JPH01319962A

JPH01319962A - ワークピースの支持装置と半導体ウェハのテスト装置

Info

Publication number: JPH01319962A
Application number: JP1112406A
Authority: JP
Inventors: Francois Galian; フランソワ　ガリアン; Andre Feuillioux; アンドレ　フユーイリオウ
Original assignee: Sagem SA
Current assignee: Sagem SA
Priority date: 1988-05-06
Filing date: 1989-05-02
Publication date: 1989-12-26
Also published as: EP0341156A1; FR2631010A1; FR2631010B1

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［産業上の利用分野］本発明はワークピースを支持し定位置に保持しこれをプ
ラス、マイナスの所定温度に単なる接触を介し加熱する
ための装置に係わる。又、かかる装置を設けた半導体回
路ウェハの試験装置にも係わる。

［従来技術と問題点］半導体回路チップ特に集積回路は多数の同型回路が同時
に形成されている一次つエバの切断により得られる。こ
のチップのきわめて小さな寸法ならびにそれにより発生
する取扱上の困難性から克てこれらチップを切断後１個
１個でなくウェハ自体上の状態で直接テストする方がよ
り有利であると思われている。位置ぎめ装置によりウェ
ハの各チップの確認が可能とされ、テストの結果欠陥品
（規格外れ）と判明したチップ片はウェハ切断後に取除
かれる。

この方法の場合、欠陥チップをその製造時にしかも次の
工程（時にカプセル化構成）前に除くことができるので
有利であり、従って製造上の顕茗な経済性が得られる。

更に、この方法の場合、製作チップ全部の系統的かつ自
動的なチエツクが考えられ、従って実際上加工順の構成
部品だけの購入にｖｌ（”ｉｉを示Ｊユーザにとり大き
な利点がもたらされ、これに反し現在までの所系統的チ
エツクは何等実施されてはおらず、若し前述のチエツク
が望ましい場合には手動操作で行われ選定部品のコスト
のかなりの増加が伴うものである。

黙しながら、現在実施されているような系統的チエツク
作業には使用器具の非能率性による若干の欠点が伴って
いる。

米国特許第４．４９１．１７３号には、上記半導体回路
ウェハを支持するようになった本発明の係わる様式の装
置が示されている。

この既知装置の第１の欠点とする所は装置のプレート上
に半導体ウェハを保持するための装置にある。空気式圧
下装置が好適なものと考えられが＜ｔｍｍ内的装置はウ
ェハが極度に脆弱なので把握及び固定で傷付けられ易い
〉、他方複数個の孔（水切り形）を有する上部プレート
により、テストさるべきウェハの寸法が全部の孔をカバ
ーし閉じるのに十分大きいサイズを要するなどウェハ寸
法に制限が課せられるものであり、実際上この様式の装
置は一種類サイズのウェハに限られている。

実際にはウェハはきわめて異なるサイズシングルからダ
ブル（例えば約７５ｍから１５０ａｍの直径）へと変わ
るサイズに生産されるので、特定のウェハに適合せるプ
レート直径（又は寸法）をそれぞれ有する若干の装置を
用意する必要があり、これは設備費をかなり増加させか
つ使用上のフレキシビリティが低減するものである。

更に、上記米国特許で公知の装置にはプレートを加熱ｔ
ノ集積回路ウェハを所定温度に伝導熱により加熱する加
熱コイルが設けられ、各チップは高温範囲内でテストさ
れる。然しながら、この構成には、低温範囲の探索の可
能性なしに高温範囲への熱偏移が制限され、これに反し
て半導体部品のための作業標準によれば低温（例えば−
５５℃史には一６５℃まで）における使用が規定され、
又チップの欠陥はただ一定の温度範囲内でのみ現われる
事が周知であるという第１の基本的欠陥が伴っている。

この公知構成の第２の基本的欠陥とする所は゛心気加熱
コイルの設置にあり、このコイルの供給電流の放射作用
によりきわめて微小な電流が流れるチップの作動が妨げ
られテストが無効となる点にある。

