JPH01314249A - テトラおよびペンタキスアゾ化合物とその製法ならびにそれを用いた電子写真感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、新規なテトラおよびペンタキスアゾ化合物と
その製法ならびにそれを用いた電子写真感光体に関する
。

〈従来技術〉 近年、電子写真用感光体として加工性がよく製造コスト
の面で有利であると共に、機能設計の面で自由度の大き
な有機感光体が使用されている。

そして、有機感光材料を用いることから電子写真用感光
体の機能設計において、光照射により電荷を発生させる
電荷発生材料と、発生した電荷を移動させる電荷輸送材
料とに各機能を分離することが可能になり、さらにそれ
ぞれの材料を広い範囲から選択することができるように
なった。

従って有機感光体の特性は、用いる材料や製造方法等に
よって大きく左右されるが、とりわけ電荷発生材料は感
光体の感度と感光波長域を支配するため従来より各種の
染料や顔料が検討されている。

従来用いられている染顔料としては、ペリレン顔料、フ
タロシアニン顔料、インジゴ顔料、アズレニウム塩、ス
クアリックメチン染料、アゾ顔料等がある。この中でア
ゾ顔料は、その合成の多様性から種々の構造を有するも
のが合成されている。

このアゾ顔料のうちジスアゾ顔料が電子写真感光材料の
光導電性物質として有用であることは古くから知られて
いる（例えば特開昭４７−３７４５３号公報）。また、
トリフェニルメタンから誘導されるトリスアゾ顔料等を
光導電性顔料として使用することも既に知られている。

また、近年半導体レーザーを光源とし、装置を小型化で
きると共に、高速にて高品質の画像をノンインパクト方
式で形成することができるなどの利点を有するレーザー
ビームプリンターが普及しつつあり、該半導体レーザー
の発振波長である約７８０ｎｍ〜８２０ｎｍの波長領域
において高感度の該プリンター用感光体に用いられる光
導電性物質の開発が急務である。

〈発明が解決しようとする問題点〉 しかしながら、電子写真複写の分野では、感光波長領域
や、複写速度を増大しようという絶えざる要求があるが
未だに満足する光導電性顔料はなく、この見地から感度
の大きいまた感光波長の広い光導電性顔料の開発が常に
期待されており、本発明者らが鋭意研究した結果、本発
明の感光体を完成させるに至った。

〈発明の目的〉 本発明の目的は、樹脂中への分散性に優れ、４００〜９
００ｒｉｍの波長域に分光感度を有すると共に感度の優
れたテトラおよびペンタキスアゾ化合物とその製法なら
びにそれを用いた電子写真感光体を提供することを目的
とする。

く問題点を解決するための手段および作用〉本発明のテ
トラおよびペンタキスアゾ化合物は、下記構造式 式中、環Ａ１及びＡ２はアゾ基に対してオルト位にハロ
ゲン原子、アルキル基またはアルコキシ基を置換基とし
て有することができｎはＯまたは１を示し、 環Ｂは、ハロゲン原子、アルキル基またはアルコキシ基
を置換基として有することができ、また環Ｚｌを有して
もよく、Ｚｌは、ベンゼン環Ｂと結合したベンゼン環、
ナフタレン環等の芳香環、インドール環、カルバゾール
環またはベンゾフラン環等のへテロ環またはこれらの置
換体を表し、 Ｘは、下記式 式中、Ｙ１２は同一または異なってアルキレン基、置換
または未置換のアリーレン基を示す、 で表されるローダニン誘導体を有するテトラおよびペン
タキスアゾ化合物であり、 本発明のテトラおよびペンタキスアゾ化合物の製法は、
下記構造式 式中、環Ａ１及びＡ２はアゾ基に対してオルト位にハロ
ゲン原子、アルキル基またはアルコキシ基を置換基とし
て有することができｎはＯまたは１を示し、 環Ｂは、ハロゲン原子、アルキル基またはアルコキシ基
を置換基として有することができ、また環Ｚ１を有して
もよく、ＺＩは、ベンゼン環Ｂと結合したベンゼン環、
ナフタレン環等の芳香環、インドール環、カルバゾール
環またはベンゾフラン環等のへテロ環またはこれらの置
換体を示す、 で表されるローダニン誘導体と、下記構造式０式％ 式中Ｙ、Ｚは同一または異なってアルキレン基、置換ま
たは未置換のアリーレン基を示す、 で表されるアルデヒド基を有するアゾ化合物とを反応さ
せることを特徴とするテトラおよびペンタキスアゾ化合
物の製法であり、 本発明の電子写真感光体は、下記構造式（式中Ｘ、環Ｂ
、Ｚ＋、環Ａ、、環Ａ２、ｎは特許請求の範囲第１項と
同義である）で表されるローダニン誘導体を有するテト
ラおよびペンタキスアゾ化合物から成る電荷発生材料と
して用いることを特徴とする電子写真感光体であり、そ
のことにより前記目的を達成した。

