JPH0136460B2 - - Google Patents
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- JPH0136460B2 JPH0136460B2 JP56102256A JP10225681A JPH0136460B2 JP H0136460 B2 JPH0136460 B2 JP H0136460B2 JP 56102256 A JP56102256 A JP 56102256A JP 10225681 A JP10225681 A JP 10225681A JP H0136460 B2 JPH0136460 B2 JP H0136460B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- nitrobenzene
- reaction
- aniline
- concentration
- catalyst
- Prior art date
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/52—Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts
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- Catalysts (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はニトロベンゼンの水素添加によるアニ
リンの製造方法に関する。 芳香族ニトロ化合物を液相で水素添加して対応
する芳香族アミンを製造する方法が米国特許
2292879号に提案されている。この方法は細分さ
れた担体上に支持されたニツケル、コバルト、ま
たは銅触媒を使用して、これをニトロ化合物とそ
の水素添加生成物であるアミンとの混合液中に懸
濁させ、これに水素を通して反応をおこなうもの
である。その明細書には、反応で生成する水をア
ミンとともに反応系から連続的に留去させるよう
な条件で反応をおこなうことによつて触媒の活性
が高く保持されること、さらに芳香族アミンを反
応溶媒として使用し、そのアミンの濃度を比較的
高くして反応させることにより触媒の活性度を増
大させることが記載されている。 また、特許公報昭50−15779号明細書には、前
記米国特許と同様液相反応で、溶媒として使用す
る生成芳香族アミンの濃度を液相中で95重量％以
上に維持し、反応をできるだけ常圧付近で、しか
も沸点またはその近くの温度でおこなうことによ
り、反応生成水が容易に系外に除去できてまた反
応器より留去される生成物中にはニトロ化合物の
含有量の少ない芳香族アミンが得られるので有利
であることが提案されている。 反応液中のアミン濃度を高く保つことは、即ち
ニトロ化合物を反応の消費に見合う量だけをチヤ
ージすることは系外へ留去される生成物中の未反
応ニトロ化合物の含有率を低くするためには望ま
しいことであり、また本反応のように発熱の大き
な反応では温度制御のため多量の溶媒を使用し
て、蒸発潜熱で反応熱を制御することも一般に推
奨されているところである。 このような観点からみれば反応液中のアミン濃
度はできる限り100％に近く保ち、ニトロ化合物
の濃度を低くすることが有利なように思われる。
しかしながらアミン溶媒中でニトロ化合物の濃度
を低くして反応をおこなえば副反応として芳香族
環の核水素添加がおきやすくなり、シクロヘキシ
ルアミン、シクロヘキサノン、シクロヘキシリデ
ンアニリン、シクロヘキシルアニリンなどの不純
物を生成しやすくなる。これらの副生率は反応系
中のニトロ化合物の濃度が低いほど著しい。 これらの核水添加物である副生不純物の生成を
抑制するため、特公昭47−27212にはアルカノー
ルアミンなどの有機塩基物を添加することが提案
されており、例えばニトロベンゼンの水素添加に
よりアニリン製造の場合においてトリエタノール
アミンを添加しているが、この場合でも満足でき
るものではない。 また、通常市販されている高純度アニリン中に
はニトロベンゼンは10ppm程度以下の含有が望ま
しいとされているが、ニトロベンゼンの濃度を
0.5重量％以下の低い濃度に保つて反応を実施し
ても、未反応ニトロベンゼンの20ppm以上がアニ
リンと共に留出し、触媒量を増加させて未反応ニ
トロベンゼンの留出を抑制しようとすれば、核水
