JPH0137853B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0137853B2 JPH0137853B2 JP59117315A JP11731584A JPH0137853B2 JP H0137853 B2 JPH0137853 B2 JP H0137853B2 JP 59117315 A JP59117315 A JP 59117315A JP 11731584 A JP11731584 A JP 11731584A JP H0137853 B2 JPH0137853 B2 JP H0137853B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead frame
- lead
- groove
- resin
- burrs
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/40—Leadframes
- H10W70/421—Shapes or dispositions
- H10W70/424—Cross-sectional shapes
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はリードフレームの製造方法に関し、一
層詳細には、プレス加工によつて形成されるもの
において、バリの発生を少なくし、封止物質にバ
リによるクラツク等の発生するのを有効に抑止す
ることのできるリードフレームの効果的な製造方
法に関する。
層詳細には、プレス加工によつて形成されるもの
において、バリの発生を少なくし、封止物質にバ
リによるクラツク等の発生するのを有効に抑止す
ることのできるリードフレームの効果的な製造方
法に関する。
（従来の技術およびその問題点）
半導体装置に用いられるリードフレームはプレ
ス加工によつて形成されるのが一般的であるが、
各種材料の硬度の違い、プレス金型の摩耗等によ
つてプレスバリが発生する。プレス時のバリの発
生を抑止するには、プレスマシンのパワーアツプ
や、プレス金型のクリアランス調整などがある
が、バリの発生を完全に防ぐことは難しい状況に
ある。そして発生したバリに対しては、リードフ
レームのパターンの形状が複雑なこともあつて、
何ら処理されていないのが実情である。
ス加工によつて形成されるのが一般的であるが、
各種材料の硬度の違い、プレス金型の摩耗等によ
つてプレスバリが発生する。プレス時のバリの発
生を抑止するには、プレスマシンのパワーアツプ
や、プレス金型のクリアランス調整などがある
が、バリの発生を完全に防ぐことは難しい状況に
ある。そして発生したバリに対しては、リードフ
レームのパターンの形状が複雑なこともあつて、
何ら処理されていないのが実情である。
ところでリードフレームは半導体素子の搭載、
ワイヤボンデイングの後、樹脂あるいは低融点ガ
ラスなどを用いて封止される。その際リードフレ
ームにプレス加工により発生したバリが存在する
と、リードフレームと封止物質の熱膨張率の差異
により、半導体装置の使用時の発熱等によるサイ
クル的な熱膨張熱収縮が起こり、該熱膨張熱収縮
による応力集中、あるいは外部リードの曲げ等に
よる機械的外力による応力集中などにより、第１
図に例示するように、バリ近傍の封止物質にクラ
ツクが発生し、パツケージの気密性を劣化させ、
半導体装置の信頼性を低下させ、また寿命を短く
するという難点がある。
ワイヤボンデイングの後、樹脂あるいは低融点ガ
ラスなどを用いて封止される。その際リードフレ
ームにプレス加工により発生したバリが存在する
と、リードフレームと封止物質の熱膨張率の差異
により、半導体装置の使用時の発熱等によるサイ
クル的な熱膨張熱収縮が起こり、該熱膨張熱収縮
による応力集中、あるいは外部リードの曲げ等に
よる機械的外力による応力集中などにより、第１
図に例示するように、バリ近傍の封止物質にクラ
ツクが発生し、パツケージの気密性を劣化させ、
半導体装置の信頼性を低下させ、また寿命を短く
するという難点がある。
本発明は上記の難点を解消すべくなされたもの
であり、その目的とするところは、バリの発生を
少なくし、封止物質にバリによるクラツクが発生
するのを有効に抑止することのできるリードフレ
ームの製造方法を提供するにある。
であり、その目的とするところは、バリの発生を
少なくし、封止物質にバリによるクラツクが発生
するのを有効に抑止することのできるリードフレ
ームの製造方法を提供するにある。
（問題点を解決するための手段）
上記目的による本発明では、樹脂、低融点ガラ
スなどにより封止されるリードフレームの製造方
法において、金属帯条の裏面に、リードフレーム
に形成された際の、前記樹脂、低融点ガラスなど
により封止される封止部の外部リード部との境界
部近傍における内部リード部側縁稜に対応してあ
らかじめ凹溝を形成し、金属帯条の表面側からプ
レス金型によりリードフレームのパターンに打抜
いて、前記側縁稜に前記凹溝の一部を残すことを
特徴とする。
スなどにより封止されるリードフレームの製造方
法において、金属帯条の裏面に、リードフレーム
に形成された際の、前記樹脂、低融点ガラスなど
により封止される封止部の外部リード部との境界
部近傍における内部リード部側縁稜に対応してあ
らかじめ凹溝を形成し、金属帯条の表面側からプ
レス金型によりリードフレームのパターンに打抜
いて、前記側縁稜に前記凹溝の一部を残すことを
特徴とする。
（実施例）
以下本発明の好適な実施例を添付図面に基づき
詳細に説明する。
詳細に説明する。
第２図はリードフレーム１０の一例を示すもの
である。
である。
図において破線で囲まれる部分は樹脂で封止さ
れる封止部を示す。したがつて１２は内部リード
部、１４は外部リード部となるべきところであ
る。
れる封止部を示す。したがつて１２は内部リード
部、１４は外部リード部となるべきところであ
る。
封止部の外部リード部１４との境界部近傍の内
