JPH01320618A - 磁気記録媒体及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は高密度記録に適する垂直磁気記録用の磁気記録
媒体及びその製造方法に関する。

従来の技術 垂直磁気記録方式は面内磁化記録方式による高密度化の
限界を越えることの出来る磁気記録技術としてその将来
性が注目されている（電子通信学会磁気記録研究会資料
−ｍＲｓｓ−１６）。

このような高密度記録の実現には、基板上に配した強磁
性金属薄膜が、膜面に垂直方向に残留磁化を反平行に配
列できる磁化膜、いわゆる垂直磁化膜を必要とし、現状
では、０．２〜０．５μｍ程度でＯｒを１５〜２３ｗｔ
％含有したｃｏ　−Ｇｊｒ　スパッタ膜が性能的に最も
優れていて、実用化の為に高速化の提案がなされている
（第４回日本応用磁気学会６０人−４．特公昭６２−６
６５７５号公報）。

発明が解決しようとする課題 しかしながら、従来得られるスパッタリング法によるＧ
ｏ−Ｏｒ垂直磁化膜は、膜形成速度が小さいこと以外に
も課題があり、とりわけ、磁気ヘッドとの接触高速摺動
条件下での耐久性は、重要な課題であり、ディスク状、
テープ状の形態を問わず、摩耗粉が発生し、電磁変換系
に於て、テープ。

ディスク、ヘッドのいずれか一方又は両方にダメージが
生じ、優れた高密度記録特性を継続できないといった課
題があり改善が望まれていた。

本発明は上記した事情に鑑みなされたもので、性能の優
れたスパッタリング法による垂直磁化膜の耐久性を改良
するものである。

課題を解決するだめの手段 上記した課題を解決するため本発明の磁気記録媒体は、
くぼみを有する高分子フィルム上に異常突起が０．０４
ケ／（μｍ）２以下の垂直磁化膜を磁気記録層としたも
ので、このような磁気記録媒体の製造方法は、くぼみを
有する高分子フィルムを巻取りながら３ＱＯ（ＶＳｅＣ
）以上の高速スパッタリング法で垂直磁化膜を形成する
ようにしたものである。

作用 本発明の磁気記録媒体は、高速化をはかったスパッタリ
ング法によって形成される結晶の異常成長で生じる突起
が、確率的に高分子フィルムのくぼみに生じることで実
質、突起として作用しなくなり、耐久性が改善されるこ
とになる。

実施例 以下、図面を参照しながら本発明の磁気記録媒体及びそ
の製造方法の一実施例について説明する。

第１図は、本発明の製造方法を実施するのに用いた磁気
記録媒体の製造装置の要部構成図である。

第１図で１はポリエステルフィルム等の高分子フィルム
で、２はポリエステルフィルム等の高分子フィルムにく
ぼみを形成するだめの形状転写ローラーで、３は冷却キ
ャンで４は巻出し軸、６は巻取り軸、６は加圧ローラー
で、７，８はマグネトロンカソード、９はガス導入ボー
ト、１ｏは可変ンークバルブで、１１はフリーローラ、
１２は真空容器、１３は真空排気系である。

第２図は、本発明の磁気記録媒体の一実施例を示す拡大
断面図で、１４はポリエチレンテレフタレート、ポリエ
ーテルエーテルケトン、ポリフェニレンサルファイド等
の高分子フィルムで１５はくぼみである。１６のくぼみ
は、深さは０．０５μｍから０．１μｍあれば十分で、
径は表面で０，０６μｍから０．４μｍ程度がよく、密
度は０．０１〜５ケ／（μｍ）２が好ましい。１６は強
磁性金属薄膜で垂直磁化可能なＧｏ−Ｏｒ、Ｇｏ−Ｔｉ
、　Ｇｏ−Ｗ、　Ｇｏ−Ｍｏ、　Ｇｏ−Ｃｒ−Ｎｂ等の
垂直磁化膜で、異常突起が０．０４ケ／（μｍ）以下が
好ましい。この膜は、３０ｏ（入／５ｅｃ）以上の高速
スパッタリング法にて形成したもので、膜厚は０．０５
μｍから０．３μｍが好ましく、くぼみの部分に異常成
長が集中することで、実質的な異常突起として作用しな
くなるよう構成されたものである。１７は保護層で、プ
ラズマ重合膜や酸化膜、窒化膜、アモルファスカーボン
膜、等の保護膜に、脂肪酸、脂肪酸アミド、フッ素オイ
ル等の潤滑剤を組み合わせスペーシング損失を考慮して
、厚みは２００八以下で構成するのが好ましい。本発明
は、磁気テープに限らず、磁気ディスクに於ても実施で
きるものである。

