JPH01307148A - Ｘ線分光分析装置 - Google Patents
Ｘ線分光分析装置Info
- Publication number
- JPH01307148A JPH01307148A JP63137865A JP13786588A JPH01307148A JP H01307148 A JPH01307148 A JP H01307148A JP 63137865 A JP63137865 A JP 63137865A JP 13786588 A JP13786588 A JP 13786588A JP H01307148 A JPH01307148 A JP H01307148A
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- JP
- Japan
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- sample
- specimen
- spectrometer
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は電子線マイクロアナライザ（ＥＰＭＡ）におけ
るＸ線分光器のように、試料面に電子ビームを収束させ
、試料面から放射されるＸ線を湾曲結晶を用いて分光す
る型のＸ線分光器における試料位置調節装置に関する。
るＸ線分光器のように、試料面に電子ビームを収束させ
、試料面から放射されるＸ線を湾曲結晶を用いて分光す
る型のＸ線分光器における試料位置調節装置に関する。
（従来の技術）
湾曲結晶を用いたＸ ′！ｌＡ分光器では一般に分光器
へのＸ線入射スリット、出射スリットおよび分光結晶中
心が一つのローランド円上に位置するように３者の位置
関係を規制する必要がある。試料面上の一点に電子ビー
ムを収束させて、電子ビームの収束点をＸ線源とすると
きは、そのＸ線源をローランド円上に位置させて入射ス
リットを省（ことができる。しかしこの場合試料の電子
線照射点をＸ線分光器の所定の位置つまり上記ローラン
ド円上に位置するように、試料位置をＦＩＩＪＫｎする
必要がある。
へのＸ線入射スリット、出射スリットおよび分光結晶中
心が一つのローランド円上に位置するように３者の位置
関係を規制する必要がある。試料面上の一点に電子ビー
ムを収束させて、電子ビームの収束点をＸ線源とすると
きは、そのＸ線源をローランド円上に位置させて入射ス
リットを省（ことができる。しかしこの場合試料の電子
線照射点をＸ線分光器の所定の位置つまり上記ローラン
ド円上に位置するように、試料位置をＦＩＩＪＫｎする
必要がある。
このためＥＰＭＡでは通常電子光学系と共軸的に付設さ
れた光学顕微鏡の焦点位置とＸ線分光器におけるＸ線源
の位置を一致させておき、試料面を光学顕微鏡の焦点位
置に合わせることでＸ線分光器に対する試料位置調節を
行っているが、試料面が平滑で試料面に目視的なパター
ンがないときは顕微鏡による位置調節ができない。この
ような場合従来は試料における特徴的な元素例えば試料
が鋼のような場合は鉄の特性Ｘ線が検出されるようにＸ
線分光器の波長を設定しておき、Ｘ ｖＡ検出強度が最
大になる試料位置を調節すると云う方法がとられていた
。しかしこのような方法は試料面の位置が正しい位置か
ら正負どちら側にずれているかが予め不明であるから、
−々試しに試料を動かして見る必要があり、また大へん
非能率である。特に試料位置を連続的に変えながら分析
を行って行（場合、試料面の傾きとか凹凸に追従させて
試料を上下させる必要があるが、試料面が正負どちら側
にずれたかが不明なため新しい分析点毎に試料の水平移
動を止めて試料を上下に試し移動させねばならず、試料
面の一次元的或は二次元的な連続分析に対応できなかっ
た。
れた光学顕微鏡の焦点位置とＸ線分光器におけるＸ線源
の位置を一致させておき、試料面を光学顕微鏡の焦点位
置に合わせることでＸ線分光器に対する試料位置調節を
行っているが、試料面が平滑で試料面に目視的なパター
ンがないときは顕微鏡による位置調節ができない。この
