JPH01310545A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPH01310545A
JPH01310545A JP1084914A JP8491489A JPH01310545A JP H01310545 A JPH01310545 A JP H01310545A JP 1084914 A JP1084914 A JP 1084914A JP 8491489 A JP8491489 A JP 8491489A JP H01310545 A JPH01310545 A JP H01310545A
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JP
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support
metal layer
protrusion
assembly
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JP1084914A
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Arthur M E Hoeberechts
アルツール・マリー・ユヘネ・フベレヒトス
Petrus J M Peters
ペトルス・ヤコブス・マリア・ペテルス
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Philips Gloeilampenfabrieken NV
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、変形可能な金属層が半導体本体と支持物との
間に配置され且つ前記金属層を加熱した後圧力下で半導
体本体と支持物とを相互に圧迫することにより半導体本
体が支持物に結合される支持物と半導体本体との組立品
に関するものである。
（従来の技術） そのような半導体本体と支持物との組立品は、オランダ
特許出願第７４１５６６８号によって既知である。この
既知の組立品では、金属層は支持物と半導体本体との２
つの平行に延びる境界面の間に囲まれる。
（発明が解決しようとする課題） 一般には、そのような結合で充分であるが、ある種の場
合には支持物と半導体本体との間のもっと強固な結合を
実現することが必要なときがある。
（課題を解決するだめの手段） 本発明によれば、半導体本体が支持物に対向する面に少
なくとも１個の金属層へ埋め込まれる突起した部分を具
えることによって、これが達成される。
実際に、支持物と半導体との間に備えられる金属層へ噛
み合う１個又は幾つかの突起部分の使用によって、半導
体本体と支持物との間の接着力がかなり改善されること
がわかった。
このとき突起が閉鎖された輪郭を有する場合には、この
突起によって半導体本体と支持物との間に特に充分に真
空保持できる結合が更に得られ、それは例えば圧力セン
サ及びその地固様のものにおいて大切である。
本発明のもう一つの観点は半導体本体を支持物に結合す
る方法に関係し、その方法では変形可能な金属層が半導
体本体と支持物との間に備えられ、且つ高温での圧力下
で半導体本体と支持物とを相互に圧迫することにより半
導体本体が支持物へ結合される。
本発明によれば、半導体本体が時事物上に置かれる前に
、半導体本体に不可欠な突起部分が支持物と対応する側
の半導体本体に形成され、且つ半導体装置いた場合に、
この突起部分が金属層内へ圧入される。
本発明による方法を用いることにより、単純な方法で製
造されるべき半導体本体を支持物へ確保することができ
る。
（実施例） 以下、添付の図面に示した本発明による組立品の一実施
例を参照して、本発明を一層完全に説明する。
第１図に図式的に示したように、半導体本体１が金属層
２を挿入して支持物３上に備えられる。
絶縁支持物３は、例えばガラスで作られてもよい。
好適には、金属層２はアルミニウニから成り、一般には
およそ１０μｍの厚さを有する。
第１図及び第２図から更にわかるように、半導体本体は
支持物３と対向する側に突起を具え、その突起はここに
示した実施例では三角形状の断面を有する連続した鋭い
突起４で構成される。半導体本体の境界面を越えて突起
するこの突起の高さは、非変形状態での金属層２の厚さ
の約半分である。
突起４はエツチングによって突起の周りにある出発材料
の部分を除去する単純且つ有効な方法で形成できる。
支持物３と半導体本体１との間の結合が完成する前に、
支持物３は半導体本体１との間に金属層２が配設され、
その後、金属層２を加熱している間に、半導体本体１と
支持物３とが相互に圧迫され、連続する突起４が第１図
に示したように金属層内へ侵入する。この金属層２は、
例えば真空めっきによって支持物３へ貼付してもよい。
半導体本体と金属層との間の接着力は、支持物３に対向
する半導体本体の境界面が平坦な場合よりもかなりもっ
と満足できるものであることがわかった。
当然のことながら、前述の本発明による構造のこの実施
例の変形及び又は付加がこの発明の範囲内で考えられる
。
例えば、突起４が閉鎖された輪郭を持たねばならぬこと
はなく、一方特定の距離で幾つかの突起を設けることも
可能である。然し乍ら、第２図に示した実施例のように
、突起が支持物３に備えられた窪み５を囲み、支持物の
どちらかの側で異なる圧力がまさる場合には、閉鎖され
た輪郭を有する突起が特に有利である。実際に、閉鎖さ
れた輪郭を有する突起の使用によって、支持物と半導体
本体との間に特に満足できるガス漏れしない結合が得ら
れることがわかった。
突起の断面の形状は図示した三角形と異なるものであっ
てもよ（、例えば断面で見てこの突起が先端を切り取っ
たとうもろこしの形であってもよい。
半導体本体がアルミニウムから成る金属層と接触する場
合に、アルミニウムへのアルミニウムの結合が得られる
ように、半導体本体が支持物上へ配置される前に、この
突起がアルミニウム被覆を具えるという方法も考えられ
る。このとき突起は酸化珪素層をも具え、その上にアル
ミニウム被覆が形成される。
【図面の簡単な説明】
第１図は金属層が挿入された支持物と半導体本体との組
立品の断面図を示し、 第２図は第１図の矢印■から見た半導体本体の正面図で
ある。 １・・・半導体本体　　　　２・・・金属層３・・・支
持物　　　　　　４・・・突起５・・・窪み　　　　　
　　■・・・矢印間　　　　弁理士　　　杉　　　　村
　　　　興　　　　作ＲＧ、１

