JPH0140309B2 - - Google Patents
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- JPH0140309B2 JPH0140309B2 JP55058707A JP5870780A JPH0140309B2 JP H0140309 B2 JPH0140309 B2 JP H0140309B2 JP 55058707 A JP55058707 A JP 55058707A JP 5870780 A JP5870780 A JP 5870780A JP H0140309 B2 JPH0140309 B2 JP H0140309B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01S—RADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
- G01S15/00—Systems using the reflection or reradiation of acoustic waves, e.g. sonar systems
- G01S15/88—Sonar systems specially adapted for specific applications
- G01S15/89—Sonar systems specially adapted for specific applications for mapping or imaging
- G01S15/8906—Short-range imaging systems; Acoustic microscope systems using pulse-echo techniques
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01H—MEASUREMENT OF MECHANICAL VIBRATIONS OR ULTRASONIC, SONIC OR INFRASONIC WAVES
- G01H3/00—Measuring characteristics of vibrations by using a detector in a fluid
- G01H3/10—Amplitude; Power
- G01H3/12—Amplitude; Power by electric means
- G01H3/125—Amplitude; Power by electric means for representing acoustic field distribution
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Radar, Positioning & Navigation (AREA)
- Remote Sensing (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Ultrasonic Waves (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、超音波エネルギーを用いた撮像装置
特に超音波顕微鏡に関する。
特に超音波顕微鏡に関する。
近年1GHzに及ぶ超高周波の音波の発生検出が
可能となつたので、水中で約1μｍの音波長が実
現できる事になり、その結果、高い分解能の音波
撮像装置が得られる様になつた。即ち、凹面レン
ズを用いて集束音波ビームを作り、1μｍに及ぶ
高い分解能を実現するのである。
可能となつたので、水中で約1μｍの音波長が実
現できる事になり、その結果、高い分解能の音波
撮像装置が得られる様になつた。即ち、凹面レン
ズを用いて集束音波ビームを作り、1μｍに及ぶ
高い分解能を実現するのである。
上記ビーム中に試料をそう入し、試料による反
射超音波を検出して試料の微細領域の弾性的性質
を解明したり、或は試料を機械的に２次元に走査
しながらこの信号の強度をブラウン管の輝度信号
として表示すれば、試料の微細領域を拡大してみ
る事が出来る。この様な超音波顕微鏡については
実開昭54−92794号公報にて提案された。
射超音波を検出して試料の微細領域の弾性的性質
を解明したり、或は試料を機械的に２次元に走査
しながらこの信号の強度をブラウン管の輝度信号
として表示すれば、試料の微細領域を拡大してみ
る事が出来る。この様な超音波顕微鏡については
