JPH0140198Y2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0140198Y2 JPH0140198Y2 JP1983053935U JP5393583U JPH0140198Y2 JP H0140198 Y2 JPH0140198 Y2 JP H0140198Y2 JP 1983053935 U JP1983053935 U JP 1983053935U JP 5393583 U JP5393583 U JP 5393583U JP H0140198 Y2 JPH0140198 Y2 JP H0140198Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead frame
- block body
- substrate
- adhesion
- lead
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔技術分野〕
本案は半導体装置の製造装置に関し、特に高温
に加熱されたブロツク体とそれに載置されたリー
ドフレームとの付着防止機構に関するものであ
る。
に加熱されたブロツク体とそれに載置されたリー
ドフレームとの付着防止機構に関するものであ
る。
一般に半導体装置は例えば放熱板、アイランド
などの基板部に半導体素子を半田部材を用いて固
定すると共に、半導体素子の電極と一端が半導体
素子の近傍に位置するように配設されたリード部
とを金属細線にて接続し、かつ半導体素子を含む
主要部分を樹脂材にてモールド被覆して構成され
ている。
などの基板部に半導体素子を半田部材を用いて固
定すると共に、半導体素子の電極と一端が半導体
素子の近傍に位置するように配設されたリード部
とを金属細線にて接続し、かつ半導体素子を含む
主要部分を樹脂材にてモールド被覆して構成され
ている。
ところで、基板部への半導体素子の固定及び基
板部に固定された半導体素子の電極とリードとの
金属細線による接続は基板部を含むリードフレー
ムを例えば400〜450℃の高温に加熱された金属製
のブロツク体に載置させた状態で行われている。
板部に固定された半導体素子の電極とリードとの
金属細線による接続は基板部を含むリードフレー
ムを例えば400〜450℃の高温に加熱された金属製
のブロツク体に載置させた状態で行われている。
しかし乍ら、リードフレームの基板部、リード
部には半導体素子のマウント性、金属細線のボン
デイング性を良好ならしめるために貴金属のメツ
キ層が形成されている関係で、半導体素子の基板
部への固定時、金属細線の半導体素子及びリード
部への接続時に基板部、リード部がブロツク体の
上面に付着してしまうことがあり、リードフレー
ムの次ポジシヨンないし次工程への移送時におけ
る円滑性が著しく損なわれるのみならず、その際
に基板部、リード部に変形が生じて金属細線が切
断され易いという問題がある。
部には半導体素子のマウント性、金属細線のボン
デイング性を良好ならしめるために貴金属のメツ
キ層が形成されている関係で、半導体素子の基板
部への固定時、金属細線の半導体素子及びリード
部への接続時に基板部、リード部がブロツク体の
上面に付着してしまうことがあり、リードフレー
ムの次ポジシヨンないし次工程への移送時におけ
る円滑性が著しく損なわれるのみならず、その際
に基板部、リード部に変形が生じて金属細線が切
断され易いという問題がある。
それ故に、本案の目的は簡単な構成によつてリ
ードフレームのブロツク体への付着を効果的に低
減でき、工程上のトラブルを著しく減少できる半
導体装置の製造装置を提供することにある。
ードフレームのブロツク体への付着を効果的に低
減でき、工程上のトラブルを著しく減少できる半
導体装置の製造装置を提供することにある。
そして、本案の特徴は上面にリードフレームの
載置部を形成した金属製のブロツク体と、ブロツ
ク体に直接的ないし間接的に接続した加熱源と、
ブロツク体の、リードフレームにおける基板部と
接触する部分に配設した付着防止体とを具備し、
上記付着防止体は良好な熱伝導性を有し、かつ基
板部のメツキ層に対して付着性に乏しい部分にて
構成したことにある。
載置部を形成した金属製のブロツク体と、ブロツ
ク体に直接的ないし間接的に接続した加熱源と、
ブロツク体の、リードフレームにおける基板部と
接触する部分に配設した付着防止体とを具備し、
上記付着防止体は良好な熱伝導性を有し、かつ基
板部のメツキ層に対して付着性に乏しい部分にて
構成したことにある。
この考案によれば、ブロツク体を高温状態に保
つてリードフレームの基板部に半導体素子を固定
したり、半導体素子とリード部とを金属細線にて
