JPH0132209Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本考案はフロツピーデイスクのインデツクスパ
ルス発生装置に関する。

（考案の背景） 従来例のミニフロツピーデイスクに採用されて
いる磁気デイスク上の記録フオーマツトについて
第１図、第２図にもとづいて説明する。符号１は
デイスクで、その上面にはスピンドル孔２を中心
として同心用のトラツクTRが複数本例えば40本
形成され、（トラツクTR内には複数個例えば16
個のセクタsecが順次配設されてなり、１トラツ
クTRの頭部又はヘツドPHはインデツクス機構
により発生する検出信号（インデツクスパルス）
によつて決定される。この前端位置PHからプリ
アンプルとして第１ギヤツプGap１が形成され、
以下順次第１セクタsec１、第２セクタsec２のよ
うに第16セクタsec１６まで形成されポストアン
プルを経て再び前記前端位置PHに至る。

更に１個のセクタsec内は、第２図に示すよう
に、インデツクスフイールド（1D Field）第２
ギヤツプGap２、データフイールド（Data
Field）並に第３ギヤツプGap３に分割されてい
る。又上記インデツクスフイールドは同期sync、
インデツクマーク１Ｄ、誤り訂正コードCRCの
各領域からなり、又上記データフイールドは同期
sync、データマークDM、データ誤り訂正コード
CRCの各領域からなつている。然して前記イン
デツクスパルスの発生タイミングについて言えば
プリアンプルとしての第１ギヤツプGap１に対し
て充分の余裕を持つて発生する必要がある。

今、フロツピーデイスク等に関し、下記条件、 インデツクス周期200μsec データ転送時間250KB／ｓ＝32μsec／ByTe トラツク数80 最外周トラツク径φ79 最内周トラツク径φ49 トラツク間隔 0.1875mm モータ速度変動α とすれば、 1Byte当りの最小長さ l_BMIN＝Lmin／200×10^-3（１−α／100）／32×10^-6 ＝Lmin／6250（１−α／100） α＝３％のときは l_BMIN＝0.0239mm／Byteとなる。

第１図に図示のフオーマツトの例でいえばGap
１は32Byte，Gap４は266Byteであるからそれぞ
れの長さは次の通りである。

L_Bnio32＝0.7648mm L_Bnio266＝6.35mm したがつて、インデツクス発生タイミングは最
内周φ49上で0.7648mmであり、時間に直せば
993μsec内に余裕を持つて発生する必要がある。

（従来技術） 従来のインデツクスパルス発生装置は、第７図
〜第８図に示す如くなされていた。すなわち、フ
ロツピーデイスクを駆動するモータのロータ４の
外周にインデツクス用の磁石６の単極磁極が突出
して固着してあり、前記磁石６の単極磁極に近接
対向するようにホールIC１２がホルダ１０を介
して設けてある。５は支持部材を、７はロータ４
の軸部をそれぞれ示している。

ロータ４の回転により、１回転毎に磁石６の単
極磁極とホールIC１２とは対向し、ホールIC１
２は第９図ａの磁束密度の磁界が加えられ、ホー
ルIC１２はこれを所定スレシヨールドレベルで
波形整形して第９図ｂに示すインデツクスパルス
を発生する。

しかし、磁石６は温度特性を有しており、温度
の変化により磁束密度が第９図ａの破線に示す如
く変化し、ホールIC１２から出力されるインデ
ツクスパルスの発生タイミングは第９図ｂの破線
の如く変化する欠点があつた。

（考案の目的） 本考案は上記にかんがみなされたもので、上記
の欠点を解消したフロツピーデイスクのインデツ
クスパルス発生装置を提供することを目的とし、
磁石による磁界中にホール素子を設けてホール素
子からの出力電圧のゼロクロスを検出して、イン
デツクスパルスとなし、磁石の温度特性によつて
もインデツクスパルス発生のタイミングの変化の
ない構成を提供するものである。

（考案の実施例） 以下、本考案を実施例により説明する。

第３図は本考案の一実施例を示す平面図であ
る。

本考案の一実施例においてはロータ４に磁石１
４が突出して固着してあり、磁石６はたとえばロ
ータ４の回転方向に沿つてＳ極、Ｎ極の如くに配
置してある。磁石１４に近接対向するようにホー
ル素子１５をホルダ１０に固定し、ホール素子１
５の出力はゼロクロス検出回路１６に供給し、ホ
ール素子１５の出力のゼロクロスを検出する。ゼ
ロクロス検出回路１６はヒステリシスを有するよ
うに構成してある。