本発明の電荷発生材料は、ローダニン誘導体と、アルデ
ヒド基を有するアゾ化合物の脱水反応によって得られる
。かかるアルデヒド基を有するアゾ化合物としては、 （以下余白） ＣＩ＋ 等を挙げることができる。

これらのアルデヒド基を有するアゾ化合物は種々の方法
、例えば下記反応式により合成することができる。

（以下余白） ０１１Ｃ−Ｘ−Ｎｌ２　＋　　ＮａＮＯ２＋　１（Ｃ１
−−→０ｔｌＣ−Ｘ−Ｎｚ”Ｃ１上記したアゾ化合物と
結合させるローダニン誘導体としては、下記構造式 （式中環Ｂ、Ｚ、、環Ａ、、環Ａ２、ｎは特許請求の範
囲第１項と同義である）が好適に使用され、上記化合物
は次に示すようにして合成することができる。

で表される原料化合物は、以下に述べる方法で合成され
る。

即ち、ｎ＝０の場合は下記式 ％式％ （式中、環へ、及びＡ２は前述した意味を有する）で表
されるベンジジン、 あるいは、ｎ＝１の場合は下記式 ％式％ （式中、環へ、及びＡ２は前述した意味を有する）で表
されるジアミノアゾベンゼンを通常の方法で亜硝酸ソー
ダを使用しテトラゾ化を行い、該テトラゾニウム塩と下
記式 （式中、環Ｂ及びＺｌは前述した意味を示す）で表され
るアミノ化合物をカップリング成分として適当な溶媒を
用いて酸性下にカップリングを行うことにより容易に得
られる。

ベンジジンとしてはこれに限定されるものではないが、
次に挙げるものが適当に使用される。

また、ジアミノアゾベンゼンとしてはこれに限定される
ものではないが、次に挙げるものが適当に使用される。

また、前記アブカップリング成分の適当な例としては、
これに限定されるものではないが、下記に示す化合物 Ｒ１、Ｒ２、及びＲ１、は−Ｈ，−ＣＨ３、−ＣＨ。

、−ＯＣ，Ｈ，、−Ｎｏ、、−ＣＩ、−Ｂｒを表し、Ｒ
４は−Ｈ，−ＣＩ、−Ｂ　ｒを表す（以下余白） ＋１：ｌｃ 等を挙げることができる。

＋　　２Ｎｆ１４０１１　＋　　２ＣＳｚ＋　　２ＣＩ
ＣＨｚＣＯＯＣｚｔｌｓ これらのローダニン誘導体は、ローダニン環の５位にメ
チレン基を有しており、このメチレン基が活性であるた
め、アルデヒド基を有するアゾ誘導体とＤＭＦ中、アル
カリ存在下で容易に脱水縮合し目的のテトラおよびペン
タキスアゾ化合物が得られる。

この−例をローダニン誘導体として４．４＝−ビス（４
−ローダニン−１−ナフチルアゾ）−ビフェニル、アブ
化合物として１−（Ｐ−ホルミルフェニル−アゾ）−２
−ナフトールを用いた場合について説明する。

（以下余白） ＋　　２Ｎｌ１４０＋１　　＋　　２Ｃｈ＋　　２ＣＩ
ＣｔｌｚＣＯＯＣｚｌｌｓＳ　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　５Ｓ ＋１０ 式（１）、（２）の反応において１−（Ｐ−ホルミルフ
ェニル−アゾ）−２−ナフトールは６５％の収率で得ら
れ、また式（３）、（４）の反応において４．４”−ビ
ス（４−ローダニン−１−ナフチルアゾ）−ビフェニル
は６０％の収率で得られる。

