JPH0228546Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0228546Y2 JPH0228546Y2 JP1984099324U JP9932484U JPH0228546Y2 JP H0228546 Y2 JPH0228546 Y2 JP H0228546Y2 JP 1984099324 U JP1984099324 U JP 1984099324U JP 9932484 U JP9932484 U JP 9932484U JP H0228546 Y2 JPH0228546 Y2 JP H0228546Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- layer
- substrate
- terminal
- electrode layers
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Multi-Conductor Connections (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
産業上の利用分野
本考案は薄膜ELパネルに関し、詳しくはマト
リクス状に配置された電極層を有し、平面薄型デ
イスプレイ・デバイスとして使用される薄膜EL
パネルの電極端子部の構造に関するものである。
リクス状に配置された電極層を有し、平面薄型デ
イスプレイ・デバイスとして使用される薄膜EL
パネルの電極端子部の構造に関するものである。
従来の技術
この薄膜ELパネルの具体例を第５図から説明
すると、同図に示すようにガラス板等の透光性の
基板１上に、In、Sn等の酸化物等からなる透明
電極、すなわち第１の電極層２、Y2O3等からな
る第１の誘電体層３、Mn等をドープしたZnS等
よりなる発光層４、前記第１の誘電体層３と同様
の材質よりなる第２の誘電体層５、Al等からな
る背面電極、すなわち第２の電極層６を順次積層
し、薄膜EL素子７を形成する。更にこの薄膜EL
素子７を覆うように凹板状のカバーガラス８を、
光硬化性樹脂材等の接着剤９を介して基板１上に
固着させることにより基板１及びカバーガラス８
からなる外囲器１０を形成し、薄膜ELパネル素
子７の耐湿性を向上させるため上記外囲器１０内
にシリコンオイル等の絶縁性保護流体１１を封入
する（特公昭57−47559号公報）。ここで上記第１
及び第２の電極層２，６…は、第６図に示すよう
に発光層４を第１及び第２の誘電体層（図示せ
ず）を介して挾み込むことにより相互に直交する
ように夫々複数本平行配置されてマトリクス状に
形成される。各第１及び第２の電極層２，６…の
一端は基板１の周辺部に延設され、各辺部にて第
１及び第２の電極層２，６…の端子部２′，６′…
を形成する。この端子部２′，６′…を介して上記
第１及び第２の電極層２，６…とフレキシブルリ
ード１２，１２…とを電気的に接続する。第１及
び第２の電極層２，６…の交差点に挾まれた発光
層４の各部分はELセルを形成し、薄膜EL素子駆
動用の交流電源（図示せず）からフレキシブルリ
ード１２，１２…を介して第１及び第２の電極層
２，６…に選択的に電圧を印加することにより、
各ELセルを発光させて文字や図形等の所望の画
像を表示させている。
すると、同図に示すようにガラス板等の透光性の
基板１上に、In、Sn等の酸化物等からなる透明
電極、すなわち第１の電極層２、Y2O3等からな
る第１の誘電体層３、Mn等をドープしたZnS等
よりなる発光層４、前記第１の誘電体層３と同様
の材質よりなる第２の誘電体層５、Al等からな
る背面電極、すなわち第２の電極層６を順次積層
し、薄膜EL素子７を形成する。更にこの薄膜EL
素子７を覆うように凹板状のカバーガラス８を、
光硬化性樹脂材等の接着剤９を介して基板１上に
固着させることにより基板１及びカバーガラス８
からなる外囲器１０を形成し、薄膜ELパネル素
子７の耐湿性を向上させるため上記外囲器１０内
にシリコンオイル等の絶縁性保護流体１１を封入
する（特公昭57−47559号公報）。ここで上記第１
及び第２の電極層２，６…は、第６図に示すよう
に発光層４を第１及び第２の誘電体層（図示せ
ず）を介して挾み込むことにより相互に直交する
ように夫々複数本平行配置されてマトリクス状に
形成される。各第１及び第２の電極層２，６…の
一端は基板１の周辺部に延設され、各辺部にて第
１及び第２の電極層２，６…の端子部２′，６′…
を形成する。この端子部２′，６′…を介して上記
第１及び第２の電極層２，６…とフレキシブルリ
ード１２，１２…とを電気的に接続する。第１及
び第２の電極層２，６…の交差点に挾まれた発光
