JPH01321602A - 膜抵抗体のトリミング方法 - Google Patents
膜抵抗体のトリミング方法Info
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- JPH01321602A JPH01321602A JP63154057A JP15405788A JPH01321602A JP H01321602 A JPH01321602 A JP H01321602A JP 63154057 A JP63154057 A JP 63154057A JP 15405788 A JP15405788 A JP 15405788A JP H01321602 A JPH01321602 A JP H01321602A
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- resistive film
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- 238000009966 trimming Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 10
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 25
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 7
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 235000014443 Pyrus communis Nutrition 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910001925 ruthenium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N ruthenium(iv) oxide Chemical compound O=[Ru]=O WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、絶縁基板上の互いに対向する一対の電極導体
間に設けられた膜抵抗体のトリミング方法に関する。
間に設けられた膜抵抗体のトリミング方法に関する。
（従来の、技術）
従来の膜抵抗体は、第３図に示すように、絶縁基板（図
示していない）上に一対の電極導体２１゜２２を対向し
て設け、この一対の電極導体２１゜２２間に膜抵抗体２
３を設けて構成したものである。このような膜抵抗体２
３は、チップ状の絶縁基板上に形成してチップ抵抗器を
構成したり、種々の電子部品を搭載する絶縁基板上に形
成して混成集積回路を構成したりする。そして、通常は
、このような膜抵抗体に対して、所望の抵抗値を得るた
めに、第４図に示すようなダブルカットトリミング、第
５図に示すようなトリプルカットトリミング、第６図に
示すようなしカットトリミング等のトリミングが行われ
る。
示していない）上に一対の電極導体２１゜２２を対向し
て設け、この一対の電極導体２１゜２２間に膜抵抗体２
３を設けて構成したものである。このような膜抵抗体２
３は、チップ状の絶縁基板上に形成してチップ抵抗器を
構成したり、種々の電子部品を搭載する絶縁基板上に形
成して混成集積回路を構成したりする。そして、通常は
、このような膜抵抗体に対して、所望の抵抗値を得るた
めに、第４図に示すようなダブルカットトリミング、第
５図に示すようなトリプルカットトリミング、第６図に
示すようなしカットトリミング等のトリミングが行われ
る。
（発明が解決しようとする課題）
ところが、上記のような従来例のトリミング方法では膜
抵抗体のどの領域においても単位面積当たりの抵抗値が
ほぼ均一であるため、トリミング量に対する抵抗値の変
化量も常に同一となり、高精度のトリミングを行うには
不可避的な限界があるという問題がある。また、トリミ
ングの終端部分においてマイクロクラックが発生し易く
、使用中にそのマイクロクラックが発達して抵抗値変化
が生じるという問題もある。
抵抗体のどの領域においても単位面積当たりの抵抗値が
ほぼ均一であるため、トリミング量に対する抵抗値の変
化量も常に同一となり、高精度のトリミングを行うには
不可避的な限界があるという問題がある。また、トリミ
ングの終端部分においてマイクロクラックが発生し易く
、使用中にそのマイクロクラックが発達して抵抗値変化
が生じるという問題もある。
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであって、
より高精度のトリミングを可能とし、それにより高精度
の抵抗値を得ることができ、抵抗値の経年変化も余り生
じることのない膜抵抗体のトリミング方法を提供するこ
とを目的としている。
より高精度のトリミングを可能とし、それにより高精度
の抵抗値を得ることができ、抵抗値の経年変化も余り生
