JPH0138623Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0138623Y2 JPH0138623Y2 JP1982129935U JP12993582U JPH0138623Y2 JP H0138623 Y2 JPH0138623 Y2 JP H0138623Y2 JP 1982129935 U JP1982129935 U JP 1982129935U JP 12993582 U JP12993582 U JP 12993582U JP H0138623 Y2 JPH0138623 Y2 JP H0138623Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ceramic substrate
- electrode
- thin film
- electrodes
- display
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
技術分野
本考案は薄膜ELデイスプレイに関するもので
ある。
ある。
背景技術
薄膜EL素子は、一般に第１図に示すような二
重絶縁構造を有しており、これはガラス基板１
に、酸化インジウム等よりなる透明電極２、酸化
イツトリウム等よりなる第１の絶縁層３、硫化亜
鉛にマンガンを混合したもの等よりなる発光層
４、酸化イツトリウム等よりなる第２の絶縁層
５、アルミニウム等よりなる裏面電極６を、順に
薄膜にて積層して製造されている。而してこの従
来の薄膜EL素子７は、第１及び第２の絶縁層３，
５が薄膜で形成されているので、ピンホールが発
生し易く、耐圧が充分にとれない欠点があつた。
また表示のパターンは透明電極２及びこれに対向
する裏面電極６を部分的に形成することにより、
両電極に挾まれた部分で与えられるため、製造時
に種々のマスクを精密に位置決めする作業を必要
とし、量産化の難点となつていた。さらに従来の
薄膜EL素子は一枚のガラス基板単位で製造され
るので、その表示面積に限度があり、仮りにそれ
らを複数枚組合せて、大面積の表示面を得ようと
しても、透明電極と裏面電極がガラス基板に対し
て同一面側に導出されているので、電極の接続が
実際上不可能で実用化できなかつた。
重絶縁構造を有しており、これはガラス基板１
に、酸化インジウム等よりなる透明電極２、酸化
イツトリウム等よりなる第１の絶縁層３、硫化亜
鉛にマンガンを混合したもの等よりなる発光層
４、酸化イツトリウム等よりなる第２の絶縁層
５、アルミニウム等よりなる裏面電極６を、順に
薄膜にて積層して製造されている。而してこの従
来の薄膜EL素子７は、第１及び第２の絶縁層３，
５が薄膜で形成されているので、ピンホールが発
生し易く、耐圧が充分にとれない欠点があつた。
また表示のパターンは透明電極２及びこれに対向
する裏面電極６を部分的に形成することにより、
両電極に挾まれた部分で与えられるため、製造時
に種々のマスクを精密に位置決めする作業を必要
とし、量産化の難点となつていた。さらに従来の
薄膜EL素子は一枚のガラス基板単位で製造され
るので、その表示面積に限度があり、仮りにそれ
らを複数枚組合せて、大面積の表示面を得ようと
しても、透明電極と裏面電極がガラス基板に対し
て同一面側に導出されているので、電極の接続が
実際上不可能で実用化できなかつた。
考案の開示
そこで本考案は上記従来の欠点に鑑み、これを
改良したもので、その目的とする所は、表示パタ
ーンを部分的に形成するためのマスク等による特
別な処理を不要にして、製造工程を簡略化するこ
と、及び絶縁層のピンホール発生をなくして、耐
圧を向上すること、さらに一製造単位の薄膜EL
デイスプレイを多数枚組合せて、大面積の薄膜
ELデイスプレイを容易に製造できるようにする
ことである。
改良したもので、その目的とする所は、表示パタ
ーンを部分的に形成するためのマスク等による特
別な処理を不要にして、製造工程を簡略化するこ
と、及び絶縁層のピンホール発生をなくして、耐
圧を向上すること、さらに一製造単位の薄膜EL
デイスプレイを多数枚組合せて、大面積の薄膜
ELデイスプレイを容易に製造できるようにする
ことである。
本考案は高誘電率のセラミツク基板を具備し、
前記セラミツク基板には少なくとも片面にその面
側に所望される電極パターンに対応した凹部を有
し、凹部と残りの凸部との段差はその面側に形成
