JPH0138991Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 産業上の利用分野 本考案は、ポテンシヨメータ方式の選局回路を
使用したリモートコントロール選局システムにお
ける選局回路に適用して好適な選局回路に関す
る。

背景技術とその問題点 ポテンシヨメータ方式の選局回路として従来第
１図に示す例が提案されている。

同図において、端子１には、例えばテレビジヨ
ン受像機の電源回路から所定電圧＋Ｂが供給され
る。また、２は基準電圧設定用のツエナーダイオ
ードであり、接続点P₀には基準電圧として、例
えば33Vの電圧が得られる。この接続点P₀は同調
電圧発生用の可変抵抗器３及びスイツチ回路４の
直列回路を介して接続される。この可変抵抗器３
の可動子位置を調節することにより所定の受信局
に対応した電圧が可動子に発生するようにされ
る。尚実際には、このような可変抵抗器３及びス
イツチ回路４の組合せが、例えば受信局数だけ設
けられる。

また第１図において、５はチユーナであり、可
変抵抗器３の可動子に発生する同調電圧V_Cはダ
イオード６を介して同調電圧供給端子５ａに供給
される。

この第１図例において、選局信号に応じてスイ
ツチ回路４がオンとされると、ダイオード６が導
通し、可変抵抗器３の可動子よりチユーナ５の端
子５ａに所定の同調電圧V_Cが供給される。そし
て、チユーナ５において所定の局が選局される。

この第１図例に示す選局回路において、スイツ
チ回路４は当初デイスクリートトランジスタを用
いて構成され、その後バイポーラICを用いて構
成され、現在はＣ MOS ICあるいはＮチヤンネ
ルMOS ICを用いて構成されている。

Ｃ MOS ICあるいはＮチヤンネルMOS ICは
製造上の理由から高価であると共に、これらIC
の電源として選局電圧用の基準電圧は使用でき
ず、別個の電源を必要とする。従つて、第１図例
に示すような従来の選局回路においては、全体と
して高価となる不都合がある。

考案の目的 本考案の選局回路は斯る点に鑑みてなされたも
ので、全体として安価に構成できるようにしたも
のである。

考案の概要 本考案は上記目的を達成するため、基準電圧を
スイツチ回路及び同調電圧発生用の可変抵抗器の
直列回路を介して接地すると共に、このスイツチ
回路をＰチヤンネルMOSトランジスタで構成す
るようにしたものである。

本考案はこのよにスイツチ回路がＰチヤンネル
MOSトランジスタで構成され、製造上安価に構
成されるＰチヤンネルMOS IC、例えばリモート
コントロール用のICを利用できると共に、この
ICの電源として選局電圧用の基準電圧を共通に
利用することができるので、全体として安価に構
成することができる。

実施例 以下、第２図以降を参照しながら本考案の一実
施例について説明しよう。

スイツチ回路を単純にＰチヤンネルMOSトラ
ンジスタで構成しようとすると第２図に示すよう
になる。同図において、７は所定直流電圧＋Ｂが
供給される端子、８は基準電圧設定用のツエナー
ダイオード、９はＰチヤンネルMOSトランジス
タ、１０は同調電圧V_C発生用の可変抵抗器であ
る。

尚、ＰチヤンネルMOSトランジスタ９の場合、
ソース・サブストレートが共通に接続され電源電
圧が与えられるようになされるから、これを可変
抵抗器１０の接地側にもつてくることはできな
い。

この場合、ツエナーダイオード８で設定される
基準電圧を、例えばＰチヤンネルMOSトランジ
スタ９を含む、例えばＰチヤンネルMOS ICの電
源として用いると大きな電流が流れるので、ツエ
ナーダイオード８として大容量のものが必要とな
る。しかし、ツエナーダイオードとしてそれ程大
容量のものはない。

そこで、ツエナーダイオード８として大容量の
ものを使用しなくてもいいように第３図に示すよ
うな構成が考えられる。即ち、電流通路にトラン
ジスタ１１を設けるものである。この第３図に示
すようにすると、ツエナーダイオード８として小
容量のものを使用することができるが、今度はト
ランジスタ１１の温度補償をする必要性を生じ
る。尚ツエナーダイオード８は温度補償がされて
いる。