部リード部１２の側縁稜には、第３図に示すよう
に面取りを施す。またこの際、封止境界部におけ
るバリを残さないように、封止部近傍の外部リー
ド部側縁稜にまで及んで面取りを施すのがよい。
なお必要に応じて内部リード部１２全体の側縁稜
に面取りを施してもよい。
部リード部１２の側縁稜には、第３図に示すよう
に面取りを施す。またこの際、封止境界部におけ
るバリを残さないように、封止部近傍の外部リー
ド部側縁稜にまで及んで面取りを施すのがよい。
なお必要に応じて内部リード部１２全体の側縁稜
に面取りを施してもよい。
したがつて、リードフレーム１０に半導体素子
を搭載して必要な配線を施して、樹脂封止した場
合に、第４図に示すように側縁稜に面取りが施さ
れているから、リードフレームと樹脂とに熱膨張
率に差異があつて、半導体装置として使用される
際の熱膨張、熱収縮が起つても、あるいは外部リ
ード部１４を折曲して使用する際の外部リード部
の折曲等による機械的外力が作用したときにも、
樹脂への応力が面取りした広い面積部から作用す
るから、従来のように尖鋭なプレスバリ部に応力
が集中することがなく、樹脂のクラツク発生を有
効に抑止しうる。
を搭載して必要な配線を施して、樹脂封止した場
合に、第４図に示すように側縁稜に面取りが施さ
れているから、リードフレームと樹脂とに熱膨張
率に差異があつて、半導体装置として使用される
際の熱膨張、熱収縮が起つても、あるいは外部リ
ード部１４を折曲して使用する際の外部リード部
の折曲等による機械的外力が作用したときにも、
樹脂への応力が面取りした広い面積部から作用す
るから、従来のように尖鋭なプレスバリ部に応力
が集中することがなく、樹脂のクラツク発生を有
効に抑止しうる。
なお、低融点ガラス封止型セラミツクパツケー
ジのように、リードフレームが低融点ガラスによ
つて封止されるものにおいても（図示せず）、本
発明に係るリードフレーム１０を用いることによ
つて、低融点ガラスにクラツクが発生することが
なく、気密性が保持され、信頼度の高い、かつ寿
命の長い半導体装置として供することができる。
ジのように、リードフレームが低融点ガラスによ
つて封止されるものにおいても（図示せず）、本
発明に係るリードフレーム１０を用いることによ
つて、低融点ガラスにクラツクが発生することが
なく、気密性が保持され、信頼度の高い、かつ寿
命の長い半導体装置として供することができる。
次にリードフレーム１０の製造方法について第
５図に基づき説明する。
５図に基づき説明する。
まず、金属帯条裏面側に、リードフレーム形状
に形成された際の、内部リード部全部、または外
部リード部との境界部近傍の内部リード部の側縁
稜となるべき側縁稜を含むように、かつ側縁稜に
沿つてＶ溝２８を刻設する。
に形成された際の、内部リード部全部、または外
部リード部との境界部近傍の内部リード部の側縁
稜となるべき側縁稜を含むように、かつ側縁稜に
沿つてＶ溝２８を刻設する。
次いで金属帯条を表面側からプレス金型を用い
てリードフレームのパターンに打抜いて、側縁稜
にＶ溝２８の傾斜壁の一部を残すことによつて、
同図ｂに示すように面取りを施すものである。
てリードフレームのパターンに打抜いて、側縁稜
にＶ溝２８の傾斜壁の一部を残すことによつて、
同図ｂに示すように面取りを施すものである。
この方法によると、リードフレームの側縁稜に
有効な面取り部が形成される。また金属帯条に裏
面側からあらかじめＶ溝が形成されていて、プレ
スによつて打ち抜く厚さが減じられるから、プレ
ス加工によつて生じるバリを可及的に少なくする
ことができ、バリが発生したとしても、このバリ
はリードフレームの裏面側までは突出しない。
有効な面取り部が形成される。また金属帯条に裏
面側からあらかじめＶ溝が形成されていて、プレ
スによつて打ち抜く厚さが減じられるから、プレ
ス加工によつて生じるバリを可及的に少なくする
ことができ、バリが発生したとしても、このバリ
はリードフレームの裏面側までは突出しない。
したがつて封止用樹脂や低融点ガラスにクラツ
クが発生するのを抑止できる。
クが発生するのを抑止できる。
なお上記実施例ではＶ溝を例として説明した
が、これに限られることはなく、Ｕ字状の溝等で
あつてもよいことはもちろんである。
が、これに限られることはなく、Ｕ字状の溝等で
あつてもよいことはもちろんである。
（発明の効果）
以上のように本発明方法によれば、あらかじめ
金属帯条の裏面側に凹溝を形成し、次いでこの凹
溝内に抜き線が位置するように表面側からプレス
金型によつて金属帯条を所定のパターンに打抜く
ものであるから、プレスによつて打抜く厚さが減
じられ、バリがほとんど発生しないか、発生した
としても小さく、しかも凹溝内に生じるのでリー
ドフレームの裏面側に突出しない。
金属帯条の裏面側に凹溝を形成し、次いでこの凹
溝内に抜き線が位置するように表面側からプレス
金型によつて金属帯条を所定のパターンに打抜く
ものであるから、プレスによつて打抜く厚さが減
じられ、バリがほとんど発生しないか、発生した
としても小さく、しかも凹溝内に生じるのでリー
ドフレームの裏面側に突出しない。
したがつて封止用樹脂や低融点ガラスにクラツ
クを発生させるおそれのないリードフレームを提
供しうる。
クを発生させるおそれのないリードフレームを提
供しうる。
以上、本発明につき好適な実施例を挙げて種々
説明したが、本発明はこの実施例に限定されるも
のではなく、発明の精神を逸脱しない範囲内で多
くの改変を施し得るのはもちろんのことである。
説明したが、本発明はこの実施例に限定されるも
のではなく、発明の精神を逸脱しない範囲内で多
くの改変を施し得るのはもちろんのことである。
第１図はバリによつて封止物質にクラツクが発
生した状態を示す説明図、第２図はリードフレー
ムの一例を示す平面図、第３図はその内部リード
部の端面図、第４図は封止物質による封止状態を
示す説明図、第５図は面取りを施す工程を示す説
明である。 １０……リードフレーム、１２……内部リード