添加物は、それだけ比例して増加する。 本発明者らは、貴金属触媒の存在下接触水素添
加によるニトロベンゼンからのアニリンの製造法
において、このような問題を解決すべく鋭意検討
した結果、特定反応条件下に特定の化合物を添加
することにより、未反応ニトロベンゼンを殆んど
含有せず、しかも核水添化物含有量の極めて少な
い高純度のアニリンの製造方法を見出し、本願方
法を完成させたものである。 即ち、本願方法は貴金属触媒を用いて、ニトロ
ベンゼンの接触水素添加によるアニリンの連続的
製造方法において、アルカリ金属水酸化物、アル
カリ金属炭酸塩、アルカリ金属重炭酸塩、酢酸亜
鉛、硝酸亜鉛から選ばれた化合物の存在下、アニ
リン反応液中のニトロベンゼンの濃度を0.5重量
％以下に保ちながら反応をおこなうことを特徴と
する蒸留工程を経ることなく高純度アニリンを連
続的に製造する方法である。 本願方法に使用できる貴金属触媒とは、通常ニ
トロ化合物の接触水素添加反応に使用できる触媒
であり特定されるものではない。例えばパラジウ
ム、白金およびロジウム等を含有する触媒が使用
できる。特にパラジウムおよびまたはパラジウム
−白金系触媒が好ましく、パラジウム系触媒を使
用する場合は、担体として少くとも100の油吸収
率を有する親油性炭素上に沈着させて使用したほ
うが好ましい。反応系中の触媒濃度は、通常0.2
〜2.0重量％が適当である。 また本願方法で、添加して使用される化合物と
しては、苛性ソーダ、苛性カリなどのアルカリ金
属水酸化物、炭酸ソーダ、炭酸カリ、重炭酸ソー
ダなどのアルカリ金属の炭酸塩若しくは重炭酸
塩、または酢酸亜鉛、硝酸亜塩であり、これらを
触媒中の貴金属重量に対し0.1〜100倍好ましくは
0.5〜50倍量を直接触媒に添加してもよくまたは
水溶液として反応系へ添加してもよい。これらの
化合物はベンゼン環核水素化反応抑制剤として機
能するだけでなく、本願方法では、貴金属触媒の
助触媒としての相乗的効果もあり、通常の使用量
の触媒量でも連続的に反応系から留出されるアニ
リン中には未反応ニトロベンゼンが殆んど含まれ
ない。 本願方法の反応は以下のようにして実施する。
貴金属触媒を使用して水添反応を実施する場合、
通常反応系内に水が存在していれば触媒活性がお
ちると同時に副生成物が増大する傾向にあるの
で、反応中に生成する水は、たえず系外に除去し
て、実質的に水不存在下で反応をおこなうのが望
ましい。少量のニトロベンゼンをあらかじめチヤ
ージされているアニリン溶媒中へ導入して反応を
行い、反応器に導入されたニトロベンゼンは瞬時
にアニリンと水に転化された反応生成物は蒸気と
して系外に除去する。反応時の圧力は大気圧でも
実施可能であるが1.5〜10気圧が好ましく、反応
温度150〜250℃で実施する必要がある。反応器へ
導入するニトロベンゼンは反応液中のニトロベン
ゼン濃度が0.5重量％以下であるように、ニトロ
ベンゼンをアニリンへの転化にほぼ見合う量をア
ニリン溶媒中に供給し、好ましくは0.1重量％以
下の濃度に維持して反応をおこなう。ニトロベン
ゼン濃度が0.5重量％をこえて反応する場合は未
反応ニトロベンゼンが増し、高純度アニリンのス
ペツクにするためには、そのための蒸留工程が必
要になるので好ましくない。従つて、反応液中の
ニトロベンゼン濃度を0.5重量％以下として反応
できれば極めて工業的に有利であるが、このニト
ロベンゼン濃度付近よりＮ−シクロヘキシルアニ
リンによつて代表される核水添副生物の生成速度
が急速に増大する傾向にあり、ニトロベンゼンが
低濃度になるに従いさらにこの傾向が顕著とな
る。 このようにして反応器から、連続的に蒸気とし
て取出し凝縮されたアニリン中には、未反応ニト
ロベンゼンは殆んど含まれず、またシクロヘキサ
ノール、シクロヘキサノン、シクロヘキシリデン
アニリン、シクロヘキシルアニリンなどの核水素
添加物も殆んど含まれない高純度アニリンが連続
的に得られる。凝縮留去されたアニリンは、水を
分離後必要あれば一部反応系に戻して反応器中の
アニリン溶媒を調節する。 以上のように、本発明方法を実施することによ
り、未反応ニトロベンゼン含有量の極めて少な
い、然も核水添化物の極めて抑制された高純度ア
ニリンを得ることができ、従つて精製工程がほと
んど不要でありその効果は極めて大きいといえ
る。 以下実施例を示す。 実施例 １ ニトロベンゼン、触媒および水素ガスを連続的
