JPH01313965A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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Publication number
JPH01313965A
JPH01313965A JP14517288A JP14517288A JPH01313965A JP H01313965 A JPH01313965 A JP H01313965A JP 14517288 A JP14517288 A JP 14517288A JP 14517288 A JP14517288 A JP 14517288A JP H01313965 A JPH01313965 A JP H01313965A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
case
electrode
groove
epoxy resin
components
Prior art date
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Pending
Application number
JP14517288A
Other languages
English (en)
Inventor
Manabu Iwanishi
岩西 学
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
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Publication of JPH01313965A publication Critical patent/JPH01313965A/ja
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  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、樹脂封止形半導体装置、特に個別半導体製
品の構成部品の1つであるケースに関するものである。
〔従来の技術〕
第5図は従来のケースの断面斜視図、第6図は従来のケ
ースを用いた個別半導体製品の断面図を示すもので、図
において、1はベース板、2は絶縁板、3は電極、4は
チップ、5はケース、6はシリコンゲル、7はエポキシ
樹脂を示す。
即ち銅ベース板1上に絶縁板2、電W!3、チップ4等
の内部構成部品を組み立てた後、ケース5をかぶせ、こ
の後、シリコンゲル6とエポキシ樹脂7を注入する。
ところで以上の如きケース5においては、モールド成形
後にこのケースが金型から剥がれ易くするために上下方
向に少しテーバをつけるが、ケース内面は平らである。
この他、ケース内側には変形対策として補強用のリブや
ファストン端子受台、またフタを用いる場合は、フタの
つめを引っ掛ける凹みをケース上端部に設けたりする。
〔発明が解決しようとする課題〕
従来のケースは、内部保諧が目的であるため、電極3と
ケース5が接触することはない。即ち、絶縁板2、電極
3、チップ4等の内部構成部品を組み立てた後シリコン
ゲル6を注入し、この上に耐環境のためのエポキシ樹W
M7を注入して硬化させろが、外部接続用の電極3は、
このエポキシ樹脂7の中を通って外へ突き出る。ここで
エボキシ樹III 7は熱膨張係数が大きいため、温度
変化特電11i3の周囲のエポキシ樹脂に大きな応力が
発生しやすく、このためにエポキシ樹脂割れという問題
があった。
この発明は、上記のような問題点を解決するためになさ
れたもので、電極を外部へ取り出す際にエポキシ樹脂4
脂内を通らなくてもよいようにして樹脂割れを防止する
ことを目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
この発明に係る半導体装置は、ケースの内側にケースに
沿って電極を通しこれを外部へ取9出す溝を設けたもの
である。
〔作用〕
この発明においては、ケースに設けた溝を通って電極は
外部へ出ていくので、エポキシ樹脂に接する面はあるが
、エポキシ4!tlll内を通らなくてもよく、またエ
ポキシ樹脂はケース内側と接するが、同じ形状で電極と
も接することになる。
〔実施例〕
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第1
図、第2図において、5mはケース5の内面の一部に設
けられた、電極3が通る溝である。
その他の構成は上記従来例のものと同様につき説明を省
略する。なお溝5aの深さは、電極の幅、板厚寸法に加
工及び組み立で許容誤差を考慮して決め、また線溝は第
1図のように上から下までつけてもよいし、第3図、第
4図に示すように電極3を組み立て時ケースに当たると
ころからケース上端までつけてもよい。なお第4図中の
8は鋼ブロックを示す。
またこの溝をつくる個所は電極配置により適したところ
にする。電極3は、内部構成部品を組み立て時、他部品
との絶縁距離を保ちながらシリコンゲル6の領域内でケ
ース5の溝にはまるように加工しておく。内部構成部品
を組み立て、ケース5をかぶせると、電極3はケース5
の溝5aを通りながら外部へ出ていくものとなる。ケー
スをかぶせた後、ケース内にシリコンゲル6及びエポキ
ン樹HN 7を注入し、必要に応じフタをかぶせて樹脂
を硬化させ、その後電極を折り曲げる。
〔発明の効果〕
以上のようにこの発明によれば、tja極はエポキシ樹
脂内部を通らずケース内を通って外部へ出ていくことに
なるので、エポキシ樹脂に発生する最大応力はエポキシ
樹脂の周囲のケースまたは電極と接する面上であり、従
来のように、この値より大きな応力がエポキシ樹脂内に
発生してここから割れることはなくなるという効果があ
る。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例によるケースの断面斜視図
、第2図はそのケースを用いた個別半導体製品の断面図
、第3図、第4図はこの発明の他の実施例によるケース
の斜視図と半導体製品の断面図、第5図は従来のケース
の断面斜視図、第6図は従来のケースを用いた個別半導
体製品の断面図である。 図中、1はベース板、2は絶縁板、3は電極、4はチッ
プ、5はケース、Saは溝、6はシリコンゲル、7はエ
ポキシ樹脂である。 なお、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 第1図 2;練殊攻 、5:IE& I 第3図 第5図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  ベース板上に電極やチップ等を実装した後、樹脂製の
    ケースを被せ、その後上記構成部品を樹脂で封止するよ
    うにしたものにおいて、上記ケースの内側で該ケースの
    厚み幅内に上記電極を外部へ取り出すための溝を形成し
    たことを特徴とする半導体装置。
JP14517288A 1988-06-13 1988-06-13 半導体装置 Pending JPH01313965A (ja)

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JP14517288A JPH01313965A (ja) 1988-06-13 1988-06-13 半導体装置

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JP14517288A JPH01313965A (ja) 1988-06-13 1988-06-13 半導体装置

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Publication Number Publication Date
JPH01313965A true JPH01313965A (ja) 1989-12-19

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ID=15379102

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JP14517288A Pending JPH01313965A (ja) 1988-06-13 1988-06-13 半導体装置

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JP (1) JPH01313965A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5889658A (en) * 1997-11-25 1999-03-30 Motorola, Inc. Package assembly for an electronic component

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5889658A (en) * 1997-11-25 1999-03-30 Motorola, Inc. Package assembly for an electronic component

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