層４の各部分はELセルを形成し、薄膜EL素子駆
動用の交流電源（図示せず）からフレキシブルリ
ード１２，１２…を介して第１及び第２の電極層
２，６…に選択的に電圧を印加することにより、
各ELセルを発光させて文字や図形等の所望の画
像を表示させている。
上記第１及び第２の電極層２，６…の端子部
２′，６′…は、第７図Ａ，Ｂ及び第８図に示すよ
うに基板１の周辺部に沿つて第１及び第２の電極
層２，６…と同一ピツチ間隔で電極パツド１３，
１３…を電子ビーム蒸着等により形成する。即
ち、上記第１の電極層２の一部に重畳して電極パ
ツド１３…を形成し、第２の電極層２，６…は、
電極パツド１３，１３…の一部に重畳して形成す
る。上記電極パツド１３，１３…は、例えばTi
等の基板１となじみのよい金属からなる最下層１
３ａと、Al等よりなる中間層１３ｂと、Ni等の
半田となじみのよい金属からなる最上層１３ｃと
を順次積層してなる３層構造のものである。また
一方、前記フレキシブルリード１２は絶縁性のプ
ラスチツクフイルム１２ａに、第１及び第２の電
極層２，６…の端子部２′，６′…と同一ピツチ間
隔で、胴等よりなる複数本のリードパターン１２
ｂ，１２ｂ…を平行に被着形成したもので、第１
及び第２の電極層２，６…の端子部２′，６′とフ
レキシブルリード１２，１２…との接続は、電極
パツド１３，１３…とリードパターン１２ｂ，１
２ｂ…の端部とを位置合わせし、電極パツド１
３，１３…の最上層１３ｃ，１３ｃ…にリードパ
ターン１２ｂ，１２ｂ…を半田付けしている。
尚、第１及び第２の電極層２，６…の端子部２′，
６′…は、上記電極パツド１３，１３…とリード
パターン１２ｂ，１２ｂ…との半田付けを容易且
つ確実にするため幅広に設定されている。
２′，６′…は、第７図Ａ，Ｂ及び第８図に示すよ
うに基板１の周辺部に沿つて第１及び第２の電極
層２，６…と同一ピツチ間隔で電極パツド１３，
１３…を電子ビーム蒸着等により形成する。即
ち、上記第１の電極層２の一部に重畳して電極パ
ツド１３…を形成し、第２の電極層２，６…は、
電極パツド１３，１３…の一部に重畳して形成す
る。上記電極パツド１３，１３…は、例えばTi
等の基板１となじみのよい金属からなる最下層１
３ａと、Al等よりなる中間層１３ｂと、Ni等の
半田となじみのよい金属からなる最上層１３ｃと
を順次積層してなる３層構造のものである。また
一方、前記フレキシブルリード１２は絶縁性のプ
ラスチツクフイルム１２ａに、第１及び第２の電
極層２，６…の端子部２′，６′…と同一ピツチ間
隔で、胴等よりなる複数本のリードパターン１２
ｂ，１２ｂ…を平行に被着形成したもので、第１
及び第２の電極層２，６…の端子部２′，６′とフ
レキシブルリード１２，１２…との接続は、電極
パツド１３，１３…とリードパターン１２ｂ，１
２ｂ…の端部とを位置合わせし、電極パツド１
３，１３…の最上層１３ｃ，１３ｃ…にリードパ
ターン１２ｂ，１２ｂ…を半田付けしている。
尚、第１及び第２の電極層２，６…の端子部２′，
６′…は、上記電極パツド１３，１３…とリード
パターン１２ｂ，１２ｂ…との半田付けを容易且
つ確実にするため幅広に設定されている。
考案が解決しようとする問題点
ところで上述したように第１及び第２の電極層
２，６…の端子部２′，６′…にフレキシブルリー
ド１２，１２…を接続するに際しては、通常フレ
キシブルリード１２，１２…に半田膜を形成した
状態で該フレキシブルリード１２，１２…を電極
パツド１３，１３…に圧着させて赤外線ビームを
スキヤンさせること等により半田付けしている
が、フレキシブルリード１２，１２…に形成され
た半田膜の膜厚にバラツキが存在すると共に、接
続時での加熱及び加圧を均一に保持することに困
難性を伴う。その結果、フレキシブルリード１
２，１２…の接続強度が不足したり、延いては接
触不良が生じたりする場合があつた。また近年、
薄膜ELパネルにおける画像表示に高解像度が要
求されており、この場合第１及び第２の電極層
２，６…のピツチ間隔が小さくなるため端子部
２′，６′…が非常に近接し、半田付けの信頼性を
向上するために多目の半田を用いた場合、接続時
に余分な半田の流れ出しによつて隣接する端子部
２′，６′…間の短絡が発生する場合もあり、信頼
性が大幅に低下するという問題点があつた。
２，６…の端子部２′，６′…にフレキシブルリー
ド１２，１２…を接続するに際しては、通常フレ
キシブルリード１２，１２…に半田膜を形成した
状態で該フレキシブルリード１２，１２…を電極
パツド１３，１３…に圧着させて赤外線ビームを
スキヤンさせること等により半田付けしている
が、フレキシブルリード１２，１２…に形成され
