JPH01311705A - ベース接地高周波高出力増幅回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はベース接地高周波高出力増幅回路に関し、特に
その入出力特性を改善したものに関するものである。

〔従来の技術〕

第２図は一般的なベース接地高周波高出力増幅回路の等
価回路を示し、図において、１は電源と接地間に接続さ
れ、そのエミ・、夕及びコレクタをそれぞれ入力電極及
び出力電極とし、ベースを接地電極とする増幅トランジ
スタで、上記エミッタと接地間にはベースバイアスＲＦ
Ｃ２が、またコレクタと電源間にはコレクタバイアスＲ
ＦＣ３が接続されている。４は該コレクタバイアスＲＦ
Ｃ３の電源側と接地間に接続されたバイパスコンデンサ
、２０．３０はそれぞれ入力端子、出力端子で、これら
端子２０．及び３０と増幅トランジスタ１との間には、
それぞれ入力整合回路５．出力整合回路６が挿入されて
いる。

また第３図は一般的な電力増幅回路の入出力特性を示す
図であり、実線Ａは０級ベース接地の場合の代表的な出
力電力−人力電力特性を、破線Ｂは０級エミッタ接地の
場合の出力電力−人力電力特性を示している。

次に動作について説明する。

第２図に示すような一般的なベース接地高周波高出力回
路の場合、入力端子２０に入力としての励振電力が印加
されると、これが上記入力整合回路５を介して増幅トラ
ンジスタ１のエミッタに伝達れることとなり、ＤＣ電力
がコレクタバイアスＲＦＣ３を通じて増幅トランジスタ
１のコレクタに供給され、該増幅トランジスタ１はＣ級
で動作する。このとき、ベース電流は、増幅トランジス
タ１のエミ・７タかベースバイアスＲＦＣ２で直流的に
接地されているため、該ＲＦＣ２を通じて接地側に戻る
。また入力電力の高周波成分は一ト記コレクタバイ“ア
スＲＦＣ３４こより遮断され、さらにバイパスコンデン
サ４により接地側に逃がされることとなり、電源には入
らない。そしてＬ記［うンジスタ１で増幅された励振電
力は出力整合回路６を介して出力端子３０に出力される
。

〔発明が解決し、ようとする課題〕

このような回路方式では増幅トランジスタ１はＤＪ振電
電力よる負の半サイクルのみでバイアスされるため、第
３図の実線へで示すような人出力特性となり、入力電力
が減少すると急激に出力電力が低下し、十分な励振電力
があるにもかかわらず、出力電力が零になるという不具
合があったゆ本発明は上記のような問題点を解消するた
めになされたもので、人出力特性が清らがで安定動作が
可能なベース接地高周波高出力増幅回路を得ることを目
的とする。

〔課題を解決するための手段〕

本発明に係るベース接地高周波高出力増幅回路は、増幅
トランジスタの接地電極であるベースにアノードが接続
され、カソードが接地された整流ダイオードと、該整流
ダイオードに並列に接続されたバ・イバスコンデンサと
、上記増幅トランジスタの入力電極であるエミッタにア
ノードが、その接地電極であるベースにカソードが接続
されたバイアスダイオードとから構成され、人力電力の
正の半周期を整流平滑してこれを上記トランジスタのベ
ースに正の自己バイアスとして印加するバイアス印加手
段を設けたものである。

（作用〕 この発明においては、入力としての励振電力による正の
半周期を整流平滑し、これをベースに接続したバイアス
ダイオードによって正の自己バイアスとして増幅トラン
ジスタのベースに印加するようにしたから、上記増幅ト
ランジスタは常に１３級またはＡＢ級で動作することと
なり、つまり入出力特性が滑らかになり、所定の入力電
力に対して一義的に出力電力を設定することができ、安
定な増幅動作が可能となる。

