Ｃ以上の温度を必要とするため、先に形成した湿式
めっき導体が銅導体の場合、導体の緒特性を損なってし
まう結果となる。また、前記例示のように抵抗体端子部
にＰｄを含むガラス層を介在させた場合、抵抗体として
、特に電流ノイズの増大を伴ってしまうという欠点があ
った。このため抵抗体端子部に直接導体金属を析出させ
ることがこのましいが、電気特性を充分満足するものを
得るのが困難であった。既に、本発明者らは、抵抗体端
子部表面を粗化し、最下層に銅層を用い、加熱処理を行
った配線板について提案しているが、この場合において
も導電性および抵抗温度係数についてはすぐれたもので
あるが、電流ノイズ特性に必ずしも充分でない場合もあ
ることが判明した。
成する方法を厚膜抵抗体を含む基板にそのまま用いよう
とすれば、湿式めっきプロセスに含まれる処理薬品によ
り抵抗体が侵され、抵抗体の電気特性は著しく劣化する
。また、導体回路形成後に、抵抗体を作成しようとすれ
ば、たとえば抵抗体が厚膜焼成型抵抗体であれば、８０
０°Ｃ以上の温度を必要とするため、先に形成した湿式
めっき導体が銅導体の場合、導体の緒特性を損なってし
まう結果となる。また、前記例示のように抵抗体端子部
にＰｄを含むガラス層を介在させた場合、抵抗体として
、特に電流ノイズの増大を伴ってしまうという欠点があ
った。このため抵抗体端子部に直接導体金属を析出させ
ることがこのましいが、電気特性を充分満足するものを
得るのが困難であった。既に、本発明者らは、抵抗体端
子部表面を粗化し、最下層に銅層を用い、加熱処理を行
った配線板について提案しているが、この場合において
も導電性および抵抗温度係数についてはすぐれたもので
あるが、電流ノイズ特性に必ずしも充分でない場合もあ
ることが判明した。
（課題を解決するための手段）
本発明者らは、従来技術の問題点を解決し、高精度、高
特性を有するセラミックプリント配線板の作成を鋭意検
討の結果、本発明に到達した。すなわち、セラミック基
板上に少なくとも厚膜抵抗体層と湿式めっき法により形
成された導体層とが配されてなるセラミックプリント配
線板において、厚膜抵抗体層の端子部において該厚膜抵
抗体層と接触するめっき導体がニッケル主体層であるこ
とを特徴とするセラミックプリント配線板である。
特性を有するセラミックプリント配線板の作成を鋭意検
討の結果、本発明に到達した。すなわち、セラミック基
板上に少なくとも厚膜抵抗体層と湿式めっき法により形
成された導体層とが配されてなるセラミックプリント配
線板において、厚膜抵抗体層の端子部において該厚膜抵
抗体層と接触するめっき導体がニッケル主体層であるこ
とを特徴とするセラミックプリント配線板である。
本発明におけるセラミνり基板とは、アルミナ系基板、
窒化アルミニウム基板、炭化ケイ素基板、ガラス系基板
などのセラミック系基板である。また、前記セラミック
系基板はそのまま使用することができるが、好ましくは
めっき導体の密着力を上げるために基板表面を機械的お
よびまたは化学的に粗化したセラミンク基板を使用する
。
窒化アルミニウム基板、炭化ケイ素基板、ガラス系基板
などのセラミック系基板である。また、前記セラミック
系基板はそのまま使用することができるが、好ましくは
めっき導体の密着力を上げるために基板表面を機械的お
よびまたは化学的に粗化したセラミンク基板を使用する
。
本発明における厚膜抵抗体層は、例えば、Ｒｕｎ２系、
パイロクロア型ルテニウム酸金属系、窒素焼成型ＬａＢ
ｂ系、同酸化錫系の厚膜焼成型抵抗体ペーストをセラミ
ック基板上に印刷後、適当な条件下で焼成し形成したも