た半田膜の膜厚にバラツキが存在すると共に、接
続時での加熱及び加圧を均一に保持することに困
難性を伴う。その結果、フレキシブルリード１
２，１２…の接続強度が不足したり、延いては接
触不良が生じたりする場合があつた。また近年、
薄膜ELパネルにおける画像表示に高解像度が要
求されており、この場合第１及び第２の電極層
２，６…のピツチ間隔が小さくなるため端子部
２′，６′…が非常に近接し、半田付けの信頼性を
向上するために多目の半田を用いた場合、接続時
に余分な半田の流れ出しによつて隣接する端子部
２′，６′…間の短絡が発生する場合もあり、信頼
性が大幅に低下するという問題点があつた。
問題を解決するための手段
本考案は上記問題点に鑑み提案されたもので、
第１及び第２の電極層の端子部とフレキシブルリ
ードとの接続を信頼性の高いものにするものであ
り、その技術的手段は基板上に第１の電極層、第
１の誘電体層、発光層、第２の誘電体層、第２の
電極層を順次積層し、第１及び第２の電極層を基
板の周辺部に沿つて配設された電極パツドに接続
して端子部を形成したものに於いて、上記端子部
間の基板上に絶縁層を形成すると共に該絶縁層と
端子部との間に隙間を設けかつ端子部に少なくと
も絶縁層側に開口する溝部を設けたことを特徴と
する。
第１及び第２の電極層の端子部とフレキシブルリ
ードとの接続を信頼性の高いものにするものであ
り、その技術的手段は基板上に第１の電極層、第
１の誘電体層、発光層、第２の誘電体層、第２の
電極層を順次積層し、第１及び第２の電極層を基
板の周辺部に沿つて配設された電極パツドに接続
して端子部を形成したものに於いて、上記端子部
間の基板上に絶縁層を形成すると共に該絶縁層と
端子部との間に隙間を設けかつ端子部に少なくと
も絶縁層側に開口する溝部を設けたことを特徴と
する。
実施例
以下に本考案に係る薄膜ELパネルの一実施例
を第１図乃至第４図から説明する。図において、
第５図乃至第８図と同一符号は同一物を示しその
説明は省略する。本考案の特徴は第１及び第２の
電極層２，６…の端子部２″，６″…にある。第１
図は第１及び第２の電極層２，６…の端子部２″，
６″…とフレキシブルリード１２，１２…との接
続状態を示し、第２図は上記第１及び第２の電極
層２，６…の端子部２″，６″…、即ち電極パツド
１３′，１３′…を示す。この電極パツド１３′，
１３′…は、第３図に示すようにメタルマスクを
利用した真空蒸着法等により基板１の周辺部に沿
つて第１及び第２の電極層２，６…と同一ピツチ
間隔で形成され、従来と同様にTi等からなる最
下層１３a′、Al等からなる中間層１３b′、Ni等
からなる最上層１３c′を順次積層してなる３層構
造を有する。また第２図にも示すように上記電極
パツド１３′，１３′…の最上層１３c′，１３c′…
の上面には、半田との接着強度を大きくするた
め、四方に開口する溝部１４，１４…が予め形成
される。更に第４図に示すように真空蒸着法等に
より電極パツド１３′，１３′…間の基板１上に絶
縁層１５，１５…を被着形成する。この絶縁層１
５，１５…の厚みは電極パツド１３′，１３′…の
厚みよりも若干厚肉に設定され、且つ絶縁層１
５，１５…の幅は電極パツド１３′，１３′…間の
間隔よりも狭く設定されて絶縁層１５，１５…と
電極パツド１３′，１３′…との間に例えば数百μ
ｍ程度の隙間１６，１６が設けられている。
を第１図乃至第４図から説明する。図において、
第５図乃至第８図と同一符号は同一物を示しその
説明は省略する。本考案の特徴は第１及び第２の
電極層２，６…の端子部２″，６″…にある。第１
図は第１及び第２の電極層２，６…の端子部２″，
６″…とフレキシブルリード１２，１２…との接
続状態を示し、第２図は上記第１及び第２の電極
層２，６…の端子部２″，６″…、即ち電極パツド
１３′，１３′…を示す。この電極パツド１３′，
１３′…は、第３図に示すようにメタルマスクを
利用した真空蒸着法等により基板１の周辺部に沿
つて第１及び第２の電極層２，６…と同一ピツチ
間隔で形成され、従来と同様にTi等からなる最
下層１３a′、Al等からなる中間層１３b′、Ni等
からなる最上層１３c′を順次積層してなる３層構
造を有する。また第２図にも示すように上記電極
パツド１３′，１３′…の最上層１３c′，１３c′…
の上面には、半田との接着強度を大きくするた
め、四方に開口する溝部１４，１４…が予め形成
される。更に第４図に示すように真空蒸着法等に
より電極パツド１３′，１３′…間の基板１上に絶
縁層１５，１５…を被着形成する。この絶縁層１
５，１５…の厚みは電極パツド１３′，１３′…の
厚みよりも若干厚肉に設定され、且つ絶縁層１
５，１５…の幅は電極パツド１３′，１３′…間の