実開昭54−92794号公報にて提案された。
まず、この様な超音波顕微撮像装置の従来構成
について説明し、その問題点を説明する。
について説明し、その問題点を説明する。
第１図は、試料からの反射信号を得る為の探触
子系の従来法による概略構成を示す図である。音
波伝播媒体２０（例えばサフアイア、石英ガラス
等の円柱状結晶）はその一端面２１は光学研摩さ
れた平面であり、他端面は凹面状の半球穴３０が
形成されている。端面１に蒸着された圧電薄膜１
０に印加されたRFパルス電気信号により結晶２
０内に平面波のRFパルス音波が放射される。こ
の平面音波は上記半球穴３０と媒質４０（一般に
水）との界面で形成された正の音響レンズにより
所定焦点におかれた試料５０上に集束される。
子系の従来法による概略構成を示す図である。音
波伝播媒体２０（例えばサフアイア、石英ガラス
等の円柱状結晶）はその一端面２１は光学研摩さ
れた平面であり、他端面は凹面状の半球穴３０が
形成されている。端面１に蒸着された圧電薄膜１
０に印加されたRFパルス電気信号により結晶２
０内に平面波のRFパルス音波が放射される。こ
の平面音波は上記半球穴３０と媒質４０（一般に
水）との界面で形成された正の音響レンズにより
所定焦点におかれた試料５０上に集束される。
試料５０によつて反射、散乱された超音波は、
同じレンズによつて集音され平面波に変換されて
結晶内２０を伝播し、最終的に圧電薄膜１０によ
りRF電気信号に変換される。このRF電気信号を
ダイオード検波してビデオ信号に変換し、上記の
ブラウン管の入力信号として用いるのである。
同じレンズによつて集音され平面波に変換されて
結晶内２０を伝播し、最終的に圧電薄膜１０によ
りRF電気信号に変換される。このRF電気信号を
ダイオード検波してビデオ信号に変換し、上記の
ブラウン管の入力信号として用いるのである。
第２図ａは、この様な従来構成で、ある繰り返
し周期tRのRFパルス電気信号を印加した時のピ
デオ領域での検出信号を示したものである。ここ
で横軸は時間軸をたて軸は信号強度を示してい
る。Ａは印加したRFパルスを示し、Ｂはレンズ
界面からの反射信号を又Ｃは試料からの反射信号
を示している。
し周期tRのRFパルス電気信号を印加した時のピ
デオ領域での検出信号を示したものである。ここ
で横軸は時間軸をたて軸は信号強度を示してい
る。Ａは印加したRFパルスを示し、Ｂはレンズ
界面からの反射信号を又Ｃは試料からの反射信号
を示している。
従来の撮像装置では、この所望の反射信号Ｃを
Ｂと弁別するに印加パルスの継続時間tdを出来る
だけ短かくして、Ｃ及びＢ信号が重ならない様に
設定し、Ｃ信号のみをタイムゲート（第２図ｃ参
照）で取り出す構成を採用している。
Ｂと弁別するに印加パルスの継続時間tdを出来る
だけ短かくして、Ｃ及びＢ信号が重ならない様に
設定し、Ｃ信号のみをタイムゲート（第２図ｃ参
照）で取り出す構成を採用している。
ところで、この様な装置の分解能は、超音波の
伝播方向の探度分解能Δρと超音波の伝播方向と
垂直な面内の方位分解能Δγとがあり、いずれも
使用した超音波の波長λとレンズの照るさを表わ
すＦナンバによつて定り、 Δγ＝λ・Ｆ (1) Δρ＝2λ・F2 (2) で与えられる。
伝播方向の探度分解能Δρと超音波の伝播方向と
垂直な面内の方位分解能Δγとがあり、いずれも
使用した超音波の波長λとレンズの照るさを表わ
すＦナンバによつて定り、 Δγ＝λ・Ｆ (1) Δρ＝2λ・F2 (2) で与えられる。
作成可能なレンズのＦナンバは0.7程度である
から、1GHzの超音波を用いると水中（1500m／
ｓ）でΔγ〜1μｍ、Δρ〜1.5μｍとなる。
から、1GHzの超音波を用いると水中（1500m／
ｓ）でΔγ〜1μｍ、Δρ〜1.5μｍとなる。
ところが、超音波顕微鏡の最大の撮像対象であ
るICやLSIでは、更に秀れた深度分解能が要求さ
れる。周知の様に、ICではその平面的なパター
ンより深さ方向のパターンの方が細かい事が多い
からである。実際、代表的なＣは1μｍ〜3μｍの
多層構造になつているが、焦点の位置をICの表
面より内部にあわせ、これ等の層を各々独立に非
破壊で観察する事は、上述の水中で2μｍといつ
た深度分解能ではとうてい不可能である。という
のは、ICの材料であるシリコンやアルミニウム
等の金属はその音速は水より速いので1GHzの超
音波を用いても深度分解能は４〜10μｍにすぎな
いからである。