ような場合従来は試料における特徴的な元素例えば試料
が鋼のような場合は鉄の特性Ｘ線が検出されるようにＸ
線分光器の波長を設定しておき、Ｘ ｖＡ検出強度が最
大になる試料位置を調節すると云う方法がとられていた
。しかしこのような方法は試料面の位置が正しい位置か
ら正負どちら側にずれているかが予め不明であるから、
−々試しに試料を動かして見る必要があり、また大へん
非能率である。特に試料位置を連続的に変えながら分析
を行って行（場合、試料面の傾きとか凹凸に追従させて
試料を上下させる必要があるが、試料面が正負どちら側
にずれたかが不明なため新しい分析点毎に試料の水平移
動を止めて試料を上下に試し移動させねばならず、試料
面の一次元的或は二次元的な連続分析に対応できなかっ
た。
（発明が解決しようとする課題）
Ｘ線分光器に対する試料面の位置ずれの方向を検知して
一動作で試料面を正しい位置に移動させ得るようにしよ
うとするものである。
一動作で試料面を正しい位置に移動させ得るようにしよ
うとするものである。
（課題を解決するための手段）
分光用湾曲結晶を用い点状ＸＭ源をローランド円上に位
置させる１９分光器において、Ｘ線源の正しい位置をＸ
線分光器の視点と云うことにする。本発明は試料を照射
する電子ビームの中心線即ち電子光学系の光軸上に光軸
方向に視点位置をずらせて二つのＸ線分光器を上記電子
ビームの周囲に配置し、両Ｘ線分光器の視点間の丁度中
間位置に試料分析用Ｘ線分光器の視点を位置させ、上記
二つのＸ線分光器のＸ線検出出力を比較することにより
試料面を上記二つのＸ線分光器の視点の中間位置に移動
させるようにした。
置させる１９分光器において、Ｘ線源の正しい位置をＸ
線分光器の視点と云うことにする。本発明は試料を照射
する電子ビームの中心線即ち電子光学系の光軸上に光軸
方向に視点位置をずらせて二つのＸ線分光器を上記電子
ビームの周囲に配置し、両Ｘ線分光器の視点間の丁度中
間位置に試料分析用Ｘ線分光器の視点を位置させ、上記
二つのＸ線分光器のＸ線検出出力を比較することにより
試料面を上記二つのＸ線分光器の視点の中間位置に移動
させるようにした。
（作用）
二つのＸ線分光器が電子光学系の光軸上で視点位置をず
らせて配置されているので、これら両Ｘ線分光器の検出
ｘ１１１！波長を試料内の任意の元素の特性Ｘ線波長に
合わせておくと、試料面を電子光学系の光軸方向に動か
したとき、夫々のＸ線検出器の出力は第３図のように変
化し、試料面が夫々のＸ線分光器の視点位置に来たとき
、そのＸ線分光器の出力が最大となり、試料面が上記二
つの視点の中間位置にあるとき、両Ｘ線分光器の出力は
等しくなる。両Ｘ線分光器の出力を比較しながら両Ｘ線
分光器の出力が等しくなる方向に試料を動かすことによ
り、試料面を上記両Ｘ線分光器の中間位置に位置させる
ことができ、試料分析用Ｘ線分光器の視点を予め上記両
Ｘ線分光器の視点の中間に位置させてお（ことにより試
料の位置合わせができる。この場合、試料面を動かす方
向は上記両Ｘ線分光器の出力の大小比較により決定でき
、試しの移動を行う必要がないから、試料面の傾斜とか
凹凸に連続的に追従させて試料面を上下させることがで
きる。
らせて配置されているので、これら両Ｘ線分光器の検出
ｘ１１１！波長を試料内の任意の元素の特性Ｘ線波長に
合わせておくと、試料面を電子光学系の光軸方向に動か
したとき、夫々のＸ線検出器の出力は第３図のように変
化し、試料面が夫々のＸ線分光器の視点位置に来たとき
、そのＸ線分光器の出力が最大となり、試料面が上記二
つの視点の中間位置にあるとき、両Ｘ線分光器の出力は
等しくなる。両Ｘ線分光器の出力を比較しながら両Ｘ線
分光器の出力が等しくなる方向に試料を動かすことによ
り、試料面を上記両Ｘ線分光器の中間位置に位置させる
ことができ、試料分析用Ｘ線分光器の視点を予め上記両
Ｘ線分光器の視点の中間に位置させてお（ことにより試
料の位置合わせができる。この場合、試料面を動かす方
向は上記両Ｘ線分光器の出力の大小比較により決定でき
、試しの移動を行う必要がないから、試料面の傾斜とか
