JPS6250958B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6250958B2 JPS6250958B2 JP57229167A JP22916782A JPS6250958B2 JP S6250958 B2 JPS6250958 B2 JP S6250958B2 JP 57229167 A JP57229167 A JP 57229167A JP 22916782 A JP22916782 A JP 22916782A JP S6250958 B2 JPS6250958 B2 JP S6250958B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- luminescent
- layer
- display element
- light
- photoresist
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、電圧の印加によつて発光を呈する
電界発光表示素子(以下「EL表示素子」と略称
する)に係り、特に単一の発光母体層で多色発光
を得ることができるようにしたEL表示素子の製
法に関するものである。
電界発光表示素子(以下「EL表示素子」と略称
する)に係り、特に単一の発光母体層で多色発光
を得ることができるようにしたEL表示素子の製
法に関するものである。
電界発光現像は、ロンドン・エジンバラおよび
ダブリンフイロソフイカルマガジン(London.
Edinburgh and Doublin Phylosophical
Magazine)第7系第38巻第285号第700〜737頁
(西暦1947年10月)に現れたジー・デストリオー
(G.Destriau)氏の初期の論文に一つに発表され
たものが初めてであり、この時以来相当な研究と
技術的努力とが費やされしかしてこれによる各種
素子がすでに市場に出されている。
ダブリンフイロソフイカルマガジン(London.
Edinburgh and Doublin Phylosophical
Magazine)第7系第38巻第285号第700〜737頁
(西暦1947年10月)に現れたジー・デストリオー
(G.Destriau)氏の初期の論文に一つに発表され
たものが初めてであり、この時以来相当な研究と
技術的努力とが費やされしかしてこれによる各種
素子がすでに市場に出されている。
また最近、多色による発光表示を可能とする
EL表示素子が提案されており、たとえば特公昭
54−29318号公報中ZnSの発光母体の中に希土類
元素弗化物を含んだ蒸着膜を作り、更にその上ま
たは内部に任意の図形をした金属マンガン蒸着膜
をはさみ、熱処理による拡散を用いてその図形の
部分については赤色EL発光(700Å)、他の部分
は希土類元素による発光色たとえばDyF3なら黄
色、TbF3、ErF3なら緑色、TmF3なら青色のEL
発光をさせ、単一ZnS薄膜で二色の電界発光を可
能にした薄膜型EL表示素子が開示されている。
EL表示素子が提案されており、たとえば特公昭
54−29318号公報中ZnSの発光母体の中に希土類
元素弗化物を含んだ蒸着膜を作り、更にその上ま
たは内部に任意の図形をした金属マンガン蒸着膜
をはさみ、熱処理による拡散を用いてその図形の
部分については赤色EL発光(700Å)、他の部分
は希土類元素による発光色たとえばDyF3なら黄
色、TbF3、ErF3なら緑色、TmF3なら青色のEL
発光をさせ、単一ZnS薄膜で二色の電界発光を可
能にした薄膜型EL表示素子が開示されている。
しかしながら、こうした製法によるEL表示素
子は、たとえばTbF3が混合されたZnS膜中に所
望のパターンをした金属マンガン薄層が1〜3層
はさみ込まれた多層蒸着膜を形成した後、約600
℃、3時間熱処理してマンガンをZnS膜中に拡散
させる製法であるため、ZnS中にTbF3のみが添
加された領域とTbF3及びMnが添加され両者が複
合中心を形成している領域との境目がはつきりと
出にくく、発光の際言わゆる「にじみ」によりシ
ヤープな表示を得にくいという欠点があり、特に
ドツトマトリクスパターンのような微細なパター
ンによる表示を行う形状とするには制限があり、
表示画素寸法が縦横とも約200μsを限度とされ
ているという欠点があり、実用に当り使用範囲が
限られていた。
子は、たとえばTbF3が混合されたZnS膜中に所
望のパターンをした金属マンガン薄層が1〜3層
はさみ込まれた多層蒸着膜を形成した後、約600
℃、3時間熱処理してマンガンをZnS膜中に拡散
させる製法であるため、ZnS中にTbF3のみが添
加された領域とTbF3及びMnが添加され両者が複
合中心を形成している領域との境目がはつきりと
出にくく、発光の際言わゆる「にじみ」によりシ
ヤープな表示を得にくいという欠点があり、特に
ドツトマトリクスパターンのような微細なパター