じることのない膜抵抗体のトリミング方法を提供するこ
とを目的としている。
（課題を解決するための手段）
このような目的を達成するために、本発明は絶縁基板上
の互いに対向する一対の電極導体間に設けられた膜抵抗
体を、その一対の電極導体間にまたがる複数条の線状の
第１の抵抗膜と、これらの複数条の第１の抵抗膜を横断
してこれらを互いに並列接続する複数条の線状の第２の
抵抗膜とからなる格子状に形成し、始めにこの格子状の
膜抵抗体の第１の抵抗膜の所定箇所を切断し、次いでそ
の第２の抵抗膜の所定箇所を切断することを特徴として
いる。
の互いに対向する一対の電極導体間に設けられた膜抵抗
体を、その一対の電極導体間にまたがる複数条の線状の
第１の抵抗膜と、これらの複数条の第１の抵抗膜を横断
してこれらを互いに並列接続する複数条の線状の第２の
抵抗膜とからなる格子状に形成し、始めにこの格子状の
膜抵抗体の第１の抵抗膜の所定箇所を切断し、次いでそ
の第２の抵抗膜の所定箇所を切断することを特徴として
いる。
（作用）
この構成によれば、膜抵抗体を格子状に形成しているた
め、一対の電極導体間にまたがって設けられた複数条の
第！の抵抗膜を横断している第２の抵抗膜を所定箇所で
切断しても、第１の抵抗膜はどこかで必ず並列に接続さ
れた状態となっているため、一対の電極導体間の抵抗値
変化はさほど大きくはない。ところが、一対の電極導体
間にまたがる第１の抵抗膜を所定箇所で切断すると、−
対の電極導体間に流れる電流経路はそこで部分的に遮断
され、第１の抵抗膜を横断している第２の抵抗膜を迂回
して電流が流れることになる。そのため、電流経路が長
くなって一対の電極導体間の抵抗値変化は、第２の抵抗
膜の切断によるものよりも大きくなる。したがって、始
めに格子状に形成した膜抵抗体の第１の抵抗膜を所定位
置で切断することにより抵抗値の粗調整ができ、次いで
第２の抵抗膜を所定位置で切断することにより抵抗値の
微調整ができることになり、より高精度のトリミングが
可能となる。また、線状の抵抗膜を切断してトリミング
するものであるため、膜抵抗体にマイクロクラックが形
成されることがない。
め、一対の電極導体間にまたがって設けられた複数条の
第！の抵抗膜を横断している第２の抵抗膜を所定箇所で
切断しても、第１の抵抗膜はどこかで必ず並列に接続さ
れた状態となっているため、一対の電極導体間の抵抗値
変化はさほど大きくはない。ところが、一対の電極導体
間にまたがる第１の抵抗膜を所定箇所で切断すると、−
対の電極導体間に流れる電流経路はそこで部分的に遮断
され、第１の抵抗膜を横断している第２の抵抗膜を迂回
して電流が流れることになる。そのため、電流経路が長
くなって一対の電極導体間の抵抗値変化は、第２の抵抗
膜の切断によるものよりも大きくなる。したがって、始
めに格子状に形成した膜抵抗体の第１の抵抗膜を所定位
置で切断することにより抵抗値の粗調整ができ、次いで
第２の抵抗膜を所定位置で切断することにより抵抗値の
微調整ができることになり、より高精度のトリミングが
可能となる。また、線状の抵抗膜を切断してトリミング
するものであるため、膜抵抗体にマイクロクラックが形
成されることがない。
（実施例）
以下、本発明の実施例を図面を参照して詳細に説明する
。第１図は本発明の実施例に係る膜抵抗体の平面図であ
り、図示していないアルミナ等の絶縁基板上に、互いに
対向して一対の電極導体ｌ。
。第１図は本発明の実施例に係る膜抵抗体の平面図であ
り、図示していないアルミナ等の絶縁基板上に、互いに
対向して一対の電極導体ｌ。
２が設けられている。これらの電極導体１．２は、例え
ばＡｇ−Ｐｄペーストを印刷したのちに焼き付けて形成
したものである。この一対の電極導体１．２間には、格
子状の膜抵抗体３が設けられている。この格子状の膜抵
抗体３は、一対の電極導体１．２間にまたがる複数条の
線状の第１の抵抗膜４．５．６．７．８．９とこれらの
複数条の第１の抵抗膜４，５，６，７，８．９を横切っ
てそれらを互いに並列接続する複数条の線状の第２の抵
抗膜１０．１１，１２，１３，１４．１５とから形成さ
れており、例えば酸化ルテニウム等のサーメット抵抗ペ
ーストを印刷したのちに焼き付けて形成したものである
。これらの第１の抵抗膜と第２の抵抗膜とは、１回の印
刷で形成しても２回の印刷により別々に形成してもよい
。このように格子状に形成された膜抵抗体３をトリミン
グするには、まず、始めに一対の電極導体１．２間にま
たがる第１の抵抗膜４．５．６．７．８．９をその所定
箇所、例えば第２図で示すような第１の抵抗膜４，５．
６の第２の抵抗膜１１と１２との間で切断し、所望の抵
抗値に近付ける。次いで、第１の抵抗膜４．５．６ 。
ばＡｇ−Ｐｄペーストを印刷したのちに焼き付けて形成
したものである。この一対の電極導体１．２間には、格
子状の膜抵抗体３が設けられている。この格子状の膜抵
抗体３は、一対の電極導体１．２間にまたがる複数条の
線状の第１の抵抗膜４．５．６．７．８．９とこれらの
複数条の第１の抵抗膜４，５，６，７，８．９を横切っ
