JPH01308043A - 半導体ウエハのボート立替装置 - Google Patents
半導体ウエハのボート立替装置Info
- Publication number
- JPH01308043A JPH01308043A JP63139659A JP13965988A JPH01308043A JP H01308043 A JPH01308043 A JP H01308043A JP 63139659 A JP63139659 A JP 63139659A JP 13965988 A JP13965988 A JP 13965988A JP H01308043 A JPH01308043 A JP H01308043A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- boat
- wafer
- heat treatment
- wafers
- saucer
- Prior art date
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- Pending
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体ウェハの熱処理ボートを使用した立
替手段に関するものである。
替手段に関するものである。
第３因は従来より広範囲に用いられて来た熱処理ボート
で石英ガラス等の耐熱別科で構成され、通常は受皿上に
保存されて汚染防止が図られている。使用時は石英管等
の熱処理管にＦ、ｆ４して拡散、醒化、ＣＶＤ、シンタ
ー等、ウェハプロセスに必要な高熱処理が行なわれる。
で石英ガラス等の耐熱別科で構成され、通常は受皿上に
保存されて汚染防止が図られている。使用時は石英管等
の熱処理管にＦ、ｆ４して拡散、醒化、ＣＶＤ、シンタ
ー等、ウェハプロセスに必要な高熱処理が行なわれる。
同図に於て、（１）はウェハで（２）は熱処理ボート、
（３）は石英管、（５ハエ石英カラス製の受皿でみる。
（３）は石英管、（５ハエ石英カラス製の受皿でみる。
次に従来ボートの作用について説明する。第４−Ａ図及
び第、ｉ−８図は熱処理ボート（２〕のウエノ１支持棒
（２ａ）及び（２ｂ）と溝（２Ｃ）、（２ｄ）及び（２
ｅ）の詳細を示し、ウェハ（１）は溝（２ｃ） 、（２
ｄ）及び（２ｅ）に支持されるが、熱処理中に極力ウェ
ハ（１）が傾斜しない棒に比較的狭い溝幅に仕上げられ
ている。即ち、溝幅カ広いとウェハ（１）が傾斜して隣
接ウェハと接触したり、逆に大きく離反してウェハ相互
の間隔がはらつく結果、−様な熱処理や拡散、酸化等の
効果が得られないのである。近辺ウェハの大口径化が進
み、ウェハの口径は８乃至１０インチになるとウェハの
わずかな傾きでも大きくウェハ相互の間隔に影響するこ
とは明白である。
び第、ｉ−８図は熱処理ボート（２〕のウエノ１支持棒
（２ａ）及び（２ｂ）と溝（２Ｃ）、（２ｄ）及び（２
ｅ）の詳細を示し、ウェハ（１）は溝（２ｃ） 、（２
ｄ）及び（２ｅ）に支持されるが、熱処理中に極力ウェ
ハ（１）が傾斜しない棒に比較的狭い溝幅に仕上げられ
ている。即ち、溝幅カ広いとウェハ（１）が傾斜して隣
接ウェハと接触したり、逆に大きく離反してウェハ相互
の間隔がはらつく結果、−様な熱処理や拡散、酸化等の
効果が得られないのである。近辺ウェハの大口径化が進
み、ウェハの口径は８乃至１０インチになるとウェハの
わずかな傾きでも大きくウェハ相互の間隔に影響するこ
とは明白である。
しかし乍ら、溝が狭く仕上げられると逆にウェハ、即ち
大部分はシリコンで構成されるが、これの熱膨会率とｈ
英ボートとのそれは差か大きくてシリコンより成るウェ
ハの方が大きいため、熱処理中に於て、ウェハを溝が圧
迫し締め付ける現象が生じる。