るICやLSIでは、更に秀れた深度分解能が要求さ
れる。周知の様に、ICではその平面的なパター
ンより深さ方向のパターンの方が細かい事が多い
からである。実際、代表的なＣは1μｍ〜3μｍの
多層構造になつているが、焦点の位置をICの表
面より内部にあわせ、これ等の層を各々独立に非
破壊で観察する事は、上述の水中で2μｍといつ
た深度分解能ではとうてい不可能である。という
のは、ICの材料であるシリコンやアルミニウム
等の金属はその音速は水より速いので1GHzの超
音波を用いても深度分解能は４〜10μｍにすぎな
いからである。
本発明は以上の点を鑑みてなされたもので、深
度分解能を大きく改善する方法として干渉法を用
いる事を特徴とする。即ち、本発明者等は、前述
の不要な反射信号Ｂ、すなわちレンズ界面からの
反射超音波を利用して干渉顕微法を実現した。
度分解能を大きく改善する方法として干渉法を用
いる事を特徴とする。即ち、本発明者等は、前述
の不要な反射信号Ｂ、すなわちレンズ界面からの
反射超音波を利用して干渉顕微法を実現した。
第２図ｄは本発明の原理を示したもので、試料
からの反射超音波信号Ｃとレンズと水の界面での
反射超音波信号Ｂを干渉させるのにRFパルスの
継続時間tdを従来例とは逆に長くする事によつて
実現している。
からの反射超音波信号Ｃとレンズと水の界面での
反射超音波信号Ｂを干渉させるのにRFパルスの
継続時間tdを従来例とは逆に長くする事によつて
実現している。
詳しく説明すると、試料からの反射超音波信号
Ｃはレンズと水との界面からの反射信号Ｂより、
レンズと試料間の水の中を往復伝播する時間
2Z／Vw（ここでＺはレンズと試料間の距り、Vw
は水中の音速）だけ遅れて戻つてくるから、RF
パルスの継続時間tdを td＞2Z／Vw（≡ts） (3) と長くすると、２つの反射信号は重なりあう事に
なる。この重なりあう時間領域の信号をタイムゲ
ートでとり出すことにより、２つの反射信号の干
渉を検出する事が出来る。
Ｃはレンズと水との界面からの反射信号Ｂより、
レンズと試料間の水の中を往復伝播する時間
2Z／Vw（ここでＺはレンズと試料間の距り、Vw
は水中の音速）だけ遅れて戻つてくるから、RF
パルスの継続時間tdを td＞2Z／Vw（≡ts） (3) と長くすると、２つの反射信号は重なりあう事に
なる。この重なりあう時間領域の信号をタイムゲ
ートでとり出すことにより、２つの反射信号の干
渉を検出する事が出来る。
レンズと水の界面からの反射信号Ｂを
VB（ｔ）＝Ａ sin wpｔ tp＜ｔ＜tp＋td (4)
ここでwpは使用超音波周波数
tp＝2L／VL Ｌはレンズの長さ、VLはレンズ材
の音速 とおくと、試料からの反射超音波信号Ｃは Vc（ｔ）＝Ｂ sin wp（ｔ＋2Z／Vw） (5) tp＋ts＜ｔ＜tp＋ts＋td で表わされるから、(3)の条件下では２つの信号は
重なり合い tp＋ts＜ｔ＜tp＋td (6) でＶ（ｔ）＝Ａ sin wpｔ＋Ｂ sin wp（ｔ＋2Z／
Vw）と表わされ、（第２図ｄの破線領域）ダイオ
ード２乗検波すると、ビデオ領域で Ｖ（ｔ）＝A2＋B2＋2AB cos（wp2Z／Vw） (7) となる。(6)式の時間域の信号を利用すると、 wp2Z／Vw＝2πZ／（λ／２） (8) より、レンズと試料間の距りＺをかえるとλ／２
周期で検出信号が変調される。２つの反射波が最
も良く干渉する変調度50％、即ち、２つの反射波
の振巾ＡおよびＢが等しい状態を仮定すると(7)式
は、 Ｖ（ｔ）＝2A2（１−cosθ） …（7′） ただしθ＝2πZ／（λ／２） となる。これをＶ（ｔ）の値が上限値が１、下限
値が０になるように規格化すると Ｖ（ｔ）＝（１−cosθ）／２ …（7″） となる。極大値より−3dBの振巾減をもつて深度
分解能とする（Rayleigh基準）と、 （１＋cosθ0）／２＝１／√２ であるから cosθ0＝√２−１ であつて、これを解くとθ0＝65.5゜＝0.36πrad.で
ある。即ち、 2πZ／（λ／２）＝0.36π より、Ｚ＝0.91λ≒λ／10が得られる。−3dB巾の
深度分解能は、極大値の点よりプラス側−3dBの
所からマイナス側−3dBまでの巾であるから前記
の値の２倍、即ち0.182λ≒λ／５になる。換言す
れば試料の凹凸や内部の層構造のパターンを、約
λ／５（変調度50％）で検出する事が可能になる。
このλ／５が従来法での深度分解能λ（Ｆ＝0.7の
とき）に対応するもので干渉法によつて、約５倍