［発明の目的及び構成］そこで、本発明の目的とする所は、上述の諸欠陥を解決
し、当該技術の要求に対しより良き満足を与える改良型
装置の提供、特にワークピースを接触を介することなく
定位置に保持するための装置にして、異なれるサイズの
ワークピースを受入れ、ワークピースを単にプラスの温
度のみならずマイナス温度にももたらす、ことができる
ようになっており、近傍の装置の作動を妨げないよう構
成され、できるだけ安価につく簡易設計及び構造を有す
る装置と、更に半導体チップの完全にして確実な自動的
テストを可能ならしめる半導体回路ウェハのテスト装置
との提供にある。

これらの目的の達成のため、本発明の第１の特徴とする
所は、ワークピースを支持しこれを定位置に保持し単純
接触を介しプラス又はマイナスの所定温度にもたらすた
めの装置に係わり、ワークピースは圧下効果により定位
置に保持されており、この本発明装置は、良好熱伝導材より製作され上記ワークピースを受けるよ
うになった上面を有するプレートにして、上記上面には
減圧の下でガス供給源に接続するダクトに連通する少な
くとも１本の溝が設けられているプレートと、該プレート中に設４−Ｊられ互いにほぼ平行状の閉塞部
組立体にして、前記所定のプラス又はマイナスの温度に
対する熱ｉ１１節のための流体の流れをそれぞれ貫通し
て有し、熱ｉｓ流体源に接続する流体人口及び出口のダ
クトに連通している閉塞部組立体と、プレートを包囲し乾燥せる圧縮ガスを含有する外周チャ
ンバにして、該外周チャンバは、乾燥せる圧縮空気源と
プレートの外周に配分された出口通路装置とに接続り゛
るためのダクトを有し、該ダクトはプレートのレベルに
開口しプレートの中心に向けて向きを決められ、それに
より乾燥ガスがプレートの表面上方に向けられこのため
低温における凝縮又は結霜の形成が防止される上記外周
チャンバとを包含りることを特徴とづる。

好適には囲い込み体はそれ自体の上が閉ざされ、同心状
でかつ平行状に供給される。この場合、熱調節流体人口
及び出口ダクトは閉塞部のＦ方に延びそれぞれの通路を
通じて閉塞部に連通させることができる。迅速に熱バラ
ンスを得るよう、流体入口及び出口のダクトをこの流体
が２つの相接する閉塞部中で反対方向に流れるように閉
塞部に接続させるのが有利である。閉塞部には又プレー
ト中心からのへだたりの函数として増加する異なった横
断面を設けても良い。

本装置と装置の支持するワークピースとの間における熱
伝導を改善しワークピースを所定温度に迅速かつ均等に
もたらすため、又本装置で支持されたワークピースを外
部装置に電気的に接続せねばならぬ際、更に又装置に接
するワークピースの面の電気的接地を行う際には、プレ
ートを良好な電導材から作りアース接続をするのが好ま
しい。

特に、プレートを固形鋼、銅合金叉はフルミニラムから
作るのが良い。プレートの表面の酸化を防止しワークピ
ースに対する良好な熱及び電気的伝達接触を保つため、
プレートの上面には銀被覆が施される。特に半導体回路
ウェハのチップのテストの場合、チップの全部が同じア
ースを有し、静電気に帰因する問題が除かれる（静電気
による問題はチップを傷つけ又は破損することがある）
点は確実である。

本装置がさまざまなサイズのワークピースを受入れでき
るようするためには、プレートの上面に若干の溝を開成
状又は殆ど閉成した輪郭にそって延びそれぞれ独立に流
体源に接続するように設けるのが好ましい。

少なくとも特定の応用分野に対して、装置の製造は、プ
レートが全体に円形の形状を有し、溝がほぼ同心状に閑
じたり又は殆ど閉じた円形輪郭にそって延びかつ閉塞部
が環状で同心状の場合簡単になる。

若し異なった上述のダクトがプレート中に形成され互い
の近傍に一緒にグループ化されれば、本装置のテスト装
置内への位置ぎめはきわめて簡易化される。

好適実施例の場合、本装置には又プレートを支持するは
ち状のケーシングが設けられ、電気的及び熱的に絶縁性
の材料（例えば絶縁くひざ材及び射出充填材）から作ら
れた支持の位置ぎめ装置がケーシングとプレートとの間
に接触が無いようその中間に挿入され、乾燥せる圧縮ガ
スを配分するための外周チャンバがケーシングにより支
持されている。