大部分はシリコンで構成されるが、これの熱膨会率とｈ
英ボートとのそれは差か大きくてシリコンより成るウェ
ハの方が大きいため、熱処理中に於て、ウェハを溝が圧
迫し締め付ける現象が生じる。
この様な現象は半導体の材料特性上極めて好ましくなく
、まず結晶に対して欠陥を増大して電気的特性を損うほ
か、不純物のドーピング、酸化皮膜の形成に際してマス
ク効果となり、結果的に電気的特性、外観特性等の不具
合を招くものである。
、まず結晶に対して欠陥を増大して電気的特性を損うほ
か、不純物のドーピング、酸化皮膜の形成に際してマス
ク効果となり、結果的に電気的特性、外観特性等の不具
合を招くものである。
ところで溝幅を緩やかにすると前述したウェハが傾く問
題の他に、ボート上のウェハを一括して把持してビンセ
ットを使わない合理的立替が不利になる。これは第５図
に示す様に一括把持具（４）の溝（４ａ）にウェハ（１
）が入りにくいからである。尚、（４ｂ）はウェハを拘
えた際の１時固定板、（４Ｃ）はそれの出入口たるスリ
ットであり、ボート（２）上のウェハ（２）の上方にか
ぶせて掴み取ったり、逆にボート（２）上に載置するの
に有効なものである。
題の他に、ボート上のウェハを一括して把持してビンセ
ットを使わない合理的立替が不利になる。これは第５図
に示す様に一括把持具（４）の溝（４ａ）にウェハ（１
）が入りにくいからである。尚、（４ｂ）はウェハを拘
えた際の１時固定板、（４Ｃ）はそれの出入口たるスリ
ットであり、ボート（２）上のウェハ（２）の上方にか
ぶせて掴み取ったり、逆にボート（２）上に載置するの
に有効なものである。
従って、従来の半導体ウェハのボート立替装置は、溝形
状に不可抗力的な面か存在して特にウェハのボートに接
する近辺では電気的、外観的特性不良が多いなど課題が
多かった。又、溝幅が比較的広いときはウェハの傾斜に
より一括立替えが出来ないと言う課題があった。
状に不可抗力的な面か存在して特にウェハのボートに接
する近辺では電気的、外観的特性不良が多いなど課題が
多かった。又、溝幅が比較的広いときはウェハの傾斜に
より一括立替えが出来ないと言う課題があった。
この発明は上記課題を解消せんとするもので、ウェハの
保持溝による電気的、外観的特性を損なわす、しかも−
括立替えが簡単な半導体ウェハのボート立替装置を得る
ことが目的である。
保持溝による電気的、外観的特性を損なわす、しかも−
括立替えが簡単な半導体ウェハのボート立替装置を得る
ことが目的である。
この発明に係る半導体ウェハのボート立替装置は、ウェ
ハの外周部両端と底部とを夫々保持する〜字状溝を有す
る少なくとも３本の棒状体からなるボート、このボート
を載に、シ、上記ボートの下部開口に対向するり９口が
底部に形成された受皿、及びこの受皿のり日日に対向し
、上記ボートのＶ字状溝と一致してＶ字状溝か形成され
、上記受皿のｔＪｉＪ口を貫通して上記ウェハを上方へ
押し上げる押し上げ手段を備えたものである。
ハの外周部両端と底部とを夫々保持する〜字状溝を有す
る少なくとも３本の棒状体からなるボート、このボート
を載に、シ、上記ボートの下部開口に対向するり９口が
底部に形成された受皿、及びこの受皿のり日日に対向し
、上記ボートのＶ字状溝と一致してＶ字状溝か形成され
、上記受皿のｔＪｉＪ口を貫通して上記ウェハを上方へ
押し上げる押し上げ手段を備えたものである。
この発明に於ける７字形溝ではその溝の稜の箇所ｉこウ
ェハのエツジの部分が点接触してウェハ保持が行なわれ
る。この場合、ウェハは左右端部まで保持しないとウェ
ハを立位に保持出来ないが、左右端部まで熱処理ボート
の棒状体が位置すると一括把持操作が出来ない。この為
に受皿を貫通してウェハの下部より押し上げ装置をセッ