に供給するための導入口、未反応の水素ガスおよ
び生成物を反応系外に排出するための出口と凝縮
器、撹拌機および温度計を備えた内容積１のス
テンレススチール製オートクレーブにアニリン
500ｇ油吸収率260のカーボン粉末にパラジウム
0.8重量パーセント、白金0.1重量パーセントおよ
び鉄0.8重量パーセントを沈着させて得られる水
素添加触媒0.3ｇおよび重炭酸ナトリウム0.1ｇを
仕込み、内温を190〜200℃に、全圧を３Kg／cm2Ｇ
に夫々保ちつつニトロベンゼン、触媒および水素
ガスを各々毎時100ｇ、0.025ｇおよび60〜80の
速度で供給し、未反応の水素ガスと共に生成水お
よびアニリンを連続的に系外に排出し、この蒸気
をオートクレーブに連結して装備した凝縮器に導
入し冷却することにより水およびアニリンを凝縮
させた。この間水素ガスの流量は供給するニトロ
ベンゼンより生成する量に対応する量のアニリン
が留出するように、即ちオートクレーブ中のアニ
リンを主成分とする液相の重量が常に500ｇ付近
に維持されるように調節した。一方、反応器内よ
り一定時間毎に供給に見合う触媒分だけ、缶液を
抜き出し（大略、供給するニトロベンゼンの10重
量％程度）、系内触媒濃度を一定に保つた。その
際、抜き出し缶液を濾過後分析する事により、缶
液中のニトロベンゼン濃度及びＮ−シクロヘキシ
ルアニリン等の核水添物やその他の副生物の生成
量を知る事ができた。得られた凝縮液は二層に分
離され、無色ないし淡黄色の透明なアニリン層が
得られた。このアニリン層中には水分が約4.5パ
ーセント含まれるが、ガスクロマトグラフ法で分
析した結果、不純物としてはシクロヘキサノー
ル、シクロヘキサノン、シクロヘキシリデンアニ
リンおよびニトロベンゼンが各々5ppm以下、
40ppm以下、20ppm以下および10ppm以下含まれ
ているにすぎず、アニリンの純度としては99.99
％以上であつた。反応器内液相中のアニリン溶液
を逐時分析しニトロベンゼン濃度が0.02％以下に
保たれていることを確認した。その間、液相中の
ニトロベンゼン濃度が高くなり過ぎ、供給するニ
トロベンゼン量を少なくしたり、触媒の供給量を
増す等の変更をする必要はなかつた。この液相中
にはＮ−シクロヘキシルアニリンが認められたが
その含有率は反応開始後30時間目で0.05％にすぎ
なかつた。 実施例２〜７、及び比較例１〜２ 触媒及び添加剤の種類を変えた以外は実施例１
と同じ方法で実施した。 結果を表に示す。 比較例 ３ ニトロベンゼン、触媒、及び水素ガスの供給速
度を各々毎時130ｇ（平均）、0.033ｇ（平均）及
び60〜90とした以外実施例１と同様に反応した
ところ、留出アニリン層中の不純物はシクロヘキ
サノール30ppm以下、シクロヘキサノン50ppm、
シクロヘキシリデンアニリン10ppm以下、及びニ
トロベンゼン400ppm以下の微黄色ないし黄色の
アンリンを得、純度は99.96％以上であつた。ま
た、反応中の反応器内液相中のアニリン溶液を逐
次分析し、ニトロベンゼン濃度を0.52〜0.58％に
保つた。この間このニトロベンゼン濃度を保つ
為、ニトロベンゼンの供給量を毎時120〜140ｇ
（平均130ｇ）、触媒の供給量を0.025〜0.038ｇ
（平均0.033ｇ）として運転する必要があつた。 また、この液相中にはＮ−シクロヘキシルアニ
リンが認められたが反応開始後30時間目で0.01％
であつた。 【表】
リンの製造方法に関する。 芳香族ニトロ化合物を液相で水素添加して対応
する芳香族アミンを製造する方法が米国特許
2292879号に提案されている。この方法は細分さ
れた担体上に支持されたニツケル、コバルト、ま
たは銅触媒を使用して、これをニトロ化合物とそ
の水素添加生成物であるアミンとの混合液中に懸
濁させ、これに水素を通して反応をおこなうもの
である。その明細書には、反応で生成する水をア
ミンとともに反応系から連続的に留去させるよう
な条件で反応をおこなうことによつて触媒の活性
が高く保持されること、さらに芳香族アミンを反
応溶媒として使用し、そのアミンの濃度を比較的
高くして反応させることにより触媒の活性度を増
大させることが記載されている。 また、特許公報昭50−15779号明細書には、前
記米国特許と同様液相反応で、溶媒として使用す
る生成芳香族アミンの濃度を液相中で95重量％以
上に維持し、反応をできるだけ常圧付近で、しか
も沸点またはその近くの温度でおこなうことによ