〔実施例〕

以下、この発明の一実施例を図について説明する。

第１図は本発明の一実施例によるベース接地高周波高出
力増幅回路の主要回路構成を示し　第１図において、７
は増幅トランジスタｌのエミノ・り。

ベースに、それぞれアノード、及びカソードが接続され
た整流ダイオード、９は該増幅トランジスタ１のベース
と接地間に順方向接続されたバイアス用ダイオードであ
り、また８はこのダイオード９に並列に接続された平滑
およびバイパス用コンデンサ、１０は上記増幅１−ラン
ジスタ１のへ一スと電源との間に接続され、無信号時に
微小なベース直流バイアスを加えるための抵抗である。

その他のコンポーネントについては第２図の場合と同等
であり、またここでは入出力整合回路は省略しである。

次に動作に゛ついて説明する。

増幅トランジスタ１のベースには無信号時においで抵抗
１０．バイアス用ダイオ−１：を通して直流電圧が印加
されており、このため増幅トランジスタ１は微小励振電
力の場合、Ｂ級あるいはＡＢ級で動作する。このバイア
ス点は小人力電力において十分な動作が確保できる限り
小さくて良い。

一方、大入力電力時においては励振電力による自己バイ
アス電流がアース（接地）よりベースに向かってダイオ
ード９を通じて流れるので、直流電源から加えられたハ
イマス電流より励振電力による自己バイアス電力が大き
くなると、該バイアス用ダイオード９がカントオフしそ
うになる。ところがこの場合、入力電力の正の半周期が
ダイオ・−ドアにて整流され、バイパスコンデンサ８に
て平滑され、ごれが増幅トランジスタ１のベースに正の
バイアスとして加えられており、このため励振電力が大
きくなると当然この正のバイアスも大きくなって、バイ
アス用ダイオード９はカフ・トオフとならない。つまり
増幅トランジスタ１は常にＢ級またはＡＢ級で動作する
。

このように本実施例では、入力としての励振電力による
正の半周期を整流ダイオード７及び平滑コンデンサ８に
より整流平滑し、これをバイアスダイオード９によって
正の自己バイアスとして増幅トランジスタ１のベースに
印加するようにしたので、増幅トランジスタ１を常にＢ
級またはＡＢ級で動作させることが可能となり、入出力
特性を滑らかにすることができる。このため入力電力が
小さい場合にも出力電力を得ることができるとともに、
人力電力の変動に対する出力電力の変動を小さくして、
増幅回路を安定に動作させることが可能となる。

なお、上記実施例では直流によるベースバイアスをコレ
クタバイアス端子から分流して印加するようにしたもの
を示したが、これはトランシーバ等のように直流電源が
バッテリである場合、常に直流電力が消費されることと
なるため、ベース直流バイアス用電源を加える端子は別
に設ける等して、この端子と電源との間にスイッチを設
け、不要なときはベース直流バイアスの供給を停止する
ようにしても良い。

〔発明の効果〕

以上のように本発明によれば、増幅トランジスタのエミ
ッタ入力である励振電力の正の半周期を整流平滑し、こ
れをベースに接続したダイオードによって増幅トランジ
スタのベースに正の自己バイアスとして印加するように
したので、入出力特性が滑らかで、動作が安定なベース
接地増幅回路を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例による高周波高出力増幅回路
の主要部分の等価回路図、第２図は従来例によるベース
接地増幅回路の等価回路図、第３図は増幅トランジスタ
の接地形式による高周波特性の相違を示すグラフ図であ
る。 図において、１は増幅トランジスタ、２はへ一スバイア
スＲＦＣ，３はコレクタバイアスＲＦＣ。 ７は整流ダイオード、８はバイパスコンデンサ、９はバ
イアス用ダイオード、１０はバイアス抵抗、２０は入力
端子、３０は出力端子である。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）入力電力をエミッタに受け、コレクタ側に増幅、
   伝達するベース接地型増幅トランジスタを備えたベース
   接地高周波高出力増幅回路において、上記入力電力の、
   該増幅トランジスタを動作させない極性の半周期を整流
   平滑し、これを上記トランジスタのベースに該極性の自
   己バイアスとして印加するバイアス印加手段を設けたこ
   とを特徴とするベース接地高周波高出力増幅回路。