JPH01152633A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

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Publication number
JPH01152633A
JPH01152633A JP62312860A JP31286087A JPH01152633A JP H01152633 A JPH01152633 A JP H01152633A JP 62312860 A JP62312860 A JP 62312860A JP 31286087 A JP31286087 A JP 31286087A JP H01152633 A JPH01152633 A JP H01152633A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
die
bonding metal
metal material
bonding
semiconductor element
Prior art date
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Pending
Application number
JP62312860A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshihiko Kusumoto
楠元　良彦
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Nippon Electric Kagoshima Ltd
NEC Kagoshima Ltd
Original Assignee
Nippon Electric Kagoshima Ltd
NEC Kagoshima Ltd
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Filing date
Publication date
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Publication of JPH01152633A publication Critical patent/JPH01152633A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/073—Connecting or disconnecting of die-attach connectors

Landscapes

  • Die Bonding (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体装置の製造方法に関し、特に半導体素
子を素子載置部材に接続する方法に関する。
〔従来の技術〕
従来、半導体素子を素子載置部材に接続するには、第２
図（ａ）に示すように半導体素子１の裏面に蒸着法によ
り、導電性の金属薄膜２を接着し、第２図（ｂ）に示す
ように接合金属材３を接着された素子載置部材５に密着
させ加熱して半導体素子１を接続している。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上述した従来の半導体素子の接続方法では、半導体素子
直下の接合金属材３を均一に広げることは困難であり、
半導体素子１の表面と素子載置部材５の面の平行が不均
一になり素子自体が傾き、外部導出リードに接続する金
属細線を半導体素子に圧着接続する際、接着圧力が均一
に行なわれず一定の接着強度を得ることが不可能になる
という火成がある。又、接合金属材３が半導体素子１の
側面に盛り上り、底部にＰＮ接合の存在する半導体素子
においては、盛り上がった接合金属材３によりＰＮ接合
部をショート状態にせしめ、本来の半導体素子の信頼度
を無くするのみならず、製品の機能まで無くなると言う
欠点がある。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明は、半導体素子を素子載置部材に接合金属材に用
いて接続する半導体装置の製造方法において、半導体素
子の裏面にメツキ法、蒸着法等により接合金属材を付着
し、素子載置部材に密着させ加熱して接続することを特
徴とする。
〔実施例〕
次に本発明について図面を用いて説明する。第１図（ａ
）、（ｂ）は本発明の製造工程を示す断面図である。ま
ず、第１図（ａ）に示すように半導体素子１の裏面に金
属薄膜２を付けた後メツキ法又は、蒸着法により一定量
の接合金属材４を付着する。この半導体素子１の接合金
属材４の付着した面を素子載置部材５に密着させ加熱し
て接続する。この接続方法により素子載置部材５と半導
体素子１の面は平行度を維持し、又半導体素子１の裏面
側の接合金属材４も均一になる。この結果、半導体素子
自体が接合金属材４に埋めこまれることなく一定の平行
度が保れる。これらのことにより外部導出リードに接続
する金属細線を半導体素子に圧着接続する時は一定の加
重が加わり、ボンディングが均一となる。又、半導体素
子底部にＰＮ接合があっても接合金属材４が盛り上がる
ことなくＰＮ接合面をショートすることがないので高信
頼度の安定した半導体装置を得ることが可能となる。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明によれば、半導体素子を素子
載置部材に平行に接続することができ、外部導出リード
の接続も均一となり、また接合金属材の盛り上がりも防
止できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図（ａ）、（ｂ）は本発明の製造工程を示す断面図
、第２図（ａ）、（ｂ）は従来の製造工程を示す断面図
である。 １・・・半導体素子、２・・・金属薄膜、３．４・・・
接合金属材、５・・・素子載置部。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 　半導体素子を素子載置部材に接合金属材によって接続
    する半導体装置の製造方法において、半導体素子の裏面
    に接合金属材を付着し、半導体素子の接合金属材の付着
    した面を素子載置部材に密着させ加熱して接続すること
    を特徴とする半導体装置の製造方法。
JP62312860A 1987-12-09 1987-12-09 半導体装置の製造方法 Pending JPH01152633A (ja)

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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4839308A (ja) * 1971-09-28 1973-06-09
JPS4940385A (ja) * 1972-08-28 1974-04-15
JPS6079732A (ja) * 1983-10-07 1985-05-07 Hitachi Ltd 半導体装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4839308A (ja) * 1971-09-28 1973-06-09
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