更に、本装置には、プレートを覆う環状の中心が凹状の
ふたが設けられ、このふたはプレートの上面の方へ乾燥
ガスを向けるのに役立つような形態をしている。

他の部材に対する本装置の精密な位置ぎめが望ましい場
合（例えばテスト装置のコンタクト保持ヘッド下方にお
ける半導体回路の正しい位置ぎめを得るため）ケーシン
グの下面をプレートの上面の垂直の位置ぎめのための基
準を形成するよう合わせることができる。

最后に、本装置で支持されるワークピース上における湿
気の溜まりならびにワークピースの結霜を防止する目的
で、装置の外周の少なくとも１つの領域に低温又は高温
の流体が流れプレート近くの大気中に含まれる湿気を検
出するセンサーを構成する熱交換器を設けることが望ま
しい。

以、ヒ説明せる装置は多くの分野で利用ができるもので
ある。黙しながら、本発明の第２の特徴によれば、特に
興味のある応用は本装置を備えた半導体回路ウェハのテ
スト装置の構成に向けられる。

好適実施例の場合、テスト装置のコンタクト保持ヘッド
がウェハの各チップと接触しておかれチップと共にテス
ト目的のための適当な電気接触を形成し、このヘッドは
固定され本発明装置が次に中心軸線の周りに枢動できる
よう取付けられ、ウェハの各チップがコンタクト保持ヘ
ッド下方の正確な所定位置にもたらされるよう更に３つ
の互いに直角な運動軸線にそって移動可能でもある。

本発明によるテスト装置は上記装置の適切な作動を可能
ならしめるように適合され、このため特に所定温度にも
たらされた温度調節流体を供給するための装置が設けら
れ、この供給装置には流体の湿度をテスト装置の最小作
動温度に下げる流体冷却ブロックと、流体をあらかじめ
選定可能の温度に加熱するための流体加熱ブロックとが
含まれる。このテスト装置により確実にして有用なテス
トが得られるように、各チップは極端な温度条件下でテ
ストを受けられるこれを可能ならしめることが必要であ
り、テスト温度が一６５℃から＋２１０℃の間で任意に
選定可能であることが望ましい。

更に、本テスト装置には、乾燥ガスをイオン化するため
のブロックを伴うガス乾燥ブロックを含む乾燥ガス供給
ユニットが好適に設けられ、この乾燥ガスは、マイナス
の温度におけるテスト中ウェハ上の凝結及び結霜の生成
を防止するよう半導体回路ウェハ上に吹き付けられるよ
うになっており、この乾燥ガスのイオン化により、測定
を妨げ史にはチップを損傷若しくは破壊しかねない静電
気の生成が阻止される。

又、温度調節流体が霜よけ乾燥ガスと同じガスであり、
ガスが冷却ブロック到着前に乾燥ブロックを流れる点が
有利である。

本発明は単に図解上示せる好適実施例の下記詳ｍ説明よ
り更に明かに理解される。この説明には添付図面が引用
される。

［実施例］以下詳細に述べる木！に置は、半導体材料（シリコン）
から作られかつ複数の集積回路を含有する一次つエバを
支持するためのものであり、これら集積回路は個個の回
路が明所されて得られる前にさまざまな温度条件下にお
ける作動テストを受けるものである（詳しくは更に第５
図について後述Ｊる）。黙しながら、本発明装置はこの
一応用例に限られるものではない点理解さるべきである
。

先ず第１図及び第２図において、参照番＠１に一括指示
せる本発明装置にはきわめて良好な電気的熱的伝導性の
材料より作られた円形プレート２が設けられる。このプ
レートは例えば銅、銅合金叉はアルミニウムより作られ
、固形にして質量体に加工成形されている。プレートは
金属ケース３（例えばアルミニウム又はその合金より作
られる）内で（僅小接触面積の熱及び電気の絶縁材より
作られる図示省略のくさび部材により）支持されている
。ケース３はほぼ林状の回転円筒形をしており、その底
部下方の軸線位置に支持軸４が位置して設けられている
。プレート２はこの軸４と同軸状である。プレート２及
びケース３は接触点が無くその中間の空間には、ポリウ
レタン発泡材又はシリコン発泡材などの熱及び電気的絶
縁材５が注入充填されている。