本発明にかかるテトラキスアゾ化合物は、式（５）の反
応において４，４°−ビス（４−ローダニン−１−ナフ
チルアゾ）−ビフェニルと１−（ｐ−ホルミルフェニル
ーア’／’）−２−ナフトールを例えばジメチルホ′ル
ムアミド等中でアルカリ存在下８０℃乃至１２０℃の温
度で５時間加熱することにより容易に得られる。

他の一例をローダニン誘導体として４，４°−ビス（４
−ローダニン−１−ナフチルアゾ）−アゾベンゼン、ア
ゾ化合物として１−（Ｐ−ホルミルフェニル−アゾ）−
２−ナフチルアゾいり場合について説明する。

（以下余白）） ＋　２ＮＩ＋４０８　　＋　　２ＣＳ２＋　　２ＣＩＣ
ＨｚＣＯＯＣｚｌ置５ ・１ 式（６）、（７）の反応において４，４゛−ビス（４−
ローダニン−１−ナフチルアゾ）−アゾベンゼンは５７
％の収率で得られる。

本発明にかかるペンタキスアゾ化合物は、式（８）の反
応において４．４°−ビス（４−ローダニン−１−ナフ
チルアゾ）−アゾベンゼンと１−（Ｐ−ホルミルフェニ
ル−アゾ）−２−ナフト−ルを例えばジメチルホルムア
ミド等中でアルカリ存在下８０°Ｃ乃至１２０°Ｃの温
度で５時間加熱することにより容易に得られる。

得られたテトラおよびペンタキスアゾ化合物は大きな共
役系を有しており、光吸収は４００〜９００ｎｍの波長
域におよび特に近赤外及び赤外の光線に対して優れた感
度を有しており、光源としてＬＥＤ、ガスレーザー光、
半導体レーザー光を用いても有効な感光体を得ることが
できる。

本発明の電子写真感光体は、導電性基体と該導電性基体
上に形成された、電荷発生材料としての本発明のテトラ
およびペンタキスアゾ化合物、電荷輸送材料、結着樹脂
と必要に応じて他の材料とを単一の層中に存在させた単
層型電子写真感光体、あるいは少なくとも本発明のテト
ラおよびペンタキスアゾ化合物を含有する電荷発生層と
、電荷輸送材料と結着樹脂などを含有する電荷輸送層と
が積層された積層型電子写真感光体であり、上記積層型
電子写真感光体は、電荷発生層上に電荷輸送層が積層さ
れた構造や、上記とは逆の順序に積層された構造であっ
てもよい。

上記導電性基体としては、導電性を有するシート状やド
ラム状のいずれであってもよく、導電性を有する種々の
材料、例えば、アルミニウム、アルミニウム合金、銅、
錫、白金、金、銀、バナジウム、モリブデン、クロム、
カドミウム、チタン、ニッケル、パラジウム、インジウ
ム、ステンレス銅、真鍮などの金属単体や、蒸着等の手
段により上記金属、酸化インジウム、酸化錫等の層が形
成されたプラスチック材料およびガラス等が例示される
。

また電荷輸送材料としては、ニトロ基、ニトロソ基、シ
アノ基等の電子受容性を有する電子受容性物質例えば、
テトラシアノエチレン、２，４゜７−ドリニトロー９−
フルオレノン等のフルオレノン系化合物、ジニトロアン
トラセン、２，４゜８−トリニドロチオキサントン等の
ニトロ化化合物や、電子供与性を有する電子供与性化合
物、例えば、Ｎ、Ｎ−ジエチルアミノベンズアルデヒド
−Ｎ、Ｎ−ジフェニルヒドラゾン、Ｎ−メチル−３−カ
ルバゾリルアルデヒド−Ｎ、Ｎ−ジフェニルヒドラゾン
等のヒドラゾン系化合物、オキサジアゾール系化合物、
スチリル系化合物、ピラゾリン系化合物、オキサゾール
系化合物、イソオキサゾール系化合物、チアゾール系化
合物、チアジアゾール系化合物、イミダゾール系化合物
、ピラゾール系化合物、インドール系化合物、トリアゾ
ール系化合物等の含窒素環式化合物、アントラセン、ピ
レン、フェナントレン等の縮合多環式化合物、ポリ−・
Ｎ−ビニルカルバゾール、ボリビ；、ルビレン、ポリビ
ニルアントラセン、エチルカルバゾール−ホルムアルデ
ヒド樹脂等が例示される。上記電荷輸送材料は、一種又
は二種以上使用される。

