JPS615555A - 絶縁型半導体装置 - Google Patents
絶縁型半導体装置Info
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- JPS615555A JPS615555A JP59125164A JP12516484A JPS615555A JP S615555 A JPS615555 A JP S615555A JP 59125164 A JP59125164 A JP 59125164A JP 12516484 A JP12516484 A JP 12516484A JP S615555 A JPS615555 A JP S615555A
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- semiconductor device
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- chip
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Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕 ゛
本発明は実験時絶縁処置を施すことなく直接実装できる
絶縁型半導体装置に関する。
絶縁型半導体装置に関する。
従来、半導体装置のパッケージング技術として、量産性
に！れたトランスフアレビンモールド（モールド）技術
が多用されている。また、レジンパッケージ型の半導体
装置の一つとして、電子材料。
に！れたトランスフアレビンモールド（モールド）技術
が多用されている。また、レジンパッケージ型の半導体
装置の一つとして、電子材料。
１９８１年、１１月号、４２〜４６頁における横型半導
体装置が知られている。この絶縁型半導体装置は、従来
のこの種（ＴＯ２２０型）の半導体装置における実装作
業の煩わしさを軽減するべく開発されたものであって実
装時、ヘッダに設けら、れた取付孔に絶縁管を挿入する
手間暇を削減するために取付孔の内周面をレジンで被う
とともに１、−′＞ラダの裏面にマイカ等の絶縁板を介
在させて取付仮に半導体装置を固定する手間暇を削減す
るために、ヘッダの裏面をレジンで被った構造となって
いる。また１、この絶縁型半導体装置におけるへさ ラダ裏面側のレジン厚かは、所望絶縁破壊電圧を維持す
ることを限度として放熱性を良好とするために、できる
限り薄いことが望ましく、前記文献にも記載されている
ように、その厚さはたとχば、０．３５〜０．４５ｍｍ
程度となっている。さらに、この絶縁型半導体装置は、
ヘッダとレジンとの界面を伝わって侵入する酸化性物質
（水分、酸素等のガス）の侵入を阻止させるために、出
来得る限りのヘッダ部分をレジンで被った構造となって
いる。
体装置が知られている。この絶縁型半導体装置は、従来
のこの種（ＴＯ２２０型）の半導体装置における実装作
業の煩わしさを軽減するべく開発されたものであって実
装時、ヘッダに設けら、れた取付孔に絶縁管を挿入する
手間暇を削減するために取付孔の内周面をレジンで被う
とともに１、−′＞ラダの裏面にマイカ等の絶縁板を介
在させて取付仮に半導体装置を固定する手間暇を削減す
るために、ヘッダの裏面をレジンで被った構造となって
いる。また１、この絶縁型半導体装置におけるへさ ラダ裏面側のレジン厚かは、所望絶縁破壊電圧を維持す
ることを限度として放熱性を良好とするために、できる
限り薄いことが望ましく、前記文献にも記載されている
ように、その厚さはたとχば、０．３５〜０．４５ｍｍ
程度となっている。さらに、この絶縁型半導体装置は、
ヘッダとレジンとの界面を伝わって侵入する酸化性物質
（水分、酸素等のガス）の侵入を阻止させるために、出
来得る限りのヘッダ部分をレジンで被った構造となって
いる。
一方、本出願人も同様な絶縁型半導体装置を０充してい
るが、この絶縁型半導体装置はその製が時、すなわち、
パッケージ形成のモールド時、ンッダは裏面をもレジン
で被う必要があるこ、とがｔヘッダはモールド型の一部
で支持さルてモールｌ型の゛キャビティの底から浮き、
この状態でも一ノ１ドが行われる。この結果、前記ヘッ
ダの支持さ才た部分がパッケードから露出してしまい、
高い耐絶縁破壊電圧特性が必要な製品群（耐絶縁破壊電
圧が１５００〜２０００Ｖと高いテレビの水平仰向用ト
ランジスタ等）には、従来のこの種の絶縁型半導体装置
の構造は適用し難いと考えられること、が発明者の検討
め結果よりあきらがとなった。
るが、この絶縁型半導体装置はその製が時、すなわち、
パッケージ形成のモールド時、ンッダは裏面をもレジン
で被う必要があるこ、とがｔヘッダはモールド型の一部
で支持さルてモールｌ型の゛キャビティの底から浮き、
この状態でも一ノ１ドが行われる。この結果、前記ヘッ
ダの支持さ才た部分がパッケードから露出してしまい、
高い耐絶縁破壊電圧特性が必要な製品群（耐絶縁破壊電
圧が１５００〜２０００Ｖと高いテレビの水平仰向用ト
ランジスタ等）には、従来のこの種の絶縁型半導体装置
の構造は適用し難いと考えられること、が発明者の検討