凹凸に連続的に追従させて試料面を上下させることがで
きる。
（実施例）
第１図に本発明の一実施例を示す。この実施例はＥＰＭ
Ａであって、Ｅは電子光学系で、Ｇは電子銃、Ｌは対物
レンズ、ｅは電子光学系の光軸である。Ｍｌ、Ｍ２は夫
々独立したＸ線分光器でＲ１、Ｒ２は夫々の分光器にお
けるローランド円であり、Ｃ１，Ｃ２は夫々の分光用湾
曲結晶、Ａ１、Ａ２はＸ線出射スリットで、ＤＩ、Ｄ２
はＸ線検出器である。分光結晶Ｃ１，Ｃ２は夫々の送り
ねじＴ１．Ｔ２によって各ねじ軸線方向に駆動されるよ
うになっており、各ねじＴｌ、Ｔ２は夫々の分光器のベ
ースＢｌ、Ｂ２に固定されており、Ｘ線出射スリットＡ
１．Ａ２と夫々に対応する検出器Ｄ１．Ｄ２は一体化さ
れ、分光結晶Ｃ１、Ｃ２と機構的に連結されている。こ
の機構は通常用いられているものと同じであり、図では
省略しである。第１図では表わすことができないが、図
で手前側にもう一つのＸ線分光器があり、構造的には上
記Ｍｌ、Ｍ２と同じである。第２図はこれらのＸ線分光
器の配置を示し、電子光学系の光軸ｅの周りに放射状に
配置されている。Ｍ３が第１図で表されていないＸ線分
光器である。第１図において電子光学系の光軸ｅ上の０
点は上記王台のＸ線分光器Ｍ１〜Ｍ３の正規の視点位置
である。Ｘ線分光器Ｍ１．Ｍ２のベースＢｌ、Ｂ２は上
記０点を通り、光軸ｅと直交する線上の一点ＰＬ、Ｐ２
を通りベースに垂直な軸を中心としてＥＰＭＡ本体に揺
動可能に軸支されており、Ｐｌ、２２点を中心に小さな
各範囲で揺動させることにより、分光器Ｍ１．Ｍ２の視
点を光軸ｅ上で０点から上下に移動させることができる
。Ｋｌ。
Ａであって、Ｅは電子光学系で、Ｇは電子銃、Ｌは対物
レンズ、ｅは電子光学系の光軸である。Ｍｌ、Ｍ２は夫
々独立したＸ線分光器でＲ１、Ｒ２は夫々の分光器にお
けるローランド円であり、Ｃ１，Ｃ２は夫々の分光用湾
曲結晶、Ａ１、Ａ２はＸ線出射スリットで、ＤＩ、Ｄ２
はＸ線検出器である。分光結晶Ｃ１，Ｃ２は夫々の送り
ねじＴ１．Ｔ２によって各ねじ軸線方向に駆動されるよ
うになっており、各ねじＴｌ、Ｔ２は夫々の分光器のベ
ースＢｌ、Ｂ２に固定されており、Ｘ線出射スリットＡ
１．Ａ２と夫々に対応する検出器Ｄ１．Ｄ２は一体化さ
れ、分光結晶Ｃ１、Ｃ２と機構的に連結されている。こ
の機構は通常用いられているものと同じであり、図では
省略しである。第１図では表わすことができないが、図
で手前側にもう一つのＸ線分光器があり、構造的には上
記Ｍｌ、Ｍ２と同じである。第２図はこれらのＸ線分光
器の配置を示し、電子光学系の光軸ｅの周りに放射状に
配置されている。Ｍ３が第１図で表されていないＸ線分
光器である。第１図において電子光学系の光軸ｅ上の０
点は上記王台のＸ線分光器Ｍ１〜Ｍ３の正規の視点位置
である。Ｘ線分光器Ｍ１．Ｍ２のベースＢｌ、Ｂ２は上
記０点を通り、光軸ｅと直交する線上の一点ＰＬ、Ｐ２
を通りベースに垂直な軸を中心としてＥＰＭＡ本体に揺
動可能に軸支されており、Ｐｌ、２２点を中心に小さな
各範囲で揺動させることにより、分光器Ｍ１．Ｍ２の視
点を光軸ｅ上で０点から上下に移動させることができる
。Ｋｌ。
Ｋ２はカムでＥＰＭＡの本体外から回すことができるよ
うになっており、ベースＢｌ、Ｂ２から下方に突出した
突起Ｆｌ、Ｆ２に当っている。分光器ＭｌにおいてＨｌ
はＥＰＭＡ本体に固定された当りで、カムに１を図より
１８０°回した位置では突起Ｆ１は分光器Ｍ１の自重に
よって当りＨｌに当りカムに１からは離れて、このとき
分光器Ｍ１の視点は０点になっている。カムＫ １を図
の位置にすると、突起Ｈ１がカムに１に押され、分光器
Ｍ１の視点は図示Ａ点に位置せしめられる。分光器Ｍ２
において、Ｆ２．Ｈ２′はＥＰＭＡ本体に固定された当
りで、図のようにカムに２を突起Ｆ２から離した位置で
はＭ２の自重によってＦ２が当りＦ２に当接し、このと
き分光器Ｍ２の視点は図のＢ点に位置している。カムに
２をこの位置から約１８０°回すと突起Ｆ２は当りＩ］
２゛に押し当てられ、このとき分光器Ｍ２の視点は正規
の位置Ｏに位置せしめられるようになっている。Ｓは試