ンによる表示を行う形状とするには制限があり、
表示画素寸法が縦横とも約200μsを限度とされ
ているという欠点があり、実用に当り使用範囲が
限られていた。
この発明は、前記の欠点に鑑みてなされたもの
であり、特に製造が容易にして、種々の文字、数
字、画像等を極めてシヤープに発光させることが
できると共に、微細なパターンによる表示をも行
うことができる新規なEL表示素子の製法を提供
することを目的とするものである。
であり、特に製造が容易にして、種々の文字、数
字、画像等を極めてシヤープに発光させることが
できると共に、微細なパターンによる表示をも行
うことができる新規なEL表示素子の製法を提供
することを目的とするものである。
すなわち、この発明に係るEL表示素子は、発
光母体層に発光中心として複数種の希土類金属イ
オンを個別にイオン注入法により注入し、この時
フオトレジストをマスク材料として用いて発光母
体層に注入する希土類金属イオンの領域を規定し
て所定パターンの発光中心層を得ることにより、
単一発光母体層で多色の電界発光を得んとするも
のであり、以下に実施例を挙げてこの発明を詳細
に説明する。
光母体層に発光中心として複数種の希土類金属イ
オンを個別にイオン注入法により注入し、この時
フオトレジストをマスク材料として用いて発光母
体層に注入する希土類金属イオンの領域を規定し
て所定パターンの発光中心層を得ることにより、
単一発光母体層で多色の電界発光を得んとするも
のであり、以下に実施例を挙げてこの発明を詳細
に説明する。
第1図〜第6図は、この発明によるEL表示素
子の製造工程を示す図で、ガラス基板等から成る
透明絶縁性の基板1上に、In2O3やSnO2等から成
る透明電極2、V2O3等から成る第1の誘電体層
3、ZnS等から成る発光母体層4をこの順で膜厚
が約2000Å、約3000Å、約3000〜約6000Åとなる
よう真空蒸着法により順次積層形成する(第1図
参照)。
子の製造工程を示す図で、ガラス基板等から成る
透明絶縁性の基板1上に、In2O3やSnO2等から成
る透明電極2、V2O3等から成る第1の誘電体層
3、ZnS等から成る発光母体層4をこの順で膜厚
が約2000Å、約3000Å、約3000〜約6000Åとなる
よう真空蒸着法により順次積層形成する(第1図
参照)。
発光母体層4の上にフオトレジスト5aを塗布
し、第1の発光中心を注入する部分のフオトレジ
スト5aを紫外線照射もしくは電子ビームリング
ラフイによる露光及び現象液中への浸しによる現
象により除去し、Tb3+をイオン注入法によつて
発光母体層4中に注入して第1の発光中心層6a
を形成する(第2図参照)。
し、第1の発光中心を注入する部分のフオトレジ
スト5aを紫外線照射もしくは電子ビームリング
ラフイによる露光及び現象液中への浸しによる現
象により除去し、Tb3+をイオン注入法によつて
発光母体層4中に注入して第1の発光中心層6a
を形成する(第2図参照)。
第1の発光中心層6a形成後、先のフオトレジ
スト5aを溶解除去し、別のフオトレジスト5b
を塗布し、第2の発光中心を注入する部分のフオ
トレジスト5bを前記同様の方法により除去し、
Sm3+をイオン注入法によつて発光母体層4中に
注入して第2の発光中心層6bを形成する(第3
図参照)。
スト5aを溶解除去し、別のフオトレジスト5b
を塗布し、第2の発光中心を注入する部分のフオ
トレジスト5bを前記同様の方法により除去し、
Sm3+をイオン注入法によつて発光母体層4中に
注入して第2の発光中心層6bを形成する(第3
図参照)。
第2の発光中心層6b形成後、先のフオトレジ
スト5bを溶解除去し、別のフオトレジスト5c
を塗布し、第3の発光中心を注入する部分のフオ
トレジスト5cを前記同様の方法により除去し、
Tm3+をイオン注入によつて発光母体層4中に注
入して第3の発光中心層6cを形成する(第4図
参照)。
スト5bを溶解除去し、別のフオトレジスト5c
を塗布し、第3の発光中心を注入する部分のフオ
トレジスト5cを前記同様の方法により除去し、
Tm3+をイオン注入によつて発光母体層4中に注
入して第3の発光中心層6cを形成する(第4図
参照)。
第3の発光中心層6c形成後、フオトレジスト
5cを溶解除去し、その後結晶欠陥を補うため真
空中で約500℃に加熱して約30分程度焼成するア
ニーリングを行う(第5図参照)。
5cを溶解除去し、その後結晶欠陥を補うため真
空中で約500℃に加熱して約30分程度焼成するア
ニーリングを行う(第5図参照)。
この上に、V2O3等から成る第2の誘電体層
7、Al等から成る反射性金属背面電極8をこの
順で膜厚が何れも約3000Åとなるよう真空蒸着法
により順次積層形成することによりEL表示素子
を作製する(第6図参照)。
7、Al等から成る反射性金属背面電極8をこの
順で膜厚が何れも約3000Åとなるよう真空蒸着法
により順次積層形成することによりEL表示素子