プレート２は、ケースの下面６とプレートの上面７とが
互いに平行になるような精度でケース内に位置ぎめされ
ている。次に、ケースの下面６はプレート２により支持
されるワークピースの垂直方向位置ぎめに対する基準と
して働くよう合わせられる（例えば第５図の場合など）
。

更にプレート２について述べると、その下面にほぼ直径
方向に延びる下方突出部分２ａが設けられ、この部分に
は後述するように異なった接続ダクトが形成されている
点注記される。これらのダクトはそれぞれの端部におい
て第１図に示す如くケース３の側壁を職通し外面に現わ
れる接続具に接続している。開路上、これらの接続具は
正しく述べるダクトと同じ参照番号で示される。

プレートの上面７には銀が被覆され、銅の酸化が防止さ
れ熱及び電気的伝導が改善される。少なくとも特定の応
用分野に対してプレート２は適当な電気的ポテンシャル
特にアースに電気的に接続される。

プレート２の上面７には若干の同心状かつ円形又はほぼ
円形の溝８が設けられ、これら溝は、半径方向又はほぼ
半径方向の溝部分により垂直溝９に接続され、垂直溝９
は中心よりにおかれプレート２を貫通し互いに近接して
おかれたそれぞれの水平平行ダク１−１０に接続されて
おり、水平ダクト１０は半径方向に延びケース３の側面
に開口している。ダクト１ｏは大気圧以下の圧力で空気
供給源に接続され、プレート２の面７上に片側の平用面
をおいた処理さるべきワークピースが少なくとも中央の
溝８をすっかり覆いこの溝内に発生する低圧のため面７
に圧接されて保持されるよう構成されている。それぞれ
の＠８が伯の溝とは無関係に単独に用いられるようコン
トロールのできる切削の供給ダクト１０に異なれる円形
溝８が接続されている。このように、さまざまなサイズ
を有するワークピースを定位置に位置ぎめしかつこれを
保持することが可能である（例えば７５ｍ＋と１５０１
ＩＩｌとの間の直径をもつ半導体ウェハ）。

プラスだけでなくマイナス範囲にわたる可変温度条件の
下（例えば−６５℃と＋２１０℃）でのテストを実施す
るため、プレート２とワークピースとの間における直接
の熱伝導により処理ワークピースに対し適切な熱交換が
行われる。プレート２の全体にわたり迅速に均等な温度
を得るため、熱ベクトルとして流体流が適切な温度で使
用される（好適なるも必ずしもガスとは限らない）。こ
のためには、ガス流を循環状態に設定し同時にプレート
２を形成する材料と直接接触するよう保つことが必要で
ある。このため、プレート２は次のように適合されてい
る。

所定のマイナス又はプラスの温度において流体源に接続
できる２本のダクト１１がプレート２の部分２ａ内にそ
の全長にわたり上記ダクト１０の近くにかつそれと平行
に設けられている。更に、プレート２内部のダクト１１
の上方に仕切り１４により画成される若干の同心状環状
の閉塞部１５が形成されている（第３図も参照）。仕切
り１４は中心から外周に白は増加する相互の分離度を有
し、環状の閉塞部１５が熱調節流体の流れにおける圧力
損失を相殺するため増加する断面積を具えている。垂直
通路１２がダクト１１及び環状閉塞部１５内に設けられ
内部に流体の流れを生成りる。

更に、プレート２を形成する材料の熱バランスをできる
限り良好かつ迅速に均等化するためには、２つの連続環
状の閉塞部１５における流体の流れが反対方向にかつほ
ぼ直径方向反対の点から発生ずることが有利であると立
証されている。このため、第４図に示す如く流体吸引ダ
クト例えば第４図における左側のダクト（矢印１３ａ）
が、その入口にもつとも近い分ともつとも遠い分と交互
に配置された通路１２により相次ぐ環状閉塞部に接続さ
れ、同様に流体吐出ダクト例えば第４図における右側の
ダクト（矢印１３ｂ）がその出口にもつとも近い分とも
つとも遠い分と交互に配置された通路１２により相次ぐ
環状閉塞部に接続される。

