JPH0134323B2 - - Google Patents

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JPH0134323B2
JPH0134323B2 JP57090704A JP9070482A JPH0134323B2 JP H0134323 B2 JPH0134323 B2 JP H0134323B2 JP 57090704 A JP57090704 A JP 57090704A JP 9070482 A JP9070482 A JP 9070482A JP H0134323 B2 JPH0134323 B2 JP H0134323B2
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JP
Japan
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pattern
bit position
circuit
inspection
predetermined number
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Application number
JP57090704A
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English (en)
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JPS58207633A (ja
Inventor
Kikuo Mita
Moritoshi Ando
Giichi Kakigi
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Filing date
Publication date
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Priority to JP57090704A priority Critical patent/JPS58207633A/ja
Publication of JPS58207633A publication Critical patent/JPS58207633A/ja
Publication of JPH0134323B2 publication Critical patent/JPH0134323B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10PGENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P95/00Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass

Landscapes

  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 (1) 発明の技術分野 本発明はパターンの欠陥検査に際し交差する測
長センサを用いる欠陥検査方式の改良に関する。
(2) 発明の背景 プリント基板、集積回路には、導電パターンが
フオトマスクを用いたプロセスを経て形成されて
いるが、その導電パターンに欠陥が有るか否かと
いうことは、それらに形成される電子回路の生死
を決する重要な事柄であり、その欠陥の検出は顕
微鏡を用いての目視による原始的な手法に代つ
て、自動検査装置も実用化に向けて開発されてい
る。しかしながら、その装置も導電パターンに生
じている欠陥周囲にある凹凸の状態によつてはそ
の検出機能を首尾よく発揮し得なくなることがあ
り、その技術的改良が望まれている。
(3) 従来技術と問題点 上述のような不都合を来たす装置は、導電パタ
ーンの左右方向にそのパターンの測長を行つてそ
の中心を求め、その中心から上下方向にパターン
の測長を行つて欠陥の判定を行う方式を採つてい
る。このような直交する方向における単なる測長
を行う方式では、許容され得るような小さなパタ
ーン突起における欠陥判定に誤動作を生ぜしめ、
丸まつたパターンの角の部分を誤つて欠陥と判定
する如き不具合がある。
(4) 発明の目的 本発明は上述の如き技術的課題を解決すべく創
案されたもので、その目的は小さなパターン突起
乃至量子化誤差で生ずる誤動作を防いで確実な欠
陥検出をなしうる欠陥検査方式を提供することに
ある。
(5) 発明の目的 そして、この目的はパターンを光学的に読取つ
てこれを二値化し、そのパターンの型態を保存し
て記憶回路に記憶した後二値化パターンの非パタ
ーン部を表わす信号がある任意のビツト位置にお
いて交差する方向のうちの1つの方向について非
パターン部を測長してその中心を求め、該中心か
ら上記1つの方向と交差する方向に非パターン部
を測長してそのパターンに欠陥があるか否かを検
査する欠陥検査方式において、上記1つの方向と
交差する方向において上記中心から両側に予め決
められた値だけ離れた位置に設けられたガードセ
ンサの出力が予め決められた出力関係にあるとき
上記検査を禁止することによつて達成される。
(6) 発明の実施例 以下、添付図面を参照しながら本発明の実施例
を説明する。
第1図は本発明を実施する装置の構成を示す。
1はパターン部2及び非パターン部3から成るパ
ターンを有する被検査試料、例えばプリント基板
