JPH0133955B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0133955B2 JPH0133955B2 JP59146403A JP14640384A JPH0133955B2 JP H0133955 B2 JPH0133955 B2 JP H0133955B2 JP 59146403 A JP59146403 A JP 59146403A JP 14640384 A JP14640384 A JP 14640384A JP H0133955 B2 JPH0133955 B2 JP H0133955B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- cds
- cdse
- cdcl
- photoconductive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
- H10F71/125—The active layers comprising only Group II-VI materials, e.g. CdS, ZnS or CdTe
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
Description
産業上の利用分野
本発明は可視域の光センサとして使用される光
導電性薄膜の製造方法に関するものである。 従来例の構成とその問題点 従来、CdSやCdSeを主体とする光センサは光
電流が大きいため、特にこの２種の化合物の固溶
体CdS−CdSeを主体とする光センサでは可視光
全域をカバーする感度を有するため、フアクシミ
リの密着型ラインセンサ用などとして注目され開
発されてきた。 このCdS−CdSe光センサの代表的製法は以下
の通りである。すなわち、適当な基板上にCdS−
CdSe固溶体の薄膜を蒸着形成し、CdCl2の蒸発源
としての例えばCdS：CdCl2（混合、焼結、粉砕し
た）粉末を該薄膜と共にアルミナ等の半密閉容器
に入れて500℃程度の高温度に加熱して蒸発した
CdCl2の蒸気中で結晶成長させ、同時に増感中心
を形成させ大きな光電流を得るに至るのである
（この工程を活性化と称する）。上記の製法のまゝ
では暗電流がかなり大きいのでCdS−CdSeの薄
膜の蒸着時に同時に蒸着源にCuを例えばCdS1-x
Sex：CuCl2（０ｘ１；CdS、CdSe、CuCl2を
混合、焼結、粉砕したもの）の形で混入しておき
蒸着膜中にCuを添加しておけば暗電流をかなり
小さくすることができる。 さて、CdCl2蒸気による活性化で増感中心を形
成し、光電子の寿命を長くし、結果として大きな
光電流を得ることができる反面、基本的には光電
子の寿命が光応答時間に対応するので光電流が大
きいと応答時間が長くなつてしまう。その上に薄
膜表面へのCdCl2の付着残存などの影響で電極の
付着強度も弱くて、暗電流も大きく特性の再現性
も悪く、場所的ばらつきも大きいという欠点を有
している。 発明の目的 本発明は従来の製法による光導電性薄膜に比べ
て、電極の付着強度が強くて、暗電流が小さく、
光電流の光応答時間が短く、かつ特性の再現性に
優れ、ばらつきの小さい光導電性薄膜を製造する
方法を提供する。 発明の構成 本発明はCdS、CdSeあるいはCdS−CdSe固溶
体を主成分として成る薄膜を基板上に形成し、
CdCl2の粉末と共に半密閉容器に入れ、高温度に
て該薄膜をCdCl2の蒸気に暴露して結晶成長と共
に活性化して後、電極形成して光導電性薄膜を製
造するに際して、、電極形成の前に薄膜を水洗処
理することを特徴とする光導電性薄膜の製造方法
である。 実施例の説明 薄膜の厚さは2000〜10000Åであることが好ま
しい。2000Å以下だと結晶成長の段階で若干の膜
厚減少などの影響が見られ光電流Jpが小さくな
り、かつその立上り時間τrは逆に大きくなり、
10000Å以上だとJpが大きく、かつその立下り時
間τdが長くなる傾向があるからである。結晶成長
の温度は450〜600℃が好ましい。450℃以下だと
CdCl2の蒸気圧が不足して結晶成長が起り難く、
600℃以上では逆にCdCl2の蒸気圧が高すぎて結
晶成長が促進され過ぎてピンホールが生じたりす
るからである。水洗処理時の温度は室温でも良い
が40〜80℃が更に好ましい。40℃以下では効果を
得るのに時間がかゝり、80℃以上では薄膜の剥離
を生じたりすることがあるからである。水洗時に
超音波を併用すると短時間の処理で済む。この水
洗処理によつて光センサの暗電流Jdが著しく減少