される各層の合計厚みの２倍以上とし、セラミツ
ク基板の一方の面には薄膜状の発光層、絶縁層、
透明電極を具備し、他方の面に裏面電極を具備
し、前記透明電極又は（及び）裏面電極は段部で
切断分離されており、凹部の電極が機能部である
ことを特徴とする薄膜ELデイスプレイである。
前記セラミツク基板には少なくとも片面にその面
側に所望される電極パターンに対応した凹部を有
し、凹部と残りの凸部との段差はその面側に形成
される各層の合計厚みの２倍以上とし、セラミツ
ク基板の一方の面には薄膜状の発光層、絶縁層、
透明電極を具備し、他方の面に裏面電極を具備
し、前記透明電極又は（及び）裏面電極は段部で
切断分離されており、凹部の電極が機能部である
ことを特徴とする薄膜ELデイスプレイである。
上記構成において、高誘電率のセラミツク基板
に、例えばチタン酸バリウムを用いると、その比
誘電率は15000程度あり、従来第２の絶縁層を形
成するために用いられていた酸化イツトリウムの
比誘電率が15程度であつたのと比べると1000倍も
の大きさを有している。このため従来0.3μ程度の
厚みで形成されていた第２の絶縁層を、例えばチ
タン酸バリウムのセラミツク基板で形成すると、
同一の静電容量を与えればよいから0.3mmの厚み
で形成することができる。従つてこの部分のピン
ホール発生をなくして耐圧の向上が図れる。また
絶縁層として用いるセラミツク基板が十分な強度
を持つので、従来使用していたガラス基板が不用
になり、セラミツク基板の上に各薄膜を直接被着
形成できるようになる。これに関連してセラミツ
ク基板が生シートのときに、その表面に凹凸を形
成しておくことにより、後で詳述するマスクを用
いない工程が採用でき、上記本考案の目的が容易
に達成される。
に、例えばチタン酸バリウムを用いると、その比
誘電率は15000程度あり、従来第２の絶縁層を形
成するために用いられていた酸化イツトリウムの
比誘電率が15程度であつたのと比べると1000倍も
の大きさを有している。このため従来0.3μ程度の
厚みで形成されていた第２の絶縁層を、例えばチ
タン酸バリウムのセラミツク基板で形成すると、
同一の静電容量を与えればよいから0.3mmの厚み
で形成することができる。従つてこの部分のピン
ホール発生をなくして耐圧の向上が図れる。また
絶縁層として用いるセラミツク基板が十分な強度
を持つので、従来使用していたガラス基板が不用
になり、セラミツク基板の上に各薄膜を直接被着
形成できるようになる。これに関連してセラミツ
ク基板が生シートのときに、その表面に凹凸を形
成しておくことにより、後で詳述するマスクを用
いない工程が採用でき、上記本考案の目的が容易
に達成される。
考案を実施するための最良の形態
本考案の第１の実施例の薄膜ELデイスプレイ
を、以下その製造工程に従つて説明する。
を、以下その製造工程に従つて説明する。
まず、第２図に示すようなチタン酸バリウム等
の高誘電率のセラミツク基板を0.3mm程度の厚さ
で製造する。このセラミツク基板３は発光させる
べき部分が凹部となるように所定のプレス型を用
いて、生シートの段階で、その表面に例えば
100μの高低差を持つ凹凸を形成し、焼結して製
造される。次に第３図に示すように表面に凹凸を
有するセラミツク基板３の表側全面に、例えば硫
化亜鉛とマンガンを混合したもの等よりなる発光
層９、酸化イツトリウム等よりなる絶縁層１０、
酸化インジウム等より透明電極１１を薄膜により
順次積層、形成し、さらにセラミツク基板８の裏
側の必要箇所に導電ペーストを印刷して裏面電極
１２を形成する。なおこの裏面電極１２はアルミ
ニウムの蒸着によつて形成してもよい。表側の被
着膜は厚みｔが1μ程度であるので、100μもの高
低差のある凹凸の段部１３で切れている。このよ
うにして製造された薄膜ELデイスプレイ１４は、
第４図にも示すように表面側には複数の透明電極
１１，１１…が、必要箇所としての凹部内に独立
して形成されている。従つてこの裏面電極１２と
各透明電極１１，１１…との間に選択的に電圧を
加えることにより所定の発光パターンを表示させ
ることができる。
の高誘電率のセラミツク基板を0.3mm程度の厚さ
で製造する。このセラミツク基板３は発光させる
べき部分が凹部となるように所定のプレス型を用
いて、生シートの段階で、その表面に例えば
100μの高低差を持つ凹凸を形成し、焼結して製
造される。次に第３図に示すように表面に凹凸を