り、反応生成水が容易に系外に除去できてまた反
応器より留去される生成物中にはニトロ化合物の
含有量の少ない芳香族アミンが得られるので有利
であることが提案されている。 反応液中のアミン濃度を高く保つことは、即ち
ニトロ化合物を反応の消費に見合う量だけをチヤ
ージすることは系外へ留去される生成物中の未反
応ニトロ化合物の含有率を低くするためには望ま
しいことであり、また本反応のように発熱の大き
な反応では温度制御のため多量の溶媒を使用し
て、蒸発潜熱で反応熱を制御することも一般に推
奨されているところである。 このような観点からみれば反応液中のアミン濃
度はできる限り100％に近く保ち、ニトロ化合物
の濃度を低くすることが有利なように思われる。
しかしながらアミン溶媒中でニトロ化合物の濃度
を低くして反応をおこなえば副反応として芳香族
環の核水素添加がおきやすくなり、シクロヘキシ
ルアミン、シクロヘキサノン、シクロヘキシリデ
ンアニリン、シクロヘキシルアニリンなどの不純
物を生成しやすくなる。これらの副生率は反応系
中のニトロ化合物の濃度が低いほど著しい。 これらの核水添加物である副生不純物の生成を
抑制するため、特公昭47−27212にはアルカノー
ルアミンなどの有機塩基物を添加することが提案
されており、例えばニトロベンゼンの水素添加に
よりアニリン製造の場合においてトリエタノール
アミンを添加しているが、この場合でも満足でき
るものではない。 また、通常市販されている高純度アニリン中に
はニトロベンゼンは10ppm程度以下の含有が望ま
しいとされているが、ニトロベンゼンの濃度を
0.5重量％以下の低い濃度に保つて反応を実施し
ても、未反応ニトロベンゼンの20ppm以上がアニ
リンと共に留出し、触媒量を増加させて未反応ニ
トロベンゼンの留出を抑制しようとすれば、核水
添加物は、それだけ比例して増加する。 本発明者らは、貴金属触媒の存在下接触水素添
加によるニトロベンゼンからのアニリンの製造法
において、このような問題を解決すべく鋭意検討
した結果、特定反応条件下に特定の化合物を添加
することにより、未反応ニトロベンゼンを殆んど
含有せず、しかも核水添化物含有量の極めて少な
い高純度のアニリンの製造方法を見出し、本願方
法を完成させたものである。 即ち、本願方法は貴金属触媒を用いて、ニトロ
ベンゼンの接触水素添加によるアニリンの連続的
製造方法において、アルカリ金属水酸化物、アル
カリ金属炭酸塩、アルカリ金属重炭酸塩、酢酸亜
鉛、硝酸亜鉛から選ばれた化合物の存在下、アニ
リン反応液中のニトロベンゼンの濃度を0.5重量
％以下に保ちながら反応をおこなうことを特徴と
する蒸留工程を経ることなく高純度アニリンを連
続的に製造する方法である。 本願方法に使用できる貴金属触媒とは、通常ニ
トロ化合物の接触水素添加反応に使用できる触媒
であり特定されるものではない。例えばパラジウ
ム、白金およびロジウム等を含有する触媒が使用
できる。特にパラジウムおよびまたはパラジウム
−白金系触媒が好ましく、パラジウム系触媒を使
用する場合は、担体として少くとも100の油吸収
率を有する親油性炭素上に沈着させて使用したほ
うが好ましい。反応系中の触媒濃度は、通常0.2
〜2.0重量％が適当である。 また本願方法で、添加して使用される化合物と
しては、苛性ソーダ、苛性カリなどのアルカリ金
属水酸化物、炭酸ソーダ、炭酸カリ、重炭酸ソー
ダなどのアルカリ金属の炭酸塩若しくは重炭酸
塩、または酢酸亜鉛、硝酸亜塩であり、これらを
触媒中の貴金属重量に対し0.1〜100倍好ましくは
0.5〜50倍量を直接触媒に添加してもよくまたは
水溶液として反応系へ添加してもよい。これらの
化合物はベンゼン環核水素化反応抑制剤として機
能するだけでなく、本願方法では、貴金属触媒の
助触媒としての相乗的効果もあり、通常の使用量
の触媒量でも連続的に反応系から留出されるアニ
リン中には未反応ニトロベンゼンが殆んど含まれ
ない。 本願方法の反応は以下のようにして実施する。
貴金属触媒を使用して水添反応を実施する場合、
通常反応系内に水が存在していれば触媒活性がお
ちると同時に副生成物が増大する傾向にあるの
で、反応中に生成する水は、たえず系外に除去し
て、実質的に水不存在下で反応をおこなうのが望
ましい。少量のニトロベンゼンをあらかじめチヤ
ージされているアニリン溶媒中へ導入して反応を
行い、反応器に導入されたニトロベンゼンは瞬時