め結果よりあきらがとなった。
本発明の目的は耐絶縁破壊電圧が高い絶縁型半導体装置
を提供することにある。
を提供することにある。
本発明の他の目的は実装設計がし易い絶縁型非導体装置
を提供することにある。
を提供することにある。
本発明の前記ならびにそのほがの目的と新規な特徴は、
本明細書の記述および添付図面からあきｇ らかに
なるであろう。
本明細書の記述および添付図面からあきｇ らかに
なるであろう。
ｌ 〔発明の概要〕
□ ゛ 本願において開示される発明のうち代表的な
ものの概要を簡単に説明すれば、下記のとおりであζ
る。
ものの概要を簡単に説明すれば、下記のとおりであζ
る。
レ すなわち、本発明の絶縁型半導体装置は、そ
のＬ 製造におけるモールド型のキャビティ底から
八ツ（ダを浮かせる結果化じてしまったパレケージにお
ｔ けるヘッダの露出部分は、絶縁性のレジンで被
わ薔 れていることから、耐絶縁破壊電圧は向上す
る。
のＬ 製造におけるモールド型のキャビティ底から
八ツ（ダを浮かせる結果化じてしまったパレケージにお
ｔ けるヘッダの露出部分は、絶縁性のレジンで被
わ薔 れていることから、耐絶縁破壊電圧は向上す
る。
ｋ また、絶縁型半導体装置はその耐絶縁破壊電圧
が１ 向上することから、その実装時のレイアウト
等が−し易くなり、実装設計の余裕度が向上する。
が１ 向上することから、その実装時のレイアウト
等が−し易くなり、実装設計の余裕度が向上する。
第１ ［１’は本発明の一実施例による絶縁型半導体装
置の製造状態な示す斜視図、第２図は同じく一部を切り
欠いた状態における絶縁型半導体装置の斜視図である。
置の製造状態な示す斜視図、第２図は同じく一部を切り
欠いた状態における絶縁型半導体装置の斜視図である。
本実施例の絶縁型半導体装置（絶縁型パワートランジス
タ）は、第２図に示されるように、レジンからなるパッ
ケージｌと、このパッケージ１の一端面から突出する３
本のり一部２と、からなっている。また、パッケージ１
にはネジ挿入孔３が設けらＫている６ つぎに、第１図を参照しながら、このトランジスタの製
造方法について説明しながら、トランジスタの細部につ
いて説明する。
タ）は、第２図に示されるように、レジンからなるパッ
ケージｌと、このパッケージ１の一端面から突出する３
本のり一部２と、からなっている。また、パッケージ１
にはネジ挿入孔３が設けらＫている６ つぎに、第１図を参照しながら、このトランジスタの製
造方法について説明しながら、トランジスタの細部につ
いて説明する。
こ゛のトランジスタの組立にあっては、第１図で示すよ
うなリードフレーム４が用いられている。
うなリードフレーム４が用いられている。
このリードフレーム４は放熱性の優れた金属板、たとえ
ば、鉄−ニッケル系合金、銅系合金等の０．１〜０．２
５ｍｍ程度の厚さの薄い金属板をエツチングあるいはプ
レス等によって所望パターンに形成するとともに、プレ
ス成型することによって得られる。すなわち、リードフ
レーム４は細い枠部５と、この枠部５の一側から平行に
延在する３本のリード２を有している。３本のり−ド２
は前記枠部５と平行に延在するーいダム片６によって連
結されている。このダム片６はリードフレーム４の取扱
時には補強部材の役割を果たし、レジンモールド時には
注入されたレジンの流出を防ぐダムの役割を果たす６両
側のリード２の先端部分は両側に僅かに張り出して幅広
となり、ワイヤ接続部７を構成している。ワイヤ接続部
７の張り出しはパッケージ１のレジン部分に張り出し部
分が喰い込んでパッケージ１がらリード２が抜けないよ
うにするためである。
ば、鉄−ニッケル系合金、銅系合金等の０．１〜０．２
５ｍｍ程度の厚さの薄い金属板をエツチングあるいはプ
レス等によって所望パターンに形成するとともに、プレ
ス成型することによって得られる。すなわち、リードフ
レーム４は細い枠部５と、この枠部５の一側から平行に
延在する３本のリード２を有している。３本のり−ド２
は前記枠部５と平行に延在するーいダム片６によって連
結されている。このダム片６はリードフレーム４の取扱
時には補強部材の役割を果たし、レジンモールド時には
注入されたレジンの流出を防ぐダムの役割を果たす６両
側のリード２の先端部分は両側に僅かに張り出して幅広
となり、ワイヤ接続部７を構成している。ワイヤ接続部
７の張り出しはパッケージ１のレジン部分に張り出し部
分が喰い込んでパッケージ１がらリード２が抜けないよ
うにするためである。
一方、中央のり−ド２は下方に一段折れ曲がり、幅広の
ヘッダ８に連結されている。このヘッダ８のリード２と
の連結側はチップ（半導体装置）９を固定するチップ取
付領域１ｏとなっすいる。また、ヘッダ８の他端部分は
その両側から細いアーム１１を有している。このアーム
１１は途中から階段状に一段高く延在し、モールド時の
へラダ８のモールド高さを規定する高さ規定片１２とな
っ □ている。なお、一対のアーム１１間の空間
部分はネジ挿入孔形成用空間１３となっている。
ヘッダ８に連結されている。このヘッダ８のリード２と
の連結側はチップ（半導体装置）９を固定するチップ取