接続したりてしても、基板部、リード部のブロツ
ク体への付着を有効に防止できる。このため、リ
ードフレームの移送時における基板部、リード部
の変形は勿論のこと、金属細線の断線をも著しく
減少できるし、さらには移送時の円滑性も改善で
きる。
つてリードフレームの基板部に半導体素子を固定
したり、半導体素子とリード部とを金属細線にて
接続したりてしても、基板部、リード部のブロツ
ク体への付着を有効に防止できる。このため、リ
ードフレームの移送時における基板部、リード部
の変形は勿論のこと、金属細線の断線をも著しく
減少できるし、さらには移送時の円滑性も改善で
きる。
本案の一実施例について第１図を参照して説明
する。
する。
図において、１は例えば金属細線のボンデイン
グ装置の一部を構成するレール装置であつて、例
えば中央部に配置された第１のブロツク体２と、
固定ブロツク体２の両側に熱的に接続して配置さ
れた第２のブロツク体３，３と、第２のブロツク
体３，３に内蔵されたカートリツジヒータ（加熱
源）と、第１のブロツク体２上に、第２のブロツ
ク体３，３にも熱的に接続されるように配置され
た付着防止体４とから構成されている。特に、第
１、第２のブロツク体２，３は金属例えばステン
レスにて形成されており、付着防止体４は良好な
熱伝導性を有し、かつ後述するリードフレームの
メツキ層に対して付着性に乏しい部材例えばセラ
ミツク板、石英板にて形成されている。尚、付着
防止体４としてセラミツク板を用いる場合にはそ
の肉厚は0.6tmm程度が、又、石英板を用いる場合
には1.0tmm程度が望ましい。そして、第２のブロ
ツク体３，３の上面３ａ，３ａと付着防止体４の
上面４ａとは面一に構成されており、リードフレ
ーム５が載置されている。このリードフレーム５
は例えば枠部分にタイバーによつて支持されたリ
ード部６と、リード部６の端部に位置し、枠部分
より延びる吊ピンにて支持された基板部７とから
構成されており、リード部６、基板部７には例え
ば金、銀などの貴金属がメツキされている。そし
て、基板部７には半導体素子８が予め半田部材を
用いて固定されている。
グ装置の一部を構成するレール装置であつて、例
えば中央部に配置された第１のブロツク体２と、
固定ブロツク体２の両側に熱的に接続して配置さ
れた第２のブロツク体３，３と、第２のブロツク
体３，３に内蔵されたカートリツジヒータ（加熱
源）と、第１のブロツク体２上に、第２のブロツ
ク体３，３にも熱的に接続されるように配置され
た付着防止体４とから構成されている。特に、第
１、第２のブロツク体２，３は金属例えばステン
レスにて形成されており、付着防止体４は良好な
熱伝導性を有し、かつ後述するリードフレームの
メツキ層に対して付着性に乏しい部材例えばセラ
ミツク板、石英板にて形成されている。尚、付着
防止体４としてセラミツク板を用いる場合にはそ
の肉厚は0.6tmm程度が、又、石英板を用いる場合
には1.0tmm程度が望ましい。そして、第２のブロ
ツク体３，３の上面３ａ，３ａと付着防止体４の
上面４ａとは面一に構成されており、リードフレ
ーム５が載置されている。このリードフレーム５
は例えば枠部分にタイバーによつて支持されたリ
ード部６と、リード部６の端部に位置し、枠部分
より延びる吊ピンにて支持された基板部７とから
構成されており、リード部６、基板部７には例え
ば金、銀などの貴金属がメツキされている。そし
て、基板部７には半導体素子８が予め半田部材を
用いて固定されている。
この状態において、カートリツジヒータを動作
させ、載置部３ａ，４ａの表面温度が400℃程度
となるように設定する。これによつて、リードフ
レーム５は第２のブロツク体３，３及び付着防止
体４からの伝導熱によつて高温に加熱される。そ
して、キヤピラリーにて金属細線９を半導体素子
８の電極、リード部６に熱圧着ボンデイングす
る。この際に、リード部６の端部及び基板部７は
付着防止体４の上面４ａに位置しているために、
それへの付着を皆無にでき、次ポジシヨンへの移
送時におけるリード部６、基板部７の変形及びこ
の変形に起因する金属細線９の断線を防止でき
る。
させ、載置部３ａ，４ａの表面温度が400℃程度
となるように設定する。これによつて、リードフ
レーム５は第２のブロツク体３，３及び付着防止
体４からの伝導熱によつて高温に加熱される。そ
して、キヤピラリーにて金属細線９を半導体素子
８の電極、リード部６に熱圧着ボンデイングす
る。この際に、リード部６の端部及び基板部７は
付着防止体４の上面４ａに位置しているために、
それへの付着を皆無にでき、次ポジシヨンへの移
送時におけるリード部６、基板部７の変形及びこ
の変形に起因する金属細線９の断線を防止でき