のである。
パイロクロア型ルテニウム酸金属系、窒素焼成型ＬａＢ
ｂ系、同酸化錫系の厚膜焼成型抵抗体ペーストをセラミ
ック基板上に印刷後、適当な条件下で焼成し形成したも
のである。
本発明においては、厚膜抵抗体の端子部に導体層を重ね
て形成せしめるとき、該端子部以外の厚膜抵抗体層上に
保護絶縁層を配して湿式めっきを行うが、このときもち
いる保護絶縁層としては、厚膜焼成型絶縁体ペースト、
および樹脂組成をもちいることができる。ニッケル主体
層とは、例えばニッケル／ホウ素、ニッケル／リンなど
で化学的に析出可能なニッケル主体の導体層をいう。ま
た湿式めっきによる導体層とは厚膜抵抗体層の端子部と
直接接触するニッケル主体層とおなしものでよいが、目
的により、ニッケル主体層上に銅、銀、白金、白金族、
金、ルテニウム、およびコバルトの無電解めっき、およ
びまたは電気めっきが組み合わされ多層に形成されたも
のでもよい。
て形成せしめるとき、該端子部以外の厚膜抵抗体層上に
保護絶縁層を配して湿式めっきを行うが、このときもち
いる保護絶縁層としては、厚膜焼成型絶縁体ペースト、
および樹脂組成をもちいることができる。ニッケル主体
層とは、例えばニッケル／ホウ素、ニッケル／リンなど
で化学的に析出可能なニッケル主体の導体層をいう。ま
た湿式めっきによる導体層とは厚膜抵抗体層の端子部と
直接接触するニッケル主体層とおなしものでよいが、目
的により、ニッケル主体層上に銅、銀、白金、白金族、
金、ルテニウム、およびコバルトの無電解めっき、およ
びまたは電気めっきが組み合わされ多層に形成されたも
のでもよい。
めっき導体パターンの形成法は、サブストラクト法、セ
ミアヂチプ法、フルアヂチブ法のいずれでも実施可能で
ある。
ミアヂチプ法、フルアヂチブ法のいずれでも実施可能で
ある。
本発明における抵抗体層端子部は、そのままで導体層を
形成せしめてもよいが、表面粗化を行ってから導体層を
形成せしめたほうがよい。ここでいう表面粗化とは、抵
抗体端子部の機械的およびまたは化学的粗化をいい、め
っき導体と厚膜抵抗体の接続部の密着力を上げ、熱衝撃
等の信頼性試験にも充分耐えうるようにするために行う
もので、機械的粗化とは、例えばセラミツ、り粉のよう
な比較的硬い微粉を、抵抗体端子部に吹きつけ、端子部
表面を物理的に粗化する方法をいう、この表面粗さはＲ
，−（０，１〜０．５）μｍの範囲に入る様に表面粗化
を行うのが好ましい、また化学的粗化とはフッソ化合物
または酸、アルカリ化合物の水溶液または溶融塩を用い
て、電子顕微鏡レベルの細孔を抵抗体端子部表面に形成
させる方法をいう、前記表面粗化方法は、それぞれ単独
でも良好な端子密着力を示すが、好ましくは機械的粗化
後更に化学的粗化を行うことにより、より高い端子密着
力を得ることができる。
形成せしめてもよいが、表面粗化を行ってから導体層を
形成せしめたほうがよい。ここでいう表面粗化とは、抵
抗体端子部の機械的およびまたは化学的粗化をいい、め
っき導体と厚膜抵抗体の接続部の密着力を上げ、熱衝撃
等の信頼性試験にも充分耐えうるようにするために行う
もので、機械的粗化とは、例えばセラミツ、り粉のよう
な比較的硬い微粉を、抵抗体端子部に吹きつけ、端子部
表面を物理的に粗化する方法をいう、この表面粗さはＲ
，−（０，１〜０．５）μｍの範囲に入る様に表面粗化
を行うのが好ましい、また化学的粗化とはフッソ化合物
または酸、アルカリ化合物の水溶液または溶融塩を用い
て、電子顕微鏡レベルの細孔を抵抗体端子部表面に形成
させる方法をいう、前記表面粗化方法は、それぞれ単独