部、１４……外部リード部、２８……Ｖ溝。
生した状態を示す説明図、第２図はリードフレー
ムの一例を示す平面図、第３図はその内部リード
部の端面図、第４図は封止物質による封止状態を
示す説明図、第５図は面取りを施す工程を示す説
明である。 １０……リードフレーム、１２……内部リード
部、１４……外部リード部、２８……Ｖ溝。
Claims (1)
- １ 樹脂、低融点ガラスなどにより封止されるリ
ードフレームの製造方法において、金属帯条の裏
面に、リードフレームに形成された際の、前記樹
脂、低融点ガラスなどにより封止される封止部の
外部リード部との境界部近傍における内部リード
部側縁稜に対応してあらかじめ凹溝を形成し、金
属帯条の表面側からプレス金型によりリードフレ
ームのパターンに打抜いて、前記側縁稜に前記凹
溝の一部を残すことを特徴とするリードフレーム
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59117315A JPS60261163A (ja) | 1984-06-07 | 1984-06-07 | リードフレームの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59117315A JPS60261163A (ja) | 1984-06-07 | 1984-06-07 | リードフレームの製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63319001A Division JPH01215412A (ja) | 1988-12-16 | 1988-12-16 | プレス加工方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60261163A JPS60261163A (ja) | 1985-12-24 |
| JPH0137853B2 true JPH0137853B2 (ja) | 1989-08-09 |
Family
ID=14708705
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59117315A Granted JPS60261163A (ja) | 1984-06-07 | 1984-06-07 | リードフレームの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60261163A (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62186555A (ja) * | 1986-02-12 | 1987-08-14 | Hitachi Cable Ltd | プレス成形リードフレームの製造方法 |
| JPS6333642U (ja) * | 1986-08-19 | 1988-03-04 | ||
| JPH0677374A (ja) * | 1992-08-27 | 1994-03-18 | Nec Corp | 半導体装置用リードおよびその製造方法 |
| JP3685057B2 (ja) * | 1999-12-08 | 2005-08-17 | 日亜化学工業株式会社 | Ｌｅｄランプ及びその製造方法 |
| DE60116795T2 (de) * | 2001-12-24 | 2006-08-17 | Van Doorne's Transmissie B.V. | Werkstück,schubtreibriemen und verfahren und werkzeug dafür |
| JP5549612B2 (ja) * | 2011-01-31 | 2014-07-16 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP6236484B2 (ja) * | 2016-02-24 | 2017-11-22 | シャープ株式会社 | 発光装置 |
| JP6394634B2 (ja) | 2016-03-31 | 2018-09-26 | 日亜化学工業株式会社 | リードフレーム、パッケージ及び発光装置、並びにこれらの製造方法 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS501658A (ja) * | 1973-05-07 | 1975-01-09 | ||
| JPS501649A (ja) * | 1973-05-07 | 1975-01-09 | ||
| JPS51150185A (en) * | 1975-06-18 | 1976-12-23 | Hirata Press Kogyo Kk | Shearing processing |
| JPS5574013A (en) * | 1978-11-28 | 1980-06-04 | Tanaka Precious Metal Ind | Electric contact band material and method of fabricating same |
| JPS55160449A (en) * | 1979-05-31 | 1980-12-13 | Toshiba Corp | Semiconductor device |
| JPS60123047A (ja) * | 1983-12-07 | 1985-07-01 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
-
1984
- 1984-06-07 JP JP59117315A patent/JPS60261163A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60261163A (ja) | 1985-12-24 |
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