JPH01318231A - 減圧ｃｖｄ装置 - Google Patents
減圧ｃｖｄ装置Info
- Publication number
- JPH01318231A JPH01318231A JP15141788A JP15141788A JPH01318231A JP H01318231 A JPH01318231 A JP H01318231A JP 15141788 A JP15141788 A JP 15141788A JP 15141788 A JP15141788 A JP 15141788A JP H01318231 A JPH01318231 A JP H01318231A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- end cap
- pressure cvd
- reaction
- rear end
- tube
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は超ＬＳＩ１造プロセスにおいてシリコンウェ
ハの表面に各種反応生成膜を形成するための減圧ＣＶＤ
装置に関する。
ハの表面に各種反応生成膜を形成するための減圧ＣＶＤ
装置に関する。
［従来の技術］
ＣＶＤ装置は超ＬＳＩ製造プロセスにおいて、シリコン
ウェハの表面にポリＳＬ膜、５ｉｎ２膜。
ウェハの表面にポリＳＬ膜、５ｉｎ２膜。
Ｓｉ、Ｎ４膜などの各種の反応生成膜を形成する装置で
、■良好な膜厚均一性、（ル大きなバッチ処理−砥、ω
・良好な段差被覆性の点から減圧ＣＶＤＩ置が広く実用
されている。
、■良好な膜厚均一性、（ル大きなバッチ処理−砥、ω
・良好な段差被覆性の点から減圧ＣＶＤＩ置が広く実用
されている。
減圧ＣＶＤ装置は、第４図に示すように石英からなる反
応管１１反応管１内を加熱するためのヒータ２、フロン
トエンドキャップ３．リアエンドキャップ４、フロント
エンドキャップ３に接続されるガス供給系５、リアエン
ドキャップ４に接続される排気系６から成り、石英ボー
ト７に搭載した多数のウェハ８を反応管１内に収納し１
反応管内を減圧下及び加熱下でガス供給系５よりＳｉＨ
４、ＳｉＨ，ＣＱ２とＮＨ，などの使用ガスを供給し、
ウェハ８表面にＳｉ、Ｎ、、ポリＳｉ、ＴＥ０１等の反
応生成膜を成長させる。
応管１１反応管１内を加熱するためのヒータ２、フロン
トエンドキャップ３．リアエンドキャップ４、フロント
エンドキャップ３に接続されるガス供給系５、リアエン
ドキャップ４に接続される排気系６から成り、石英ボー
ト７に搭載した多数のウェハ８を反応管１内に収納し１
反応管内を減圧下及び加熱下でガス供給系５よりＳｉＨ
４、ＳｉＨ，ＣＱ２とＮＨ，などの使用ガスを供給し、
ウェハ８表面にＳｉ、Ｎ、、ポリＳｉ、ＴＥ０１等の反
応生成膜を成長させる。
［発明が解決しようとする課題］
ところで、このような従来の減圧ＣＶＤ装置においては
、反応生成物及び反応に供された使用ガスの残りが排気
される時に、その一部は排気系６のトラップに捕集され
る前にリアエンドキャップ４及びリアエンドキャップ４
の排気口の壁面に付着、堆積し、この堆積した付着物が
排気口及びそれに接続される排気管の流路を狭くしてし
まうということがあった。このため、従来の減圧ＣＶＤ
装置では経時下で安定した低圧を得ることができなくな
り多数の不良品の発生を招くおそれがあった。
、反応生成物及び反応に供された使用ガスの残りが排気
される時に、その一部は排気系６のトラップに捕集され
る前にリアエンドキャップ４及びリアエンドキャップ４
の排気口の壁面に付着、堆積し、この堆積した付着物が
排気口及びそれに接続される排気管の流路を狭くしてし
まうということがあった。このため、従来の減圧ＣＶＤ
装置では経時下で安定した低圧を得ることができなくな
り多数の不良品の発生を招くおそれがあった。
反応生成物の付着はリアエンド付近での温度降下及び圧
力変動が要因と考えられるが現在のところ対策としては
リアエンドキャップの定期的な洗浄が行われているだけ
である。
力変動が要因と考えられるが現在のところ対策としては
リアエンドキャップの定期的な洗浄が行われているだけ
である。
しかし、リアエンドキャップは一般にステンレス製でサ
イズ重量共に大きなものであるから、これを洗浄するた
めには専用の大きな洗浄装置を要し、ユーザに過大の負
担を強いる結宋になった。
イズ重量共に大きなものであるから、これを洗浄するた
めには専用の大きな洗浄装置を要し、ユーザに過大の負
担を強いる結宋になった。
［課題を解決するための手段］
本発明はこのような従来の問題点を解決するためになさ
れたもので、反応管内に置かれた被処理体を減圧下で加
熱しＣＶＤ反応を行なう減圧ＣｖＤ装置において、反応
管内残留気体を吸引する排気系配管に中空管を内装した
ことを特徴とする。
れたもので、反応管内に置かれた被処理体を減圧下で加