従って、それぞれの閉塞部内で吸引ダクト１１からの流
体は注入点とはほぼ直径方向に反対の点で吐出ダクトに
流出する前に閉塞部の２つの曲線状の半長部を流れる２
つの流れに分割される。

プレート２の実際上の１ｉｉＪ造を可能ならしめるため
に、プレートを２つの部分即ち分割壁１４を形成するた
めの同心環状のスカートを設けた上部半休プレート（上
面７を設けた）よりなる上方部分と上述の突出部分２ａ
を有する下部半休プレートよりなる下方部分とより構成
しても良い。その場合、上方部分のスカートの縁部をＦ
方部分の半休プレートの対向面に溶接させて上下の両部
会を一体に接合する。

ケース３の全外周にわたり既述のダクト１０及び１１の
すぐ近くに位置するガス吸入ダクト１７に接続された環
状チャンバ１６が延びている。これら環状チャンバ１６
を画成する半径方向内部壁には複数個の通路１８が円周
上に分布され半径方向内部に向けられて孔明けされ若し
くは連続状内向きの開口１８（図示の如き）が設けられ
、これら通路又は開口１８は僅かに上方にゆきかつほぼ
プレート２の上面７の高さに開口している。更に、この
外面はガスの通過を妨げないよう全外周にわたり而取り
が施されている。

環状チャンバ１６に送られるガスはきわめて乾燥せる圧
縮ガスであり、通路１８を介してプレート２上の処理さ
るべきワークピース上に投射され、マイナスの温度条件
下における凝縮物の形成及びピース自体の結霜を阻止す
る。

史に、中心開口を設けたキャップ１９がケース３上に取
付□けられプレート２を覆い面７上に位置Ｊるワークピ
ースに向は乾燥ガスを下方にそらせる転向具としての役
割を果たす。

更に又、きわめて低温（又は高温の）の領域をすぐ近く
に設けることによりワークピース上の凝縮物除去を改良
することも可能である。このため、ケース２の外壁の円
周部分上に熱交換器２０が設けられ、この熱交換器はき
わめて良好な熱伝導材より作られる管などで形成され、
その中を非常に低い（又は高い）温度で流体が流れ周囲
の大気中から湿気を吸引する。

最後に、プレート２の面７の中心のすぐ下に温度探査針
（図示省略）を設け、この探査針のワイヤは上記ダクト
１ｏの近くこれに平行してプレート２中に形成されたダ
クト２１（第２図及び第４図参照）内におかれる。

第５図には、半導体ウェハ２３内の半導体回路２２をテ
ストするための機械や器具に本発明装置１を利用せる一
例が示されている。装置１は軸４の周りに枢動できるテ
ーブル２４により軸４に支持されており、３つの互いに
直角な方向に直線状に移動ができる。従って、半導体回
路チップ２２のそれぞれはテスト装置のコンタクト２７
を支持づるヘッド２５の軸線２６に合わせて位置ぎめさ
れ、このヘッド２５は支持具２８によりテーブル２４に
しっかりと固定されて支持されている。

チップ２２とヘッド２５のコンタクト２７のきわめて小
さい寸法のため、装＠１のヘッド２５下方に対する位置
ぎめはきわめて正確を要し装置の動きになんら支障をき
たさないようにせねばならぬ。このため、異なれるダク
ト１０，１１．１７及び２１は、装′！１１の動きに対
し少しの抵抗トルクにも従う非常に可撓性の高いパイプ
を介して外部装置に接続される。

低圧溝８に流体を送るダクト１０はそれぞれのコントロ
ール部材２９を介して大気圧以下の圧力で空気を供給す
る真空ポンプ３０に接続される。

更に、用いられる異なれる流体は一般にエアドライヤ３
１で乾燥され次にクーラ３２で機械の最小作動温度（例
えば−６５℃）に冷却された圧縮空気である。この空気
は次に加熱装置３３で、装置１の熱探査針２１からの情
報を受取る手動式又は自動式のコントロール装置３４の
作用の下に所定範囲（例えば−６５℃から＋２１０℃）
内に調節自在の作動温度にまで加熱される。この空気は
必要温度で装置１の入口１１に送られ、出口１１は熱１
ｎ失を低減するようドライヤ３１又は圧力空気源に接続
させるのが望ましい。