また、結着樹脂としては種々のもの、例えばスチレン系
重合体、スチレン−ブタジェン共重合体、スチレン−ア
クリロニトリル共重合体、スチレン−マレイン酸共重合
体、アクリル系重合体、スチレン−アクリル系共重合体
、エチレン−酢酸ビニル共重合体、ポリ塩化ビニル、塩
化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリエステル、アルキ
ッド樹脂、ポリアミド、ポリウレタン、アクリル変性ウ
レタン樹脂、エポキシ樹脂、ポリカーボネート、ボリア
リレート、ポリスルホン、ジアリルフタレート樹脂、シ
リコーン樹脂、ケトン樹脂、ポリビニルブチラール樹脂
、ポリエーテル樹脂、フェノール樹脂等、各種の重合体
が例示されている。また、エポキシアクリレート等の光
硬化型樹脂等も使用できる。さらには、前記電荷輸送物
質としての光導電性ポリマー、例えば、ポリ−Ｎ−ビニ
ルカルバゾール等を結着樹脂としても使用してもよい。

また、他の材料としては、ターフェニル、ハロナフトキ
ノン類、アセナフチレン等、従来公知の増感剤、９−　
（Ｎ、Ｎ−ジフェニルヒドラゾン）フルオレンなどのフ
ルオレン系化合物、可塑剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤
などの劣化防止剤等、種々の添加剤が例示される。

上記単層型電子写真感光体における本発明のテトラおよ
びペンタキスアゾ化合物と電荷輸送材料と上記結着剤と
の使用割合は、所望する感光体の特性等に応じて適宜選
択することができるが、結着樹脂１００重量部に対して
、本発明のテトラおよびペンタキスアゾ化合物２〜５０
重量部、電荷輸送材料２５〜２００重量部使用するのが
好ましい。また、単層型の感光層は、適宜の厚みを有し
てもよいが、３〜５０μｍ、特に１０〜２５μｍの厚み
を存するものが好ましい。

積層型の感光層における電荷発生層は、本発明のテトラ
およびペンタキスアゾ化合物を蒸着、スパッタリングす
ることにより形成してもよいが、結着樹脂を用いて形成
するのが好ましく、本発明のテトラおよびペンタキスア
ゾ化合物と結着樹脂との割合は適宜設定することができ
るが、結着樹脂１００重量部に対して本発明のテトラお
よびペンタキスアゾ化合物５〜２００重量部使用するの
が好ましい。上記電荷発生層は適宜の厚みを存してもよ
いが、０．０１〜３０μｍ１特に０．０６〜２０μｍの
厚みを有するものが好ましい。また、電荷輸送層を形成
する場合、電荷輸送材料と結着樹脂との割合は適宜設定
することができるが、結着樹脂１００重量部に対して電
荷輸送材料１０〜２００重量部使用するのが好ましい。

上記電荷輸送層は適宜の厚みを有してもよいが、２〜ｌ
ＯＯμｍ、特に５〜３０μｍの厚みを有するものが好ま
しい。

なお、本発明の単層型電子写真感光体は、本発明のテト
ラおよびペンタキスアゾ化合物と電荷輸送物質と結着樹
脂などを含有する感光層用分散液を調整し、該分散液を
前記導電性基体に塗布し、乾燥させることにより形成す
ることができる。また、本発明の積層型電子写真感光体
は、本発明のテトラおよびペンタキスアゾ化合物と結着
樹脂などを含有する電荷発生層用分散液と、電荷輸送材
料と結着樹脂などを含有する電荷輸送層用塗布液をそれ
ぞれ調整し、導電性基体に順次塗布し、乾燥させること
により形成することができる。

上記分散液は、従来慣用の方法、例えば、結着樹脂等の
種類に応じて、メタノール、エタノール、プロパツール
、イソプロパツール、ブタノールなどのアルコール類、
ｎ−へキサン、オクタン、シクロヘキサン等の脂肪族系
炭化水素、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭
化水素、ジクロロメタン、ジクロロエタン、四塩化炭素
、クロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素、ジメチルエ
ーテル、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、エチ
レングリコールジメチルエーテル、エチレングリコール
ジエチルエーテル等のエーテル類、アセトン、メチルエ
チルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、酢酸エチ
ル、酢酸メチル等のエステル類等種々の溶剤が例示され
、一種または二種以上混合して用いられる。なお、上記
分散液などは、分散性、塗工性等をよくするため、界面
活性剤、シリコーンオイルなどのレベリング剤等を含有
していてもよい。