る。
第２図は本案の他の実施例を示すものであつ
て、付着防止体４1の上部にはリードフレーム５
の基板部７を載置する底面４ａを有する凹部４ｂ
が形成されている。そして、底面４ａは第２のブ
ロツク体３，３の上面３ａ，３ａに対して段差を
有するように構成されている。
て、付着防止体４1の上部にはリードフレーム５
の基板部７を載置する底面４ａを有する凹部４ｂ
が形成されている。そして、底面４ａは第２のブ
ロツク体３，３の上面３ａ，３ａに対して段差を
有するように構成されている。
第３図は本案の他の実施例を示すものであつ
て、第２のブロツク体３，３と付着防止体４2と
は段差状に構成されており、付着防止体４2には
基板部７のみが載置されるように構成されてい
る。
て、第２のブロツク体３，３と付着防止体４2と
は段差状に構成されており、付着防止体４2には
基板部７のみが載置されるように構成されてい
る。
第４図は本案のさらに異つた実施例を示すもの
であつて、第１、第２のブロツク体はブロツク体
３1として統合されており、その上面には凹状の
付着防止体４3が配置されている。
であつて、第１、第２のブロツク体はブロツク体
３1として統合されており、その上面には凹状の
付着防止体４3が配置されている。
尚、本案は何ら上記実施例にのみ制約されるこ
となく、例えば加熱源は第２のブロツク体に内蔵
させる他、第１のブロツク体にも内蔵させたりす
ることもできるし、外部に接続したりすることも
できる。又、ブロツク体、付着防止体はリードフ
レームの形状に応じて適宜に変更できる。
となく、例えば加熱源は第２のブロツク体に内蔵
させる他、第１のブロツク体にも内蔵させたりす
ることもできるし、外部に接続したりすることも
できる。又、ブロツク体、付着防止体はリードフ
レームの形状に応じて適宜に変更できる。
第１図〜第４図は本案のそれぞれ異つた実施例
を示す側断面図である。 図中、２，３，３1はブロツク体、４，４1，４
２，４3は付着防止体、５はリードフレーム、６は
リード部、７は基板部である。
を示す側断面図である。 図中、２，３，３1はブロツク体、４，４1，４
２，４3は付着防止体、５はリードフレーム、６は
リード部、７は基板部である。
Claims (1)
- 上面にリードフレームの載置部を形成した金属
製のブロツク体と、ブロツク体に直接的ないし間
接的に接続した加熱源と、ブロツク体の、リード
フレームにおける基板部と接触する部分に配設し
た付着防止体とを具備し、上記付着防止体は良好
な熱伝導性を有し、かつ基板部のメツキ層に対し
て付着性に乏しい部材にて構成したことを特徴と
する半導体装置の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1983053935U JPS59159947U (ja) | 1983-04-11 | 1983-04-11 | 半導体装置の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1983053935U JPS59159947U (ja) | 1983-04-11 | 1983-04-11 | 半導体装置の製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59159947U JPS59159947U (ja) | 1984-10-26 |
| JPH0140198Y2 true JPH0140198Y2 (ja) | 1989-12-01 |
Family
ID=30184287
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1983053935U Granted JPS59159947U (ja) | 1983-04-11 | 1983-04-11 | 半導体装置の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59159947U (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2581054B2 (ja) * | 1987-02-18 | 1997-02-12 | 三菱電機株式会社 | 半導体製造装置 |
-
1983
- 1983-04-11 JP JP1983053935U patent/JPS59159947U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59159947U (ja) | 1984-10-26 |
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