でも良好な端子密着力を示すが、好ましくは機械的粗化
後更に化学的粗化を行うことにより、より高い端子密着
力を得ることができる。
（実施例）
〔比較例〕
アルミナを９６％含有するｍ５０．８ｍｍ、横５０．８
ｍｍ、厚さ０．６３５Ｍの白色セラミック基板を３４０
°Ｃに保持された溶融がせいソウダに、１０分間浸漬し
基板表面を適度に粗化した。次に、前記粗化されたセラ
ミック基板に厚膜焼成型抵抗体ペースト＃６８２９（シ
ート抵抗：ＩＫΩ／口）（Ｄｕｐｏｎｔ Ｊａｐａｎ
製〕をスクリーン印刷法により所望パターン状に塗布し
、８５０°Ｃで１０分間（トータル３５分間）空気中焼
成して抵抗体層を形成した。この抵抗体層上に＃９１３
７ （ＤｕｐｏｎＬ Ｊａｐａｎ製〕抵抗体保護用厚
膜焼成型ガラスペーストを抵抗体端子部を残し、抵抗体
表面および壁面をカバーするようにスクリーン印刷法に
より塗布し、５５０ ’Ｃで２分間（トータル２０分１
．”ｌ ）空気中焼成した。抵抗体層の焼成後形状は、
幅１．０ｍ、長さ１． ５ｍｍ、厚さ１０μｍである。
ｍｍ、厚さ０．６３５Ｍの白色セラミック基板を３４０
°Ｃに保持された溶融がせいソウダに、１０分間浸漬し
基板表面を適度に粗化した。次に、前記粗化されたセラ
ミック基板に厚膜焼成型抵抗体ペースト＃６８２９（シ
ート抵抗：ＩＫΩ／口）（Ｄｕｐｏｎｔ Ｊａｐａｎ
製〕をスクリーン印刷法により所望パターン状に塗布し
、８５０°Ｃで１０分間（トータル３５分間）空気中焼
成して抵抗体層を形成した。この抵抗体層上に＃９１３
７ （ＤｕｐｏｎＬ Ｊａｐａｎ製〕抵抗体保護用厚
膜焼成型ガラスペーストを抵抗体端子部を残し、抵抗体
表面および壁面をカバーするようにスクリーン印刷法に
より塗布し、５５０ ’Ｃで２分間（トータル２０分１
．”ｌ ）空気中焼成した。抵抗体層の焼成後形状は、
幅１．０ｍ、長さ１． ５ｍｍ、厚さ１０μｍである。
ガラス絶縁層の焼成後形状は、幅１゜ＯＭ、長さ１．５
ｎｕ＋＋、厚さ１１０７ｚであり、抵抗体層と十字型を
成し、抵抗体端子部として抵抗体層の両端２５０μｍ幅
がガラス絶縁層に覆われていないものである。この基板
全面に、５００ｅｓｈα−アルミナ粉を圧力１ ｋｇ
／ ｃｉで、０．５秒間吹きつけて機械的粗化を行ない
、さらに５０°Ｃの４ＭＮａＯＨ水溶液に３０分間浸漬
し、純水中で超音波洗浄後セミアデイティブにより抵抗
体端子部に重なるようにめっき導体回路パターンを形成
した。具体的には、まず、基板前面を無電解銅めっきで
被覆した。無電解銅めっきは、ＰＴＨプロセス４ （Ｓ
ｈｉｐｌｅｙ Ｆａｒ Ｅａｓｔ）により、１．０
μｍの無電解銅めっき皮膜を得た。さらに、感光性ドラ
イフィルムを用いてネガ型のメンキレジストを回路パタ
ーン状に形成し、電気銅めっきを約１０μｍ析出させた
。電気銅めっき後、レジストを剥離、１付での無電解銅
めっき部分を、０．１ ＭＨｚ Ｏｘ １０．１ ＭＨ
ｚＳＯ６のエッチングン夜で除去した。
ｎｕ＋＋、厚さ１１０７ｚであり、抵抗体層と十字型を
成し、抵抗体端子部として抵抗体層の両端２５０μｍ幅
がガラス絶縁層に覆われていないものである。この基板
全面に、５００ｅｓｈα−アルミナ粉を圧力１ ｋｇ
／ ｃｉで、０．５秒間吹きつけて機械的粗化を行ない
、さらに５０°Ｃの４ＭＮａＯＨ水溶液に３０分間浸漬
し、純水中で超音波洗浄後セミアデイティブにより抵抗
体端子部に重なるようにめっき導体回路パターンを形成
した。具体的には、まず、基板前面を無電解銅めっきで
被覆した。無電解銅めっきは、ＰＴＨプロセス４ （Ｓ
ｈｉｐｌｅｙ Ｆａｒ Ｅａｓｔ）により、１．０