し、特性（Jp、τr、τd）が安定化すると共に応答
（τr、τd）が早くなる。 以下、本発明の効果を実施例をもつて説明す
る。 実施例 ガラス基板（コーニング社7059、230×50×1.2
mm3）の上にCdS0.6Se0.4：CuCl2（0.2モル％）を蒸
発源として約4000Åの厚さに蒸着した。蒸着膜中
に含まれるCuの量は0.008モル％であつた。図に
見られる様にアルミナ製ボード本体１（上ぶた２
つき内容積52×310×20mm3の直方体）の中央底部
にCdS：CdCl2（２モル％）粉末を0.2ｇ／cmの割
合で長さ方向に置き、その上に上記蒸着膜を設け
たガラス基板３を上向きに置きふた２とのギヤツ
プが２mmである様にしてふたをして加熱する。 500℃で１時間加熱した。この様にして得た膜
をボートから取出しさらに20、40、60および80℃
の水中で超音波をかけながら２分間洗浄し乾燥後
NiCr／Auの電極を蒸着形成した（巾２mm、ギヤ
ツプ１mm）。この様にして得た光センサにDC10V
を印加して100ルツクスの緑色光（波長555nｍ）
を照射（１Hzで0.5secずつ）してJpとそのτr（０か
ら飽和値の90％まで上がる時間）、τd（飽和値から
そお10％まで下がる時間）を測定した。結果を水
洗処理のない場合の結果と共に表に載せる。
導電性薄膜の製造方法に関するものである。 従来例の構成とその問題点 従来、CdSやCdSeを主体とする光センサは光
電流が大きいため、特にこの２種の化合物の固溶
体CdS−CdSeを主体とする光センサでは可視光
全域をカバーする感度を有するため、フアクシミ
リの密着型ラインセンサ用などとして注目され開
発されてきた。 このCdS−CdSe光センサの代表的製法は以下
の通りである。すなわち、適当な基板上にCdS−
CdSe固溶体の薄膜を蒸着形成し、CdCl2の蒸発源
としての例えばCdS：CdCl2（混合、焼結、粉砕し
た）粉末を該薄膜と共にアルミナ等の半密閉容器
に入れて500℃程度の高温度に加熱して蒸発した
CdCl2の蒸気中で結晶成長させ、同時に増感中心
を形成させ大きな光電流を得るに至るのである
（この工程を活性化と称する）。上記の製法のまゝ
では暗電流がかなり大きいのでCdS−CdSeの薄
膜の蒸着時に同時に蒸着源にCuを例えばCdS1-x
Sex：CuCl2（０ｘ１；CdS、CdSe、CuCl2を
混合、焼結、粉砕したもの）の形で混入しておき
蒸着膜中にCuを添加しておけば暗電流をかなり
小さくすることができる。 さて、CdCl2蒸気による活性化で増感中心を形
成し、光電子の寿命を長くし、結果として大きな
光電流を得ることができる反面、基本的には光電
子の寿命が光応答時間に対応するので光電流が大
きいと応答時間が長くなつてしまう。その上に薄
膜表面へのCdCl2の付着残存などの影響で電極の
付着強度も弱くて、暗電流も大きく特性の再現性
も悪く、場所的ばらつきも大きいという欠点を有
している。 発明の目的 本発明は従来の製法による光導電性薄膜に比べ
て、電極の付着強度が強くて、暗電流が小さく、
光電流の光応答時間が短く、かつ特性の再現性に
優れ、ばらつきの小さい光導電性薄膜を製造する
方法を提供する。 発明の構成 本発明はCdS、CdSeあるいはCdS−CdSe固溶
体を主成分として成る薄膜を基板上に形成し、
CdCl2の粉末と共に半密閉容器に入れ、高温度に
て該薄膜をCdCl2の蒸気に暴露して結晶成長と共
に活性化して後、電極形成して光導電性薄膜を製
造するに際して、、電極形成の前に薄膜を水洗処
理することを特徴とする光導電性薄膜の製造方法
である。 実施例の説明 薄膜の厚さは2000〜10000Åであることが好ま
しい。2000Å以下だと結晶成長の段階で若干の膜
厚減少などの影響が見られ光電流Jpが小さくな
り、かつその立上り時間τrは逆に大きくなり、
10000Å以上だとJpが大きく、かつその立下り時
間τdが長くなる傾向があるからである。結晶成長
の温度は450〜600℃が好ましい。450℃以下だと
CdCl2の蒸気圧が不足して結晶成長が起り難く、
600℃以上では逆にCdCl2の蒸気圧が高すぎて結
晶成長が促進され過ぎてピンホールが生じたりす
るからである。水洗処理時の温度は室温でも良い
が40〜80℃が更に好ましい。40℃以下では効果を
得るのに時間がかゝり、80℃以上では薄膜の剥離
を生じたりすることがあるからである。水洗時に
超音波を併用すると短時間の処理で済む。この水
洗処理によつて光センサの暗電流Jdが著しく減少
し、特性（Jp、τr、τd）が安定化すると共に応答
（τr、τd）が早くなる。 以下、本発明の効果を実施例をもつて説明す