有するセラミツク基板３の表側全面に、例えば硫
化亜鉛とマンガンを混合したもの等よりなる発光
層９、酸化イツトリウム等よりなる絶縁層１０、
酸化インジウム等より透明電極１１を薄膜により
順次積層、形成し、さらにセラミツク基板８の裏
側の必要箇所に導電ペーストを印刷して裏面電極
１２を形成する。なおこの裏面電極１２はアルミ
ニウムの蒸着によつて形成してもよい。表側の被
着膜は厚みｔが1μ程度であるので、100μもの高
低差のある凹凸の段部１３で切れている。このよ
うにして製造された薄膜ELデイスプレイ１４は、
第４図にも示すように表面側には複数の透明電極
１１，１１…が、必要箇所としての凹部内に独立
して形成されている。従つてこの裏面電極１２と
各透明電極１１，１１…との間に選択的に電圧を
加えることにより所定の発光パターンを表示させ
ることができる。
なお上記製法において、透明電極１１，１１…
が凹凸の段部１３で完全に切断されなかつた場合
は、その凸部と凹部間に電流を流して、高低部分
となつている段部の未切断電極膜をジユール熱で
簡単に焼き切ることができる。また他の方法とし
て、表裏面を研磨して、凸部上の透明電極等の被
着膜を削り取ることもできる。
が凹凸の段部１３で完全に切断されなかつた場合
は、その凸部と凹部間に電流を流して、高低部分
となつている段部の未切断電極膜をジユール熱で
簡単に焼き切ることができる。また他の方法とし
て、表裏面を研磨して、凸部上の透明電極等の被
着膜を削り取ることもできる。
上記本考案の構造において、発光する部分は表
側の透明電極１１と裏側の裏面電極１２との重な
り合う部分として得られている。従つてこの重な
り方を工夫することにより任意の発光パターンを
容易に得ることができる。そこで、これの他の構
造例を第５図に示す。これは表側にストライプ状
の凹部を形成して、表側に前記要領で各薄膜を被
着形成した後、裏側に表側のストライプ状の凹部
と直交するストライプ状の裏面電極１２を、例え
ば導電ペーストの印刷により形成したものであ
る。この場合、表側の透明電極１１と裏側の裏面
電極１２との重なり部分はドツトマトリツクス形
状になる。この薄膜ELデイスプレイ１５はダイ
ナミツク方式でドライブされ、任意の数字・文字
又は図形を表示できる。
側の透明電極１１と裏側の裏面電極１２との重な
り合う部分として得られている。従つてこの重な
り方を工夫することにより任意の発光パターンを
容易に得ることができる。そこで、これの他の構
造例を第５図に示す。これは表側にストライプ状
の凹部を形成して、表側に前記要領で各薄膜を被
着形成した後、裏側に表側のストライプ状の凹部
と直交するストライプ状の裏面電極１２を、例え
ば導電ペーストの印刷により形成したものであ
る。この場合、表側の透明電極１１と裏側の裏面
電極１２との重なり部分はドツトマトリツクス形
状になる。この薄膜ELデイスプレイ１５はダイ
ナミツク方式でドライブされ、任意の数字・文字
又は図形を表示できる。
なお、上記第１の実施例である第４図及び第５
図に示す薄膜ELデイスプレイ１４，１５は裏面
電極１２を、導電ペーストの印刷又はマスクを用
いたアルミニウムの選択的な蒸着等の位置合せを
必要とする手段により形成していたが、それらの
セラミツク基板の表裏面に予め凹凸を形成したも
のを使用すれば、上記位置合せを必要とする手段
によらないで製造できる。この場合、予め形成さ
れる第６図に示すセラミツク基板８′の裏面の凹
凸はその凹部が必要とする裏面電極の形状となる
ように形成され、裏面電極はアルミニウム等の蒸
着により被着・形成される。このようにして形成
される裏面電極が、凹部内に独立して形成される
ことは前述したのと同様である。
図に示す薄膜ELデイスプレイ１４，１５は裏面
電極１２を、導電ペーストの印刷又はマスクを用
いたアルミニウムの選択的な蒸着等の位置合せを
必要とする手段により形成していたが、それらの
セラミツク基板の表裏面に予め凹凸を形成したも
のを使用すれば、上記位置合せを必要とする手段
によらないで製造できる。この場合、予め形成さ
れる第６図に示すセラミツク基板８′の裏面の凹
凸はその凹部が必要とする裏面電極の形状となる
ように形成され、裏面電極はアルミニウム等の蒸
着により被着・形成される。このようにして形成
される裏面電極が、凹部内に独立して形成される
ことは前述したのと同様である。
次に大面積の薄膜ELデイスプレイを得るため