μｍの無電解銅めっき皮膜を得た。さらに、感光性ドラ
イフィルムを用いてネガ型のメンキレジストを回路パタ
ーン状に形成し、電気銅めっきを約１０μｍ析出させた
。電気銅めっき後、レジストを剥離、１付での無電解銅
めっき部分を、０．１ ＭＨｚ Ｏｘ １０．１ ＭＨ
ｚＳＯ６のエッチングン夜で除去した。
電気特性は、シート抵抗値、電流雑音、抵抗温度係数を
測定した。初期の電気特性と熱衝撃試験（−５５°Ｃの
トリクレンに５分間浸漬→室温１０秒放置→＋１２５
’Ｃのシリコーンオイルに５分間浸漬→室温１０秒間放
置を１サイクルとする熱衝撃試験）２５サイクル後の電
気特性値を表１に示した。
測定した。初期の電気特性と熱衝撃試験（−５５°Ｃの
トリクレンに５分間浸漬→室温１０秒放置→＋１２５
’Ｃのシリコーンオイルに５分間浸漬→室温１０秒間放
置を１サイクルとする熱衝撃試験）２５サイクル後の電
気特性値を表１に示した。
〔実施例−１〕
比較例に示したと同一の方法で、表面粗化した白色セラ
ミック基板にガラス絶縁層で保護された抵抗体を形成し
た。この基板を脱脂処理後、純水中で超音波洗浄し、基
板全面を無電解ニッケルめっきで被覆した。無電解ニケ
ンルめっきは、触媒化プロセスにＣａｔａｐｏｓｉｔ
４４プロセス、無電解ニッケルめっきＮ１−ｐｏｓｉｔ
４６８ （いずれも（Ｓｈｉｐｌｅｙ Ｆａｒ Ｅａ
ｓｔ）を用い、約１．ＯＩＩｍのニッケル皮膜を得た。
ミック基板にガラス絶縁層で保護された抵抗体を形成し
た。この基板を脱脂処理後、純水中で超音波洗浄し、基
板全面を無電解ニッケルめっきで被覆した。無電解ニケ
ンルめっきは、触媒化プロセスにＣａｔａｐｏｓｉｔ
４４プロセス、無電解ニッケルめっきＮ１−ｐｏｓｉｔ
４６８ （いずれも（Ｓｈｉｐｌｅｙ Ｆａｒ Ｅａ
ｓｔ）を用い、約１．ＯＩＩｍのニッケル皮膜を得た。
以下、比較例Ｉに示したと同一の方法でめっき導体回路
パターンを形成した。二、ケル皮膜の組成はＮ ｉ ／
Ｂ ＝９９．７５１０．２５であった。
パターンを形成した。二、ケル皮膜の組成はＮ ｉ ／
Ｂ ＝９９．７５１０．２５であった。
初期の電気特性と熱衝撃試験２５サイクル後の電気特性
の結果を表１に示した。
の結果を表１に示した。
〔実施例−２〕
比較例に示したと同一の方法で、表面粗化した白色セラ
ミック基板にガラス絶縁層で保護された抵抗体を形成し
、機械的粗化後、５０″Ｃの４ＭＵａＯＨ水溶液に３０
分間の浸漬を行った。この基板を純水中で超音波洗浄後
、基板全面を無電解ニッケルめっきで被覆した。無電解
ニッケルめっきは、触媒化プロセスにＣａｔａｐｏｓｉ
ｔ ４４プロセス、無電解ニッケルめっきＮ１−ｐｏｓ
ｉｔ ４６８ （いずれも（Ｓｈｉｐｌｅｙ Ｆａｒ
Ｅａｓｔ）を用い、約１．Ｏｌｔｍのニッケル皮膜を得
た。以下、比較例■に示したと同一の方法で銅めっき導
体回路パターンを形成した。ニッケル皮膜の組成はＮ
ｉ ／ Ｂ ＝ ９９．７５ ／ ０゜２５であった。
ミック基板にガラス絶縁層で保護された抵抗体を形成し
、機械的粗化後、５０″Ｃの４ＭＵａＯＨ水溶液に３０
分間の浸漬を行った。この基板を純水中で超音波洗浄後
、基板全面を無電解ニッケルめっきで被覆した。無電解
ニッケルめっきは、触媒化プロセスにＣａｔａｐｏｓｉ
ｔ ４４プロセス、無電解ニッケルめっきＮ１−ｐｏｓ
ｉｔ ４６８ （いずれも（Ｓｈｉｐｌｅｙ Ｆａｒ
Ｅａｓｔ）を用い、約１．Ｏｌｔｍのニッケル皮膜を得
た。以下、比較例■に示したと同一の方法で銅めっき導
体回路パターンを形成した。ニッケル皮膜の組成はＮ