る。 実施例 ガラス基板（コーニング社7059、230×50×1.2
mm3）の上にCdS0.6Se0.4：CuCl2（0.2モル％）を蒸
発源として約4000Åの厚さに蒸着した。蒸着膜中
に含まれるCuの量は0.008モル％であつた。図に
見られる様にアルミナ製ボード本体１（上ぶた２
つき内容積52×310×20mm3の直方体）の中央底部
にCdS：CdCl2（２モル％）粉末を0.2ｇ／cmの割
合で長さ方向に置き、その上に上記蒸着膜を設け
たガラス基板３を上向きに置きふた２とのギヤツ
プが２mmである様にしてふたをして加熱する。 500℃で１時間加熱した。この様にして得た膜
をボートから取出しさらに20、40、60および80℃
の水中で超音波をかけながら２分間洗浄し乾燥後
NiCr／Auの電極を蒸着形成した（巾２mm、ギヤ
ツプ１mm）。この様にして得た光センサにDC10V
を印加して100ルツクスの緑色光（波長555nｍ）
を照射（１Hzで0.5secずつ）してJpとそのτr（０か
ら飽和値の90％まで上がる時間）、τd（飽和値から
そお10％まで下がる時間）を測定した。結果を水
洗処理のない場合の結果と共に表に載せる。
【表】
また電極のテープ剥離テストにより未処理のも
のは剥離することがあるが、水洗処理したもので
は剥離することがない。 発明の効果 表に見られる様に、この水洗処理によつて電極
の付着強度が高まる上に暗電流が著しく減少する
と共に光電流の応答特性（立上り時間、立下り時
間）が早くなり、しかも特性の再現性が優れ、ば
らつきも小さくなる。
のは剥離することがあるが、水洗処理したもので
は剥離することがない。 発明の効果 表に見られる様に、この水洗処理によつて電極
の付着強度が高まる上に暗電流が著しく減少する
と共に光電流の応答特性（立上り時間、立下り時
間）が早くなり、しかも特性の再現性が優れ、ば
らつきも小さくなる。
図は本発明に用いるボードの断面図である。
１……ボード本体、２……ボードふた、３……
ガラス基板、４……CdS：CdCl2粉末。
ガラス基板、４……CdS：CdCl2粉末。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ CdS−CdSeあるいはこれら２種の化合物の
固溶体CdS−CdSeを主体として成り、これに微
量のCuを含んだ薄膜を基板上に形成し、前記薄
膜をCdCl2の蒸気中にて加熱処理して結晶成長と
共に活性化した後、電極形成して光導電性薄膜を
製造するに際して、前記電極形成の前に前記薄膜
を水洗処理することを特徴とする光導電性薄膜の
製造方法。 ２ 薄膜の厚さが2000〜10000Å、結晶成長の温
度が450〜600℃、水洗処理の温度が40〜80℃であ
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
光導電性薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59146403A JPS6124286A (ja) | 1984-07-13 | 1984-07-13 | 光導電性薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59146403A JPS6124286A (ja) | 1984-07-13 | 1984-07-13 | 光導電性薄膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6124286A JPS6124286A (ja) | 1986-02-01 |
| JPH0133955B2 true JPH0133955B2 (ja) | 1989-07-17 |
Family
ID=15406912
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59146403A Granted JPS6124286A (ja) | 1984-07-13 | 1984-07-13 | 光導電性薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6124286A (ja) |
-
1984
- 1984-07-13 JP JP59146403A patent/JPS6124286A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6124286A (ja) | 1986-02-01 |
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