JPH01312855A

JPH01312855A - 空隙分離されたクロスオーバーの製造法および該方法により製造されたクロスオーバ

Info

Publication number: JPH01312855A
Application number: JP1093279A
Authority: JP
Inventors: Dieter Dr Rer N Schlichenmaier; デイーター・シユリヒエンマイアー
Original assignee: ANT Nachrichtentechnik GmbH
Current assignee: Bosch Telecom GmbH
Priority date: 1988-04-15
Filing date: 1989-04-14
Publication date: 1989-12-18
Also published as: DE3812494C1; EP0338190A3; EP0338190A2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は貴金属層と、該貴金属層上に設けられていて該
貴金属層よりも著しく厚くかつそれらの上にはクロスオ
ーバのための接触個所が設けられている貴金属製の導体
路とを備えたセラミック基板上に銅層を大面積で被着さ
せ、これらの接触個所の上方で前記銅層中に孔をエツチ
ングし、さらにクロスオ〜パ下方の銅を含めて銅層の銅
をエツチング除去するようにして、空隙分離されたクロ
スオーバを製造する方法に関する。さらに本発明はこの
方法により製造きれた空隙分離されたクロスオーバであ
って、ウェブ状接続部を介して中間導体に跨がっていて
かつ２つの異なる導体を互いに接続している形式のもの
に関する。

〔従来の技術〕

たとえば周波数がますます高くなることによって構造が
ますます微細となる傾向が進むので、ボンディング法は
より微細な構造に適した別の方法によって代えられる。

この場合、次のことに注意しなければならない；クロス
オーバは高い精度をもって所定個所に設けられなければ
ならず、かつクロスオーバは支持なしでも安定でなけれ
ばならない。

１９７６年５月７〜９日のミラノ（Ｍａｉｌａｎｄ）で
のセミナー１マイクロエレクトロニクス・イン−システ
ム・デデイン（Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓｌｎ
−’ｓｙｓｔｅｍ　ｄｅｓｉｑｎ　）　Ｈにおけるシケ
テイ（Ｍ、　Ｃ１ｃｈｅｔｔｉ　）の講演論文６テイン
・フィルム・テクノロジー（Ｔｈｉｎ−Ｆｉｌｍ　Ｔｅ
ｃｈｎｏｌｏｇｙ　）″には空隙分離されたクロスオー
バの製造が記載されている。出発材料としてはＮｉ　−
Ｃｒおよび金で被覆されていてかつ金からなる導体路を
備えているセラミック基板が記載されており、このセラ
ミック基板は電気メッキにより銅で被覆される。接触個
所が設けられている個所で、マスク法によってこの銅層
中に孔がエツチングされる。これらの接触個所およびそ
の間に位置する銅は金属で被覆され、この銅は引き続き
エツチング除去され、これにより空隙分離されたクロス
オーバが生じる。

米国特許第４６０１９１５号明細書に基づいて公知の空
隙分離されたクロスオーバを製造する方法では所定のク
ロスオーバの範囲には後の工程で除去されるべき銅層が
設けられていて、かつ接触個所の範囲には銅が存在しな
い。しかしながらこの方法を実施することは複数のフォ
トマスク層の使用を必要とする。

米国特許第４４３６７６６号明細書および同第４６７０
２９７号明細書に基づいて公知の空隙分離された接続ブ
リッジないしはクロスオーバを製造する方法では、接続
個所を定義するために使用される第１フォトマスク層が
ブリッジないしはクロスオーバの製造後まで存在してい
る。しかしながらこのブリッジないしはクロスオーバを
構造化するためにはそれぞれもう１つのフォトマスク層
が必要である。上記米国特許第４６７０２９７号明細書
に基づいて公知の方法ではクロスオーバの金属をマスク
開口を通じて蒸着させる。

〔発明が解決しようとする課題〕

ゆえＶこ本発明の課電は空隙分離されたクロスオーバを
製造する、小形化された回路の必要条件に適合されてい
る方法ないしはこの方法により製造される、高い機械的
安定性を有する前記クロスオーｌぐを提供７゛ることで
ある１、［、課題を解決するための手段〕この課題を解決するために本発明の方法では、（イ）貴
金属層と、該責合り１ｒ′＠辷に設けられていて該貴金
属層よりも著しく厚くか゛）それらの上にはクロスオー
バのための接触個所が設けられている貴金属製の導体路
とを備えたセラミック基板上に銅層を大面積で被着させ
、。