熱しＣＶＤ反応を行なう減圧ＣｖＤ装置において、反応
管内残留気体を吸引する排気系配管に中空管を内装した
ことを特徴とする。
［実施例］
以下、本発明の減圧ＣＶＤ装置の実施例を図面を参照し
て説明する。第１図に示す減圧ＣＶＤ装置において、こ
の実施例は被処理体を収納し且つ加熱部を備えた反応管
と、該反応管の一端に装着されると共に気体供給系が接
続された第１のエンドキャップと、前記反応管の他端に
装着されると共に排気系に接続された第２のエン１−キ
ャップとを備え、前記第２のエンドキャップは前記排気
系との接続部に中空管を内装したことを特徴とする。
て説明する。第１図に示す減圧ＣＶＤ装置において、こ
の実施例は被処理体を収納し且つ加熱部を備えた反応管
と、該反応管の一端に装着されると共に気体供給系が接
続された第１のエンドキャップと、前記反応管の他端に
装着されると共に排気系に接続された第２のエン１−キ
ャップとを備え、前記第２のエンドキャップは前記排気
系との接続部に中空管を内装したことを特徴とする。
反応管１は例えば石英から成る円筒管でその両端１ａ、
１ｂは開口しており、その外周を囲繞して加熱部２が設
けられている。反応管１の一端】ａには第１のエンドキ
ャップであるフロントエンドキャップ３が取り付けられ
る。フロントエンドキャップ３は被処理体であるウェハ
８を出入するためのＭ３１を侵えると共にガス供給系５
に接続されるガス導入「１３２が形成されている。蓋３
１及び反応管１の端部外壁とフロントエンドキャップ３
本体との間には外気を遮断するための○リング等のシー
ル手段９が介挿されている。ガス供給系５は成長すべき
膜に対応したガスを石英反応管１内に流出するもので、
その流量、流出速度等を制御するコントローラ５１を備
える。
１ｂは開口しており、その外周を囲繞して加熱部２が設
けられている。反応管１の一端】ａには第１のエンドキ
ャップであるフロントエンドキャップ３が取り付けられ
る。フロントエンドキャップ３は被処理体であるウェハ
８を出入するためのＭ３１を侵えると共にガス供給系５
に接続されるガス導入「１３２が形成されている。蓋３
１及び反応管１の端部外壁とフロントエンドキャップ３
本体との間には外気を遮断するための○リング等のシー
ル手段９が介挿されている。ガス供給系５は成長すべき
膜に対応したガスを石英反応管１内に流出するもので、
その流量、流出速度等を制御するコントローラ５１を備
える。
反応管１の他端１ｂには第２のエンドキャップであるリ
アエンドキャップ４がフロントキャップ３と同様に０リ
ングを介して取り付けられる。リアエンドキャップ４は
排気系６に接続される接続部４１が一体に形成されてお
り、この接続部４１には中空管１０が内装されている（
第２図）。中空管１０はリアエンドキャップ４及び接続
部４１に保温効果を持たせ、ガス流温度の降下を防ぐと
共に、中空管１０以外のリアエンドキャップ４の接続部
４１に反応生成物が付着するのを防ぐ役目をするもので
ある。材質は使用ガス等と反応せず耐熱性のあるものが
用いられる。このようなものとして例えばステンレス（
Ｊ Ｉ Ｓ規格５ＵＳ−３１６）、石英などが挙げられ
る。
アエンドキャップ４がフロントキャップ３と同様に０リ
ングを介して取り付けられる。リアエンドキャップ４は
排気系６に接続される接続部４１が一体に形成されてお
り、この接続部４１には中空管１０が内装されている（
第２図）。中空管１０はリアエンドキャップ４及び接続
部４１に保温効果を持たせ、ガス流温度の降下を防ぐと
共に、中空管１０以外のリアエンドキャップ４の接続部
４１に反応生成物が付着するのを防ぐ役目をするもので
ある。材質は使用ガス等と反応せず耐熱性のあるものが
用いられる。このようなものとして例えばステンレス（
Ｊ Ｉ Ｓ規格５ＵＳ−３１６）、石英などが挙げられ
る。
中空管１０の長さは、接続部４１の軸方向の長さよりは
長く、接続部４１内壁をカバーし、かつリアエンドキャ
ップ４内に突出する長さとする。
長く、接続部４１内壁をカバーし、かつリアエンドキャ
ップ４内に突出する長さとする。
中空管１０の装着方法は単に接続部４１に嵌合させるだ
けでもよいが、第３図に例示するように中空管１０の端
部にフランジ１０ａを設け、このフランジ１０ａを接続
部４１の開口フランジ４］ａと排気系６の排気管（短管
）６１のフランジ６１ａとの接続部分に係合させる。
けでもよいが、第３図に例示するように中空管１０の端
部にフランジ１０ａを設け、このフランジ１０ａを接続
部４１の開口フランジ４］ａと排気系６の排気管（短管
）６１のフランジ６１ａとの接続部分に係合させる。
この場合、フランジ１０ａの厚さは接続部分に介挿され
るＯリング９よりも小寸とし、接続部分をクイックコネ
クタ１２により固定する。
るＯリング９よりも小寸とし、接続部分をクイックコネ
クタ１２により固定する。
排気系６はメカニカルブースタポンプ６２とロータリポ