を示す。4は被検査試料を走査してそのパターン
を読取つて二値化回路5へ供給する撮像系、例え
ばテレビカメラ、レーザ走査装置である。6は撮
像系4の走査と同期しておつて、二値化回路5の
二値化信号を順次に記憶する記憶回路である。7
は検査回路であり、その詳細を第2図に示す。
第2図には、記憶回路6に二値化されて記憶さ
れているパターンの任意のビツト位置P毎にこれ
を中心にして交差、例えば直交する方向における
所要ビツトを記憶回路6から入力しうる測長セン
サがS1,S2,S3,S4で示されており、上
記ビツト位置Pから測長センサS3,S4の方向
に予め決められた値だけ離れた位置において測長
センサS1,S2と同一方向にガードセンサG
1,G2が設けられている。
測長センサS1,S2はそれら各別にビツト位
置Pから同一の二値化信号が連続するその数を減
算回路8の対応する入力へ供給するように構成さ
れている。又、測長センサS3,S4はそれら各
別にビツト位置Pから上記センサS1,S2が同
一としたと同じ二値化信号が連続するその数を加
算回路9の対応する入力へ供給するように構成さ
れている。これに加えて、ガードセンサG1,G
2はそれら各別に、上述各センサS1,S2,S
3,S4において数えられる二値化信号の反転信
号をすべてのビツト位置に有する場合に論理的に
上記数えられる信号と同一の信号を二入力アンド
回路10の対応する入力へ供給するように構成さ
れている。
減算回路8の出力は比較回路11の一方の入力
へ接続され、比較回路11の他方の入力には予め
設定される基準値が供給されるように構成されて
いる。比較回路11の出力は二入力アンド回路1
2の一方の入力へ接続され、その他方の入力には
アンド回路10の出力が接続されている。そし
て、アンド回路12の出力は二入力アンド回路1
3の一方の入力へ接続されている。
加算回路9の出力は上限比較回路14及び下限
比較回路15の一方の入力へ接続され、上限比較
回路14の他方の入力には予め設定される上限基
準値が供給され、下限比較回路15の他方の入力
には予め設定される下限基準値が供給されるよう
に構成されている。これら両比較回路14,15
の出力はナンド回路16へ接続され、ナンド回路
16の出力はアンド回路13の他方の入力に接続
されている。
次に、上記構成の本発明を実施する装置の動作
を説明する。
被検査試料1に形成されているパターンが撮像
系4によつて読取られ、そのアナログ信号が二値
化回路5で二値化され、撮像系4と同期して記憶
動作を生ぜしめられている記憶回路6に記憶され
る。従つて、記憶動作が終了したときには、被検
査試料のパターンのパターン部2は二値化信号の
うちのいずれか一方の論理値、例えば“1”に、
又その非パターン部3は二値化信号のうちのいず
れか他方の論理値、例ええば“0”に二値化さ
れ、且つそのパターン型態を存して記憶してい
る。
この記憶動作の終了後に、測長センサS1,S
2,S3,S4の交点Pを記憶回路6の各ビツト
位置に位置させつゝ、その位置からセンサS1,
S2とセンサS3,S4との交差方向に予め決め
られた数だけ延びているビツト位置の各論理値を
各センサS1,S2,S3,S4に取り込むと共
に、ガードセンサG1,G2にも対応するビツト
位置の各論理値を取り込む。
このような取り込みが、例えば第3図に示すよ
うなビツト位置Pに来ているとすると、このビツ
ト位置における欠陥検査は次のようになる。
センサS1及びS2のビツト位置P(論理“0”
である。)から左右方向にこれらセンサS1,S
2内に存在する論理“0”の数が減算回路8へ入
力さる、即ち左右方向における測長が行われ、こ
れら両者の差が減算回路8から出力される。その
差が比較回路11で基準値と比較され、比較回路
11から出力が得られないつまりビツト位置Pを
中心とし得ないことを表わす論理“0”が比較回
路から発生されるならば次のビツト位置について
それが中心として用いうるか否かの上述の処理が
行われる。
比較回路11からの出力が論理“1”であるつ
まりビツト位置Pを中心としうる(中心が求ま
る)場合に、ガードセンサG1にも又ガードセン
サG2にもそのいずれかのビツト位置に論理
“0”を含むならば、アンド回路10の各入力に
論理“1”が入り、その出力から論理“1”が発
生し、従つて、アンド回路12からも論理“1”
が発生する。
一方、センサS3,S4のビツト位置Pから上
下方向にこれらセンサS3,S4内に存在する論
理“0”の数が加算回路9へ入力される、即ち上
下方向における測長が行われる。加算回路9の和
出力が比較回路14,15に設定される範囲内に
いないならば、ナンド回路16出力に論理“0”
を発生する。従つて、アンド回路13からは欠陥
信号は発生しない。逆に、上記和出力が比較回路
14,15に設定される範囲内にあるならば、ナ
ンド回路16から欠陥信号が発生される。
このようなビツト位置Pについての欠陥検査に
おいて、ガードセンサG1又はカードセンサG2
のいずれか一方にそのビツト位置のすべてに論理
“1”を含む(例えば、第3図例示ではガーセン
サG2のすべてのビツト位置に論理“1”を含
む)ならば、上述の如く、中心が求められたとし
ても、アンド回路10の出力は論理“0”のた
め、アンド回路12からは論理“1”が発生され
ない。つまり、そのビツト位置Pについての検査
は禁止される。従つて、第3図の図示例の如き小
