JPH01215412A - プレス加工方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、パリの発生を極力少なくすることのできるプ
レス加工方法に関する。

（従来の技術とその問題点） 半導体装置に用いられるリードフレームはプレス加工に
よって形成されるのが一般的であるが、各種材料の硬度
の違い、プレス金型の摩耗等によってプレスパリが発生
する。プレス時のパリの発生を抑止するには、プレスマ
シンのパワーアップや、プレス金型のクリアランス調整
などがあるが、パリの発生を完全に防ぐことは難しい状
況にある。

そして発生したパリに対しては、リードフレームのパタ
ーンの形状が複雑なこともあって、何ら処理されていな
いのが実情である。

ところでリードフレームは半導体素子の搭載、ワイヤボ
ンディングの後、樹脂あるいは低融点ガラスなどを用い
て封止される。その際リードフレームにプレス加工によ
り発生したパリが存在すると、リードフレームと封止物
質の熱膨張率の差異により、半導体装置の使用時の発熱
等によるサイクル的な熱膨張熱収縮が起こり、該熱膨張
熱収縮による応力集中、あるいは外部リードの曲げ等に
よる機械的外力による応力集中などにより、第１図に例
示するように、パリ近傍の封止物質にクランクが発生し
、パッケージの気密性を劣化させ、半導体装置の信頼性
を低下させ、また寿命を短くするという難点がある。

また半導体レーザー素子を搭載する気密端子のステムも
、板状素材からプレス加工によって打ち抜いて形成する
が、その際やはリステム下面側に突出するプレスバリが
発生する。通常のステムにあっては、このようなプレス
パリはバレル掛けするなどして除去することができる。

しかしながら、半導体レーザー装置にあっては、半導体
レーザー素子は、ステム上面に起立する放熱部の垂直壁
面上に、放熱部の上端稜を基準にして正確に位置決めし
て取り付ける必要があり、こΦようなステムを前記のよ
うにバレル掛けすると放熱部の上端稜がダしてしまい、
半導体レーザー素子を正確に位置決め固定することがで
きなくなってしまう。したがって従来においてはステム
を人手によりサンドペーパー掛けするなどしてパリの除
去を行っていたが、甚だ非能率的であった。

そこで本発明は、パリがほとんど発生しないか、発生し
たとしても小さく、しかも製品の下面側に突出しないの
でパリの除去作業が不要となるプレス加工方法を提供す
ることを目的とする。

（課題を解決するための手段） 上記目的による本発明では、素材の裏面側に、抜き線に
跨がって、抜き線の全部または一部に凹溝を形成し、し
かる後素材の表面側から上記所定の抜き線に従ってプレ
ス抜きすることを特徴とする。

（実施例） 以下本発明の好適な実施例を添付図面に基づき詳細に説
明する。

第２図はリードフレーム１０の一例を示すものである。

図において破線で囲まれる部分は樹脂で封止される封止
部を示す。したがって１２は内部リード部、１４は外部
リード部となるべきところである。。

封止部の外部リード部１４との境界部近傍の内部リード
部１２の側縁稜には、第３図に示すように面取りを施す
。またこの際、封止境界部におけるパリを残さないよう
に、封止部近傍の外部リード部側縁稜にまで及んで面取
りを施すのがよい。

なお必要に応じて内部リード部１２全体の側縁稜に面取
りを施してもよい。

したがって、リードフレーム１０に半導体素子を搭載し
て必要な配線を施してのち、樹脂封止した場合に、第４
図に示すように側縁稜に面取りが施されているから、リ
ードフレームと樹脂とに熱膨張率に差異があって、半導
体装置として使用される際の熱膨張、熱収縮が起っても
、あるいは外部リード部１４を折曲して使用する際の外
部リード部の折曲等による機械的外力が作用したときに
も、樹脂への応力が面取りした広い面積部から作用する
から、従来のように尖鋭なプレスパリ部に応力が集中す
ることがなく、樹脂のクラック発生を有効に抑止しうる
。

なお、低融点ガラス封止型セラミックパッケージのよう
に、リードフレームが低融点ガラスによって封止される
ものにおいても（図示せず）、本発明に係るリードフレ
ーム１０を用いることによって、低融点ガラスにクラン
クが発生することがなく、気密性が保持され、信頼度の
高い、かつ寿命の長い半導体装置として供することがで
きる。