ドライヤ３１の出口は又環状チャンバ１６に接続する入
口１７に接続されチャンバに乾燥した圧縮空気を送り込
む。必要な場合だが若し静電気に帰因する問題を除き度
いと更に望む場合、適切に空気をイオン化させる空気イ
オン化装誼３５を入口１７の上手に配置することができ
る。

典型的な例の場合、本発明装置を設けた機械によれば７
５ｇから１５０ｍの直径を有する半導体ウェハを一６５
℃から＋２１０℃の温度にてプラスマイナス１℃の温度
精度でテストすることができ、テスト中の半導体ウェハ
の温度の安定度はプラスマイナス０．５℃で、プレート
の温度の反復可能性はプラスマイナス０．５℃である。

以上の説明より明かな如く、本発明は更に詳しく考えら
れている応用例及び実施例に決して限られることはなく
、むしろすべての変更例を包含するものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の装置を示す簡易斜視図、第２図は第１
図の線Ｉｆ−ＩＩによる直径方向断面図、第３図は第２図装置のプレートの線■−■による断面図
、第４図は第１図及び第２図の装置の本体の上面図、第５図は第１図から第４図による装置を用いた半導体回
路ウェハのテストのための装置を示す概略図である。１・・・支持装置、２・・・プレート、３・・・ケース
、４・・・中心軸、６・・・下面、７・・・上面、８・
・・溝、９．１０・・・ダクト、１１・・・入口及び出
口ダクト、１２・・・垂直通路、１５・・・閉塞部、１
６・・・環状チャンバ、１７・・・ガス取入ダクト、１
８・・・間口、１９・・・キャップ、２０・・・熱交換
器、２１・・・ダクト、２２・・・半導体回路、２３・
・・半導体ウェハ、２４・・・デープル、２２・・・回
路チップ、２５・・・ヘッド、２７・・・コンタクト、
３０・・・真空ポンプ、３１・・・エアドライヤ、３２
・・・クーラ、３３・・・加熱装置、３５・・・空気イ
オン化装置。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）ワークピースを支持し、定位置に保持し、単純接
触により所望のプラス又はマイナスの温度にもたらすた
めの装置（１）にして、ワークピースが圧下効果により
定位置に保持され、該装置は、良好な熱伝導材より作ら
れ前記ワークピースを受けるようになつた上面（７）を
有し、該上面は、減圧下におけるガス源に接続するダク
ト（９、１０）に連通する少なくとも１本の溝（８）を
有するプレート（２）と、該プレート（２）に設けられ互いにほぼ平行な閉塞部組
立体（１５）にして、該閉塞部は前記所望のプラス又は
マイナスの温度への熱調節のためにしてかつ熱調節流体
源に接続する流体入口及び出口のダクト（１１）に連通
する流体の流れをそれぞれを通じて送るようになつてい
る閉塞部組立体（１５）と、プレート（２）を囲み乾燥せる圧縮ガスを含有する外周
チャンバ（１６）にして、乾燥せる圧縮空気源に接続す
るためのダクト（１７）と、プレートの外周に配布され
、プレートのレベルで開口しプレートの中心に向けた方
向におかれた出口通路装置（１８）とを有し、乾燥ガス
がプレートの表面上方にかつプレートで支持されたワー
クピース上に向けられそれにより低温における凝縮及び
結霜の形成を防止する外周チャンバ（１６）とを有する
ことを特徴とするワークピースの支持装置。
（２）閉塞部（１５）がそれぞれ閉ざされ、同心状であ
り、かつ並列式又は同時に供給を受けることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項による装置。
（３）熱調節流体のための入口及び出口ダクト（１１）
がすべての閉塞部（１５）の下方に延びかつそれぞれの
通路（１２）を介し前記閉塞部（１５）に連通すること
を特徴とする特許請求の範囲第２項による装置。
（４）熱調節流体のための入口及び出口ダクト（１１）
が、流体が２つの相接する閉塞部（１５）内で反対方向
に流れるように環状閉塞部（１５）に接続されることを
特徴とする特許請求の範囲第３項による装置。
（５）閉塞部（１５）がプレート（２）の中心からの距