てそれらを互いに並列接続する複数条の線状の第２の抵
抗膜１０．１１，１２，１３，１４．１５とから形成さ
れており、例えば酸化ルテニウム等のサーメット抵抗ペ
ーストを印刷したのちに焼き付けて形成したものである
。これらの第１の抵抗膜と第２の抵抗膜とは、１回の印
刷で形成しても２回の印刷により別々に形成してもよい
。このように格子状に形成された膜抵抗体３をトリミン
グするには、まず、始めに一対の電極導体１．２間にま
たがる第１の抵抗膜４．５．６．７．８．９をその所定
箇所、例えば第２図で示すような第１の抵抗膜４，５．
６の第２の抵抗膜１１と１２との間で切断し、所望の抵
抗値に近付ける。次いで、第１の抵抗膜４．５．６ 。
７．８．９を横断する第２の抵抗膜１０，１１．１２゜
１３．１４．１５をその所定箇所、例えば、第２図で示
すような第２の抵抗膜１２，１３．１４の第１の抵抗膜
６と７との間で切断し、所望の抵抗値を得る。つまり、
第１の抵抗膜をその所定箇所で切断することにより、そ
の第１の抵抗膜における電流経路が部分的に遮断され、
第２の抵抗膜を迂回して電流が流れるようになることか
ら電流経路が長くなって一対の電極導体１．２間の抵抗
値が大きくなる。そのため、できる限り所望の抵抗値に
近付づくように、順次第１の抵抗膜を遮断することによ
り抵抗値の粗調整を行うことができる。また、第２の抵
抗膜をその所定箇所で切断することにより、電極導体１
．２間の抵抗値は大きくなるが、第１の抵抗膜は電極導
体１．２部分を含んで必ずどこかで並列接続されている
ため、その抵抗値変化は第１の抵抗膜を切断したときよ
りも小さいものとなる。そのため、できる限り所望の抵
抗値に近付づくように、順次節２の抵抗膜を遮断するこ
とにより抵抗値の微調整を行うことができる。
１３．１４．１５をその所定箇所、例えば、第２図で示
すような第２の抵抗膜１２，１３．１４の第１の抵抗膜
６と７との間で切断し、所望の抵抗値を得る。つまり、
第１の抵抗膜をその所定箇所で切断することにより、そ
の第１の抵抗膜における電流経路が部分的に遮断され、
第２の抵抗膜を迂回して電流が流れるようになることか
ら電流経路が長くなって一対の電極導体１．２間の抵抗
値が大きくなる。そのため、できる限り所望の抵抗値に
近付づくように、順次第１の抵抗膜を遮断することによ
り抵抗値の粗調整を行うことができる。また、第２の抵
抗膜をその所定箇所で切断することにより、電極導体１
．２間の抵抗値は大きくなるが、第１の抵抗膜は電極導
体１．２部分を含んで必ずどこかで並列接続されている
ため、その抵抗値変化は第１の抵抗膜を切断したときよ
りも小さいものとなる。そのため、できる限り所望の抵
抗値に近付づくように、順次節２の抵抗膜を遮断するこ
とにより抵抗値の微調整を行うことができる。
なお、上記の一対の電極導体１．２間をまたがる第１の
抵抗膜４．５．６．７．８．９よりも、これらを横断す
る第２の抵抗膜！ ０，１１，１２，１３゜１４．１５
に単位面積当たりの抵抗値の高い抵抗材料を用いるよう
にすると、第１の抵抗膜を切断したときの抵抗値変化幅
は大きくなるが、第２の抵抗膜を切断したときの抵抗値
変化幅が小さくなって、より細かな微調整が可能となる
。この場合は、第１の抵抗膜と第２の抵抗膜とは、それ
ぞれ別々に形成する必要があることはいうまでもない。
抵抗膜４．５．６．７．８．９よりも、これらを横断す
る第２の抵抗膜！ ０，１１，１２，１３゜１４．１５
に単位面積当たりの抵抗値の高い抵抗材料を用いるよう
にすると、第１の抵抗膜を切断したときの抵抗値変化幅
は大きくなるが、第２の抵抗膜を切断したときの抵抗値
変化幅が小さくなって、より細かな微調整が可能となる
。この場合は、第１の抵抗膜と第２の抵抗膜とは、それ
ぞれ別々に形成する必要があることはいうまでもない。
また、第１の抵抗膜４．５．６．７．８．９の内、例え
ば４および５よりも、６．７．８および９に単位面積当
たりの抵抗値の高い抵抗材料を用いるようにするととも
に、第２の抵抗膜！０，１１，１２゜１３．１４．１５
の内、例えば１０．１１およびＩ２に、１３，１４．お
よび１５よりも単位面積当たりの抵抗値の高い抵抗材料
を用いるようにし、かつ、第２の抵抗膜のいずれもに第
１の抵抗膜のいずれよりも抵抗値の高い抵抗材料を用い
るような構成としてもよい。こうした場合でも、第１の
抵抗膜を先にトリミングし、第２の抵抗膜を後でトリミ
ングすることに変わりはないが第１の抵抗膜の中でも抵
抗値の低い抵抗膜を先にトリミングし、抵抗値の高い抵
抗膜を後でトリミングするようにすれば、抵抗値の粗調
整が容易となる。また、第２の抵抗膜の中でも抵抗値の
低い抵抗膜を先にトリミングし、抵抗値の高い抵抗膜を
後でトリミングするようにすれば、抵抗値の微調整がよ
り容易となる。
ば４および５よりも、６．７．８および９に単位面積当
たりの抵抗値の高い抵抗材料を用いるようにするととも
に、第２の抵抗膜！０，１１，１２゜１３．１４．１５
の内、例えば１０．１１およびＩ２に、１３，１４．お