付領域１ｏとなっすいる。また、ヘッダ８の他端部分は
その両側から細いアーム１１を有している。このアーム
１１は途中から階段状に一段高く延在し、モールド時の
へラダ８のモールド高さを規定する高さ規定片１２とな
っ □ている。なお、一対のアーム１１間の空間
部分はネジ挿入孔形成用空間１３となっている。
このようなリードフレーム４を用いてトランジスタを組
み立てる場合には、同図に示すように、リードフレーム
４のチップ取付領域（チップ固定領域）１０にチップ９
が最初に固定される。つぎに、チップ９の電極と各リー
ド２とはワイヤ１４で接続される。その後、このリード
フレーム４は、特に図示はしないが、モールド型の上型
と下型との間に挟持される。この際、前記高さ規定片１
２は上型と下型に設けられた細い円柱状の突子によって
挟持され、ヘッダ８はモールド型の下型と上型とによっ
て形成されるキャビティの底から浮かぶ。そして、ヘッ
ダ８がキャビティ内で浮かんだ状態でモールドが行われ
、直方体のパッケージ１が形成される。したがって、第
１図に示されるように、パッケージ１の高さ規定片１２
が位置する部分に対応する部分には、細い孔１５が発生
してしまう。この孔１５の底にはへ、ラダ８が繋がる高
さ規定片１２が露出する。
み立てる場合には、同図に示すように、リードフレーム
４のチップ取付領域（チップ固定領域）１０にチップ９
が最初に固定される。つぎに、チップ９の電極と各リー
ド２とはワイヤ１４で接続される。その後、このリード
フレーム４は、特に図示はしないが、モールド型の上型
と下型との間に挟持される。この際、前記高さ規定片１
２は上型と下型に設けられた細い円柱状の突子によって
挟持され、ヘッダ８はモールド型の下型と上型とによっ
て形成されるキャビティの底から浮かぶ。そして、ヘッ
ダ８がキャビティ内で浮かんだ状態でモールドが行われ
、直方体のパッケージ１が形成される。したがって、第
１図に示されるように、パッケージ１の高さ規定片１２
が位置する部分に対応する部分には、細い孔１５が発生
してしまう。この孔１５の底にはへ、ラダ８が繋がる高
さ規定片１２が露出する。
また、前記モールド時、一対のアーム１１間のキャビテ
ィ部分にはモールド型に設けられた円柱体が位置してい
て、モールド後にはパッケージ１を表裏に渡って貫通す
るネジ挿入孔３が形成される。このネジ挿入孔３はパッ
ケージ１によって形成されている。
ィ部分にはモールド型に設けられた円柱体が位置してい
て、モールド後にはパッケージ１を表裏に渡って貫通す
るネジ挿入孔３が形成される。このネジ挿入孔３はパッ
ケージ１によって形成されている。
つぎに、前記パッケージ１の孔１５はたとえば、エポキ
シレジンの如き１６が注入されて塞がれる（第゛２図参
照）。したがって、ヘッダ８部分は完全にパッケージ１
および絶縁体１６によって被われる。注入方法は、特に
限定されないがボッティング及び塗布作業で行なうこと
により低コスト化が実現できる。
シレジンの如き１６が注入されて塞がれる（第゛２図参
照）。したがって、ヘッダ８部分は完全にパッケージ１
および絶縁体１６によって被われる。注入方法は、特に
限定されないがボッティング及び塗布作業で行なうこと
により低コスト化が実現できる。
つぎに、リードフレーム４の不用となる部分、すなわち
、枠部５、ダム片６は切断除去され、第２図に示される
ようなトランジスタが製造される。
、枠部５、ダム片６は切断除去され、第２図に示される
ようなトランジスタが製造される。
第２図では、ネジ挿入孔３が絶縁体１６によって塞がれ
た状態を部分的にパッケージ１部分を切り欠くことによ
って示しである。
た状態を部分的にパッケージ１部分を切り欠くことによ
って示しである。
１、本発明の絶縁型のパワートランジスタは、ヘッダ８
の主面および裏面は絶縁性のレジンで被われるとともに
、パワートランジスタのモールド時のヘッダ□８の支持
によって生じてしまうヘッダ８Ｉの一部の露出部分（高
さ規定片１２部分）は、絶縁体１６によって被覆されて
いることから、ヘッダ部分における耐絶縁破壊電圧が向
上するという効果が得られる。
の主面および裏面は絶縁性のレジンで被われるとともに
、パワートランジスタのモールド時のヘッダ□８の支持
によって生じてしまうヘッダ８Ｉの一部の露出部分（高
さ規定片１２部分）は、絶縁体１６によって被覆されて
いることから、ヘッダ部分における耐絶縁破壊電圧が向
上するという効果が得られる。
２、上記１から、本発明のパワートランジスタは耐絶縁
破壊電圧が高くなること、およびリード２を除く部分は
完全にパッケージ１等によって絶縁されていることから
、実装におけるレイアウト設計の余裕度が向上し、実装
設計が容易となるという効果が得られる。
破壊電圧が高くなること、およびリード２を除く部分は
完全にパッケージ１等によって絶縁されていることから
、実装におけるレイアウト設計の余裕度が向上し、実装
設計が容易となるという効果が得られる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。たとえば、ヘッダの高さ
規定片がモールド後に、パッケージの表面部分で切断さ