料でｘｙｚＳ軸移′動ステージＳＴ上にセットされる。
うになっており、ベースＢｌ、Ｂ２から下方に突出した
突起Ｆｌ、Ｆ２に当っている。分光器ＭｌにおいてＨｌ
はＥＰＭＡ本体に固定された当りで、カムに１を図より
１８０°回した位置では突起Ｆ１は分光器Ｍ１の自重に
よって当りＨｌに当りカムに１からは離れて、このとき
分光器Ｍ１の視点は０点になっている。カムＫ １を図
の位置にすると、突起Ｈ１がカムに１に押され、分光器
Ｍ１の視点は図示Ａ点に位置せしめられる。分光器Ｍ２
において、Ｆ２．Ｈ２′はＥＰＭＡ本体に固定された当
りで、図のようにカムに２を突起Ｆ２から離した位置で
はＭ２の自重によってＦ２が当りＦ２に当接し、このと
き分光器Ｍ２の視点は図のＢ点に位置している。カムに
２をこの位置から約１８０°回すと突起Ｆ２は当りＩ］
２゛に押し当てられ、このとき分光器Ｍ２の視点は正規
の位置Ｏに位置せしめられるようになっている。Ｓは試
料でｘｙｚＳ軸移′動ステージＳＴ上にセットされる。
ＰＭは上記試料ステージを上下方向くＺ軸方向）に移動
させるパルスモータで制御装置ＣＰｔＪにより制御され
る。
させるパルスモータで制御装置ＣＰｔＪにより制御され
る。
上述構成で試料位置の自動制御を行う場合、試料をステ
ージＳＴ上にセットし、分光器Ｍｌ、Ｍ２の視点を０点
に置き、夫々の検出波長を試料位置制御用に選んだ元素
例えば試料が鋼なら鉄の特性Ｘ線に合わせ、Ｘ線検出器
Ｄ１．Ｄ２の何れかの出力が最大になるように試料の上
下位置を合わせ、このときのＤｉ、Ｄ２の出力をＣＰＵ
に記憶せしめる。原理的にはこのときＤｌ、Ｄ２の出力
は等しい筈であるが、検出器の感度差等により通常両者
は一致しない。次に分光器Ｍｌ、Ｍ２の検出波長を上記
特性Ｘ線の波長より上下に一定量ずらせて夫々の波長に
けおるＤｉ、Ｄ２の検出出力をベースラインデータとし
てＣＰＵに記憶させる。ＣＰＵはこれら２波長における
Ｄｉ、Ｄ２各々の検出出力から上記特性Ｘｎ波長にけお
る夫々のベースライン強度を算出し、特性ｘ１１１１波
長位置におけるＤｌ、Ｄ２の検出出力から引算した値の
比を算出する。この比が分光器Ｍ１．Ｍ２の上記特性Ｘ
！ＩＩＩに対する検出強度比である。以上の準備を終わ
って後カムＫｌ、に２を操作して第１図に示すように分
光器Ｍ１．Ｍ２の視点をＡ、Ｂ点に移し、分析動作をス
タートさせる。分析動作は試料を水平方向に動かして試
料面上の一つの線に沿い分析を行って行くものである。
ージＳＴ上にセットし、分光器Ｍｌ、Ｍ２の視点を０点
に置き、夫々の検出波長を試料位置制御用に選んだ元素
例えば試料が鋼なら鉄の特性Ｘ線に合わせ、Ｘ線検出器
Ｄ１．Ｄ２の何れかの出力が最大になるように試料の上
下位置を合わせ、このときのＤｉ、Ｄ２の出力をＣＰＵ
に記憶せしめる。原理的にはこのときＤｌ、Ｄ２の出力
は等しい筈であるが、検出器の感度差等により通常両者
は一致しない。次に分光器Ｍｌ、Ｍ２の検出波長を上記
特性Ｘ線の波長より上下に一定量ずらせて夫々の波長に
けおるＤｉ、Ｄ２の検出出力をベースラインデータとし
てＣＰＵに記憶させる。ＣＰＵはこれら２波長における
Ｄｉ、Ｄ２各々の検出出力から上記特性Ｘｎ波長にけお
る夫々のベースライン強度を算出し、特性ｘ１１１１波
長位置におけるＤｌ、Ｄ２の検出出力から引算した値の
比を算出する。この比が分光器Ｍ１．Ｍ２の上記特性Ｘ
！ＩＩＩに対する検出強度比である。以上の準備を終わ
って後カムＫｌ、に２を操作して第１図に示すように分
光器Ｍ１．Ｍ２の視点をＡ、Ｂ点に移し、分析動作をス
タートさせる。分析動作は試料を水平方向に動かして試
料面上の一つの線に沿い分析を行って行くものである。
その間ＣＰＵは検出器Ｄｉ、Ｄ２の出力を読込み、先に
記憶させたベースラインデータを引算した値に上記感度
差に基く比率を掛けて感度補正されたＤＩ、Ｄ２の検出
出力を比較し、その値が一致するようにパルスモータＰ
Ｍを制御する。この間分光器Ｍ３によって目的とする元
素の特性Ｘ線の検出強度がＣＰＵによって取込まれ、分
析データとしてメモリｍに記憶せしめられる。