にアニリンと水に転化された反応生成物は蒸気と
して系外に除去する。反応時の圧力は大気圧でも
実施可能であるが1.5〜10気圧が好ましく、反応
温度150〜250℃で実施する必要がある。反応器へ
導入するニトロベンゼンは反応液中のニトロベン
ゼン濃度が0.5重量％以下であるように、ニトロ
ベンゼンをアニリンへの転化にほぼ見合う量をア
ニリン溶媒中に供給し、好ましくは0.1重量％以
下の濃度に維持して反応をおこなう。ニトロベン
ゼン濃度が0.5重量％をこえて反応する場合は未
反応ニトロベンゼンが増し、高純度アニリンのス
ペツクにするためには、そのための蒸留工程が必
要になるので好ましくない。従つて、反応液中の
ニトロベンゼン濃度を0.5重量％以下として反応
できれば極めて工業的に有利であるが、このニト
ロベンゼン濃度付近よりＮ−シクロヘキシルアニ
リンによつて代表される核水添副生物の生成速度
が急速に増大する傾向にあり、ニトロベンゼンが
低濃度になるに従いさらにこの傾向が顕著とな
る。 このようにして反応器から、連続的に蒸気とし
て取出し凝縮されたアニリン中には、未反応ニト
ロベンゼンは殆んど含まれず、またシクロヘキサ
ノール、シクロヘキサノン、シクロヘキシリデン
アニリン、シクロヘキシルアニリンなどの核水素
添加物も殆んど含まれない高純度アニリンが連続
的に得られる。凝縮留去されたアニリンは、水を
分離後必要あれば一部反応系に戻して反応器中の
アニリン溶媒を調節する。 以上のように、本発明方法を実施することによ
り、未反応ニトロベンゼン含有量の極めて少な
い、然も核水添化物の極めて抑制された高純度ア
ニリンを得ることができ、従つて精製工程がほと
んど不要でありその効果は極めて大きいといえ
る。 以下実施例を示す。 実施例 １ ニトロベンゼン、触媒および水素ガスを連続的
に供給するための導入口、未反応の水素ガスおよ
び生成物を反応系外に排出するための出口と凝縮
器、撹拌機および温度計を備えた内容積１のス
テンレススチール製オートクレーブにアニリン
500ｇ油吸収率260のカーボン粉末にパラジウム
0.8重量パーセント、白金0.1重量パーセントおよ
び鉄0.8重量パーセントを沈着させて得られる水
素添加触媒0.3ｇおよび重炭酸ナトリウム0.1ｇを
仕込み、内温を190〜200℃に、全圧を３Kg／cm2Ｇ
に夫々保ちつつニトロベンゼン、触媒および水素
ガスを各々毎時100ｇ、0.025ｇおよび60〜80の
速度で供給し、未反応の水素ガスと共に生成水お
よびアニリンを連続的に系外に排出し、この蒸気
をオートクレーブに連結して装備した凝縮器に導
入し冷却することにより水およびアニリンを凝縮
させた。この間水素ガスの流量は供給するニトロ
ベンゼンより生成する量に対応する量のアニリン
が留出するように、即ちオートクレーブ中のアニ
リンを主成分とする液相の重量が常に500ｇ付近
に維持されるように調節した。一方、反応器内よ
り一定時間毎に供給に見合う触媒分だけ、缶液を
抜き出し（大略、供給するニトロベンゼンの10重
量％程度）、系内触媒濃度を一定に保つた。その
際、抜き出し缶液を濾過後分析する事により、缶
液中のニトロベンゼン濃度及びＮ−シクロヘキシ
ルアニリン等の核水添物やその他の副生物の生成
量を知る事ができた。得られた凝縮液は二層に分
離され、無色ないし淡黄色の透明なアニリン層が
得られた。このアニリン層中には水分が約4.5パ
ーセント含まれるが、ガスクロマトグラフ法で分
析した結果、不純物としてはシクロヘキサノー
ル、シクロヘキサノン、シクロヘキシリデンアニ
リンおよびニトロベンゼンが各々5ppm以下、
40ppm以下、20ppm以下および10ppm以下含まれ
ているにすぎず、アニリンの純度としては99.99
％以上であつた。反応器内液相中のアニリン溶液
を逐時分析しニトロベンゼン濃度が0.02％以下に
保たれていることを確認した。その間、液相中の
ニトロベンゼン濃度が高くなり過ぎ、供給するニ
トロベンゼン量を少なくしたり、触媒の供給量を
増す等の変更をする必要はなかつた。この液相中
にはＮ−シクロヘキシルアニリンが認められたが
その含有率は反応開始後30時間目で0.05％にすぎ
なかつた。 実施例２〜７、及び比較例１〜２ 触媒及び添加剤の種類を変えた以外は実施例１
と同じ方法で実施した。 結果を表に示す。 比較例 ３ ニトロベンゼン、触媒、及び水素ガスの供給速
度を各々毎時130ｇ（平均）、0.033ｇ（平均）及