の構成として、本考案の第２の実施例を説明す
る。
の構成として、本考案の第２の実施例を説明す
る。
本考案の薄膜ELデイスプレイは、第４図及び
第５図に示すように所定の厚みを持つセラミツク
基板の表裏面に透明電極１１，１１…と裏面電極
１２，１２…を形成しているので、電極を外部に
接続する際に表裏面の電極間での短絡のおそれが
極めて少なくなつている。従つて第７図に示すよ
うに一単位の薄膜ELデイスプレイ１５を複数枚
同一平面上に並べて大面積の薄膜ELデイスプレ
イ１６を形成することが簡単にできる。この場合
の各透明電極１１，１１…と各裏面電極１２，１
２…の接続方法の一例を第８図に示す。大面積絶
縁基板１７の表面には上記裏面電極１２，１２…
の形成間隔でストライプ電極１８，１８…が形成
されている。この大面積絶縁基板１７の上に、ス
トライプ電極１８，１８…と裏面電極１２，１２
…が重なつて接触するように、一単位の薄膜EL
デイスプレイ１５，１５…を並べる。次に各単位
の薄膜ELデイスプレイ１５，１５…の透明電極
１１，１１…の端部の隣接するもの同士を、熱可
塑性導電ペースト１９，１９の塗布による熱圧着
で接続する。そして、大面積の薄膜ELデイスプ
レイ全体としての電極を外部に引き出し、耐湿並
びに機械的固定のための密閉処理を施こして製品
とする。
第５図に示すように所定の厚みを持つセラミツク
基板の表裏面に透明電極１１，１１…と裏面電極
１２，１２…を形成しているので、電極を外部に
接続する際に表裏面の電極間での短絡のおそれが
極めて少なくなつている。従つて第７図に示すよ
うに一単位の薄膜ELデイスプレイ１５を複数枚
同一平面上に並べて大面積の薄膜ELデイスプレ
イ１６を形成することが簡単にできる。この場合
の各透明電極１１，１１…と各裏面電極１２，１
２…の接続方法の一例を第８図に示す。大面積絶
縁基板１７の表面には上記裏面電極１２，１２…
の形成間隔でストライプ電極１８，１８…が形成
されている。この大面積絶縁基板１７の上に、ス
トライプ電極１８，１８…と裏面電極１２，１２
…が重なつて接触するように、一単位の薄膜EL
デイスプレイ１５，１５…を並べる。次に各単位
の薄膜ELデイスプレイ１５，１５…の透明電極
１１，１１…の端部の隣接するもの同士を、熱可
塑性導電ペースト１９，１９の塗布による熱圧着
で接続する。そして、大面積の薄膜ELデイスプ
レイ全体としての電極を外部に引き出し、耐湿並
びに機械的固定のための密閉処理を施こして製品
とする。
以上説明したように本考案によれば、第２の絶
縁層に厚いセラミツク基板を用いているので、絶
縁層のピンホールをなくし耐圧向上が図れ、さら
に従来用いていたガラス基板を不要にすることが
できる。またこのセラミツク基板に予め発光パタ
ーンに合わせて凹凸を形成しておくことにより、
透明電極或いは裏面電極のマスク等を用いた精密
な位置決めによる形成工程を不要とすることがで
きるので、製造工程が簡略化される。さらにセラ
ミツク基板の表裏面に透明電極と裏面電極を分け
て形成できるから、一単位薄膜ELデイスプレイ
を多数枚組合せた大面積薄膜ELデイスプレイが
容易に製造できるようになる。
縁層に厚いセラミツク基板を用いているので、絶
縁層のピンホールをなくし耐圧向上が図れ、さら
に従来用いていたガラス基板を不要にすることが
できる。またこのセラミツク基板に予め発光パタ
ーンに合わせて凹凸を形成しておくことにより、
透明電極或いは裏面電極のマスク等を用いた精密
な位置決めによる形成工程を不要とすることがで
きるので、製造工程が簡略化される。さらにセラ
ミツク基板の表裏面に透明電極と裏面電極を分け
て形成できるから、一単位薄膜ELデイスプレイ
を多数枚組合せた大面積薄膜ELデイスプレイが
容易に製造できるようになる。
第１図は従来の薄膜ELデイスプレイを示す断
面図、第２図は本考案に係るセラミツク基板の断
面図、第３図は本考案の第１の実施例の薄膜EL
デイスプレイの断面図、第４図はその平面図、第
５図は本考案の他の実施例の平面図、第６図は本
考案に係る他のセラミツク基板の断面図、第７図
は本考案の第２の実施例である大面積薄膜ELデ
イスプレイの部分平面図、第８図はその側面図で
ある。 ８，８′……セラミツク基板、９……発光層、
１０……絶縁層、１１……透明電極、１２……裏
面電極、１３……段部、１４，１５……薄膜EL
デイスプレイ。
面図、第２図は本考案に係るセラミツク基板の断