記憶させたベースラインデータを引算した値に上記感度
差に基く比率を掛けて感度補正されたＤＩ、Ｄ２の検出
出力を比較し、その値が一致するようにパルスモータＰ
Ｍを制御する。この間分光器Ｍ３によって目的とする元
素の特性Ｘ線の検出強度がＣＰＵによって取込まれ、分
析データとしてメモリｍに記憶せしめられる。
上述動作では分光器Ｍｌ、Ｍ２は試料の位置調節用であ
り、Ｍ３が試料分析用分光器であるが、Ｍｌ、Ｍ２はカ
ムＫｌ、に２の操作によって何れも視点を０点に置くこ
とができ、このときはＭｌ、Ｍ２とも試料分析に用いる
こ七ができ、従うて、この実施例では３元素同時分析も
可能である。もちろんＭｌ、Ｍ２は試料位置制御専用と
して視点をＡ点、Ｂ点に固定したものとしてもよいこと
は云うまでもない。
り、Ｍ３が試料分析用分光器であるが、Ｍｌ、Ｍ２はカ
ムＫｌ、に２の操作によって何れも視点を０点に置くこ
とができ、このときはＭｌ、Ｍ２とも試料分析に用いる
こ七ができ、従うて、この実施例では３元素同時分析も
可能である。もちろんＭｌ、Ｍ２は試料位置制御専用と
して視点をＡ点、Ｂ点に固定したものとしてもよいこと
は云うまでもない。
また上の説明では分析開始前の準備操作はが稍面倒であ
るが、二つのＸ線分光器の感度データおよびベースライ
ンデータを予め取込んででＣＰＵに記憶させてお（こと
により、各試料毎に分析前に一々二つのＸ線分光器の感
度比を測定する手数を省（ことができる。
るが、二つのＸ線分光器の感度データおよびベースライ
ンデータを予め取込んででＣＰＵに記憶させてお（こと
により、各試料毎に分析前に一々二つのＸ線分光器の感
度比を測定する手数を省（ことができる。
（発明の効果）
本発明によれば試料の位置ずれの方向が検出できるので
、試料の試し移動なしに試料位置調節ができ、試料位置
の変化に連続的に追従して行（ことが可能となるので、
試料面の連続分析の能率が著しく向上する。
、試料の試し移動なしに試料位置調節ができ、試料位置
の変化に連続的に追従して行（ことが可能となるので、
試料面の連続分析の能率が著しく向上する。
第１図は本発明の一実施例の側面図、第２図は同実施例
の平面図、第３図は本発明の動作説明図である。 Ｇ・・・電子銃、ｅ・・・電子光学系光軸、Ｌ・・・対
物レンズ、Ｓ・・・試料、ＳＴ・・・試料ステージ、Ｐ
Ｍ・・・パルスモータ、Ａ、Ｂ、Ｏ・・・Ｘ線分光器の
視点、Ｍｌ、Ｍ２．Ｍ３・・・Ｘ＊分光器、Ｂ１．Ｂ２
．Ｂ３・・・Ｘ線分光器のベース、Ｃ１，Ｃ２・・・分
光結晶、Ｔｌ、Ｔ２・・・送りねじ、Ｄｉ、Ｃ２・・・
Ｘ線検出器、Ｆｌ、Ｆ２・・・ベースＩ３１．Ｂ２から
突出した突器、Ｋｌ、に２・・・カム、Ｈｌ、Ｈ２，Ｈ
２’・・・ＥＰＭＡ本体に固定された当り、ｐｌ、ｐ２
・・・ベースＢｌ、Ｂ２の揺動軸支点、ＣＰＵ・・・制
御装置。 代理人 弁理士 縣 浩 介
の平面図、第３図は本発明の動作説明図である。 Ｇ・・・電子銃、ｅ・・・電子光学系光軸、Ｌ・・・対
物レンズ、Ｓ・・・試料、ＳＴ・・・試料ステージ、Ｐ
Ｍ・・・パルスモータ、Ａ、Ｂ、Ｏ・・・Ｘ線分光器の
視点、Ｍｌ、Ｍ２．Ｍ３・・・Ｘ＊分光器、Ｂ１．Ｂ２
．Ｂ３・・・Ｘ線分光器のベース、Ｃ１，Ｃ２・・・分
光結晶、Ｔｌ、Ｔ２・・・送りねじ、Ｄｉ、Ｃ２・・・
Ｘ線検出器、Ｆｌ、Ｆ２・・・ベースＩ３１．Ｂ２から
突出した突器、Ｋｌ、に２・・・カム、Ｈｌ、Ｈ２，Ｈ
２’・・・ＥＰＭＡ本体に固定された当り、ｐｌ、ｐ２
・・・ベースＢｌ、Ｂ２の揺動軸支点、ＣＰＵ・・・制
御装置。 代理人 弁理士 縣 浩 介
Claims (1)
- 試料を照射する電子ビームの中心線上に視点を位置させ
た試料分析用Ｘ線分光器と共に、電子ビームの中心線上
で上記視点の両側に視点を位置させて配置した二つの試
料位置調節用Ｘ線分光器とこれら二つの試料位置調節用
Ｘ線分光器の出力を比較して両出力が一定の関係になる
ように試料を電子ビームの中心線方向に駆動する制御手