び60〜90とした以外実施例１と同様に反応した
ところ、留出アニリン層中の不純物はシクロヘキ
サノール30ppm以下、シクロヘキサノン50ppm、
シクロヘキシリデンアニリン10ppm以下、及びニ
トロベンゼン400ppm以下の微黄色ないし黄色の
アンリンを得、純度は99.96％以上であつた。ま
た、反応中の反応器内液相中のアニリン溶液を逐
次分析し、ニトロベンゼン濃度を0.52〜0.58％に
保つた。この間このニトロベンゼン濃度を保つ
為、ニトロベンゼンの供給量を毎時120〜140ｇ
（平均130ｇ）、触媒の供給量を0.025〜0.038ｇ
（平均0.033ｇ）として運転する必要があつた。 また、この液相中にはＮ−シクロヘキシルアニ
リンが認められたが反応開始後30時間目で0.01％
であつた。 【表】
Claims (1)
- １ 貴金属触媒を用いて、ニトロベンゼンの接触
水素添加によるアニリンの連続的製造方法におい
て、アルカリ金属水酸化物、アルカリ金属炭酸
塩、アルカリ金属重炭酸塩、酢酸亜鉛、硝酸亜鉛
から選ばれた化合物の存在下、アニリン反応液中
のニトロベンゼンの濃度を0.5重量％以下に保ち
ながら反応をおこなうことを特徴とする高純度ア
ニリンの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56102256A JPS584750A (ja) | 1981-07-02 | 1981-07-02 | 高純度アニリンの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56102256A JPS584750A (ja) | 1981-07-02 | 1981-07-02 | 高純度アニリンの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS584750A JPS584750A (ja) | 1983-01-11 |
| JPH0136460B2 true JPH0136460B2 (ja) | 1989-07-31 |
Family
ID=14322506
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56102256A Granted JPS584750A (ja) | 1981-07-02 | 1981-07-02 | 高純度アニリンの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS584750A (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5105012A (en) * | 1989-03-24 | 1992-04-14 | Fmc Corporation | Catalytic reduction of dinitrobenzenes using a noble metal catalyst and iron or iron salts |
| US5283365A (en) * | 1990-05-15 | 1994-02-01 | Mitsui Toatsu Chemicals, Incorporated | Process for preparing high-purity aniline |
| JP2801381B2 (ja) | 1990-09-18 | 1998-09-21 | 三井化学株式会社 | 高純度アニリンの製造法 |
| JP5010312B2 (ja) * | 2007-03-02 | 2012-08-29 | 住友化学株式会社 | 液相反応の反応開始方法 |
| JP4980753B2 (ja) * | 2007-03-12 | 2012-07-18 | 住友化学株式会社 | 液相反応の反応停止方法 |
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-
1981
- 1981-07-02 JP JP56102256A patent/JPS584750A/ja active Granted
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS584750A (ja) | 1983-01-11 |
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