以下、更に具体的に本発明の実施例について比較例との
対比で説明する。

第１図の装置で、形状転写ローラー、冷却キャンの直径
は共にｓｏｃｍとし、形状転写ローラーの表面に直径０
．１　μｍのＺｒＯ２微粒子を２ケ／（μｍ）２塗布し
たものを用いた。

実施例は、厚み１０μｍのポリエチレンテレフタレート
フィルム（平均表面粗さ２６人）を用い、形状転写ロー
ラー２を７０℃に昇温しで、その面に沿わせブチルゴム
で２ｋｇｈｆの圧力をかけてニップし表面にくぼみを形
成した後、Ｇｏ−Ｏｒ（Ｃｏニア９、ｅＷｔ係）をター
ゲットを２ケ用いて１３．５６（Ｍ七）。

４．２（ＫＷ）、Ａｒ、４Ｘ１０　　（Ｔｏｒｒ’）ｏ
条件テスバソタリングを行った。スパッタリングの速度
は４１０（入／ＳθＣ）で行った。同筒キャンは＋２０
℃で、静電引力でキャン表面とのフィルムａ面の密着を
よくして熱負けの起らないようにした。また高速にする
ため高周波パワーの投入を増大させた。

この条件でＧｏ−Ｏｒ垂直磁化膜を０．１５μｍ形成し
、その上にヘキサメチルシクロトリシラザンをモノマー
ガスとしてプラズマ重合法で１０ｏ人、更にその上にパ
ーフルオロステアリン酸を真空蒸着法で５０人酸し、８
ミリ幅の磁気テープにした。

一方比較例は、形状転写ローラーを通さずに、冷却キャ
ンのみに沿わせ、他は実施例と同じ条件で８εり幅の磁
気テープを得た。

両者を改造した８ミリビデオにより、ギャップ長ｏ、１
８μｍのアモルファスヘッドにより、ビット長０．２５
μｍトラックピッチ５μｍのディジタル信号を記録して
、再生出力の比較を行った。初期値は実施例、比較例共
に差がみられなかったが、４０℃１５％ＲＨでくり返し
再生を行った結果、実施例は５ｏ回後でも初期値に対し
、−〇、５〜−０．８（ｄＢ）の範囲内にテストした任
意の１０巻共入っていたが、比較例は、初期値に対し、
１０巻の平均値が２５回後で−３，９（ｄＢ）で−２，
１〜　　・−ｇ、ａ（ｄＢ）とバラツキの範囲が大きか
った。テープの表面を調査した結果、実施例の異常突起
はｏ、０２ケ／（μｍ）　で、比較例は、０．９ケ／（
μｍ）の異常突起がみられた。

他の実施例を含め、実験結果をまとめたのが第３図で、
トラックピッチ７μｍ以下で高密度記録は行われるとし
た場合は、異常突起が０．０４ケ／（μｍ　）２以下で
管理されれば耐久性の確保ができることを物語っている
。第３図は、Ｃｏ−０ｒの他にＧｏ−Ｍｏ。

Ｇｏ　−Ｃｒ−Ｎｂ　、　　（ぼみの密度、ｏ、０１〜
６ケ／（μｍ）２径０．０６〜０．４μｍ深さ、０．０
５〜０．１μｍの条件で製造したものを中心に集めた結
果の集計である０ 発明の効果 以上の説明から明らかなように、高速化をはかったスパ
ッタリング法で形成される結晶の異常成長で生じる突起
が確率的に高分子フィルムのくぼみに生じることで実質
、突起として作用しなくなり、耐久性が改善されるもの
である。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の製造方法を実施するのに用いた磁気記
録媒体の製造装置を示す要部断面図、第２図は本発明の
磁気記録媒体の一実施例を示す拡大断面図、第３図は本
発明に関する異常突起密度と出力との関係を示す特性図
である。 １．１４・・・・・・高分子フィルム、２・・・・・・
円筒キャンム、３・・・・・・円筒キャンＢ、６・・・
・・・ターゲノトム、７・・・・・・ターゲットＢ−１
、ｓ・・・・・・ターゲットＢ−２，１５・・・・・・
くぼみ部、１６・・・・・・垂直磁化膜。 代理人の氏名　弁理士　中　尾　敏　男　ほか１名／−
−−島皐σフィルム δ−ダーゲ−ｙ）β−２ 第１図 １４−−一昌赤子フイシム ノ！；−−＜＋２みｇ 第３図 θＤ／　　　０．７　　１．０

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）くぼみを有する高分子フィルム上に、異常突起が
   ０．０４ケ／（μｍ）＾２以下の垂直磁化膜を配したこ
   とを特徴とする磁気記録媒体。
2. （２）くぼみを有する高分子フィルムを巻取りながら、
   ３００（Å／ｓｅｃ）以上の高速スパッタリング法で垂
   直磁化膜を形成することを特徴とする磁気記録媒体の製
   造方法。