上記分散液などは、従来慣用の混合分散方法、例えば、
ペイントシェーカー、ミキサー、ボールミル、サンドミ
ル、アトライター、超音波分散器等を用いて調整するこ
とができ、得られた分散液などの塗布に際しては、従来
慣用のコーティング方法、例えば、デイツプコーティン
グ、スプレーコーティング、スピンコーティング、ロー
ラーコーチインク、フレードコーティング、カーテンコ
ーティング、バーコーティング法等を採用することがで
きる。

く実験例〉 以下に、実験例に基づき、本発明をより詳細に説明する
。

（実施例１） 〔４，４・−ビス（４−アミノ−１−ナフチルアゾ）−
アゾベンゼンの合成〕 ４．４”−ジアミノアゾベンゼン２．１２ｇ（０，０１
モル）を１８Ｎ塩酸５０ｍ１中に溶解し、５〜１０℃に
冷却する。５Ｎ−亜硝酸ソーダ水溶液４．５ｍｊ！を攪
拌しながら加えて１時間ジアゾ化させる。次に濾過し、
濾液に塩化亜鉛を加えて複塩としてジアゾニウム塩を安
定化させる。

５Ｎの酢酸ソーダ水溶液を加えて濾液のＰ）Ｉを３〜４
に調節しておく、α−ナフチルアミン３ｇ（０，０２１
モル）を希塩酸水溶液１００ｍｆｆ１に溶解しジアゾニ
ウム塩溶液をゆっくり加える。

カップリング反応終了後しばらく放置し、次に加熱する
。顔料結晶を濾別し、水、アセトン及びエタノールにて
洗浄後真空乾燥して赤黒色のトリスアゾ顔料４．３８ｇ
を得た。

〔４，４°−ビス（４−ローダニン−１−ナフチルアゾ
）−アゾベンゼンの合成〕 ４．４′−ビス（４−アミノ−１−ナフチルアゾ）−ア
ゾベンゼン５．２ｇ　（０，０１モル）を５００ｍ１の
エタノールに溶解し、２８％アンモニア水３．８ｇ　（
０，０３モル）を加え攪拌する。

この溶液に２．４ｇ　（０，０３モル）の二硫化炭素を
添加し一夜攪拌して生成した結晶を濾別し、フィルター
上でジエチルエーテルを用いて洗浄する。

次に、上記結晶を５００ｍ１２の５０ｖｏ　１％エタノ
ール水に溶解し、３．６８ｇ　（０，０３モル）のモノ
クロル酢酸エチルを加え一夜攪拌する。

反応後、水を加えて全量を１０００ｍｌとし、生成した
沈澱を濾別、水洗する。乾燥後アセトンで再結晶するこ
とにより目的の４．４・−ビス（４−ローダニン−１−
ナフチルアゾ）−アゾベンゼンを得た（収率５７％）。

〔アルデヒド基を有するアゾ化合物の合成〕Ｐ−アミノ
ベンズアルデヒド２０．６ｇ、濃塩酸１４．２ｍｌ、水
２００ｍｆｆ１を激しく攪拌し、懸濁状態のまま０°Ｃ
付近に冷却する。温度を５°Ｃ以下に保ちつつ１２．３
ｇのＮａＮ０．を５０ｍ２の水に溶かした溶液を３０分
かけて滴下する。

ヨウ化カリウムでんぷん紙に溶液を付け３〜４分後に青
色になる点を終点とした。

不溶物を濾別後、β−ナフトール２４．５ｇ、ＮａＯＨ
８，５ｇＮａｚｃＯｚｌ　９．６　ｇを含む水２２に、
濾液を５°Ｃ以下で滴下する。滴下後、３時間攪拌し続
は生じた赤色物を濾別し水洗、乾燥後、ＣＨ＝ＯＨ：ア
セトン＝１＝１の混合溶媒で再結晶させて１−（Ｐ−ホ
ルミルフェニル−アブ）−２−ナフトールを得た（収率
６５％）。