ンプ６３との組み合わせより構成され。
ンプ６３との組み合わせより構成され。
その他排気中の反応生成物を捕集するための１−ラップ
６４．エアバルブ６５、真空計等を備えている。更に、
ロータリポンプ６３はオイルフィルタ等を備え、且つ排
気処理装置に接続されている。
６４．エアバルブ６５、真空計等を備えている。更に、
ロータリポンプ６３はオイルフィルタ等を備え、且つ排
気処理装置に接続されている。
［作用］
このように構成される減圧ＣＶＤ装置において、反応管
１から排気系６によって排気されるガスは未反応ガス及
び反応生成物等を含んでいるが、リアエンドキャップ４
の排気系との接続部付近は中空管１０によって保温され
ているため、接続部４１にはほとんど堆積することなく
排気系６に排気されトラップ６に捕集されるか、または
接続部４１に直接接続された短管６１に付着する。
１から排気系６によって排気されるガスは未反応ガス及
び反応生成物等を含んでいるが、リアエンドキャップ４
の排気系との接続部付近は中空管１０によって保温され
ているため、接続部４１にはほとんど堆積することなく
排気系６に排気されトラップ６に捕集されるか、または
接続部４１に直接接続された短管６１に付着する。
また、排気中の反応生成物が温度変化にかかわらす圧力
変動によって生じる場合にはリアエンドキャップ４の接
続部４１付近に付着することになるが、この場合接続部
４１には中空管１ｏが内装されているので中空管ｌＯに
付着する。従って堆積した付着物を除去するためには、
短管６１及び／又は中空管１０のみを定期的に取り外し
て洗浄すればよい。この場合短管６１及び／又は中空管
１０を取り外すだけなので真空系を外すのが容易であり
、また大規模な洗浄槽を用いなくても極めて容易に洗浄
することができる。
変動によって生じる場合にはリアエンドキャップ４の接
続部４１付近に付着することになるが、この場合接続部
４１には中空管１ｏが内装されているので中空管ｌＯに
付着する。従って堆積した付着物を除去するためには、
短管６１及び／又は中空管１０のみを定期的に取り外し
て洗浄すればよい。この場合短管６１及び／又は中空管
１０を取り外すだけなので真空系を外すのが容易であり
、また大規模な洗浄槽を用いなくても極めて容易に洗浄
することができる。
但し、いずれの場合も排気系６のロータリポンプのオイ
ルの定期交換等は従来と同様必要と思オ）れる。
ルの定期交換等は従来と同様必要と思オ）れる。
［発明の効果］
以上の実施例からも明らかなように本発明の減圧ＣＶＤ
装置においては、リアエンドキャップにおける反応生成
物の付着、堆積を防止したので、そのための大規模な洗
浄装置を不要とし、メインテナンスを容易にすることが
できる。また本発明の減圧ＣＶＤ装置においてはメイン
テナンス時は中空管または排気短管を取外すだけでよい
ので真空系の破壊及び構築が容易で５洗浄等も極めて容
易に行うことができる。更に本発明の減圧ＣＶ Ｉ）装
置は従来の装置をそのまま利用して１−記効果を得るこ
とができる。
装置においては、リアエンドキャップにおける反応生成
物の付着、堆積を防止したので、そのための大規模な洗
浄装置を不要とし、メインテナンスを容易にすることが
できる。また本発明の減圧ＣＶＤ装置においてはメイン
テナンス時は中空管または排気短管を取外すだけでよい
ので真空系の破壊及び構築が容易で５洗浄等も極めて容
易に行うことができる。更に本発明の減圧ＣＶ Ｉ）装
置は従来の装置をそのまま利用して１−記効果を得るこ
とができる。
第１図は本発明の減圧ＣＶＤ装置の全体構成図、第２図
は本発明の一実施例の部分斜視１２１．第３図は同実施
例の部分断面図、第４図は従来の減圧ＣＶＤ装置の全体
構成図である。 １・・・・・・・反応管 ２・・・・・・・加熱部 ３・・・・・・・フロントエンドキャップ（第一のエン
ドキャップ） ４・・・・・・・リアエンドキャップ （第二のエンドキャップ） ４１・・・・・接続部 ５・・・・・・・ガス供給系 ６・・・・・・・排気系 代理人 弁理士 守 谷 −雄 第３図 第４図
は本発明の一実施例の部分斜視１２１．第３図は同実施
例の部分断面図、第４図は従来の減圧ＣＶＤ装置の全体
構成図である。 １・・・・・・・反応管 ２・・・・・・・加熱部 ３・・・・・・・フロントエンドキャップ（第一のエン
ドキャップ） ４・・・・・・・リアエンドキャップ （第二のエンドキャップ） ４１・・・・・接続部 ５・・・・・・・ガス供給系 ６・・・・・・・排気系 代理人 弁理士 守 谷 −雄 第３図 第４図
Claims (1)
- 反応管内に置かれた被処理体を減圧下で加熱しＣＶＤ
反応を行なう減圧ＣＶＤ装置において、反応管内残留気
体を吸引する排気系配管に中空管を内装したことを特徴