トすることによりウェハを熱処理ボートより離脱せしめ
て一括把持が行なわれる。尚、熱処理ボートは受皿上に
載置したまま上記操作を行うので、熱処理ボートをされ
って汚染することが無い。
ェハのエツジの部分が点接触してウェハ保持が行なわれ
る。この場合、ウェハは左右端部まで保持しないとウェ
ハを立位に保持出来ないが、左右端部まで熱処理ボート
の棒状体が位置すると一括把持操作が出来ない。この為
に受皿を貫通してウェハの下部より押し上げ装置をセッ
トすることによりウェハを熱処理ボートより離脱せしめ
て一括把持が行なわれる。尚、熱処理ボートは受皿上に
載置したまま上記操作を行うので、熱処理ボートをされ
って汚染することが無い。
以下、本発明の一実施例を説明する３、第１図は本発明
の一実施例を示す斜視図で、熱処理後のウェハ（１）を
次工程運搬用のウェハキャリヤ（６）に立替える迄の一
連の過程を説明する。
の一実施例を示す斜視図で、熱処理後のウェハ（１）を
次工程運搬用のウェハキャリヤ（６）に立替える迄の一
連の過程を説明する。
ます熱処理後のウェハ（１）は熱処理ボートｗに載置さ
れた状態で、受皿■に載置される。受皿鵜の下部には４
本の位置決めビン（ＳＯａ）があり、この受皿β１を押
し上げ装置（７）上にセットして位置決めビン（５０ａ
）と同じく４個の位置決め大（７ａ）と合わせる。
れた状態で、受皿■に載置される。受皿鵜の下部には４
本の位置決めビン（ＳＯａ）があり、この受皿β１を押
し上げ装置（７）上にセットして位置決めビン（５０ａ
）と同じく４個の位置決め大（７ａ）と合わせる。
この段階で受皿−の底入（ｓｏｂ）と押し上げアタッチ
メント（７ｂ）とが合致する。尚、都し上げアタッチメ
ント（７ｂ）にはウェハ（１）の保持溝（７Ｃ）が円弧
状に形成されていて、そのピッチは熱処理ボート翰の各
Ｖ字形溝（２０Ｃ）、 （２０ｄ）、（２ｏｈ）及び（
２０ｉ）ノピッチとあらかじめ合わせてあり、更に一括
把持具（４）及びウェハキャリヤ（６）の溝（４ａ）及
び（６ａ）とも合致する様にしてあり、例えばＶ１６イ
ンチが汎用性がある。
メント（７ｂ）とが合致する。尚、都し上げアタッチメ
ント（７ｂ）にはウェハ（１）の保持溝（７Ｃ）が円弧
状に形成されていて、そのピッチは熱処理ボート翰の各
Ｖ字形溝（２０Ｃ）、 （２０ｄ）、（２ｏｈ）及び（
２０ｉ）ノピッチとあらかじめ合わせてあり、更に一括
把持具（４）及びウェハキャリヤ（６）の溝（４ａ）及
び（６ａ）とも合致する様にしてあり、例えばＶ１６イ
ンチが汎用性がある。
次に熱処理ボート四を微動させて各７字形溝（２０Ｃ）
。
。
（２０ｄ） 、 （２ｏｈ）及び（２０ｉ）のピッチと
押し上げアタッチメントの保持溝（７Ｃ）とを合わせて
、押し上は装置ｔ （７）を作動させると内蔵している
エヤーシリンダーのプランジャ（７ｄ）が上昇してウェ
ハ（１）を−括して押し上げアタッチメント（７Ｃ）上
に載置して、熱処理ボート■より離脱せしめる。
押し上げアタッチメントの保持溝（７Ｃ）とを合わせて
、押し上は装置ｔ （７）を作動させると内蔵している
エヤーシリンダーのプランジャ（７ｄ）が上昇してウェ
ハ（１）を−括して押し上げアタッチメント（７Ｃ）上
に載置して、熱処理ボート■より離脱せしめる。
しかる後に一括把持具（４）をその保持溝（４ａ）内に
押し上けられたウェハ（１）を拘え込む様にかぶせ、−
時固定板（４ｂ）を閉じてウェハキャリヤ（６）上に相
互のｎ （４ａ）及び（６ａ）を合わせる。そして、−
時固定板を緩めるとウェハ（１）は−括して一括把持具
（４）からウェハキャリヤ（りに立替えられる。
押し上けられたウェハ（１）を拘え込む様にかぶせ、−
時固定板（４ｂ）を閉じてウェハキャリヤ（６）上に相
互のｎ （４ａ）及び（６ａ）を合わせる。そして、−