改善される事になるわけである。
の音速 とおくと、試料からの反射超音波信号Ｃは Vc（ｔ）＝Ｂ sin wp（ｔ＋2Z／Vw） (5) tp＋ts＜ｔ＜tp＋ts＋td で表わされるから、(3)の条件下では２つの信号は
重なり合い tp＋ts＜ｔ＜tp＋td (6) でＶ（ｔ）＝Ａ sin wpｔ＋Ｂ sin wp（ｔ＋2Z／
Vw）と表わされ、（第２図ｄの破線領域）ダイオ
ード２乗検波すると、ビデオ領域で Ｖ（ｔ）＝A2＋B2＋2AB cos（wp2Z／Vw） (7) となる。(6)式の時間域の信号を利用すると、 wp2Z／Vw＝2πZ／（λ／２） (8) より、レンズと試料間の距りＺをかえるとλ／２
周期で検出信号が変調される。２つの反射波が最
も良く干渉する変調度50％、即ち、２つの反射波
の振巾ＡおよびＢが等しい状態を仮定すると(7)式
は、 Ｖ（ｔ）＝2A2（１−cosθ） …（7′） ただしθ＝2πZ／（λ／２） となる。これをＶ（ｔ）の値が上限値が１、下限
値が０になるように規格化すると Ｖ（ｔ）＝（１−cosθ）／２ …（7″） となる。極大値より−3dBの振巾減をもつて深度
分解能とする（Rayleigh基準）と、 （１＋cosθ0）／２＝１／√２ であるから cosθ0＝√２−１ であつて、これを解くとθ0＝65.5゜＝0.36πrad.で
ある。即ち、 2πZ／（λ／２）＝0.36π より、Ｚ＝0.91λ≒λ／10が得られる。−3dB巾の
深度分解能は、極大値の点よりプラス側−3dBの
所からマイナス側−3dBまでの巾であるから前記
の値の２倍、即ち0.182λ≒λ／５になる。換言す
れば試料の凹凸や内部の層構造のパターンを、約
λ／５（変調度50％）で検出する事が可能になる。
このλ／５が従来法での深度分解能λ（Ｆ＝0.7の
とき）に対応するもので干渉法によつて、約５倍
改善される事になるわけである。
1GHzの超音波を用いると、従来は、水の中で
約1.5μｍ、シリコン（8400m／ｓ）中で8.4μｍの
深度分解能しかしなかつたものを、本発明による
と水中で0.3μｍシリコン中で0.7μｍという高い深
度分解能に改善る事が出来、最初に述べたような
ICの多層構造の深度別観察が始めて可能になる
のである。
約1.5μｍ、シリコン（8400m／ｓ）中で8.4μｍの
深度分解能しかしなかつたものを、本発明による
と水中で0.3μｍシリコン中で0.7μｍという高い深
度分解能に改善る事が出来、最初に述べたような
ICの多層構造の深度別観察が始めて可能になる
のである。
本発明によると、この様な干渉法と従来法を同
一の装置を用いて、単にRFパルス信号の継続時
間を切り換えるだけで使いわける事を可能にす
る。
一の装置を用いて、単にRFパルス信号の継続時
間を切り換えるだけで使いわける事を可能にす
る。
即ち、上記説明から明らかなようにRFパルス
の継続時間tdを td＜2Z／Vw (9) と短くすれば２つの反射超音波信号Ｂ、Ｃは重な
る事はないからである。
の継続時間tdを td＜2Z／Vw (9) と短くすれば２つの反射超音波信号Ｂ、Ｃは重な
る事はないからである。
第３図は本発明を具体化する回路構成の一実施
例を示す図で、RFの連続波発振器１００で発生
させたRF連続波信号（例えば1GHz）をアナロ
グ・スイツチ１１０で継続時間tdのRFパルス信
号にかえ、方向性結合器１２０を介して探触子系
１２５に印加する。反射検出信号を方向性結合器
１２０を介して受信アンプ１３０で増巾後、ダイ
オード検波器１４０でビデオ信号（帯域〜10M
Hz）に変換し、タイムゲート１５０により所望の
信号のみとり出して撮像用信号とするわけであ
る。この構成は従来法と同一であるが本発明の特
長は、アナログスイツチ１１０をON、OFFする
ゲート発生器１６０にある。即ち、スイツチ１７
０によつてアナログスイツチ１１０用のゲート信
号を条件(3)td＞2Z／Vw、又は条件(9)td＜2Z／Vw
となる様切り換える回路である。
例を示す図で、RFの連続波発振器１００で発生
させたRF連続波信号（例えば1GHz）をアナロ
グ・スイツチ１１０で継続時間tdのRFパルス信
号にかえ、方向性結合器１２０を介して探触子系
１２５に印加する。反射検出信号を方向性結合器
１２０を介して受信アンプ１３０で増巾後、ダイ
オード検波器１４０でビデオ信号（帯域〜10M
Hz）に変換し、タイムゲート１５０により所望の
信号のみとり出して撮像用信号とするわけであ