いまロータ４の矢印方向への回転により１回転
毎に、ホール素子１５には第４図ａに示す磁束密
度の磁界が印加されることになり、ホール素子１
５の出力は第４図ｂの波形となる。ホール素子１
５は、従来例のホールIC１２の場合と異なつて、
印加された磁束密度の磁界と同形となる。

第４図ｂに示した波形のホール素子１５からの
出力電圧はゼロクロス検出回路１６に供給され、
ゼロクロスが検出されて第４図ｃに示す如くゼロ
クロス点で立上り、ホール素子１５の出力が
“Ａ”を超えたとき立下るインデツクスパルスが
得られる。“Ａ”はヒステリシスである。

また温度変化により磁石１４の磁極の強さが変
化し、ホール素子１５に印加される磁束密度が第
４図ａに示す如くに変化したとき、ホール素子１
５の出力電圧は第４図ｂの破線に示す如くにな
り、ゼロクロス検出回路１６の出力は破線に示す
如く変化する。しかしホール素子１５の出力のゼ
ロクロス点は変化することはない。この結果、イ
ンデツクスパルスの発生タイミングがずれること
はない。

なお、ゼロクロス検出回路１６の一例は第５図
に示す如く、差動増幅回路を形成するトランジス
タTr₁，Tr₂，Tr₆，Tr₇、カレントミラー回路
Tr₃，Tr₄，Tr₈，Tr₉，Tr₁₅，Tr₁₆トランジスタ
Tr₅，Tr₁₀，Tr₁₁およびヒステリシスを発生させ
る抵抗R_Hysを備えるとともに定電流源を形成する
トランジスタTr₁₃，Tr₁₄を有している。いまAB
間にホール素子１５の出力が供給される。この供
給されたコイル１５の出力は第６図ａに示す如く
であり、第６図ｂは第４図ｂを再記したものであ
る。コイル１５の出力はトランジスタTr₁，Tr₂
で形成される差動増幅器で増幅され、トランジス
タTr₁の出力はトランジスタTr₅により増幅され
て、Ｄ点に出力される。Ｄ点の出力波形は第６図
ｂに示す如く、AB間の入力電圧を増幅した波形
となる。抵抗R_Hysを介したＥ点の電位がＦ点の電
位より下るとトランジスタTr₆，Tr₇で形成され
る差動増幅器のトランジスタTr₆はオン状態にな
り、トランジスタTr₆の出力によりトランジスタ
Tr₁₀はオン状態に、トランジスタTr₁₁はオフ状
態になり、トランジスタTr₁₀，Tr₁₁の出力すな
わちＧ点，Ｈ点の出力は第６図ｄおよびｅの如く
になる。一方、トランジスタTr₆の出力による電
流の一部はトランジスタTr₁₅に流れるため、ト
ランジスタTr₁₅とカレントミラー回路を構成す
るトランジスタTr₁₆がＥ点から電流を吸い込み
正帰還がかかつた状態となる。そこでＥ点の電位
はＦ点の電位を基準に示せば第６図ｃの如くにな
つて抵抗R_HYSと抵抗R_HYSに流れる電流Ｉとの積だ
け配線から実線に示す如くになり、ゼロクロスの
ときは鋭くパルスが出力される。この状態はＤ点
電位が（＋）の所定値Ａまで維持されることにな
る。

したがつて第４図ｃに示す如き出力が得られ、
ゼロクロス検出回路１６のドリフト等によつても
誤動作することはない。

（考案の効果） 以上説明した如く本考案によれば磁石による磁
界中にホール素子を設けてホール素子からの出力
電圧のゼロクロスを検出してインデツクスパルス
としたことにより、磁石の温度特性によつてもイ
ンデツクスパルスの発生タイミングが変化するこ
とはなくなる。

【図面の簡単な説明】

第１図はフロツピーデイスク中のフオーマツト
を模式的に示す平面図。第２図は１トラツク分の
フオーマツトの一例を示す図。第３図は本考案の
一実施例を示す平面図。第４図は本考案の一実施
例の作用の説明に供する波形図。第５図は本考案
の一実施例に用いるゼロクロス検出回路の一例を
示す回路図。第６図は第５図に示したゼロクロス
検出回路の作用の説明に供する波形図。第７図は
従来のインデツクス発生回路の構成を示す平面
図。第８図は第７図の側面図。第９図は第７図に
示した従来例の作用の説明に供する波形図。 ４……ロータ、１４……磁石、１５……ホール
素子、１６……ゼロクロス検出回路。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. デイスクを回転駆動するロータの外周にNS両
   極を具えた磁石を固着し、磁石に近接対向してホ
   ール素子を設け、ホール素子の出力をゼロクロス
   検出回路に供給して、ゼロクロス検出出力をイン
   デツクスパルスとすることを特徴とするフロツピ
   ーデイスクのインデツクスパルス発生装置。