離の函数として増加する異なれる横断面を有することを
特徴とする特許請求の範囲第２項から第４項のいずれか
一つの項による装置。
（６）プレート（２）が良好な電気伝導材より作られか
つアース接続されていることを特徴とする特許請求の範
囲第１項から第５項のいずれか一つの項による装置。
（７）プレート（２）が固形であり、銅、銅合金叉はア
ルミニウムより作られることを特徴とする特許請求の範
囲第６項による装置。
（８）プレート（２）の上面（７）に銀被覆が設けられ
ることを特徴とする特許請求の範囲第６項又は第７項に
よる装置。
（９）プレート（２）の上面（７）には、閉ざされ若し
くは殆ど閉ざされた輪郭にそつてそれぞれ延びかつ互い
に独立的に流体源に接続する若干の溝（８）が設けられ
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項から第８項の
いずれか一つの項による装置。
（１０）プレート（２）が全体に円形の形状を具え、溝
（８）がほぼ同心状の閉ざされ若しくは殆ど閉ざされた
円形の輪郭にそつて延び、閉塞部（１５）が環状かつ同
心状であることを特徴とする特許請求の範囲第１項から
第９項のいずれか一つの項による装置。
（１１）異なれる上記ダクト（１０、１１、１７）がプ
レート（２）内に形成され、互いの近くに一緒に集めら
れることを特徴とする特許請求の範囲第１項から第１０
項のいずれか一つの項による装置。
（１２）プレート（２）を支持するはち形態のケース（
３）を有し、熱及び電気的絶縁材より作られる支持及び
位置ぎめ装置がケースとプレートとの間に接触が形成さ
れないよう中間に挿入され、外周チャンバ（１６）がケ
ース（３）により支持されることを特徴とする特許請求
の範囲第１項から第１１項のいずれか一つの項による装
置。
（１３）環状の中央がくぼみのふたを有し、該ふたはプ
レートを覆い、かつプレート（２）の上面（７）の方へ
乾燥せる圧縮ガスを向けるのに役立つよう形状が付けら
れることを特徴とする特許請求の範囲１項から第１２項
のいずれか一つの項による装置。
（１４）ケース（３）の下面（６）がプレート（２）の
上面（７）の垂直位置ぎめのための基準を形成するよう
正しく調整されることを特徴とする特許請求の範囲１２
項又は第１３項による装置。
（１５）外周の少なくとも１つの区域に、高温又は低温
の流体が流れかつプレート（２）の近くの空気中に含ま
れる湿気を検出するためのセンサを構成する熱交換器（
２０）を有する特許請求の範囲第１項より第１４項のい
ずれか一つの項による装置。
（１６）半導体回路ウェハをテストするための装置又は
機械にして、特許請求の範囲第１項から第１５項のいず
れか一つの項による装置（１）を有するテスト装置。
（１７）装置（１）が中心軸（４）の周りに枢動できる
よう取付けられ、ウェハ（２３）のそれぞれの半導体回
路（２２）が固定コンタクトヘッド（２５）の下方に導
かれるよう３本の互いに直交する運動軸線にそつて移動
ができることを特徴とする特許請求の範囲１６項による
テスト装置。
（１８）所望の温度にされた温度調節流体を供給するた
めのユニットを有し、該ユニットは流体温度を装置の最
小作動湿度に下げる流体冷却ブロック（３２）と、流体
をあらかじめ選定のできる温度にまで加熱するための流
体加熱ブロック（３３）とを有することを特徴とする特
許請求の範囲第１６項又は第１７項による装置。
（１９）温度が−６５℃と＋２１０℃との間で選択可能
なことを特徴とする特許請求の範囲第１８項による装置
。
（２０）ガス乾燥ブロック（３１）を含む乾燥ガス供給
ユニットを更に有することを特徴とする特許請求の範囲
第１６項から第１９項のいずれか一つの項による装置。
（２１）乾燥ガスをイオン化するためブロック（３５）
が乾燥ブロックの下手に設けられることを特徴とする特
許請求の範囲第２０項による装置。
（２２）湿度調節流体が乾燥せる解凍ガスと同じガスで
あり、ガスが冷却ブロックに達する前に乾燥ブロック（
３１）に流れることを特徴とする特許請求の範囲１８項
から第２０項のいずれか一つの項による装置。