そこで、このトランジスタ１１の温度補償のた
め、第４図に示すようにこのトランジスタ１１と
同一特性で熱的に結合されたダイオード１２を設
けることが考えられる。しかし、このように熱的
に結合されたトランジスタ１１及びダイオード１
２で大容量のものはない。

そこで、第５図に示すように電圧制御用のトラ
ンジスタ１３を設けることが考えられる。この場
合、このトランジスタ１３で全消費電力のほとん
どが消費されるようにすれば、トランジスタ１１
と温度補償のためこれに熱的に結合されるダイオ
ード１２とが小容量のもので十分構成することが
できる。

第６図は本考案の一実施例を示すものであり、
以上の点が考慮されて構成されたものである。こ
の第６図において第１図及び第５図と対応する部
分には同一符号を付して示す。

この第６図において、１４は例えばAC120Vの
交流電源であり、これがダイオード１５ａ及びコ
ンデンサ１５ｂよりなる整流回路１５に供給され
る。そしてこの整流回路１５の出力側に所定電圧
＋Ｂ、略160Vの直流電圧が得られ、これが抵抗
器１６を介して電圧制御用のnpn形トランジスタ
１３のコレクタに供給される。このトランジスタ
１３のベースは抵抗器１７を介してそのコレクタ
に接続されると共に、このトランジスタ１３のベ
ースはコンデンサ１８を介して接地される。ま
た、このトランジスタ１３のエミツタはnpn形ト
ランジスタ１１のコレクタに接続される。そし
て、このトランジスタ１１のベースはダイオード
１２及び基準電圧設定用のツエナーダイオード８
の直列回路を介して接地される。ダイオード１２
は上述したようにトランジスタ１１の温度補償用
のものであり、トランジスタ１１と同一特性のも
ので熱的に結合されたものである。ここでトラン
ジスタ１３は負荷（後述するIC２０）に直接接
続されていない為特に温度補償をする必要がな
く、負荷に直接接続されているトランジスタ１１
の出力のみが温度補償されている。また、トラン
ジスタ１１のベースは抵抗器１９を介してトラン
ジスタ１３のベースに接続され、このベースに所
定バイアスが供給される。すなわち、トランジス
タ１１を温度補償する為には、トランジスタ１１
とダイオード１２にそれぞれバイアス電流を供給
する必要がある。このバイアス電流はトランジス
タ１３のコレクタから供給する事も考えられる
が、ベースの方が電圧リツプルが小さく、また抵
抗器１９の消費電力も小さくて済む事からトラン
ジスタ１３のベース電位をトランジスタ１１のベ
ースに印加する事によつて供給している。

ここで、抵抗器１６，１７及び１９が夫々例え
ば4.7KΩ，4.7KΩ及び390Ωであるとき、トラン
ジスタ１３のコレクタ電圧は略100V、そのエミ
ツタ電圧（トランジスタ１１のコレクタ電圧）は
略40V、そして、トランジスタ１１のエミツタに
は基準電圧として略33Vの電圧が得られる。つま
り、整流回路１５の出力からトランジスタ１１の
エミツタまでの間で電圧を160Vから33Vまで降
下させ、かつＰ MOS IC２０に動作電流を供給
する必要があるが、前述のようにトランジスタ１
１で大容量のものはないためこの電圧降下による
電力消費をトランジスタ１１だけにもたせる事は
できない。そこでトランジスタ１３を設けて全消
費電力のほとんどをここで消費させている。従つ
てトランジスタ１１及びダイオード１２としては
小容量のもので十分である。

また、トランジスタ１１のエミツタに得られる
基準電圧はＰチヤンネルMOS IC、本例において
はリモートコントロール用のIC２０の電源端子
V_SSに供給される。このIC２０のうち、９はスイ
ツチ回路を構成するＰチヤンネルMOSトランジ
スタである。このトランジスタ９のソースは電源
端子V_SSに接続され、そのドレインより端子２１
が導出される。また、そのゲートにはリモートコ
ントロール信号に対応してスイツチング信号（選
局信号）が供給される。また端子２１は同調電圧
発生用の可変抵抗器１０を介して接地される。こ
の可変抵抗器１０の可動子位置を調節することに
より所定の受信局に対応した電圧がその可動子に
発生するようにされる。尚、この第６図において
は、ＰチヤンネルMOSトランジスタ９及び可変
抵抗器１０の組合せが一組しか図示されていない
が、これらの組合せは、例えば受信局数だけ設け
られる。