仲）　前記銅層１．にポジ型フ第１・ラッカを大面積で
被着させかつ露光１２、この場合フォトラッカ（ハ）　
これらの接触個所の上方で閑記銅層中に孔をエツチング
し、に）　次いで前記孔の間に位置するフォトラッカをクロ
スオーバが生じるべき個所で露光しで現像し、（ホ）全ての金属面を電気メッキにより貴金属で被覆し
、これにより接続されるべき接触個所の間にクロスオー
バを形成させ、（へ）　フォトラッカ分除去し、（ト）　　クロスオーバ下方の銅を含めて′銅層の銅層
エツチング除去し、（力　貴金属層をエツチング除去するようにしだ。また、上に述べた方法により製造された本
発明による空隙分離されたクロスオーバでは、半殻形の
接触接続部が設けられていて、これらの接触接続部がそ
れぞれ般用縁部にウェブ状接続部を有していてかつ殻底
部でそれぞれ導体の一方と接続されている。

〔発明の作用〕

方法に関する他の有利な構成は請求項２から５までに記
載されている。

空隙分離されたクロスオーバはクロスオーバと、跨がれ
た導体との間にピンホール短絡が生じえないという利点
を有する。さらに、空気が誘電体として存在するので容
量結合は小さい。

本発明による方法ないしは本発明による前記クロスオー
バを用いると僅かなインダクタンスを有する導体路の接
続が可能である。それというのも、１００μｍのオーダ
にある短かい距離に６０〜１００薊のオーダにある広幅
の接続が可能であるからである。２０〜３０μｍのオー
ダにある構造体を製造することができる。微細構造がＴ
ｉＷ製の付着層上で可能であることは自体公知である。

しかしながら前記論文“ティン・フィルム・テクノロジ
ー（Ｔｈ１ｎ−Ｆｉｌｍ　Ｔｅｃｈｎｏ−１ｏｇｙ　）
”では付着層としてＮｉ　−Ｃｒが使用され、この付着
層を用いるとこのような微細な導体路構造は不可能であ
る。それというのも、導体路が著しくサイドエッチされ
るからである。

銅層中に孔をエツチングするために使用されるマスク法
は前記の論文中に詳しく説明されていない。さらに、孔
のエツチングに続いて直ちに金による被覆が行なわれる
。この工程が如何にして進行するのかは前記論文から明
らかでない。本発明による方法によれば、マスク法を２
回の露光によって実施し、この場合２回目の露光は銅層
中に孔をエツチングした後に行なわれ、かつ孔の間に位
置するフォトラッカを現像によって除去するだめに役立
つ。その後に金属面を電気メッキにより金で補強する。

この本発明による工程を用いることにより、高い機械的
安定性を生じる本発明による特徴を備えた空隙分離され
たクロスオーバが生じる。

本発明による空隙分離されたクロスオーバは半殻形の接
触接続部に基づき機械的に極めて安定である。検査によ
り、この安定性はｒンデイング法のものよりも高いこと
が判明した。

〔実施例〕

次に本発明の実施例を図面につき詳説する。

第１ａ図にはセラミック基板１０、たとえばＡｌ２Ｏ３
からなる基板が示されている。この基板はＴｉＷと金と
からなる層１２を有している。被覆はスパッタリング装
置中で行なうことができ、金被覆体の厚さは０．２〜０
．５　ｔｘｍであってよい。

蒸着された基板１０．１２を７オトラツカ１１で被覆し
、次いでこれを露光して現像し、こうして所望の導体路
構造を蒸着基板１０．１２上に裸出させる。

第１ｂ図には全浴中で電気メンキされた導体路２０が示
されている。フォトラッカは除去されている。導体路２
０の厚さはたとえば２〜５μｍである。つまり導体路２
０はこの導体路の下に位置する金層１２よりもかなり厚
い訳である。

別の工程で銅層３０を蒸着基板１０．１２および導体路
２０上に被着させる。このことは同様に電気メッキによ
り行なうことができる。この工程後の製品は第１Ｃ図に
示されている。銅層３０の厚さを導体路２０上のクロス
オーバ６０の接触面４２の大きさに応じて選択する。こ
の接触面の面積がたとえば２０廂×２０μｍである場合
、銅層厚は約１５μｍであると望ましい。

この銅層３０上にポジ型フォトラッカ４０を被着させ、
かつ接触個所４２の上方に位置する個所で露光する。引
き続きフォトラッカ４０を現像することにより、このラ
ッカの露光部分を除去する。

第１ｄ図に示されているように、エツチング過程によっ
て銅層３０中に孔４１をエツチングする。この場合にラ
ッカマスクを等方性にサイドエッチする。導体路２０の
接触個所４２を裸出させる。次いでフォトラッカ４０に
２度目の露光および現像を行なって、孔４１間の結合部
からフォトラッカを除去する。この状態は第１ｅ図に示
されている。次いで、裸出された銅層およびエツチング
された銅層ならびに接触個所４２を電気メッキにより金
で補強する（第１ｆ図）。