間隔よりも狭く設定されて絶縁層１５，１５…と
電極パツド１３′，１３′…との間に例えば数百μ
ｍ程度の隙間１６，１６が設けられている。
上記第１及び第２の電極層２，６…の端子部
２″，６″…とフレキシブルリード１２，１２…と
を接続するに際しては、従来と同様の要領にてフ
レキシブルリード１２，１２…に半田膜を形成し
た状態で、電極パツド１３′，１３′…とリードパ
ターン１２ｂ，１２ｂ…の端部とを位置合わせ
し、フレキシブルリード１２，１２…を第１及び
第２の電極層２，６…の電極パツド１３′，１
３′…に赤外線ビームをスキヤンすること等によ
り半田付けする。この時、上記電極パツド１３′，
１３′…上に溝部１４，１４…を設けているため、
接着表面積が大きく、且つ、複雑になることで、
フレキシブルリード１２，１２…の接着強度が大
きくなる。又、余分な半田は電極パツド１３′，
１３′…と絶縁層１５，１５…との隙間１６，１
６…に容易に流れ出ると共に、絶縁層１５，１５
…に阻止されて、隣接する電極パツド１３，１３
同士が半田により短絡することがない。
２″，６″…とフレキシブルリード１２，１２…と
を接続するに際しては、従来と同様の要領にてフ
レキシブルリード１２，１２…に半田膜を形成し
た状態で、電極パツド１３′，１３′…とリードパ
ターン１２ｂ，１２ｂ…の端部とを位置合わせ
し、フレキシブルリード１２，１２…を第１及び
第２の電極層２，６…の電極パツド１３′，１
３′…に赤外線ビームをスキヤンすること等によ
り半田付けする。この時、上記電極パツド１３′，
１３′…上に溝部１４，１４…を設けているため、
接着表面積が大きく、且つ、複雑になることで、
フレキシブルリード１２，１２…の接着強度が大
きくなる。又、余分な半田は電極パツド１３′，
１３′…と絶縁層１５，１５…との隙間１６，１
６…に容易に流れ出ると共に、絶縁層１５，１５
…に阻止されて、隣接する電極パツド１３，１３
同士が半田により短絡することがない。
考案の効果
本考案によれば、第１及び第２の電極層の端子
部間の基板上に絶縁層を形成すると共に該絶縁層
と端子部との間に隙間を設けたことにより、上記
第１及び第２の電極層の端子部にフレキシブルリ
ードを半田付け接続するに際して、フレキシブル
リードの半田膜の膜厚及び、加圧条件が不均一で
あること等から溶融した余分な半田が流れ出して
も、端子部と絶縁層との間の隙間に貯められ、ま
た薄膜ELパネルの高解像度化に伴い、隣接する
端子部が近接する場合でも絶縁層が隔壁となつて
余分な半田の流れ出しによる隣接する端子部間の
短絡を未然に防止することが可能となる。更に上
述したように余分な半田を端子部と絶縁層との間
に隙間に貯めることができるので、従来よりも半
田量を多くしても問題はなく、多量の半田を使用
することができることによつて半田付け不良が発
生することもなく、信頼性も大幅に向上する。
部間の基板上に絶縁層を形成すると共に該絶縁層
と端子部との間に隙間を設けたことにより、上記
第１及び第２の電極層の端子部にフレキシブルリ
ードを半田付け接続するに際して、フレキシブル
リードの半田膜の膜厚及び、加圧条件が不均一で
あること等から溶融した余分な半田が流れ出して
も、端子部と絶縁層との間の隙間に貯められ、ま
た薄膜ELパネルの高解像度化に伴い、隣接する
端子部が近接する場合でも絶縁層が隔壁となつて
余分な半田の流れ出しによる隣接する端子部間の
短絡を未然に防止することが可能となる。更に上
述したように余分な半田を端子部と絶縁層との間
に隙間に貯めることができるので、従来よりも半
田量を多くしても問題はなく、多量の半田を使用
することができることによつて半田付け不良が発
生することもなく、信頼性も大幅に向上する。
さらに端子部に溝部を形成したので半田付の強
度が増し、余分な半田は絶縁層と端子部との間の
隙間に流れ出て、半田付けの信頼性が向上する。
度が増し、余分な半田は絶縁層と端子部との間の
隙間に流れ出て、半田付けの信頼性が向上する。
第１図乃至第４図は本考案に係る薄膜ELパネ
ルの一実施例を説明するためのもので、第１図は
第１及び第２の電極層の端子部とフレキシブルリ
ードとの接続状態を示す部分平面図、第２図は第
１及び第２の電極層の端子部並びに絶縁層を示す
要部拡大斜視図、第３図及び第４図は端子部及び
絶縁層の形成を説明するための要部拡大断面図で
ある。第５図は薄膜ELパネルの具体例を示す断
面図、第６図は従来における第１及び第２の電極
層とフレキシブルリードとの接続状態を示す要部
平面図、第７図Ａ，Ｂは第５図の要部拡大断面
図、第８図は第１及び第２の電極層の端子部を示
す部分斜視図である。 １……基板、２……第１の電極層、２′，２″…