可変抵抗器１０の可動子に得られる同調電圧
Vcはダイオード２２を介してチユーナ５の同調
電圧供給端子５ａに供給される。

また、トランジスタ１１のエミツタは抵抗器２
３及び２４の直列回路を介して接地され、これら
抵抗器２３及び２４の接続点はpnp形トランジス
タ２５のベースに接続される。このトランジスタ
２５のコレクタは抵抗器２６を介して接地され、
そのエミツタはIC２０の接地端子V_DDに接続され
る。この場合、接地端子V_DDに所定電圧が与えら
れるように、即ち、端子V_SS及びV_DD間が所定電
圧となように、抵抗器２３及び２４の抵抗値が選
定される。

この第６図例において、ＰチヤンネルMOSト
ランジスタ９がオンとされると、ダイオード２２
が導通し、可変抵抗器１０の可動子に得られる同
調電圧Vcがチユーナに供給され、所定局の選局
が行なわれる。

この第６図例によれば、スイツチ回路がＰチヤ
ンネルMOSトランジスタ９で構成され、例えば
この例のように製造上安価に構成されるリモート
コントロール用のＰチヤンネルMOS IC２０をス
イツチ回路に利用することができると共に、トラ
ンジスタ９の電源、即ちIC２０の電源として基
準電圧を共通に使用でき別個の電源が必要でな
く、全体として安価に構成することができる。

尚、上述実施例においては、交流電源１４から
整流回路１５で得られた所定電圧＋Ｂを用いるも
のであるが、これはスイツチ回路を構成するＰチ
ヤンネルMOSトランジスタ９がリモートコント
ロール用のＰチヤンネルMOS IC２０を利用する
もので、このIC２０にスタンバイ電源を供給す
る必要性があるからである。従つて、Ｐチヤンネ
ルMOSトランジスタ９がリモートコントロール
用のＰチヤンネルMOS ICを利用するものでない
ならば、セツト本体の電源を用いることができ
る。

また、上述実施例において、IC２０の電源電
流が大きく、リツプル成分が大きい場合には、抵
抗器１７及びコンデンサ１８よりなるリツプルフ
イルタを２段にして使用すればよい。

また、トランジスタ２５を用いる代りに、端子
V_DDに所定電圧を与えるようなツエナーダイオー
ドを用いてもよい。

考案の効果 以上述べた本考案によれば、スイツチ回路がＰ
チヤンネルMOSトランジスタで構成され、安価
に構成されるＰチヤンネルMOS IC、例えばリモ
ートコントロール用のＰチヤンネルMOS ICを利
用することができる。また、スイツチ回路がＰチ
ヤンネルMOSトランジスタで構成され、このＰ
チヤンネルMOSトランジスタの電源、即ちＰチ
ヤンネルMOS ICの電源として選局電圧用の基準
電圧を共通に利用することができる。従つて本考
案によれば、全体として従来のものより安価に構
成することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の選局回路の例を示す接続図、第
２図〜第５図は夫々第６図例の説明のための図、
第６図は本考案の一実施例を示す接続図である。 ５はチユーナ、９はＰチヤンネルMOSトラン
ジスタ、１０は同調電圧発生用の可変抵抗器であ
る。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 電源が電圧制御用のトランジスタ、温度特性補
   償用のトランジスタ、ＰチヤンネルMOSトラン
   ジスタ及び同調電圧発生用の可変抵抗器の直列回
   路を介して接地され、上記温度特性補償用のトラ
   ンジスタのベースはこれと同一特性で熱的に結合
   されたダイオード及び基準電圧設定用のツエナー
   ダイオードの直列回路を介して接地されると共
   に、上記温度特性補償用のトランジスタのベース
   には上記電圧制御用のトランジスタで制御された
   電圧がバイアス電圧として供給され、上記Ｐチヤ
   ンネルMOSトランジスタをオンすることで上記
   可変抵抗器の可動子に所定電圧が得られ、これが
   チユーナに同調電圧として供給される選局回路。