クロスオーバ６０が生じる。フォトラッカ４０を剥離し
、銅層３０をエツチング除去し、かつ薄い金層１２およ
びＴｉＷからなる付着層１２をエツチング除去するだけ
で、第１ｇ図に示されているような空隙分離されたクロ
スオーバ６０が得られる。

第２図には本発明による方法により製造された空隙分離
されたクロスオーバ６０の斜視図が示されている。基板
１０には６つの平行な導体路２，２′が設けられていて
、これらのうち外側筒導体路はクロスオーバ６０によっ
て互いに接続されている。このクロスオーバ６０は上向
きに開いた２つの半殻形接触接続部３を有していて、こ
れらの接触接続部は上部の殻周縁部１でウェブ６により
互いに接続されている。それぞれ１つの接触接続部３は
殻底部４によって外側導体路２の一方の上に座着してい
る。接触接続部の半殻形構造により、これらの接触接続
部は特に安定であることが判明している。この付着強度
は後続の拡散法によって高めることができる。

〔発明の効果〕

本発明による方法ないしは本発明による方法により製造
された空隙分離されたクロスオーバは次のことに適して
いる− プレーナ形回路において微細構造体を製造すること；オーバを製造すること。

【図面の簡単な説明】

図面は本発明の実施例を示すものであって、第１ａ図、
第１ｂ図、第１Ｃ図、第１ｄ図、第１ｅ図、第１ｆ図お
よび第１ｇ図は本発明によるクロスオーバを製造するだ
めの種々の工程を示す要部断面図、第２図は本発明によ
るクロスオーバの斜視図である。１・・・殻周縁部、２′・・・中間導体、２・・・導体
、３・・・接触接続部、４・・・殻底部、６・・・ウェ
ブ状接続部、１０・・・セラミック基板、１１・・・フ
ォトラッカ、１２・・・貴金属層、２０・・・導体路、
３０・・・銅層、４０・・・フォトラッカ、４１・・・
孔、４２・・・接触個所、６０・・・クロスオーパＦｉｇ、２３　接触接続部６０　クコスで−バ

Claims

【特許請求の範囲】１、空隙分離されたクロスオーバを製造する方法であつ
て、（イ）貴金属層（１２）と、該貴金属層上に設けられて
いて該貴金属層（１２）よりも著しく厚くかつそれらの
上にはクロスオーバのための接触個所（４２）が設けら
れている貴金属製の導体路（２０）とを備えたセラミッ
ク基板（１０）上に銅層（３０）を大面積で被着させ、（ロ）前記銅層（３０）上にポジ型フオトラツカ（４０
）を大面積で被着させかつ露光し、この場合フオトラツ
カ（４０）の現像後に銅層（３０）をクロスオーバのた
めの所定の接触個所（４２）の上方でのみ裸出させるよ
うにし、（ハ）これらの接触個所の上方で前記銅層（３
０）中に孔（４１）をエッチングし、（ニ）次いで前記孔（４１）の間に位置するフオトラツ
カ（４０）をクロスオーバが生じるべき個所で露光して
現像し、（ホ）全ての金属面を電気メッキにより貴金属で被覆し
、これにより接続されるべき接触個所（４２）の間にク
ロスオーバ（６０）を形成させ、（ヘ）フオトラツカ（４０）を除去し、（ト）クロスオーバ（６０）下方の銅を含めて銅層（３
０）の銅をエッチング除去し、　（チ）貴金属層（１２）をエッチング除去することを特
徴とする、空隙分離されたクロスオーバの製造法。２、セラミック層（１０）と、貴金属層（１２）との間
の付着層としてチタン−タングステン製の層を被着させ
る、請求項１記載の方法。　３、銅層（３０）をエッチ
ング除去した後に貴金属層（１２）およびチタン−タン
グステン製の層をエッチング除去する、請求項２記載の
方法。４、貴金属層（１２）、導体路（２０）およびクロスオ
ーバ（６０）に対して貴金属として金を使用する、請求
項１から６までのいずれか１項記載の方法。５、銅層の厚さが接触個所の長さまたは幅と同オーダの
大きさである、請求項１から４までのいずれか１項記載
の方法。６、請求項１から５までのいずれか１項記載の方法によ
り製造された空隙分離されたクロスオーバであつて、ウ
ェブ状接続部（６）を介して中間導体（２′）に跨がつ
ていてかつ２つの異なる導体（２）を互いに接続してい
る形式のものにおいて、半殻形の接触接続部（３）が設
けられていて、これらの接触接続部がそれぞれ殻周縁部
（１）にウェブ状接続部（６）を有していてかつ殻底部
（４）でそれぞれ導体（２）の一方と接続されているこ
とを特徴とする、空隙分離されたクロスオーバ。