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、変形可能な金属層が半導体本体と支持物との間に配
    置され、且つ前記金属層を加熱した後圧力下で半導体本
    体と支持物とを相互に圧迫することにより半導体本体が
    支持物に結合される支持物と半導体本体との組立品にお
    いて、 半導体本体が少なくとも１個の前記金属層 へ埋め込まれる突起した部分を具えることを特徴とする
    半導体本体と支持物との組立品。 ２、前記突起が閉鎖された輪郭を有し、且つ支持物に形
    成された通路の端部を囲むことを特徴とする請求項１記
    載の半導体本体と支持物との組立品。 ３、前記突起はその断面が事実上三角形状を有すること
    を特徴とする請求項１又は２記載の半導体本体と支持物
    との組立品。 ４、前記突起の高さが非変形状態での前記金属層の厚さ
    の約半分であることを特徴とする請求項１〜３のいずれ
    １項記載の半導体本体と支持物との組立品。 ５、変形可能な金属層が半導体本体と支持物との間に備
    えられ且つ高温での圧力下で半導体本体と支持物とを相
    互に圧迫することにより半導体本体が支持物に結合され
    る半導体本体を支持物に結合する方法において、 半導体本体が支持物上に置かれる前に、少 なくとも１個の半導体本体に不可欠な突起部分が支持物
    と対向する側の半導体本体に形成され、且つ支持物上に
    半導体本体を置いた場合に、この突起部分が金属層内へ
    圧入されることを特徴とする半導体本体を支持物に結合
    する方法。 ６、前記突起がエッチングによって半導体上に形成され
    ることを特徴とする半導体本体を支持物に結合する方法
    。 ７、半導体本体が支持物上に置かれる前に、前記突起部
    分がアルミニウムで覆われることを特徴とする請求項５
    又は６記載の半導体本体を支持物に結合する方法。
JP1084914A 1988-04-08 1989-04-05 半導体装置 Pending JPH01310545A (ja)

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NL8800901A NL8800901A (nl) 1988-04-08 1988-04-08 Combinatie van een drager en een halfgeleiderlichaam en werkwijze voor het vervaardigen van een dergelijke combinatie.
NL8800901 1988-04-08

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JPH01310545A true JPH01310545A (ja) 1989-12-14

