JPH01308894A - タングステンペースト - Google Patents
タングステンペーストInfo
- Publication number
- JPH01308894A JPH01308894A JP14085088A JP14085088A JPH01308894A JP H01308894 A JPH01308894 A JP H01308894A JP 14085088 A JP14085088 A JP 14085088A JP 14085088 A JP14085088 A JP 14085088A JP H01308894 A JPH01308894 A JP H01308894A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tungsten
- paste
- tungsten paste
- organic vehicle
- aln
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 29
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 19
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 title claims abstract description 19
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims abstract description 8
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims abstract description 5
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 claims description 7
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 claims description 4
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 claims description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 11
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 abstract description 5
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 abstract description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 4
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 abstract 2
- 229910001512 metal fluoride Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 5
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QBYJBZPUGVGKQQ-SJJAEHHWSA-N aldrin Chemical compound C1[C@H]2C=C[C@@H]1[C@H]1[C@@](C3(Cl)Cl)(Cl)C(Cl)=C(Cl)[C@@]3(Cl)[C@H]12 QBYJBZPUGVGKQQ-SJJAEHHWSA-N 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、窒化アルミニウム(AIV、N)基板をメタ
ライズするのに用いるタングステンペーストの改良に関
する。
ライズするのに用いるタングステンペーストの改良に関
する。
〔従来の技術)
半導体デバイスの高密度化、高速化および高出力化に伴
う発熱量の増大に対応するために、基板材料として放熱
性に優れたものが要求されてきている。放熱性に優れた
基板材料として、従来より常用されてきたAltoxに
代わりAI!、Nからなる基板が注目されている。
う発熱量の増大に対応するために、基板材料として放熱
性に優れたものが要求されてきている。放熱性に優れた
基板材料として、従来より常用されてきたAltoxに
代わりAI!、Nからなる基板が注目されている。
しかしながら、半導体装置を実装する基板として用いる
には、放熱性の問題以前に、基板表面をメタライズする
技術が確立されねばならない、A2N基板のメタライズ
法としては、タングステン粉末と有機ビヒクルとを混合
してなるタングステンペーストをA2Nグリーンシート
上に印刷し、焼成する方法が知られている。
には、放熱性の問題以前に、基板表面をメタライズする
技術が確立されねばならない、A2N基板のメタライズ
法としては、タングステン粉末と有機ビヒクルとを混合
してなるタングステンペーストをA2Nグリーンシート
上に印刷し、焼成する方法が知られている。
〔発明が解決しようとする技術的課題〕しかしながら、
タングステン粉末と有機ビヒクルのみを含む、いわゆる
タングステン単味のペーストを用いた場合、AlNが金
属との濡れ性に劣るためAlNとタングステンとの間に
十分な接合強度を得ることが困難であった。
タングステン粉末と有機ビヒクルのみを含む、いわゆる
タングステン単味のペーストを用いた場合、AlNが金
属との濡れ性に劣るためAlNとタングステンとの間に
十分な接合強度を得ることが困難であった。
よって、本発明の目的は、A1.Nとの間で十分な接合
強度を得ることができるタングステンペーストを提供す