さな突起Aに起因して生ずる欠陥検査の誤動作を
防止しうる。このような欠陥検査の誤動作防止機
能はパターンの量子化誤差部分でも発揮され、パ
ターンの欠陥検査の確実性が得られる。
又、上述のようなセンサは90度だけ位置を変え
て設けられると共に、それに付随する回路も設け
て上述と同様の処理を生じさせる。
上記実施例においては、パターン部を論理
“0”とし、非パターン部を論理“1”として回
路を構成することも出来る。
(7) 発明の効果 以上要するに、本発明によれば、交差する測長
センサのうちの、中心を求める方向に交差する方
向にその交点から予め決められた値だけ離れた位
置にガードセンサを設け、その出力が予め決めら
れた関係にあるか否かによつて欠陥検査の禁止を
生ぜしめているから、小さなパターン突起乃至量
子化誤差部分で生ずる誤動作を防いで確実な欠陥
検査をなし得る外、このような効果は比較的簡単
な回路の追加で実現しうる等の効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明を実施する装置の構成を示す
図、第2図は検査回路の詳細図、第3図は被検査
試料のパターン一部の拡大図である。 図において、1は被検査試料、4は撮像系、5
は二値化回路、6は記憶回路、7は検査回路、S
1,S2,S3,S4は測長センサ、G1,G2
はガードセンサ、8は減算回路、9は加算回路、
10,12,13はアンド回路、11は比較回
路、14は上限比較回路、15は下限比較回路、
16はナンド回路である。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 パターンを光学的に読み取つてこれを二値化
    し、そのパターンの型態を保存して記憶し、 二値化パターン内の非パターン部を表す信号が
    ある検査ビツト位置毎に交差する方向のうちの1
    つの方向において該検査ビツト位置を含む所定ビ
    ツト位置数の非パターン部を測長しての前記検査
    ビツト位置における中心の有無判定、及び前記1
    つの方向と交差する方向において検査ビツト位置
    を含む所定ビツト位置数の非パターン部を測長し
    てのパターン欠陥候補信号の発生を為し、 前記中心有りの判定が生じ、且つ前記1つの方
    向と交差する方向において前記検査ビツト位置か
    ら両側に予め決められたビツト位置数だけ離れた
    判定禁止ビツト位置においてこれを含んで前記1
    つの方向での所定ビツト位置数範囲内に所定数の
    パターン部を表す信号がないときだけ、前記パタ
    ーン欠陥候補信号をパターン欠陥信号として出力
    する欠陥検査方法。 2 前記交差は直交であることを特徴とする特許
    請求の範囲第1項記載の欠陥検査方法。 3 記憶回路の二値化パターン内の非パターン部
    についての信号がある検査ビツト位置毎に交差す
    る方向のうちの1つの方向において前記検査ビツ
    ト位置を含んで所定ビツト位置数範囲内の非パタ
    ーン部についての信号の各々を出力する第1のセ
    ンサ回路31,32と、 前記第1のセンサ回路31,32からの非パタ
    ーン部についての信号に応答して前記検査ビツト
    位置であつて前記1つの方向における非パターン
    部の中心を出力する中心判定回路20と、 前記検査ビツト位置毎に前記1つの方向と交差
    する方向において前記検査ビツト位置を含んで所
    定ビツト位置数範囲内の非パターン部についての
    信号の各々を出力する第2のセンサ回路33,3
    4と、 前記第2のセンサ回路33,34からの非パタ
    ーン部についての信号に応答してパターン欠陥候
    補信号を発生するパターン欠陥候補信号発生回路
    22と、 前記1つの方向と交差する方向において前記検
    査ビツト位置から両側に予め決められたビツト位
    置数だけ離れた判定禁止ビツト位置においてこれ
    を含んで前記1つの方向での所定ビツト位置数範
    囲内のパターン部についての信号の各々を出力す
    る前記両側毎の第3のセンサ回路41,42と、 前記両第3のセンサ回路41,42の出力に応
    答するパターン部判定回路24とを設け、 前記中心判定回路20及びパターン部判定回路
    24の出力で前記パターン欠陥候補信号発生回路
    22からのパターン欠陥候補信号をパターン欠陥
    信号として出力するか否かを制御することを特徴
    とする欠陥検査装置。 4 前記交差は直交であることを特徴とする特許
    請求の範囲第3項記載の欠陥検査装置。
JP57090704A 1982-05-28 1982-05-28 欠陥検査方法及びその装置 Granted JPS58207633A (ja)

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JPS58207633A JPS58207633A (ja) 1983-12-03
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JPS6256442A (ja) * 1985-09-05 1987-03-12 Sumikin Coke Co Ltd ナフタレンの精製方法

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