ｉ ／ Ｂ ＝ ９９．７５ ／ ０゜２５であった。
初期の電気特性と熱衝撃試験２５サイクル後の電気特性
の結果を表１に示した。
の結果を表１に示した。
〔実施例−３〕
比較例に示したと同一の方法で、表面粗化した白色セラ
ミック基板にガラス絶縁層で保護された抵抗体を形成し
、機械的粗化後、５０°Ｃの４ＭＮａＯＨ水溶液に３０
分間の浸漬を行った。この基板を純水中で超音波洗浄後
、基板全面を無電解ニッケルめっきで被覆した。無電解
ニッケルめっきは、触媒化プロセスにＣａｔａｐｏｓｉ
ｔ ４４プロセス、無電解ニッケルめっきＮ１−ｐｏｓ
ｉｔ ６５ （いずれも（Ｓｈｉｐｌｅｙ Ｆａｒ
Ｅａｓｔ）を用い、約１．Ｏｐｍのニッケル皮膜を得た
。以下、比較例Ｉに示したと同一の方法で銅めっき導体
回路パターンを形成した。ニッケル皮膜の組成はＮ ｉ
／ Ｐ ＝ ９０ ／ １０であった。初期の電気特
性と熱衝撃試験２５サイクル後の電気特性の結果を表１
に示した。
ミック基板にガラス絶縁層で保護された抵抗体を形成し
、機械的粗化後、５０°Ｃの４ＭＮａＯＨ水溶液に３０
分間の浸漬を行った。この基板を純水中で超音波洗浄後
、基板全面を無電解ニッケルめっきで被覆した。無電解
ニッケルめっきは、触媒化プロセスにＣａｔａｐｏｓｉ
ｔ ４４プロセス、無電解ニッケルめっきＮ１−ｐｏｓ
ｉｔ ６５ （いずれも（Ｓｈｉｐｌｅｙ Ｆａｒ
Ｅａｓｔ）を用い、約１．Ｏｐｍのニッケル皮膜を得た
。以下、比較例Ｉに示したと同一の方法で銅めっき導体
回路パターンを形成した。ニッケル皮膜の組成はＮ ｉ
／ Ｐ ＝ ９０ ／ １０であった。初期の電気特
性と熱衝撃試験２５サイクル後の電気特性の結果を表１
に示した。
表
シート抵抗値 電流ノイズ
（ＫΩ／口） （ｄＢ）
比較例
初期値
熱衝撃試験
１．１５００
１．１５６０
実施例（−１）
初期値
熱衝撃試験
１．１５００ 一部
１．１５１０ −２３
抵抗温度係数
（ｐｐｍ／Ｋ）
５℃→１２５℃ ５℃→−５５℃
＝（資）
（発明の効果）
本発明の実施により、厚膜抵抗体の本来の特性をそこな
うことな（、導体パターンをめっき導体で微細かつ間精
度に形成できることは、セラミ・ンクプリント配線板の
高精度化、高特性化に極めて有益である。
うことな（、導体パターンをめっき導体で微細かつ間精
度に形成できることは、セラミ・ンクプリント配線板の
高精度化、高特性化に極めて有益である。
特許出願人 東洋紡績株式会社
実施例（−２）
初期値
熱衝撃試験
１．１５００ −２５
１．１５０５ −２５
実施例（−３）
初期値
熱衝撃試験
１．１５００ −２５
１．１５０５ −２５
比較例と実施例の測定値はｎ＝２０の平均値手続補正書
（自発） 昭和６３年９月２８日 １゜ λ ３゜ 事件の表示 昭和６３年特許願第１８７４９５号 発明の名称 セラミックプリント配線板 補正をする者 事件との関係 特許出願人 大阪市北区堂島浜二丁目２番８号 明細書の発明の詳細な説明の欄 ａ 補正の内容 （１） 明細書第５頁第４行目のｒ〜も実施可能であ
る。」と第５行目の「本発明における〜」とのに、「本
発明のセラミックプリント配線板においては、印刷焼成
が繰り返しおこなわれる厚膜焼ペーストを用いて得られ
るセラミックプリント線板に比較して、工程の短縮化、
コストの低減化、スルーホールを用いての両面配線の容
易化等すぐれた利点を有している。」を挿入する。
（自発） 昭和６３年９月２８日 １゜ λ ３゜ 事件の表示 昭和６３年特許願第１８７４９５号 発明の名称 セラミックプリント配線板 補正をする者 事件との関係 特許出願人 大阪市北区堂島浜二丁目２番８号 明細書の発明の詳細な説明の欄 ａ 補正の内容 （１） 明細書第５頁第４行目のｒ〜も実施可能であ