る。この構成は従来法と同一であるが本発明の特
長は、アナログスイツチ１１０をON、OFFする
ゲート発生器１６０にある。即ち、スイツチ１７
０によつてアナログスイツチ１１０用のゲート信
号を条件(3)td＞2Z／Vw、又は条件(9)td＜2Z／Vw
となる様切り換える回路である。
第４図にその構成の１例を示す。
即ち、パルス発振器１６１により繰り返し周期
tRのパルスを発生させ、そのパルスの立ち上り
で、マルチバイブレータ１６２ａ，１６２ｂ，１
６４でそれぞれΔt1、Δt2、Δt3なる時間巾のパル
スを作る。ここで、Δt1＜2Z／Vw、Δt2＞2Z／
Vw、Δt3＝tp＋tsと選ぶのである。マルチバイブ
レータ１６２ａ，１６２ｂの出力波形（各々、第
２図ｂ，ｅに示す）をマルチプレキサ１６３で、
スイツチ１７０のHigh、Low状態によつて選択
し、アナログスイツチ１１０のコントロール信号
とし、又、マルチバイブレータ１６４の出力を再
びマルチバイブレータ１６５にいれる事により
Δt3だけ遅延したパルスを作成、これをタイムゲ
ート１５０のゲート信号とするわけである（第２
図ｃ，ｆに示す）。この様な回路はTTL
（Transistor−Transistor Logic）で容易に実現
出来る。第２図ａ，ｂ，ｃ及びｄ，ｅ，ｆにtd＜
2Z／Vw、td＞2Z／Vw従つて従来例と本干渉法で
のコントロール信号とゲート信号のタイムチヤー
トを示す。
tRのパルスを発生させ、そのパルスの立ち上り
で、マルチバイブレータ１６２ａ，１６２ｂ，１
６４でそれぞれΔt1、Δt2、Δt3なる時間巾のパル
スを作る。ここで、Δt1＜2Z／Vw、Δt2＞2Z／
Vw、Δt3＝tp＋tsと選ぶのである。マルチバイブ
レータ１６２ａ，１６２ｂの出力波形（各々、第
２図ｂ，ｅに示す）をマルチプレキサ１６３で、
スイツチ１７０のHigh、Low状態によつて選択
し、アナログスイツチ１１０のコントロール信号
とし、又、マルチバイブレータ１６４の出力を再
びマルチバイブレータ１６５にいれる事により
Δt3だけ遅延したパルスを作成、これをタイムゲ
ート１５０のゲート信号とするわけである（第２
図ｃ，ｆに示す）。この様な回路はTTL
（Transistor−Transistor Logic）で容易に実現
出来る。第２図ａ，ｂ，ｃ及びｄ，ｅ，ｆにtd＜
2Z／Vw、td＞2Z／Vw従つて従来例と本干渉法で
のコントロール信号とゲート信号のタイムチヤー
トを示す。
本実施例におけるこのようなモード切り換えに
よつても試料からの反射信号の出現時刻は変化し
ない。即ち第２図ｄに斜線で示す干渉波の巾、即
ち（td−ts）が第２図ｃに示す従来法のタイムゲ
ート巾とほヾ同じであり、従つて第２図ｆにおけ
る干渉波に対するタイムゲートと変りがないか
ら、同一のゲート信号を用いる事が出来る。これ
は本実施例における一つの利点である。本発明で
はこのような場合のみでなく、(3)式を満足するパ
ルス継続時間を採用しさえすれば、干渉波が生じ
且つその出現時刻は試料からの反射信号の立上り
時刻であるので、信号検出のためのタイムゲート
を、モード切換えにより変更する必要がない。
よつても試料からの反射信号の出現時刻は変化し
ない。即ち第２図ｄに斜線で示す干渉波の巾、即
ち（td−ts）が第２図ｃに示す従来法のタイムゲ
ート巾とほヾ同じであり、従つて第２図ｆにおけ
る干渉波に対するタイムゲートと変りがないか
ら、同一のゲート信号を用いる事が出来る。これ
は本実施例における一つの利点である。本発明で
はこのような場合のみでなく、(3)式を満足するパ
ルス継続時間を採用しさえすれば、干渉波が生じ
且つその出現時刻は試料からの反射信号の立上り
時刻であるので、信号検出のためのタイムゲート
を、モード切換えにより変更する必要がない。
勿論本実施例で述べた構成に限らず、本質的に
RFパルスの継続時間を変える構成なら本発明は
有効である。本発明の他の実施例としては、撮像
装置の深度分解能を大巾に改善する事以外に、い
わゆる干渉法の有する特徴、即ち試料面の凹凸
の検出による等高線高さ計側、レンズと試料間
の距りをかえて得られる反射信号の示すパターン
の周期から（これはλ／２である）レンズと試料
間の間にある未知の流体の音速測定等が考えられ
る。
RFパルスの継続時間を変える構成なら本発明は
有効である。本発明の他の実施例としては、撮像
装置の深度分解能を大巾に改善する事以外に、い
わゆる干渉法の有する特徴、即ち試料面の凹凸