次にリードフレーム１０の製造方法について第５図に基
づき説明する。

まず、金属帯条裏面側に、リードフレーム形状に形成さ
れた際の、内部リード部全部、または外部リード部との
境界部近傍の内部リード部の側縁稜となるべき側縁稜を
含むように、かつ側縁稜に沿って■溝２８を刻設する。

次いで金属帯条を表面側からプレス金型を用いてリード
フレームのパターンに打抜いて、側縁稜にＶ溝２８の傾
斜壁の一部を残すことによって、同図（ｂ）に示すよう
に面取りを施すものである。

この方法によると、リードフレームの側縁稜に有効な面
取り部が形成される。また金属帯条に裏面側からあらか
じめＶ溝が形成されていて、プレスによって打抜く厚さ
が減じられるから、プレス加工によって生じるパリを可
及的に少なくすることができ、パリが発生したとしても
、このパリはリードフレームの裏面側までは突出しない
。

したがって封止用樹脂や低融点ガラスにクランクが発生
するのを抑止できる。

なお上記実施例ではＶ溝を例として説明したが、これに
限られることはなく、０字状の溝等であってもよいこと
はもちろんである。

第６図は、半導体レーザー装置用ステムの加工例を示す
。

まず同図（ａｌに示すように、素材４０の下面側にプレ
ス金型４１（下型のみ図示）により、ステムの抜き線に
沿ってＶ溝４２を形成する。なお素材４０には別途プレ
ス加工等によって、半導体レーザー素子を搭載するため
の直方体−状の放熱部４３が形成されている。半導体レ
ーザー素子は放熱部４３前面に位置決めして固定される
。

次に同図（ｂ）に示すように、プレス金型４４により、
抜き線に沿って素材４０の上面側から抜き加工する。

これにより、同図（ｅ）に示すように、プレスパリが発
生するが、Ｖ溝４２が形成されていて、このＶ溝４２内
でプレス抜きがされるから、パリがステム下方に突出す
ることがない。したがってパリの除去は不要となる。

なおステムには、リード線をガラスによって植立するた
めの貫通孔（図示せず）が穿設される。

上記実施例では半導体レーザー装置用ステムを例として
説明したが、一般的な気密端子用ステムにも適用しうろ
ことはもちろんである。

また、リードフレームや気密端子用ステムの他、他の電
子部品等、バレル掛けなどによるパリの除去が不適当な
製品の加工などに汎く適用しうる。

以上、本発明につき好適な実施例を挙げて種々説明した
が、本発明はこの実施例に限定されるものではなく、発
明の精神を逸脱しない範囲内で多くの改変を施し得るの
はもちろんのことである。

（発明の効果） 以上のように本発明方法によれば、あらかじめ素材の裏
面側に凹溝を形成し、次いでこの凹溝内に抜き線が位置
するように表面側からプレス金型によって素材を所定の
パターンに打抜くものであるから、パリがほとんど発生
しないか、発生したとしても小さく、しかも凹溝内に生
じるので製品の裏面側に突出しない。

したがって、パリの除去が不要となり、製品の変形など
によりバレル掛けなどによるパリの除去が行えない製品
の加工に好適である。

【図面の簡単な説明】

第１図はパリによって封止物質にクランクが発生した状
態を示す説明図、第２図はリードフレームの一例を示す
平面図、第３図はその内部リード部の端面図、第４図は
封止物質による封止状態を示す説明図、第５図はリード
フレームの加工工程を示す説明図、第６図は半導体レー
ザー装置用ステムの加工工程を示す説明図である。 １０・・・リードフレーム、　　１２・・・内部リード
部、　　１４・・・外部リード部、　　２８・・・■溝
、　４０・・・素材、　４２・・・■溝、４３・・・放
熱部。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、素材の裏面側に、抜き線に跨がって、抜き線の全部
   または一部に凹溝を形成し、しかる後素材の表面側から
   上記所定の抜き線に従ってプレス抜きすることを特徴と
   するプレス加工方法。