ることにある。
強度を得ることができるタングステンペーストを提供す
ることにある。
本発明のタングステンペーストは、添加物としてアルカ
リ土類元素の水素化物、フッ化物および炭酸塩からなる
群から選択した少なくとも一種を、タングステン粉末に
対して両者の合計の0.5〜10.0重量%添加し、残
部が有機ビヒクルよりなることを特徴とするものである
。
リ土類元素の水素化物、フッ化物および炭酸塩からなる
群から選択した少なくとも一種を、タングステン粉末に
対して両者の合計の0.5〜10.0重量%添加し、残
部が有機ビヒクルよりなることを特徴とするものである
。
本願発明者は、タングステン粉末と有機ビヒクルのみか
らなるタングステン単味のペーストを用いた場合にはA
ffiN基板に対して十分な接合強度を得ることができ
ないことを考慮し、種々の添加物をペースト中に混合し
て鋭意検討した結果、アルカリ土類元素の水素化物、フ
ン化物および炭酸塩を添加物として上記の割合だけ混入
すれば良好な接合強度の得られることを見出した0本発
明は、この知見に基づきなされたものである。
らなるタングステン単味のペーストを用いた場合にはA
ffiN基板に対して十分な接合強度を得ることができ
ないことを考慮し、種々の添加物をペースト中に混合し
て鋭意検討した結果、アルカリ土類元素の水素化物、フ
ン化物および炭酸塩を添加物として上記の割合だけ混入
すれば良好な接合強度の得られることを見出した0本発
明は、この知見に基づきなされたものである。
後述する実施例から明らかなように、本発明によれば、
アルカリ土類元素の水素化物、フッ化物および炭酸塩の
少なくとも一種がタングステン粉末に対して両者の合計
の0.5〜10.0重量%含まれているので、従来のタ
ングステン単味のペーストを用いた場合に比べて、AI
!、Nに対する接合強度を飛躍的に高めることが可能と
なる。よって、放熱性に優れたAlN基板を効果的にメ
タライズすることができるので、半導体装置の高密度化
、高速化および高出力化に対応することが可能となる。
アルカリ土類元素の水素化物、フッ化物および炭酸塩の
少なくとも一種がタングステン粉末に対して両者の合計
の0.5〜10.0重量%含まれているので、従来のタ
ングステン単味のペーストを用いた場合に比べて、AI
!、Nに対する接合強度を飛躍的に高めることが可能と
なる。よって、放熱性に優れたAlN基板を効果的にメ
タライズすることができるので、半導体装置の高密度化
、高速化および高出力化に対応することが可能となる。
焼結助剤としてYzO3を3重世%添加してなるAff
iNff−ンシートを用意した。また、メタライズ用の
タングステンペーストとして、タングステン粉末および
添加剤を第1表に示す割合で混合したものに必要量の有
機ビヒクルを加えたものを用意した。
iNff−ンシートを用意した。また、メタライズ用の
タングステンペーストとして、タングステン粉末および
添加剤を第1表に示す割合で混合したものに必要量の有
機ビヒクルを加えたものを用意した。
AfNグリーンシートの表面に上記メタライズ用タング
ステンペーストを直径311Illの円板状に塗布し、
乾燥した。しかる後、グリーンシート中のバインダーお
よびペースト中の有機ビヒクルを飛散させ、脱バインダ
ー処理を行った後、非酸化性雰囲気中で1850°Cの
温度で5時間焼成し、メタライズ層を有するAlN焼結
基板を得た。
ステンペーストを直径311Illの円板状に塗布し、
乾燥した。しかる後、グリーンシート中のバインダーお
よびペースト中の有機ビヒクルを飛散させ、脱バインダ
ー処理を行った後、非酸化性雰囲気中で1850°Cの
温度で5時間焼成し、メタライズ層を有するAlN焼結
基板を得た。
この焼結基板上のメタライズ層に電気メツキによりN1
Flを形成した。さらに、Ni層の上に直径2mの銅製
のワイヤをはんだ付けし、試験試料を得た。
Flを形成した。さらに、Ni層の上に直径2mの銅製
のワイヤをはんだ付けし、試験試料を得た。
上記試験試料のワイヤを引張り、ワイヤがAI!。
N基板から外れたときの引張り強度を測定した。
測定結果を第1表に併せて示す。また、メタライズ層の
抵抗値も第1表に併せて示す。
抵抗値も第1表に併せて示す。
(以下、余白)
第1表
・*印は本発明の範囲外
・表中の〔%]は〔重量%〕を表す
第1表から明らかなように、試料番号1.6゜7.12
,13.18のように、添加物の含有量が0.5重量%
未満の場合、あるいは10重量%を超える場合には、引
張り強度が2.0kg/ffi!12以下となった。ま
た、添加物の割合が10.0重量%を超える場合には、
メタライズ層の抵抗値も50μΩ・α以上と高くなった
。
,13.18のように、添加物の含有量が0.5重量%
未満の場合、あるいは10重量%を超える場合には、引
張り強度が2.0kg/ffi!12以下となった。ま
た、添加物の割合が10.0重量%を超える場合には、
メタライズ層の抵抗値も50μΩ・α以上と高くなった
。
これに対して、本発明の範囲内であるメタライズ用ペー
ストを用いた試料(試料番号2〜5,8〜11.14〜
17)では、引張り強度が5. 0kg/lrm”以上
であることがわかる。
ストを用いた試料(試料番号2〜5,8〜11.14〜
17)では、引張り強度が5. 0kg/lrm”以上
であることがわかる。
以上の結果から、添加物としてCaの水素化物、フン化
物または炭酸塩を、タングステン粉末に対して両者の合
計の0.5〜10.0重量%添加することにより、Af
Nとの接合強度を飛躍的に高め得ることがわかる。
物または炭酸塩を、タングステン粉末に対して両者の合
計の0.5〜10.0重量%添加することにより、Af
Nとの接合強度を飛躍的に高め得ることがわかる。
なお、上記実施例では、AlNグリーンシートの表面に
メタライズ用タングステンペーストを印刷したが、メタ