〔ローダニン誘導体を有するペンタキスアゾ化合物の合成〕

４．４°−ビス（４−ローダニン−１−ナフチルアゾ）
−アゾベンゼン７．８ｇ　（０，０１モル）及び１−（
Ｐ−ホルミルフェニルーアソ）−２−ナフトール８．２
９ｇ　（０，０３モル）を、３ｇ　（０，０３モル）の
トリエチルアミンと共に１００ｍｆのジメチルホルムア
ミドに溶解し、１２０°Ｃで５時間攪拌する。得られた
生成物を濾別し、水、アセトン、エタノールにて洗浄後
乾燥させて目的のローダニン誘導体を有するペンタキス
アゾ化合物を得た（収率８３％）。

〔電子写真感光体の調製〕

上記ローダニン誘導体を有するペンタキスアゾ化合物１
．２重量部、ポリ塩化ビニリデン（商品名サラン　旭化
成社製）１５重量部、４−ジエチルアミノベンズアルデ
ヒド−１，２−ジフェニルヒドラゾン７．５重量部、テ
トラヒドロフラン１００重量部をアルミナビーズを用い
たボールミルで２０時間混合し、得られた分散液を、ア
ルミニウム箔上にドクターブレードを用いて塗布し、１
００°Ｃで３０分間乾燥し、１０ｇｍの単層型感光体を
作成した。

（実施例２） （４，４−−ビス（４−アミノ−１−ナフチルアゾ）−
ビフェニルの合成〕 実施例１で用いた４、４°−ジアミノアゾベンゼンに代
えて、ベンジジンを用いた以外は実施例１と同様にする
ことで４．４”−ビス（４−アミノ−１−ナフチルアゾ
）−ビフェニルを得た。

〔４，４°−ビス（４−ローダニン−１−ナフチルアゾ
）−ビフェニルの合成］ 実施例１で用いた４、４°−ビス（４−アミノ−１−ナ
フチルアゾ）−アゾベンゼンに代えて、４．４゛−ビス
（４−アミノ−１−ナフチルアゾ）−ビフェニルを用い
た以外は実施例１と同様にすることで４，４′−ビス（
４−ローダニン−１−ナフチルアゾ）−ビフェニルを得
た（収率６０％）。

［アルデヒド基を有するアゾ化合物の合成］実施例１と
同様にして１−（Ｐ−ホルミルフェニル−アゾ）−２−
ナフトールを得た。

〔ローダニン誘導体を有するテトラキスアゾ化合物の合成〕

実施例１で用いた４、４゛−ビス（４−ローダニン−１
−ナフチルアゾ）−アゾベンゼンに代えて、４．４・−
ビス（４−ローダニン−１−ナフチルアゾ）−ビフェニ
ルを用いた以外は実施例１と同様にして目的のローダニ
ン誘導体を有するテトラキスアゾ化合物を得た。

〔電子写真感光体の調整〕

実施例１で用いたローダニン誘導体を有するペンタキス
アゾ化合物に代えて、上記ローダニン誘導体を有するテ
トラキスアゾ化合物を用いる以外は実施例１と同様にし
て単層型感光体を作成した。

（実施例３） 実施例１で用いたローダニン誘導体を有するペンタキス
アゾ化合物６型景部、飽和ポリエステル樹脂（商品名バ
イロン２００　　東洋紡社製）１０重量部、テトラヒド
ロフラン１００重量部をアルミナビーズを用いたボール
ミルで２０時間混合し、得られた分散液を、アルミニウ
ム箔上にドクターブレードを用いて塗布し、１００°Ｃ
で３０分間乾燥し、０．５μｍの電荷発生層を形成した
。この電荷発生層上に４−ジエチルアミノベンズアルデ
ヒド−１，２−ジフェニルヒドラゾン８重量部、ポリカ
ーボネート樹脂（商品名パンライトＬ−１２５０奇人化
成社製）１０重量部をジクロルメタン８０重量部に溶か
した溶液をワイヤーバーで塗布し、１００℃で３０分間
乾燥し、１５μｍの電荷輸送層を形成し積層型感光体を
作成した。

（実施例４） 電子写真感光体の調整において実施例２で用いたローダ
ニン誘導体を有するテトラキスアゾ化合物を用いる以外
、実施例３と同様にして積層型感光体を得た。

（比較例１） 電子写真感光体の調整において実施例１で用いたローダ
ニン誘導体を有するペンタキスアゾ化合物に代えて、メ
タルフリーフタロシアニンを用いた以外実施例１と同様
にして電子写真感光体を得た。