時固定板を緩めるとウェハ（１）は−括して一括把持具
（４）からウェハキャリヤ（りに立替えられる。
ウェハキャリヤ（ｌｊＪから熱処理ボート翰に立替える
には以上の操作を逆にすればよい。
には以上の操作を逆にすればよい。
第２−Ａ図♀２−Ｂ図、第２−Ｃ図及び第２−６図は本
発明に基づく熱処理ボー、トの一部を示し、第２−Ａ図
は平面図、第２−Ｂ図は斜視図、第２−Ｃ図は正面図、
及び第ｚ−ｄ図は側面図である。
発明に基づく熱処理ボー、トの一部を示し、第２−Ａ図
は平面図、第２−Ｂ図は斜視図、第２−Ｃ図は正面図、
及び第ｚ−ｄ図は側面図である。
同一に於て熱処理ボート翰の棒状体（２０ａ）、 （２
０ｂ）、 （２Ｏｆ）及び（２０ｇ）のウェハ（１）に
当接する部分には■字形の溝（２０Ｃ）、 （２０ｄ）
、 （２０ｈ）及び（２０ｉ）が堀設してあり、ウェハ
（１）は各■字形溝の内面の稜部分と点接触により保持
される。
０ｂ）、 （２Ｏｆ）及び（２０ｇ）のウェハ（１）に
当接する部分には■字形の溝（２０Ｃ）、 （２０ｄ）
、 （２０ｈ）及び（２０ｉ）が堀設してあり、ウェハ
（１）は各■字形溝の内面の稜部分と点接触により保持
される。
尚、上記実施例では熱処理ボートを構成する棒状体は４
本にて説明したが、ウェハの立位に対して最少左、右、
下部の３本あれは良いことになる。
本にて説明したが、ウェハの立位に対して最少左、右、
下部の３本あれは良いことになる。
但しこの場合、押し上げアタッチメントは２分割する等
の処置が必要である。又、熱処理ボートや受皿の材料は
石英ガラスで説明したが、これに限らずシリコンカーバ
イド、多結晶シリコン、セラミック等の材料でも効果は
同じである。
の処置が必要である。又、熱処理ボートや受皿の材料は
石英ガラスで説明したが、これに限らずシリコンカーバ
イド、多結晶シリコン、セラミック等の材料でも効果は
同じである。
史に又、−括把持具は発明者による公知のものであるが
その他の方式による一括把持具でも良く、この−括把持
具から他のボート類へ直接立替えても良い。
その他の方式による一括把持具でも良く、この−括把持
具から他のボート類へ直接立替えても良い。
更に又、立替えの前又は中途及び後で７７セツトを揃え
ることは何らさしつかえない。
ることは何らさしつかえない。
更に又、ウェハを押し上げて立替える単位量は熱処理ボ
ートに載置したウェハの全量でも部分的でも本発明の趣
旨を免税しないし、押し上げる機構はエヤーシリンダに
限ら１、油圧、てこその他の手段でもウェハを汚染した
り、衝撃を与えなけれは構わない。
ートに載置したウェハの全量でも部分的でも本発明の趣
旨を免税しないし、押し上げる機構はエヤーシリンダに
限ら１、油圧、てこその他の手段でもウェハを汚染した
り、衝撃を与えなけれは構わない。
以上説明した様に、この発明は熱処理ボートが■字形溝
で少なくともウェハの左右と下部の３点以Ｅを緩やかに
保持し、この熱処理ボートを載置する受皿の底入よりウ
ェハを一括して押し上げた後に該ウェハを一括把持して
立替える様に構成したので、ウェハの傾きを防止し、ウ
ェハのボートの溝位置での材料的欠陥を防止するので、
電気的且つ外観的特性不良を削減し、併せて立替えが容
易であると言う効果がある。
で少なくともウェハの左右と下部の３点以Ｅを緩やかに
保持し、この熱処理ボートを載置する受皿の底入よりウ
ェハを一括して押し上げた後に該ウェハを一括把持して
立替える様に構成したので、ウェハの傾きを防止し、ウ
ェハのボートの溝位置での材料的欠陥を防止するので、
電気的且つ外観的特性不良を削減し、併せて立替えが容
易であると言う効果がある。
第１図は本発明の一実施例を示す斜視図、第２−Ａ図、
第２−Ｂ図、第２−Ｃ図及び第ｚ−ｄ図は本発明の熱処