よび１５よりも単位面積当たりの抵抗値の高い抵抗材料
を用いるようにし、かつ、第２の抵抗膜のいずれもに第
１の抵抗膜のいずれよりも抵抗値の高い抵抗材料を用い
るような構成としてもよい。こうした場合でも、第１の
抵抗膜を先にトリミングし、第２の抵抗膜を後でトリミ
ングすることに変わりはないが第１の抵抗膜の中でも抵
抗値の低い抵抗膜を先にトリミングし、抵抗値の高い抵
抗膜を後でトリミングするようにすれば、抵抗値の粗調
整が容易となる。また、第２の抵抗膜の中でも抵抗値の
低い抵抗膜を先にトリミングし、抵抗値の高い抵抗膜を
後でトリミングするようにすれば、抵抗値の微調整がよ
り容易となる。
（効果）
以上説明したことから明らかなように本発明によれば、
膜抵抗体を一対の電極導体間にまたがる第１の抵抗膜と
、第１の抵抗膜を横切る第２の抵抗膜とからなる格子状
に形成し、始めに第１の抵抗膜を切断し、次いで第２の
抵抗膜を切断してトリミングするようにしたので、高精
度のトリミングが可能となって高精度の抵抗値が得られ
、さらにはトリミング時のマイクロクラックの発生も阻
止できて抵抗値の経年変化も小さくなるという優れた効
果を奏する。
膜抵抗体を一対の電極導体間にまたがる第１の抵抗膜と
、第１の抵抗膜を横切る第２の抵抗膜とからなる格子状
に形成し、始めに第１の抵抗膜を切断し、次いで第２の
抵抗膜を切断してトリミングするようにしたので、高精
度のトリミングが可能となって高精度の抵抗値が得られ
、さらにはトリミング時のマイクロクラックの発生も阻
止できて抵抗値の経年変化も小さくなるという優れた効
果を奏する。
第１図および第２図は本発明のトリミング方法を説明す
るための膜抵抗体の平面図、第３図ないし第６図は従来
例のトリミング方法を説明するための膜抵抗体の平面図
である。 １．２・・・電極導体、３・・・膜抵抗体、４，５，６
，７゜８．９・・・第１の抵抗膜、１０，１１．＋ ２
．１３，１４．１５・・・第２の抵抗膜。
るための膜抵抗体の平面図、第３図ないし第６図は従来
例のトリミング方法を説明するための膜抵抗体の平面図
である。 １．２・・・電極導体、３・・・膜抵抗体、４，５，６
，７゜８．９・・・第１の抵抗膜、１０，１１．＋ ２
．１３，１４．１５・・・第２の抵抗膜。
Claims (1)
- （１）絶縁基板上の互いに対向する一対の電極導体間に
設けられた膜抵抗体を、その一対の電極導体間にまたが
る複数条の線状の第１の抵抗膜と、これらの複数条の第
１の抵抗膜を横断してこれらを互いに並列接続する複数
条の線状の第２の抵抗膜とからなる格子状に形成し、始
めにこの格子状の膜抵抗体の第１の抵抗膜の所定箇所を
切断し、次いでその第２の抵抗膜の所定箇所を切断する
ことを特徴とする膜抵抗体のトリミング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63154057A JPH01321602A (ja) | 1988-06-22 | 1988-06-22 | 膜抵抗体のトリミング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63154057A JPH01321602A (ja) | 1988-06-22 | 1988-06-22 | 膜抵抗体のトリミング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01321602A true JPH01321602A (ja) | 1989-12-27 |
Family
ID=15575968
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63154057A Pending JPH01321602A (ja) | 1988-06-22 | 1988-06-22 | 膜抵抗体のトリミング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01321602A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6292091B1 (en) * | 1999-07-22 | 2001-09-18 | Rohm Co., Ltd. | Resistor and method of adjusting resistance of the same |
-
1988
- 1988-06-22 JP JP63154057A patent/JPH01321602A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6292091B1 (en) * | 1999-07-22 | 2001-09-18 | Rohm Co., Ltd. | Resistor and method of adjusting resistance of the same |
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