段を備えたＸ線分光分析装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63137865A JPH01307148A (ja) | 1988-06-03 | 1988-06-03 | Ｘ線分光分析装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63137865A JPH01307148A (ja) | 1988-06-03 | 1988-06-03 | Ｘ線分光分析装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01307148A true JPH01307148A (ja) | 1989-12-12 |
Family
ID=15208545
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63137865A Pending JPH01307148A (ja) | 1988-06-03 | 1988-06-03 | Ｘ線分光分析装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01307148A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7075323B2 (en) | 2004-07-29 | 2006-07-11 | Applied Materials, Inc. | Large substrate test system |
| US7256606B2 (en) | 2004-08-03 | 2007-08-14 | Applied Materials, Inc. | Method for testing pixels for LCD TFT displays |
| US7319335B2 (en) | 2004-02-12 | 2008-01-15 | Applied Materials, Inc. | Configurable prober for TFT LCD array testing |
| US7330021B2 (en) | 2004-02-12 | 2008-02-12 | Applied Materials, Inc. | Integrated substrate transfer module |
| US7355418B2 (en) | 2004-02-12 | 2008-04-08 | Applied Materials, Inc. | Configurable prober for TFT LCD array test |
| US7535238B2 (en) | 2005-04-29 | 2009-05-19 | Applied Materials, Inc. | In-line electron beam test system |
| US7569818B2 (en) | 2006-03-14 | 2009-08-04 | Applied Materials, Inc. | Method to reduce cross talk in a multi column e-beam test system |
| US7602199B2 (en) | 2006-05-31 | 2009-10-13 | Applied Materials, Inc. | Mini-prober for TFT-LCD testing |
-
1988
- 1988-06-03 JP JP63137865A patent/JPH01307148A/ja active Pending
Cited By (8)
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| US7319335B2 (en) | 2004-02-12 | 2008-01-15 | Applied Materials, Inc. | Configurable prober for TFT LCD array testing |
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