ライズ用タングステンペーストを印刷した後グリーンシ
ートを重ね、積層体の内部にメタライズ層を位宜させ、
積層されたグリーンシートを圧着・焼成してAlN焼結
体中にメタライズ層を構成する方法においても本発明の
タングステンペーストを用いることができ、安定した内
部導体を形成することができる。
メタライズ用タングステンペーストを印刷したが、メタ
ライズ用タングステンペーストを印刷した後グリーンシ
ートを重ね、積層体の内部にメタライズ層を位宜させ、
積層されたグリーンシートを圧着・焼成してAlN焼結
体中にメタライズ層を構成する方法においても本発明の
タングステンペーストを用いることができ、安定した内
部導体を形成することができる。
また、上記実施例では、Caの水素化物、フッ化物およ
び炭酸塩の一種を添加物として用いたが、これらの2種
以上を上記0.5〜1O30重景%の範囲内で用いても
、本発明の効果を得ることができる。同様にCaに代え
であるいはそれに加えてBaまたはSrの水素化物、フ
ッ化物および炭酸塩を用いても同様の効果を得ることが
できる。
び炭酸塩の一種を添加物として用いたが、これらの2種
以上を上記0.5〜1O30重景%の範囲内で用いても
、本発明の効果を得ることができる。同様にCaに代え
であるいはそれに加えてBaまたはSrの水素化物、フ
ッ化物および炭酸塩を用いても同様の効果を得ることが
できる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 AlN体をメタライズするためのタングステンペースト
であって、 添加物としてアルカリ土類元素の水素化物、フッ化物お
よび炭酸塩からなる群から選択した少なくとも一種を、
タングステン粉末に対して両者の合計の0.5〜10.
0重量%添加してなり、残部が有機ビヒクルよりなる、
タングステンペースト。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14085088A JPH01308894A (ja) | 1988-06-08 | 1988-06-08 | タングステンペースト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14085088A JPH01308894A (ja) | 1988-06-08 | 1988-06-08 | タングステンペースト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01308894A true JPH01308894A (ja) | 1989-12-13 |
Family
ID=15278187
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14085088A Pending JPH01308894A (ja) | 1988-06-08 | 1988-06-08 | タングステンペースト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01308894A (ja) |
-
1988
- 1988-06-08 JP JP14085088A patent/JPH01308894A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0569797B2 (ja) | ||
| US4381198A (en) | Ceramic metallizing ink | |
| JP3517062B2 (ja) | 銅メタライズ組成物及びそれを用いたガラスセラミック配線基板 | |
| JPH0679995B2 (ja) | AlN基板のWメタライズ構造 | |
| JPH01308894A (ja) | タングステンペースト | |
| JP2822518B2 (ja) | 窒化アルミニウム焼結体への金属化層形成方法 | |
| JPH0323512B2 (ja) | ||
| JPS5851405A (ja) | 電気絶縁性炭化珪素焼結体の製法 | |
| JPS60264383A (ja) | 非酸化物系セラミツク配線板の製造方法 | |
| JPH01308893A (ja) | タングステンペースト | |
| JPH01308892A (ja) | タングステンペースト | |
| JPH0218371A (ja) | AlN体のタングステンメタライズ構造 | |
| JPS593909A (ja) | セラミツクコンデンサ用電極ペ−スト | |
| JPS62176961A (ja) | 窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法 | |
| JPH01300584A (ja) | 多層配線回路基板 | |
| JP2620326B2 (ja) | 金属化層を有する窒化アルミニウム焼結体の製造方法 | |
| JPH04125986A (ja) | 窒化アルミニウムメタライズ基板の製造方法 | |
| JP2784551B2 (ja) | 窒化アルミニウム質基板 | |
| JPH03146487A (ja) | 金属化層を有する窒化アルミニウム焼結体の製造方法 | |
| JPH06128722A (ja) | 窒化アルミニウム基板のメタライズ層形成方法 | |
| JP4653272B2 (ja) | 窒化アルミニウム基板の製造方法 | |
| JP2002231049A (ja) | 導電性ペースト | |
| JP3433260B2 (ja) | メタライズ基板及びその製造方法 | |
| JPH0831229A (ja) | 銅ペースト | |
| JPS59164687A (ja) | 非酸化物系セラミツクス用メタライズ組成物 |