理ボートの一部を示す平面図、斜視図、正面図及び側面
図、第３図は従来の熱処理ボート及び受皿を示す斜視図
、第４−Ａ図及び第４−Ｂ図は従来の熱処理ボートの港
の状態を示す正面図及び側面図、＠５図はウェハの一括
把持具を示す斜視図である。 図中、（１）はウェハ、（７）は押し上げ装置、■は熱
処理１ｔ’−ト、（２０ｃＸ２０ｄＸ２０ｈＸ２０ｉ）
ｉｔ Ｖ 字状溝、−ハ受皿である。 尚、図中、同一符号は同一、若しくは相当部分を示す。
第２−Ｂ図、第２−Ｃ図及び第ｚ−ｄ図は本発明の熱処
理ボートの一部を示す平面図、斜視図、正面図及び側面
図、第３図は従来の熱処理ボート及び受皿を示す斜視図
、第４−Ａ図及び第４−Ｂ図は従来の熱処理ボートの港
の状態を示す正面図及び側面図、＠５図はウェハの一括
把持具を示す斜視図である。 図中、（１）はウェハ、（７）は押し上げ装置、■は熱
処理１ｔ’−ト、（２０ｃＸ２０ｄＸ２０ｈＸ２０ｉ）
ｉｔ Ｖ 字状溝、−ハ受皿である。 尚、図中、同一符号は同一、若しくは相当部分を示す。
Claims (1)
- ウェハの外周部両端と底部とを夫々保持するＶ字状溝
を有する少なくとも３本の棒状体からなるボート、この
ボートを載置し、上記ボートの下部開口に対向する開口
が底部に形成された受皿、及びこの受皿の開口に対向し
、上記ボートのＶ字状溝と一致してＶ字状溝が形成され
、上記受皿の開口を貫通して上記ウェハを上方へ押し上
げる押し上げ手段を備えた半導体ウェハのボート立替装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63139659A JPH01308043A (ja) | 1988-06-06 | 1988-06-06 | 半導体ウエハのボート立替装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63139659A JPH01308043A (ja) | 1988-06-06 | 1988-06-06 | 半導体ウエハのボート立替装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01308043A true JPH01308043A (ja) | 1989-12-12 |
Family
ID=15250420
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63139659A Pending JPH01308043A (ja) | 1988-06-06 | 1988-06-06 | 半導体ウエハのボート立替装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01308043A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010141221A (ja) * | 2008-12-15 | 2010-06-24 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | 酸化膜付きシリコン基板の製造方法 |
-
1988
- 1988-06-06 JP JP63139659A patent/JPH01308043A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010141221A (ja) * | 2008-12-15 | 2010-06-24 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | 酸化膜付きシリコン基板の製造方法 |
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