の検出による等高線高さ計側、レンズと試料間
の距りをかえて得られる反射信号の示すパターン
の周期から（これはλ／２である）レンズと試料
間の間にある未知の流体の音速測定等が考えられ
る。
以上述べた様に、本発明によればRFパルスの
継続時間を2Z／Vwを基準としてこれより長くす
るか短かくするかで干渉法を実現し又従来方法も
具現することが出来、超音波顕微装置に極めて簡
単な構成で干渉法の機能を付加する事が出来、深
度分解能の向上等の性能向上に大きく寄与し、
ICやLSIの欠陥検査や品質管理に威力を発揮し当
業界への寄与は極めて大である。
継続時間を2Z／Vwを基準としてこれより長くす
るか短かくするかで干渉法を実現し又従来方法も
具現することが出来、超音波顕微装置に極めて簡
単な構成で干渉法の機能を付加する事が出来、深
度分解能の向上等の性能向上に大きく寄与し、
ICやLSIの欠陥検査や品質管理に威力を発揮し当
業界への寄与は極めて大である。
第１図は、探触子系の構成図を示す図、第２図
は本発明の原理を示す図、第３図は本発明の一実
施例を示す図、第４図は本発明の特徴部を説明す
る図である。
は本発明の原理を示す図、第３図は本発明の一実
施例を示す図、第４図は本発明の特徴部を説明す
る図である。
Claims (1)
- １ 一端にレンズ面を形成し、他端に圧電体を設
けた音波伝播媒体より、流体媒質中の試料に向け
て集束超音波ビームを発生させる手段と、前記音
波ビームと前記試料とを相対走査する手段と、前
記音波伝播媒体と前記流体媒質との境界面からの
反射音波信号と前記試料よりの反射音波信号との
干渉信号を検出し、表示する手段とを備えた超音
波撮像装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5870780A JPS56155847A (en) | 1980-05-06 | 1980-05-06 | Ultrasonic wave image pickup device |
| EP81103113A EP0039457B1 (en) | 1980-05-06 | 1981-04-24 | Acoustic microscope |
| DE8181103113T DE3162938D1 (en) | 1980-05-06 | 1981-04-24 | Acoustic microscope |
| CA000376542A CA1167958A (en) | 1980-05-06 | 1981-04-29 | Acoustic microscope with a variable rf pulse for causing interference |
| US06/261,032 US4394824A (en) | 1980-05-06 | 1981-05-06 | Acoustic microscope |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5870780A JPS56155847A (en) | 1980-05-06 | 1980-05-06 | Ultrasonic wave image pickup device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56155847A JPS56155847A (en) | 1981-12-02 |
| JPH0140309B2 true JPH0140309B2 (ja) | 1989-08-28 |
Family
ID=13091967
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5870780A Granted JPS56155847A (en) | 1980-05-06 | 1980-05-06 | Ultrasonic wave image pickup device |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4394824A (ja) |
| EP (1) | EP0039457B1 (ja) |
| JP (1) | JPS56155847A (ja) |
| CA (1) | CA1167958A (ja) |