を作製する(第6図参照)。
このように形成したEL表示素子は、電極2,
8間への電圧印加により、発光母体4と各発光中
心6a,6b,6cとの境界面の部分が発光し、
電圧の上昇と共に発光中心6a,6b,6cの部
分全体が一様に発光するものであり、第1の発光
中心層6a領域は緑色、第2の発光中心層6b領
域は青色、第3の発光中心層6c領域は赤色の発
光を各々行う(第7図参照)。
8間への電圧印加により、発光母体4と各発光中
心6a,6b,6cとの境界面の部分が発光し、
電圧の上昇と共に発光中心6a,6b,6cの部
分全体が一様に発光するものであり、第1の発光
中心層6a領域は緑色、第2の発光中心層6b領
域は青色、第3の発光中心層6c領域は赤色の発
光を各々行う(第7図参照)。
しかも各発光中心層6a,6b,6cは、フオ
トレジスト5a,5b,5cを用いるマスキング
により所定領域を形成するように設けられるた
め、従来の製法に比べて複雑な形状や微細な寸法
のものでも高精度に作ることができ、「にじみ」
のないシヤープな表示を得やすい。
トレジスト5a,5b,5cを用いるマスキング
により所定領域を形成するように設けられるた
め、従来の製法に比べて複雑な形状や微細な寸法
のものでも高精度に作ることができ、「にじみ」
のないシヤープな表示を得やすい。
そして、電極2,8を各々短冊形状とすると共
に発光母体層4をはさんで直交状態となるように
形成し、電極2,8の交叉箇所に各発光中心6
a,6b,6c領域が位置するよう設け、各電極
2,8への印加電圧の選定により、各発光中心6
a,6b,6c領域を個別に発光ささせることも
でき、表示画素寸法が縦横とも数10μm程度の微
細なドツトマトリクスによる複雑な色変化の表示
を行うことも可能である(第8図参照)。
に発光母体層4をはさんで直交状態となるように
形成し、電極2,8の交叉箇所に各発光中心6
a,6b,6c領域が位置するよう設け、各電極
2,8への印加電圧の選定により、各発光中心6
a,6b,6c領域を個別に発光ささせることも
でき、表示画素寸法が縦横とも数10μm程度の微
細なドツトマトリクスによる複雑な色変化の表示
を行うことも可能である(第8図参照)。
このようにこの発明によれば、あらかじめ設け
た発光母体層にフオトレジストによるマスキング
により複数種の希土類金属イオンを個別にイオン
注入法によつて所定形状領域を有するように注入
することにより、単一発光母体層で多色の電界発
光を可能とし、特にZnSの発光母体の中に希土類
元素弗化物を含んだ蒸着膜を作り、更にその上ま
たは内部に任意の図形をした金属マンガン蒸着膜
をはさみ、熱処理による拡散を用いてその図形を
部分と他の部分とで発光色を異ならせるようにし
た従来例とは一見構造が似ているものの製法が全
く異なり、従来例では得ることのできない効果、
すなわち「にじみ」のでないシヤープな表示や数
10μm程度の寸法の微細な表示形状を得ることが
できる。
た発光母体層にフオトレジストによるマスキング
により複数種の希土類金属イオンを個別にイオン
注入法によつて所定形状領域を有するように注入
することにより、単一発光母体層で多色の電界発
光を可能とし、特にZnSの発光母体の中に希土類
元素弗化物を含んだ蒸着膜を作り、更にその上ま
たは内部に任意の図形をした金属マンガン蒸着膜
をはさみ、熱処理による拡散を用いてその図形を
部分と他の部分とで発光色を異ならせるようにし
た従来例とは一見構造が似ているものの製法が全
く異なり、従来例では得ることのできない効果、
すなわち「にじみ」のでないシヤープな表示や数
10μm程度の寸法の微細な表示形状を得ることが
できる。
また、異なる種類の発光中心を含む複数種の発
光母体層を絶縁層及び透明電極で挾持することに
より多色の発光を得るようにした多層型のEL表
示素子に比べ、絶縁層数や透明電極数が少ないこ
とから構造が簡単で、しかもEL表示素子の全体
の厚さ寸法が小さくなるという利点をも有する。
光母体層を絶縁層及び透明電極で挾持することに
より多色の発光を得るようにした多層型のEL表
示素子に比べ、絶縁層数や透明電極数が少ないこ
とから構造が簡単で、しかもEL表示素子の全体
の厚さ寸法が小さくなるという利点をも有する。
また、異なる種類の発光中心を含む複数種の発
光母体層をマスクを用いて真空蒸着法で平面的に
分離して形成することにより多色の発光を得るよ
うにした分離単層型のEL表示素子では、マスク
蒸着による分離された発光母体層間の間隙の最小
値が約200μmと大きくなり、これに比べてこの
発明に係るEL表示素子では微細なパターンの発
光形状を得ることができる利点を有する。
光母体層をマスクを用いて真空蒸着法で平面的に
分離して形成することにより多色の発光を得るよ
うにした分離単層型のEL表示素子では、マスク
蒸着による分離された発光母体層間の間隙の最小
値が約200μmと大きくなり、これに比べてこの
発明に係るEL表示素子では微細なパターンの発