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Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0770806B2 (ja) * 1990-08-22 1995-07-31 株式会社エーユーイー研究所 超音波溶着による電子回路およびその製造方法
US5585282A (en) * 1991-06-04 1996-12-17 Micron Technology, Inc. Process for forming a raised portion on a projecting contact for electrical testing of a semiconductor
US5385869A (en) * 1993-07-22 1995-01-31 Motorola, Inc. Semiconductor chip bonded to a substrate and method of making
US5478779A (en) 1994-03-07 1995-12-26 Micron Technology, Inc. Electrically conductive projections and semiconductor processing method of forming same
US5326428A (en) 1993-09-03 1994-07-05 Micron Semiconductor, Inc. Method for testing semiconductor circuitry for operability and method of forming apparatus for testing semiconductor circuitry for operability
DE4409068C2 (de) * 1994-03-14 1998-05-28 Hartmann & Braun Ag Bondverfahren und damit hergestellte Bondverbindung
DE4433689C2 (de) * 1994-09-21 1996-07-11 Siemens Ag Chipkonfiguration und Verwendung eines entsprechenden Chips
FR2738395B1 (fr) * 1995-08-31 1997-10-10 Commissariat Energie Atomique Dispositif autoporte pour la propagation d'ondes hyperfrequences et procedes de realisation d'un tel dispositif
JPH10270496A (ja) * 1997-03-27 1998-10-09 Hitachi Ltd 電子装置、情報処理装置、半導体装置並びに半導体チップの実装方法
FR2775810B1 (fr) * 1998-03-09 2000-04-28 Gemplus Card Int Procede de fabrication de cartes sans contact
US6078103A (en) * 1998-10-29 2000-06-20 Mcdonnell Douglas Corporation Dimpled contacts for metal-to-semiconductor connections, and methods for fabricating same
JP4159778B2 (ja) * 2001-12-27 2008-10-01 三菱電機株式会社 Ｉｃパッケージ、光送信器及び光受信器
US9076674B2 (en) * 2012-09-25 2015-07-07 Intermolecular, Inc. Method and apparatus for improving particle performance

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS538872B2 (ja) * 1971-10-23 1978-04-01

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE45437C (de) * J. ROGGY in Saarlouis Sicherheitsgeldkasse
US2352640A (en) * 1942-11-03 1944-07-04 Fed Telephone & Radio Corp Plate rectifier
US3363308A (en) * 1962-07-30 1968-01-16 Texas Instruments Inc Diode contact arrangement
US3422320A (en) * 1965-12-23 1969-01-14 Gen Motors Corp Sealing technique for composite ferrous-copper base alloy capsules for semiconductor devices
US3492545A (en) * 1968-03-18 1970-01-27 Westinghouse Electric Corp Electrically and thermally conductive malleable layer embodying lead foil
US3611064A (en) * 1969-07-14 1971-10-05 Gen Electric Ohmic contact to n-type silicon carbide, comprising nickel-titanium-gold
GB1297046A (ja) * 1969-08-25 1972-11-22
US3888708A (en) * 1972-02-17 1975-06-10 Kensall D Wise Method for forming regions of predetermined thickness in silicon
GB1426874A (en) * 1972-05-03 1976-03-03 Mullard Ltd Method of sealing electrical component envelopes
US4024627A (en) * 1974-04-29 1977-05-24 Amp Incorporated Package mounting of electronic chips, such as light emitting diodes
NL7415668A (nl) * 1974-12-02 1976-06-04 Philips Nv Drukopnemer.
US4125820A (en) * 1975-10-06 1978-11-14 Honeywell Inc. Stress sensor apparatus
JPS53119693A (en) * 1977-03-29 1978-10-19 Toshiba Corp Semiconductor pressure transducer
US4185378A (en) * 1978-02-10 1980-01-29 Chuo Meiban Mfg. Co., LTD. Method for attaching component leads to printed circuit base boards and printed circuit base board advantageously used for working said method
US4754316A (en) * 1982-06-03 1988-06-28 Texas Instruments Incorporated Solid state interconnection system for three dimensional integrated circuit structures
JPS599976A (ja) * 1982-07-09 1984-01-19 Toshiba Corp 絶対圧形半導体圧力センサーの製造方法
DE3337173A1 (de) * 1983-10-12 1985-04-25 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Montage von halbleiterbauteilen auf einer traegerplatte
US4753601A (en) * 1983-10-14 1988-06-28 Amp Incorporated Circuit board thickness compensator
US4640438A (en) * 1986-03-17 1987-02-03 Comienco Limited Cover for semiconductor device packages
GB2194477A (en) * 1986-08-28 1988-03-09 Stc Plc Solder joint
EP0262580B1 (en) * 1986-09-25 1993-11-24 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of electrically bonding two objects
JPH07101747B2 (ja) * 1987-03-05 1995-11-01 日本電装株式会社 半導体圧力センサ
US4970624A (en) * 1990-01-22 1990-11-13 Molex Incorporated Electronic device employing a conductive adhesive

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS538872B2 (ja) * 1971-10-23 1978-04-01

Also Published As

Publication number Publication date
EP0337540A1 (en) 1989-10-18
US4929999A (en) 1990-05-29
US5057458A (en) 1991-10-15
DE68918741D1 (de) 1994-11-17
NL8800901A (nl) 1989-11-01
DE68918741T2 (de) 1995-04-27
EP0337540B1 (en) 1994-10-12

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