…第１の電極層の端子部、３……第１の誘電体
層、４……発光層、５……第２の誘電体層、６…
…第２の電極層、６′，６″……第２の電極層の端
子部、１２……フレキシブルリード、１３，１
３′……電極パツド、１４……溝部、１５……絶
縁層、１６……隙間。
ルの一実施例を説明するためのもので、第１図は
第１及び第２の電極層の端子部とフレキシブルリ
ードとの接続状態を示す部分平面図、第２図は第
１及び第２の電極層の端子部並びに絶縁層を示す
要部拡大斜視図、第３図及び第４図は端子部及び
絶縁層の形成を説明するための要部拡大断面図で
ある。第５図は薄膜ELパネルの具体例を示す断
面図、第６図は従来における第１及び第２の電極
層とフレキシブルリードとの接続状態を示す要部
平面図、第７図Ａ，Ｂは第５図の要部拡大断面
図、第８図は第１及び第２の電極層の端子部を示
す部分斜視図である。 １……基板、２……第１の電極層、２′，２″…
…第１の電極層の端子部、３……第１の誘電体
層、４……発光層、５……第２の誘電体層、６…
…第２の電極層、６′，６″……第２の電極層の端
子部、１２……フレキシブルリード、１３，１
３′……電極パツド、１４……溝部、１５……絶
縁層、１６……隙間。
Claims (1)
- 基板上に第１の電極層、第１の誘電体層、発光
層、第２の誘電体層、第２の電極層を順次積層
し、第１及び第２の電極層を基板の周辺部に沿つ
て配設された電極パツドに接続して端子部を形成
し、端子部にフレキシブルリードを半田付けした
ものに於て、上記端子部間の基板上に絶縁層を形
成すると共に該絶縁層と端子部との間に隙間を設
けかつ端子部に少なくとも絶縁層側に開口する溝
部を設けたことを特徴とする薄膜ELパネル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1984099324U JPS6113891U (ja) | 1984-06-29 | 1984-06-29 | 薄膜ｅｌパネル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1984099324U JPS6113891U (ja) | 1984-06-29 | 1984-06-29 | 薄膜ｅｌパネル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6113891U JPS6113891U (ja) | 1986-01-27 |
| JPH0228546Y2 true JPH0228546Y2 (ja) | 1990-07-31 |
Family
ID=30658831
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1984099324U Granted JPS6113891U (ja) | 1984-06-29 | 1984-06-29 | 薄膜ｅｌパネル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6113891U (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001222021A (ja) * | 2000-02-09 | 2001-08-17 | Seiko Epson Corp | 液晶装置及びその製造方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5559491A (en) * | 1978-10-27 | 1980-05-02 | Citizen Watch Co Ltd | Liquid crystal display cell |
| JPS5593294A (en) * | 1979-01-05 | 1980-07-15 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Reflow soldering method |
| JPS6035981Y2 (ja) * | 1980-03-31 | 1985-10-25 | シャープ株式会社 | コネクタ |
| JPS57191070U (ja) * | 1981-05-29 | 1982-12-03 |
-
1984
- 1984-06-29 JP JP1984099324U patent/JPS6113891U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6113891U (ja) | 1986-01-27 |
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