る。」と第５行目の「本発明における〜」とのに、「本
発明のセラミックプリント配線板においては、印刷焼成
が繰り返しおこなわれる厚膜焼ペーストを用いて得られ
るセラミックプリント線板に比較して、工程の短縮化、
コストの低減化、スルーホールを用いての両面配線の容
易化等すぐれた利点を有している。」を挿入する。
■ 明細書第４頁第１２行目の「樹脂組成を」を「樹脂
組成物を」に訂正する。
組成物を」に訂正する。
昭和
年
月
日（自発）
Claims (1)
- （１）セラミック基板上に少なくとも厚膜抵抗体層と湿
式めっき法により形成された導体層とが配されてなるセ
ラミックプリント配線板において、厚膜抵抗体層の端子
部において該厚膜抵抗体層と接触するめっき導体がニッ
ケル主体層であることを特徴とするセラミックプリント
配線板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16749588A JPH0216788A (ja) | 1988-07-05 | 1988-07-05 | セラミックプリント配線板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16749588A JPH0216788A (ja) | 1988-07-05 | 1988-07-05 | セラミックプリント配線板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0216788A true JPH0216788A (ja) | 1990-01-19 |
Family
ID=15850740
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16749588A Pending JPH0216788A (ja) | 1988-07-05 | 1988-07-05 | セラミックプリント配線板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0216788A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6026071A (ja) * | 1983-07-21 | 1985-02-08 | Mitsui Petrochem Ind Ltd | 塩素含有重合体用接着剤 |
| US5222778A (en) * | 1990-11-28 | 1993-06-29 | Hofmann Maschinenbau Gmbh | Workpiece gripping apparatus |
-
1988
- 1988-07-05 JP JP16749588A patent/JPH0216788A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6026071A (ja) * | 1983-07-21 | 1985-02-08 | Mitsui Petrochem Ind Ltd | 塩素含有重合体用接着剤 |
| US5222778A (en) * | 1990-11-28 | 1993-06-29 | Hofmann Maschinenbau Gmbh | Workpiece gripping apparatus |
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