光形状を得ることができる利点を有する。
しかも、マスク材料としてフオトレジストを用
いるため、高価な治具や金型を必要とせず、材料
の機械的・化学的性質を変えず、複雑な形状・微
細な寸法のものでも高精度で得られ、設計変更が
容易に行えるという、極めて実用効果大なる利点
を有するものである。
いるため、高価な治具や金型を必要とせず、材料
の機械的・化学的性質を変えず、複雑な形状・微
細な寸法のものでも高精度で得られ、設計変更が
容易に行えるという、極めて実用効果大なる利点
を有するものである。
第1図〜第6図は、この発明によるEL表示素
子の実施例の製法を説明する断面図、第7図は、
同上EL表示素子の発光表示状態を説明する概略
平面図、第8図は、同上EL表示素子でドツトマ
トリクスによる発光表示状態を説明する概略平面
図である。 1:基板、2:透明電極、3,7:絶縁層、
4:発光母体層、5a,5b,5c:フオトレジ
スト、6a,6b,6c:発光中心層、8:背面
電極。
子の実施例の製法を説明する断面図、第7図は、
同上EL表示素子の発光表示状態を説明する概略
平面図、第8図は、同上EL表示素子でドツトマ
トリクスによる発光表示状態を説明する概略平面
図である。 1:基板、2:透明電極、3,7:絶縁層、
4:発光母体層、5a,5b,5c:フオトレジ
スト、6a,6b,6c:発光中心層、8:背面
電極。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 絶縁物及び電極によりはさまれると共に前記
電極への電圧の印加によつて発光を呈する二重絶
縁層構造の電界発光表示素子において、 発光母体層を形成した後、前記発光母体層に発
光中心として複数種の希土類金属イオンを個別に
イオン注入法により注入し、この時フオトレジス
トをマスク材料として用いて、前記発光母体層に
注入する前記希土類金属イオンの領域を規定して
所定パターンの発光中心層を得ることにより、多
色の電界発光を得ることを特徴とする電界発光表
示素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57229167A JPS59123193A (ja) | 1982-12-29 | 1982-12-29 | 電界発光表示素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57229167A JPS59123193A (ja) | 1982-12-29 | 1982-12-29 | 電界発光表示素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59123193A JPS59123193A (ja) | 1984-07-16 |
| JPS6250958B2 true JPS6250958B2 (ja) | 1987-10-27 |
Family
ID=16887832
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57229167A Granted JPS59123193A (ja) | 1982-12-29 | 1982-12-29 | 電界発光表示素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59123193A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62264592A (ja) * | 1986-05-12 | 1987-11-17 | 株式会社小松製作所 | 薄膜el素子の製造方法 |
| US4717606A (en) * | 1986-05-21 | 1988-01-05 | Rockwell International Corporation | Method of fabricating a thin film electroluminescent display panel |
| JP2002190386A (ja) * | 2000-12-20 | 2002-07-05 | Daicel Chem Ind Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料およびその製造方法 |
| CN1401204A (zh) | 2000-12-20 | 2003-03-05 | 大赛璐化学工业株式会社 | 有机电致发光元件用的材料及其制造方法 |
-
1982
- 1982-12-29 JP JP57229167A patent/JPS59123193A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59123193A (ja) | 1984-07-16 |
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