れるような構造の絶縁型半導体装置の場合は、露出する
高さ規定片部分を絶縁体で被うことによって、絶縁型半
導体装置の耐絶縁破壊電圧の向上を図ることができる。
体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。たとえば、ヘッダの高さ
規定片がモールド後に、パッケージの表面部分で切断さ
れるような構造の絶縁型半導体装置の場合は、露出する
高さ規定片部分を絶縁体で被うことによって、絶縁型半
導体装置の耐絶縁破壊電圧の向上を図ることができる。
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野である絶縁型半導体装置の
技術に適用した場合について説明したが、それに限定さ
れるものではなく、たとえば、前記同様の構造をした集
積回路装置の製造技術などに適用できる。
をその背景となった利用分野である絶縁型半導体装置の
技術に適用した場合について説明したが、それに限定さ
れるものではなく、たとえば、前記同様の構造をした集
積回路装置の製造技術などに適用できる。
第１図は本発明の一実施例による絶縁型半導体装置の製
造状態を示す斜視図。 第２図は同じく一部を切り欠いた状態における絶縁型半
導体装置の斜視図である。 １・・・パッケージ、２・・・リード、３・・・ネジ挿
入孔、４・・・リードフレーム、５・・・枠部、６・・
・ダム片、７・・・ワイヤ接続部、８・・・ヘッダ、９
・・・チップ（半導体素子）、１０・・・チップ取付領
域、１１・・・アーム、１２・・・高さ規定片、１３・
・・ネジ挿入孔形成用空間、１４・・・ワイヤ、１５・
・・孔、１６・・・絶縁体（レジン）。
造状態を示す斜視図。 第２図は同じく一部を切り欠いた状態における絶縁型半
導体装置の斜視図である。 １・・・パッケージ、２・・・リード、３・・・ネジ挿
入孔、４・・・リードフレーム、５・・・枠部、６・・
・ダム片、７・・・ワイヤ接続部、８・・・ヘッダ、９
・・・チップ（半導体素子）、１０・・・チップ取付領
域、１１・・・アーム、１２・・・高さ規定片、１３・
・・ネジ挿入孔形成用空間、１４・・・ワイヤ、１５・
・・孔、１６・・・絶縁体（レジン）。
Claims (1)
- １、パッケージ形成時モールド型のキャビティの底から
ヘッダを浮かせてモールドが行われる絶縁型半導体装置
であって、前記モールドによって生じたヘッダの露出部
分は絶縁体で被われてなることを特徴とする絶縁型半導
体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59125164A JPS615555A (ja) | 1984-06-20 | 1984-06-20 | 絶縁型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59125164A JPS615555A (ja) | 1984-06-20 | 1984-06-20 | 絶縁型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS615555A true JPS615555A (ja) | 1986-01-11 |
Family
ID=14903461
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59125164A Pending JPS615555A (ja) | 1984-06-20 | 1984-06-20 | 絶縁型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS615555A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04136484A (ja) * | 1990-09-28 | 1992-05-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子点火装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5917273A (ja) * | 1982-07-20 | 1984-01-28 | Nec Corp | 樹脂封止半導体装置 |
-
1984
- 1984-06-20 JP JP59125164A patent/JPS615555A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5917273A (ja) * | 1982-07-20 | 1984-01-28 | Nec Corp | 樹脂封止半導体装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04136484A (ja) * | 1990-09-28 | 1992-05-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子点火装置 |
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