面図、第３図は本考案の第１の実施例の薄膜EL
デイスプレイの断面図、第４図はその平面図、第
５図は本考案の他の実施例の平面図、第６図は本
考案に係る他のセラミツク基板の断面図、第７図
は本考案の第２の実施例である大面積薄膜ELデ
イスプレイの部分平面図、第８図はその側面図で
ある。 ８，８′……セラミツク基板、９……発光層、
１０……絶縁層、１１……透明電極、１２……裏
面電極、１３……段部、１４，１５……薄膜EL
デイスプレイ。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 高誘電率のセラミツク基板を具備し、前記セラ
ミツク基板の一方の面には少なくともセラミツク
基板面より薄膜状の発光層、絶縁層、透明電極の
順に配列した積層膜を具備し、他方の面に裏面電
極を具備し、 前記セラミツク基板には少なくとも片面にその
面側に所望される電極のパターンに対応した凹部
を有し、前記凹部と残りの凸部との段差はその面
側に具備する各層の合計厚みの２倍以上であり、
前記透明電極又は（及び）裏面電極は段部で切断
分離されており、前記凹部の電極が機能部である
ことを特徴とする薄膜ELデイスプレイ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12993582U JPS5935984U (ja) | 1982-08-27 | 1982-08-27 | 薄膜ｅｌデイスプレイ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12993582U JPS5935984U (ja) | 1982-08-27 | 1982-08-27 | 薄膜ｅｌデイスプレイ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5935984U JPS5935984U (ja) | 1984-03-06 |
| JPH0138623Y2 true JPH0138623Y2 (ja) | 1989-11-17 |
Family
ID=30294251
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12993582U Granted JPS5935984U (ja) | 1982-08-27 | 1982-08-27 | 薄膜ｅｌデイスプレイ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5935984U (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999053725A1 (en) * | 1998-04-15 | 1999-10-21 | Tdk Corporation | Organic el display and method of manufacturing the same |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5126236B2 (ja) * | 1971-11-27 | 1976-08-05 | ||
| JPS511085A (en) * | 1974-06-21 | 1976-01-07 | Victor Company Of Japan | Denbahatsukosochino seizohoho |
| JPS57122492A (en) * | 1981-01-22 | 1982-07-30 | Sharp Kk | Display device |
-
1982
- 1982-08-27 JP JP12993582U patent/JPS5935984U/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999053725A1 (en) * | 1998-04-15 | 1999-10-21 | Tdk Corporation | Organic el display and method of manufacturing the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5935984U (ja) | 1984-03-06 |
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