（比較例２） 電子写真感光体の調整において実施例３で用いたローダ
ニン誘導体を有するペンタキスアゾ化合物に代えて、メ
タルフリーフタロシアニンを用いた以外実施例３と同様
にして電子写真感光体を得た。

上記電子写真感光体の帯電特性、感光特性を調べるため
、静電複写紙試験装置（川口電機社製、５Ｐ−４２８型
）を用いて、＋６．ＯｋＶあるいは−６，０ｋＶ、の条
件で５秒間コロナ放電を行うことにより、前記各感光体
を負に帯電させ、この時の表面電位（■゛。）を測定し
た。次いで、半導体レーザーの発信波長である７　８０
　ｎｍの単色光により露光し、上記表面電位ｖ０が１／
２となるまでの時間を求め、半減露光量Ｅｌ／□を算出
した。

各感光体の帯電特性および感光特性の測定結果を表１に
示す。

（以下余白） 表１ 表より明らかなように、実施例１．２．３．４の感光体
は比較例１．２の感光体に比べ高感度であることが判明
した。

〈発明の効果） 以上のように、本発明によれば樹脂中への分散性に優れ
、４００〜９００　ｎｍの波長域に分光感度を有し、特
に近赤外及び赤外の光線に対して感度の優れたテトラお
よびペンタキスアゾ化合物とその製法ならびにそれを用
いた電子写真感光体を堤供することができる。

特許出願人　　　三田工業株式会社

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）下記構造式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 式中、環Ａ＿１及びＡ＿２はアゾ基に対してオルト位に
   ハロゲン原子、アルキル基またはアルコキシ基を置換基
   として有することができｎは０または１を示し、 環Ｂは、ハロゲン原子、アルキル基またはアルコキシ基
   を置換基として有することができ、また環Ｚ＿１を有し
   てもよく、 Ｚ＿１は、ベンゼン環Ｂと結合したベンゼン環、ナフタ
   レン環等の芳香環、インドール環、カルバゾール環また
   はベンゾフラン環等のヘテロ環またはこれらの置換体を
   表し、 Ｘは、下記式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 式中、Ｙ、Ｚは同一または異なってアルキレン基、置換
   または未置換のアリーレン基を示す、 で表されるローダニン誘導体を有するテトラおよびペン
   タキスアゾ化合物。
2. （２）下記構造式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 式中、環Ａ＿１及びＡ＿２はアゾ基に対してオルト位に
   ハロゲン原子、アルキル基またはアルコキシ基を置換基
   として有することができｎは０または１を示し、 環Ｂは、ハロゲン原子、アルキル基またはアルコキシ基
   を置換基として有することができ、また環Ｚ＿１を有し
   てもよく、 Ｚ＿１は、ベンゼン環Ｂと結合したベンゼン環、ナフタ
   レン環等の芳香環、インドール環、カルバゾール環また
   はベンゾフラン環等のヘテロ環またはこれらの置換体を
   示す、 で表されるローダニン誘導体と、下記構造式ＯＨＣ−Ｙ
   −Ｎ＝Ｎ−Ｚ 式中Ｙ、Ｚは同一または異なってアルキレン基、置換ま
   たは未置換のアリーレン基を示す、で表されるアルデヒ
   ド基を有するアゾ化合物とを反応させることを特徴とす
   るテトラおよびペンタキスアゾ化合物の製法。
3. （３）下記構造式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中Ｘ、環Ｂ、Ｚ＿１、環Ａ＿１、環Ａ＿２、ｎは特
   許請求の範囲第１項と同義である）で表されるローダニ
   ン誘導体を有するテトラおよびペンタキスアゾ化合物か
   ら成る電荷発生材料と、電荷輸送材料とを単一の層中に
   存在させたことを特徴とする電子写真感光体。
4. （４）感光層が少なくとも電荷発生層と電荷輸送層との
   積層体から成り、該電荷発生層が下記構造式▲数式、化
   学式、表等があります▼ （式中Ｘ、環Ｂ、Ｚ＿１、環Ａ＿１、環Ａ＿２、ｎは特
   許請求の範囲第１項と同義である）で表されるローダニ
   ン誘導体を有するテトラおよびペンタキスアゾ化合物を
   含有することを特徴とする電子写真感光体。