とする減圧ＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15141788A JPH01318231A (ja) | 1988-06-20 | 1988-06-20 | 減圧ｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15141788A JPH01318231A (ja) | 1988-06-20 | 1988-06-20 | 減圧ｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01318231A true JPH01318231A (ja) | 1989-12-22 |
Family
ID=15518158
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15141788A Pending JPH01318231A (ja) | 1988-06-20 | 1988-06-20 | 減圧ｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01318231A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5422081A (en) * | 1992-11-25 | 1995-06-06 | Tokyo Electron Kabushiki Kaisha | Trap device for vapor phase reaction apparatus |
| US5820641A (en) * | 1996-02-09 | 1998-10-13 | Mks Instruments, Inc. | Fluid cooled trap |
| KR100247630B1 (ko) * | 1996-12-18 | 2000-03-15 | 김영환 | 반도체 제조 공정로의 미립자 제거 시스템 |
| US6197119B1 (en) | 1999-02-18 | 2001-03-06 | Mks Instruments, Inc. | Method and apparatus for controlling polymerized teos build-up in vacuum pump lines |
| US6238514B1 (en) | 1999-02-18 | 2001-05-29 | Mks Instruments, Inc. | Apparatus and method for removing condensable aluminum vapor from aluminum etch effluent |
| US6488745B2 (en) | 2001-03-23 | 2002-12-03 | Mks Instruments, Inc. | Trap apparatus and method for condensable by-products of deposition reactions |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6139937B2 (ja) * | 1976-12-18 | 1986-09-06 | Ciba Geigy | |
| JPS61294826A (ja) * | 1985-06-24 | 1986-12-25 | Toshiba Corp | 減圧ｃｖｄ装置 |
| JPS6247123B2 (ja) * | 1978-06-05 | 1987-10-06 | Toshiba Tungaloy Co Ltd |
-
1988
- 1988-06-20 JP JP15141788A patent/JPH01318231A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6139937B2 (ja) * | 1976-12-18 | 1986-09-06 | Ciba Geigy | |
| JPS6247123B2 (ja) * | 1978-06-05 | 1987-10-06 | Toshiba Tungaloy Co Ltd | |
| JPS61294826A (ja) * | 1985-06-24 | 1986-12-25 | Toshiba Corp | 減圧ｃｖｄ装置 |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5422081A (en) * | 1992-11-25 | 1995-06-06 | Tokyo Electron Kabushiki Kaisha | Trap device for vapor phase reaction apparatus |
| US5820641A (en) * | 1996-02-09 | 1998-10-13 | Mks Instruments, Inc. | Fluid cooled trap |