| DE (1) | DE3162938D1 (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58122456A (ja) * | 1982-01-14 | 1983-07-21 | Hitachi Ltd | 超音波顕微鏡 |
| JPS59196459A (ja) * | 1983-04-22 | 1984-11-07 | Hitachi Ltd | 超音波顕微鏡 |
| DE3409930A1 (de) * | 1984-03-17 | 1985-10-10 | Ernst Leitz Wetzlar Gmbh, 6330 Wetzlar | Schaltungsanordnung zur trennung von hochfrequenzimpulsen an einer akustischen reflektionslinsenanordnung |
| US4589783A (en) * | 1984-04-04 | 1986-05-20 | Wayne State University | Thermal wave imaging apparatus |
| US4567767A (en) * | 1984-05-14 | 1986-02-04 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Method and apparatus for very low temperature acoustic microscopy |
| US4620443A (en) * | 1984-12-13 | 1986-11-04 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Low frequency acoustic microscope |
| US5627320A (en) * | 1988-03-23 | 1997-05-06 | Texas Instruments Incorporated | Apparatus and method for automated non-destructive inspection of integrated circuit packages |
| US5269188A (en) * | 1991-07-29 | 1993-12-14 | Rosemount Inc. | Continuous self test time gate ultrasonic sensor and method |
| US5428984A (en) * | 1993-08-30 | 1995-07-04 | Kay-Ray/Sensall, Inc. | Self test apparatus for ultrasonic sensor |
| US5608165A (en) * | 1996-05-06 | 1997-03-04 | Ford Motor Company | Ultrasonic thickness gauge for multilayer plastic fuel tanks |
-
1980
- 1980-05-06 JP JP5870780A patent/JPS56155847A/ja active Granted
-
1981
- 1981-04-24 EP EP81103113A patent/EP0039457B1/en not_active Expired
- 1981-04-24 DE DE8181103113T patent/DE3162938D1/de not_active Expired
- 1981-04-29 CA CA000376542A patent/CA1167958A/en not_active Expired
- 1981-05-06 US US06/261,032 patent/US4394824A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56155847A (en) | 1981-12-02 |
| EP0039457B1 (en) | 1984-04-04 |
| CA1167958A (en) | 1984-05-22 |
| EP0039457A1 (en) | 1981-11-11 |
| US4394824A (en) | 1983-07-26 |
| DE3162938D1 (en) | 1984-05-10 |
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