| KR100247630B1 (ko) * | 1996-12-18 | 2000-03-15 | 김영환 | 반도체 제조 공정로의 미립자 제거 시스템 |
| US6197119B1 (en) | 1999-02-18 | 2001-03-06 | Mks Instruments, Inc. | Method and apparatus for controlling polymerized teos build-up in vacuum pump lines |
| US6238514B1 (en) | 1999-02-18 | 2001-05-29 | Mks Instruments, Inc. | Apparatus and method for removing condensable aluminum vapor from aluminum etch effluent |
| US6361607B2 (en) | 1999-02-18 | 2002-03-26 | Mks Instruments, Inc. | Apparatus for controlling polymerized teos build-up in vacuum pump lines |
| US6790258B2 (en) | 1999-02-18 | 2004-09-14 | Mks Instruments, Inc. | Method for removing condensable aluminum chloride vapor from aluminum etch effluent |
| US6488745B2 (en) | 2001-03-23 | 2002-12-03 | Mks Instruments, Inc. | Trap apparatus and method for condensable by-products of deposition reactions |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6159298A (en) | Thermal processing system | |
| US6253029B1 (en) | Vacuum processing apparatus | |
| US7156923B2 (en) | Silicon nitride film forming method, silicon nitride film forming system and silicon nitride film forming system precleaning method | |
| TW387019B (en) | Film forming apparatus and method | |
| JP2001323374A (ja) | 気相反応物を反応室内へ供給するための方法および装置 | |
| WO1999032686A1 (en) | Gas trap for cvd apparatus | |
| JPH01318231A (ja) | 減圧ｃｖｄ装置 | |
| JP3539446B2 (ja) | 副生成物トラップ装置及びその洗浄方法 | |
| JP2000346238A5 (ja) | 真空用バルブ及び真空処理装置 | |
| JPH0824108B2 (ja) | 半導体製造用チューブ装置 | |
| JP2000045073A (ja) | 排気トラップ及び処理装置 | |
| JP3729578B2 (ja) | 半導体製造方法 | |
| US6254685B1 (en) | Chemical vapor deposition trap with tapered inlet | |
| JPH08176829A (ja) | 薄膜成長方法及び減圧ｃｖｄ装置 | |
| JP3098093B2 (ja) | 化学気相成長装置 | |
| JPH08218174A (ja) | 処理装置 | |
| JPH08195332A (ja) | 半導体製造装置用排気装置 | |
| JP3670360B2 (ja) | 半導体製造方法及び半導体製造装置 | |
| JP3690095B2 (ja) | 成膜方法 | |
| JPH11329978A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPS6348838B2 (ja) | ||
| JPH11233444A (ja) | 半導体製造装置用排気ダクト設備 | |
| JPH0922902A (ja) | フランジ装置及びこれを用いた横型プロセスチューブ装置 | |
| JP2003124127A (ja) | 半導体製造装置及びその排気配管及びメンテナンス方法 | |
| JPH0917732A (ja) | 半導体製造方法および装置 |